JPH036107A - 電圧制御発振器 - Google Patents
電圧制御発振器Info
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- JPH036107A JPH036107A JP1140452A JP14045289A JPH036107A JP H036107 A JPH036107 A JP H036107A JP 1140452 A JP1140452 A JP 1140452A JP 14045289 A JP14045289 A JP 14045289A JP H036107 A JPH036107 A JP H036107A
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- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
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- H03B5/368—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device and comprising means for varying the frequency by a variable voltage or current the means being voltage variable capacitance diodes
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Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、主として通信機器の送信部あるいは受信部の
周波数シンセサイザに使用される電圧制御発振器に関す
るものである。
周波数シンセサイザに使用される電圧制御発振器に関す
るものである。
従来の技術
電圧制御発振器は従来より、低雑音などの特性の要求が
厳しく、通常個別部品のトランジスタ、共振器、可変容
量ダイオード、容量、インダクタ、抵抗器などを用いて
構成されており、例えば特開昭62−73804号公報
などに記載されている構成が知られている。以下、第2
図を参照して従来の電圧制御発振器について説明する。
厳しく、通常個別部品のトランジスタ、共振器、可変容
量ダイオード、容量、インダクタ、抵抗器などを用いて
構成されており、例えば特開昭62−73804号公報
などに記載されている構成が知られている。以下、第2
図を参照して従来の電圧制御発振器について説明する。
第2図において31は発振用トランジスタ、32はその
バイアス抵抗、33はバイパス容量、34は結合容量、
36は可変容量ダイオード、36は共振体、37はバイ
アス抵抗、38はバイパス容量、39はチョークコイル
、4oはダンピング抵抗、41は結合容量、42は増幅
用トランジスタ、43はバイアス抵抗、44は結合容量
、46はチョークコイル、4θはバイパス容量である。
バイアス抵抗、33はバイパス容量、34は結合容量、
36は可変容量ダイオード、36は共振体、37はバイ
アス抵抗、38はバイパス容量、39はチョークコイル
、4oはダンピング抵抗、41は結合容量、42は増幅
用トランジスタ、43はバイアス抵抗、44は結合容量
、46はチョークコイル、4θはバイパス容量である。
50は同調電圧端子、51゜63はプラス電源端子、6
2は発振出力端子である。
2は発振出力端子である。
上記構成において、発振用トランジスタ31はコレクタ
を交流的に接地すれば、ベースから見たインピーダンス
は負性になる。ここで可変容量ダイオード36と共振体
36からなる直列共振回路を結合容量34を介して接続
し他端を接地し、可変容量ダイオード36の逆バイアス
電圧を変えることにより発振周波数を可変することがで
きる。
を交流的に接地すれば、ベースから見たインピーダンス
は負性になる。ここで可変容量ダイオード36と共振体
36からなる直列共振回路を結合容量34を介して接続
し他端を接地し、可変容量ダイオード36の逆バイアス
電圧を変えることにより発振周波数を可変することがで
きる。
この信号は発振用トランジスタ31のエミッタから取り
出され増幅用トランジスタ42で増幅されて発振出力を
得ている。
出され増幅用トランジスタ42で増幅されて発振出力を
得ている。
発明が解決しようとする課題
しかし、以上のような構成では、低雑音などの特性を要
求される通信機器に用いる場合には、特性の良好な個別
部品で構成する必要があり、またチョークコイルを用い
る必要がある等、半導体集積回路化が困難であるため、
小形化と低価格化に限界があるという課題を有していた
。
求される通信機器に用いる場合には、特性の良好な個別
部品で構成する必要があり、またチョークコイルを用い
る必要がある等、半導体集積回路化が困難であるため、
小形化と低価格化に限界があるという課題を有していた
。
本発明は上記課題を解決するもので、共振回路部を除く
発振回路の大部分を低雑音の≠導体集積回路にすること
を目的とするものである。
発振回路の大部分を低雑音の≠導体集積回路にすること
を目的とするものである。
課題を解決するための手段
本発明は、半導体集積回路のトランジスタの発振回路形
式としてコルピッツ形のコレクタ接地方式をとり、その
発振用トランジスタサイズを他の主要トランジスタサイ
ズよりも等測的に大きく選び、発振回路の帰環容量やバ
イアス抵抗及び出力用エミッタフォロア等を半導体集積
回路のチップで構成し、その外側に発振用トランジスタ
のベースからのボンディングワイヤおよび外付はインダ
クタ、表面弾性波共振器および可変容量ダイオードなど
を接地へと直列に接続するようにしたものである。また
電源供給については、ベースバイアスおよびエミッタフ
ォロアのコレクタ電源には安定化電源を用い、発振トラ
ンジスタのコレクタ電源は安定化する以前の電源にリッ
プルフィルタ等を設けて用いることにより、上記目的を
達成するもので、ある。
式としてコルピッツ形のコレクタ接地方式をとり、その
発振用トランジスタサイズを他の主要トランジスタサイ
ズよりも等測的に大きく選び、発振回路の帰環容量やバ
イアス抵抗及び出力用エミッタフォロア等を半導体集積
回路のチップで構成し、その外側に発振用トランジスタ
のベースからのボンディングワイヤおよび外付はインダ
クタ、表面弾性波共振器および可変容量ダイオードなど
を接地へと直列に接続するようにしたものである。また
電源供給については、ベースバイアスおよびエミッタフ
ォロアのコレクタ電源には安定化電源を用い、発振トラ
ンジスタのコレクタ電源は安定化する以前の電源にリッ
プルフィルタ等を設けて用いることにより、上記目的を
達成するもので、ある。
作用
本発明は上記構成により、半導体集積回路のトランジス
タのコレクタとサブストレート間の容量変化による発振
回路への影響をコレクタ接地にすることで少なくし、か
つ必要な発振周波数範囲での雑音特性を、コルピッツ形
でトランジスタサイズを増し、表面弾性波共振器を用い
ることで良好に確保し、かつベースからのボンディング
ワイヤおよび外付はインダクタで、発振周波数範囲を拡
大するようにし、低雑音の発振回路の大部分を半導体集
積回路で構成できるようにしたものである。
タのコレクタとサブストレート間の容量変化による発振
回路への影響をコレクタ接地にすることで少なくし、か
つ必要な発振周波数範囲での雑音特性を、コルピッツ形
でトランジスタサイズを増し、表面弾性波共振器を用い
ることで良好に確保し、かつベースからのボンディング
ワイヤおよび外付はインダクタで、発振周波数範囲を拡
大するようにし、低雑音の発振回路の大部分を半導体集
積回路で構成できるようにしたものである。
また電源供給方法により、発振器全体の電流をほぼ一定
としながら、低雑音・低消費電力への対応ができるよう
にしたものである。
としながら、低雑音・低消費電力への対応ができるよう
にしたものである。
実施例
第1図は本発明の一実施例における回路接続図である。
第1図において、1は発振用トランジスタ、2はエミッ
タフォロア・トランジスタ、3は発振回路の共振器であ
る表面弾性波共振素子、4はコルピッツ形発振器の第1
の帰環容量、6は同第2の帰環容量、6は発振用トラン
ジスタ1のコレクタを接地する容量、7は可変容量ダイ
オード、8は同調電圧を供給する抵抗、9はインダクタ
、10.11は直流阻止コンデンサ、12.13は発振
用トランジスタ1のベースバイアx抵抗、14゜15は
エミッタバイヤス抵抗、2oは発振用トランジスタ1の
コレクタ電源供給端子、21は電圧制御発振器のエミッ
タフォロア出力、22はアース端子、23は発振用トラ
ンジスタ1のベース端子、24は安定化電源端子、26
は同調電圧供給端子である。
タフォロア・トランジスタ、3は発振回路の共振器であ
る表面弾性波共振素子、4はコルピッツ形発振器の第1
の帰環容量、6は同第2の帰環容量、6は発振用トラン
ジスタ1のコレクタを接地する容量、7は可変容量ダイ
オード、8は同調電圧を供給する抵抗、9はインダクタ
、10.11は直流阻止コンデンサ、12.13は発振
用トランジスタ1のベースバイアx抵抗、14゜15は
エミッタバイヤス抵抗、2oは発振用トランジスタ1の
コレクタ電源供給端子、21は電圧制御発振器のエミッ
タフォロア出力、22はアース端子、23は発振用トラ
ンジスタ1のベース端子、24は安定化電源端子、26
は同調電圧供給端子である。
上記構成において、以下その動作について説明する。ま
ず、発振回路形式としては雑音特性の良好なコルピッツ
形でしかもコレクタ・サブストレート間の容量変動の影
響をほとんど受けないコレクタ接地方式とするためコレ
クタ容量6、第1、第2の帰環容量4,6、および共振
回路から発振回路を形成する。発振用トランジスタ1は
低雑音化のために、複数個、例えば3個並列に接続する
か、あるいは半導体集積回路の拡散サイズを通常よりも
大きくする。なお、共振回路は半導体集積回路の外側に
、発振用トランジスタ10ベースからのボンディングワ
イヤと外付はインダクタから成るインダクタ9、共振損
失が概ね1dB以下の表面弾性波共振素子3、バラクタ
ダイオード7によって構成している。表面弾性波共振素
子3のQは余り高くはなくインダクタ9の大きさにより
、同調電圧供給端子26から可変容量ダイオード7に逆
バイアスとして加えられる同調電圧による発振周波数感
度が調整でき、同調電圧1Vに対して数MHzの程度で
ある。また発振回路の負荷側からの影響を少なくするた
め、発振用トランジスタ1のエミッタ出力にチョークコ
イルを必要としないエミッタフォロア回路として、エミ
ッタフォロアトランジスタ2、エミッタバイヤス抵抗1
6を入れている。なお、エミッタフォロアトランジスタ
2のコレクタ電圧および発振用トランジスタ1のベース
バイアスは、安定化電源を加えて発振器及びエミッタフ
ォロアの電流を一定に保ち、また発振用トランジスタ1
のコレクタ電源は、安定化電源の負荷電流を減らすため
、また発振器の低雑音化のために、リフプルフィルタ等
を入れた別の電源をコレクタ電源供給端子20から加え
ている。
ず、発振回路形式としては雑音特性の良好なコルピッツ
形でしかもコレクタ・サブストレート間の容量変動の影
響をほとんど受けないコレクタ接地方式とするためコレ
クタ容量6、第1、第2の帰環容量4,6、および共振
回路から発振回路を形成する。発振用トランジスタ1は
低雑音化のために、複数個、例えば3個並列に接続する
か、あるいは半導体集積回路の拡散サイズを通常よりも
大きくする。なお、共振回路は半導体集積回路の外側に
、発振用トランジスタ10ベースからのボンディングワ
イヤと外付はインダクタから成るインダクタ9、共振損
失が概ね1dB以下の表面弾性波共振素子3、バラクタ
ダイオード7によって構成している。表面弾性波共振素
子3のQは余り高くはなくインダクタ9の大きさにより
、同調電圧供給端子26から可変容量ダイオード7に逆
バイアスとして加えられる同調電圧による発振周波数感
度が調整でき、同調電圧1Vに対して数MHzの程度で
ある。また発振回路の負荷側からの影響を少なくするた
め、発振用トランジスタ1のエミッタ出力にチョークコ
イルを必要としないエミッタフォロア回路として、エミ
ッタフォロアトランジスタ2、エミッタバイヤス抵抗1
6を入れている。なお、エミッタフォロアトランジスタ
2のコレクタ電圧および発振用トランジスタ1のベース
バイアスは、安定化電源を加えて発振器及びエミッタフ
ォロアの電流を一定に保ち、また発振用トランジスタ1
のコレクタ電源は、安定化電源の負荷電流を減らすため
、また発振器の低雑音化のために、リフプルフィルタ等
を入れた別の電源をコレクタ電源供給端子20から加え
ている。
以上本実施例によれば、コルピッツ形コレクタ接地方式
発振回路を採用し、その発振用トランジスタのサイズを
大きくし、共振回路に表面弾性波共振素子とインダクタ
を用いることにより、低雑音発振器の大部分を半導体集
積回路によって構成することができる。
発振回路を採用し、その発振用トランジスタのサイズを
大きくし、共振回路に表面弾性波共振素子とインダクタ
を用いることにより、低雑音発振器の大部分を半導体集
積回路によって構成することができる。
発明の効果
以上のように本発明は、共振回路部を除いて半導体集積
回路化し、特定の必要な発振周波数範囲において低雑音
の電圧制御発振器を構成することができ、その小形化、
低価格化に対する効果は大きい。
回路化し、特定の必要な発振周波数範囲において低雑音
の電圧制御発振器を構成することができ、その小形化、
低価格化に対する効果は大きい。
第1図は本発明の一実施例における電圧制御発振器の回
路接続図、第2図は従来の電圧制御発振器の回路接続図
である。 1・・・発振用トランジスタ、2・・・エミッタフォロ
アトランジスタ、3・・・表面弾性波共振素子、4゜6
・・・帰環容量、e・・・コレクタ接地容量、T・・・
可変容量ダイオード、9・・・インダクタ。 第1図 ワ可褒1F最ブイ7−ド
路接続図、第2図は従来の電圧制御発振器の回路接続図
である。 1・・・発振用トランジスタ、2・・・エミッタフォロ
アトランジスタ、3・・・表面弾性波共振素子、4゜6
・・・帰環容量、e・・・コレクタ接地容量、T・・・
可変容量ダイオード、9・・・インダクタ。 第1図 ワ可褒1F最ブイ7−ド
Claims (4)
- (1)コルピッツ形の発振回路の発振用トランジスタを
第1のバイパス容量で接地することによりコレクタ接地
し、前記発振用トランジスタのベースに第1の帰環容量
およびベースバイアス抵抗を接続し、また前記発振用ト
ランジスタのエミッタに第2の帰環容量、エミッタバイ
ヤス抵抗、および出力用エミッタフォロアを接続すると
ともに、それらを半導体集積回路内に設け、前記半導体
集積回路の外側に、前記発振用トランジスタのベースか
らのボンディングワイヤおよびインダクタ、表面弾性波
共振素子および可変容量ダイオードを直列にして接地す
ることを特徴とする電圧制御発振器。 - (2)発振用トランジスタが、半導体集積回路内で複数
個並列接続されていることを特徴とする請求項1記載の
電圧制御発振器。 - (3)発振用トランジスタの拡散サイズを大きくしたこ
とを特徴とする請求項1記載の電圧制御発振器。 - (4)発振トランジスタのベースバイアスおよびエミッ
タフォロアのコレクタ電源に電圧を安定化した電源を使
用し、発振トランジスタのコレクタの電源は別に供給す
ることを特徴とする請求項1記載の電圧制御発振器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1140452A JPH036107A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 電圧制御発振器 |
| US07/528,079 US5025229A (en) | 1989-06-01 | 1990-05-24 | Voltage-controlled oscillator using a surface elastic wave resonator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1140452A JPH036107A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 電圧制御発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH036107A true JPH036107A (ja) | 1991-01-11 |
Family
ID=15268949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1140452A Pending JPH036107A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 電圧制御発振器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5025229A (ja) |
| JP (1) | JPH036107A (ja) |
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| US6255644B1 (en) | 1997-06-23 | 2001-07-03 | Fanuc Ltd. | Optical rotary encoder |
| US8954020B2 (en) | 1997-02-20 | 2015-02-10 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | Radio transceiver on a chip |
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| FR2791196B1 (fr) * | 1999-03-18 | 2001-06-08 | Valeo Electronique | Perfectionnements aux oscillateurs et aux recepteurs radio-frequence |
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| JP2001077628A (ja) | 1999-09-01 | 2001-03-23 | Alps Electric Co Ltd | 水晶発振回路 |
| US6326854B1 (en) | 1999-09-30 | 2001-12-04 | Nortel Networks Limited | Coaxial resonator and oscillation circuits featuring coaxial resonators |
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| RU2189693C1 (ru) * | 2001-01-05 | 2002-09-20 | Военная академия Ракетных войск стратегического назначения им. Петра Великого | Высокочастотный генератор, стабилизированный резонатором на поверхностных акустических волнах |
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-
1989
- 1989-06-01 JP JP1140452A patent/JPH036107A/ja active Pending
-
1990
- 1990-05-24 US US07/528,079 patent/US5025229A/en not_active Expired - Lifetime
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| US6083604A (en) * | 1994-10-26 | 2000-07-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Bonded assembly, method of jointing for preparation thereof and rivet |
| US8954020B2 (en) | 1997-02-20 | 2015-02-10 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | Radio transceiver on a chip |
| US6255644B1 (en) | 1997-06-23 | 2001-07-03 | Fanuc Ltd. | Optical rotary encoder |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5025229A (en) | 1991-06-18 |
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