JPH0424956A - ハイブリッドモジュール回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的コ （産業上の利用分野） 本発明はハイブリッドモジュール回路装置のに係り、特
にメタルキャップによってハーメチックシールされた比
較的発熱密度の高いハイブリッドＩＣ素子を含む複数個
の電子部品を実装するハイブリッドモジュール回路装置
に関する。

（従来の技術） たとえばセラミック配線基板面に、ＩＣ素子などの能動
素子および抵抗体などの受動素子とともに、少くとも１
個のメタルキャップによってハーメチックシールされた
比較的発熱密度の高いハイフリットＩＣ素子を実装して
成るハイブリッドモジュール回路装置が、小型多機能ボ
ードとして知られている。

第２図は、従来知られている小型多機能ボードの構成を
断面的に示したもので、ｌはセラミック基板、２はハー
メチックシールされた比較的発熱密度の高いハイブリッ
ドＩＣ素子、３はフラットパッケージ型素子、４はチッ
プ型電子部品、５は接続半田層、６は前記比較的発熱密
度の高いハイブリッドＩＣ素子２に放熱のため良熱伝導
性エポキシ樹脂７で取着されたヒートシンクである。

しかして、上記ハイブリッドモジュール回路３置は、一
般に次のようにして製造されている。３なわち、セラミ
ック配線基板１の所定領域面に、フラットパッケージ型
素子３、チップ型電子部８４などを半田付けらして実装
する一方、予め所遁のヒートシンク６を取着した比較的
発熱密度の憂いハイブリッドＩＣ素子２の実装を行って
いる。

（発明が解決しようとする課題） しかし、上記構成のハイブリッド上ジュー１１回路装置
の構成ないし構造の場合は、次のようち不都合がある。

先ず第１点として、上記比較的黄熱密度の高いハイブリ
ッドＩＣ素子２の実装細部が多くなるに伴い、それらの
ハイブリッド素子２がそれぞれ具備するヒートシンク６
の形状などによって、実装スペースの効率が低下し、小
型・高密度化を図り得ない。第２点として、前記比較的
発熱密度の高いハイブリッドＩＣ素子２の発熱が多いた
め、大型のヒートシンク６が取着されている場合、耐振
動・衝撃に問題がある。また、第３点として、ハイブリ
ッドモジュール回路装置（小型多機能ボード）の耐ノイ
ズ性か劣るという問題かある。

本発明は、上記事情に対処してなされたもので、実装効
率か高く、耐振動・衝撃および耐ノイズ性も良好なハイ
ブリッドモジュール回路装置の提供を目的とする。

［発明の構成〕 （課題を解決するための手段） 本発明のハイブリッドモジュール回路装置は、配線基板
と、前記配線基板面上に一体的に取着された所定領域が
選択的に開口する第１の金属板と、前記第１の金属板の
開口により露出する配線基板面に実装された比較的発熱
密度の高いハイブリッドＩＣ素子以外の能動素子および
受動素子と、前記装着した第１の金属板上の所定領域に
実装されたメタルキャップでハーメチックシールされた
比較的発熱密度の高いハイブリッドＩＣ素子と、前記比
較的発熱密度の高いハイブリッドＩＣ素子のキャップ面
が内壁面に対接しかつ開口端面を第１の金属板面に一体
化させて取着した皿状の第２の金属板とを具備して成る
ことを特徴とする。

（作　用） 上記構成によれば、比較的発熱密度の高いメタルキャッ
プでハーメチックシールしたハイブリッドＩＣは、両面
側を金属板で挟持された形となり、これらによって効果
的な放熱がなされるとともに、固定・保持されすぐれた
耐振動・衝撃性を呈する。また、実装された各電子部品
素子は、全体的に金属板で囲繞それた形となるため、耐
ノイズ性の向上も図られる。

（実施例） 以下第１図を参照して本発明の詳細な説明する。第１図
は本発明に係るハイブリッドモジュール回路装置の要部
構成例を断面的に示したもので、１はセラミック配線基
板、８は前記セラミック配線基板１面上に耐熱絶縁接着
剤９によって一体的に取着された所定領域が選択的に開
口８ａする第１の金属板である。しかして、前記第１の
金属板８の開口８ａにより露出するセラミック配線基板
１面には、比較的発熱密度の高いハイブリッドＩＣ素子
２以外の能動素子および受動素子として、たとえばフラ
ットパッケージ型素子３やキャップ封止型素子４がそれ
ぞれ半田付け６によって実装されている。また、２は前
記装着した第１の金属板８上の所定領域に良熱伝導性接
着剤層７によって装着されたメタルキャップでハーメチ
ックシールされた比較的発熱密度の高いハイブリッドＩ
Ｃ素子であり、１ｏは前記比較的発熱密度の高いハイブ
リッドＩＣ素子２のメタルキャップ２ａ面が良熱伝導性
接着剤層７を介して内壁面に対接しがっ開目端面を第１
の金属板８面に一体化させて取着した皿状の第２の金属
板である。なお、第１図において、２ｂは比較的発熱密
度の高いハイブリッドＩＣ素子２のリードを、１１はセ
ラミック配線基板１と皿状の第２の金属板１ｏとを一体
化するボルトをそれぞれ示す。

次に、本発明に係るハイブリッドモジュール回路装置の
製造例について説明する。

先ず所要の配線基板たとえば、セラミック配線基板１を
用意し、二のセラミック配線基板１面の所定領域に比較
的発熱密度の高いハイブリッドＩＣ素子２以外の能動素
子および受動素子として、たとえばフラットパッケージ
型素子３やキャップ封止型素子４かそれぞれ半田付け６
によって実装する。

一方、予め用意しておいた、前記フラットパッケージ型
素子３およびキャップ封止型素子４を実装した領域に対
応する部分を選択的に開口８ａさせた第１の金属板８を
、耐熱絶縁接着剤９によってセラミック配線基板１面に
一体的に取着する。次いで、前記装着した第１の金属板
８上の所定領域に良熱伝導性接着剤層７を介してメタル
キャップでハーメチックシールされた比較的発熱密度の
高いハイブリッドＩＣ素子を装着する。

しかる後、前記装着した比較的発熱密度の高いハイブリ
ッドＩＣ素子２のメタルキャップ２ａ面に良熱伝導性接
着剤層７を配設し、皿状の第２の金属板１０を、その内
壁面を前記メタルキャップ２ａ面に良熱伝導性接着剤層
７に対接させ、かつ開口端面を第１の金属板８面対接さ
せた状態に配設して、ボルト１１締めによってセラミッ
ク配線基板１と一体化させることにより製造し得る。

上記においては、本発明に係るハイブリッドモジュール
回路装置の一構成例を挙げて本発明を説明したか、本発
明は上記例示に限定されるものでなく、たとえばセラミ
ック配線基板の代りにガラス系もしくは樹脂系の配線基
板を用いてもよい。

つまり、前記本発明の構成手段ないし趣旨に沿って、例
示した以外の構成も採り得る。

［発明の効果］ 上記本発明に係る構成によれば、ハイブリッドモジュー
ル回路装置の薄型・小形化か可能であるばかりてなく、
放熱特性の向上も図られる。また、実装された各種電子
部品の中、特にメタルキャップでハーメチックシールさ
れた比較的発熱密度の高いハイブリッドＩＣ素子は、ヒ
ートシンクを成す金属板で挟持された形を保持するため
、良好な耐振動・衝撃性を発揮する。さらに、前記実装
された各種電子部品は、第１および第２の金属板によっ
てシールされた形となっているため、そのシールド効果
で大幅に向上した耐ノイス性を呈する。

かくして、本発明に係るハイブリッドモジュール回路装
置は、実用上多くの利点をもたらすものとい入る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るハイブリッドモジュール回路装置
の要部構成例を示す断面図、第２図は従来のハイブリッ
ドモジュール回路装置の要部構成を示す断面図である。 ｌ・・・・・・セラミック配線基板 ２・・・・メタルキャップでハーメチックシールされた
比較的発熱密度の高いハイブリ ッドＩＣ素子 ２ａ・・・・・メタルキャップ ３・・・・・・フラットパッケージ型素子４・・・・・
・キャップ型素子 ５・・・・・・半田付け ７・・・・・・良熱伝導性接着層 ８・・・・・第１の金属板 ９・・・・・・耐熱絶縁接着剤層 １０・・・・・・第２の金属板 １１・・ ・・・ポル ト

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　配線基板と、前記配線基板面上に一体的に取着された
   所定領域が選択的に開口する第１の金属板と、前記第１
   の金属板の開口により露出する配線基板面に実装された
   比較的発熱密度の高いハイブリッドＩＣ素子以外の能動
   素子および受動素子と、前記装着した第１の金属板上の
   所定領域に実装されたメタルキャップでハーメチックシ
   ールされた比較的発熱密度の高いハイブリッドＩＣ素子
   と、前記比較的発熱密度の高いハイブリッドＩＣ素子の
   キャップ面が内壁面に対接しかつ開口端面を第１の金属
   板面に一体化させて取着した皿状の第２の金属板とを具
   備して成ることを特徴とするハイブリッドモジュール回
   路装置。