JPH0424976A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH0424976A JPH0424976A JP2124590A JP12459090A JPH0424976A JP H0424976 A JPH0424976 A JP H0424976A JP 2124590 A JP2124590 A JP 2124590A JP 12459090 A JP12459090 A JP 12459090A JP H0424976 A JPH0424976 A JP H0424976A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stem
- semiconductor laser
- block body
- lead terminals
- laser chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/0231—Stems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザの発光素子として、半導体レーザチッ
プを使用した半導体レーザ装置の改良に関するものであ
る。
プを使用した半導体レーザ装置の改良に関するものであ
る。
一般に、この種の半導体レーザ装置は、第１３図、第１
４図及び第１５図に示すように、炭素鋼等の金属にて円
盤型に形成したステム１の上面に、金属製のブロック体
２を突出して、このブロック体２の側面に、半導体レー
ザチップ３を半導体基板４を介してダイボンデインクす
る一方、前記ステムｌの上面に、ガラス窓６を備えた炭
素鋼等の金属製のキャップ体５を、前記半導体レーザチ
ップ３及びブロック体２に被嵌するように配設して、こ
のキャップ体５の全周を前記ステム１の上面に対して抵
抗溶接にて固着することによって密封し、前記半導体レ
ーザチップ３に対する三本のリード端子７ａ、７ｂ、７
ｃのうち一本のリード端子７ａを、前記ステムｌに対し
て溶接にて固着し、他の二本のリード端子７ｂ、７ｃを
、前記ステム１に穿設した孔１ａ、ｌｂから挿入したの
ち、ガラスシール材８にて絶縁シール状態で固着すると
言う構成にしている（但し、他の二本のリード端子７ｂ
、７ｃを絶縁シール状態で固着する工程は、前記キャッ
プ体５を固着する工程よりも前に行う）。
４図及び第１５図に示すように、炭素鋼等の金属にて円
盤型に形成したステム１の上面に、金属製のブロック体
２を突出して、このブロック体２の側面に、半導体レー
ザチップ３を半導体基板４を介してダイボンデインクす
る一方、前記ステムｌの上面に、ガラス窓６を備えた炭
素鋼等の金属製のキャップ体５を、前記半導体レーザチ
ップ３及びブロック体２に被嵌するように配設して、こ
のキャップ体５の全周を前記ステム１の上面に対して抵
抗溶接にて固着することによって密封し、前記半導体レ
ーザチップ３に対する三本のリード端子７ａ、７ｂ、７
ｃのうち一本のリード端子７ａを、前記ステムｌに対し
て溶接にて固着し、他の二本のリード端子７ｂ、７ｃを
、前記ステム１に穿設した孔１ａ、ｌｂから挿入したの
ち、ガラスシール材８にて絶縁シール状態で固着すると
言う構成にしている（但し、他の二本のリード端子７ｂ
、７ｃを絶縁シール状態で固着する工程は、前記キャッ
プ体５を固着する工程よりも前に行う）。
しかし、この従来の半導体レーザ装置は、ステムｌの上
面における半導体レーサチツプ固着用のブロック体２を
、炭素鋼製のステム１を冷間鍛造に際して同時に造形す
るようにしているので、冷間鍛造するときに使用する金
型の寿命か著しく低いと共に、その冷間鍛造に際しては
、頑丈で、且つ、高い精度の冷間鍛造機が必要であって
、ブロック体２付きステムｌの冷間鍛造に要するコスト
が大幅に嵩むのである。
面における半導体レーサチツプ固着用のブロック体２を
、炭素鋼製のステム１を冷間鍛造に際して同時に造形す
るようにしているので、冷間鍛造するときに使用する金
型の寿命か著しく低いと共に、その冷間鍛造に際しては
、頑丈で、且つ、高い精度の冷間鍛造機が必要であって
、ブロック体２付きステムｌの冷間鍛造に要するコスト
が大幅に嵩むのである。
しかも、従来の半導体レーザ装置は、その半導体レーザ
チップ３に対する三本のリード端子？ａ。
チップ３に対する三本のリード端子？ａ。
７ｂ、７ｃのうち二本のリード端子７ｂ、７ｃを、金属
製のステム１における孔１ａ、ｌｂに挿入し、ガラスシ
ール材８にて絶縁シール状態で固着する構成にしている
が、この二本のリード端子７ｂ。
製のステム１における孔１ａ、ｌｂに挿入し、ガラスシ
ール材８にて絶縁シール状態で固着する構成にしている
が、この二本のリード端子７ｂ。
７ｃのガラスシール材８による固着に際しては、両リー
ト端子７ｂ、７ｃにガラス管を被嵌したのちステムにお
ける孔に挿入すると言う複雑な工程が必要であることに
加えて、高温に加熱することが必要であり、この高温の
加熱によってステム１の全体が変色することにより、そ
の後処理として酸洗いしたのちメツキを施すようにしな
ければならないから、両リード端子７ｂ、７ｃをステム
ｌに対して絶縁シール状態で固着することに要するコス
トが大幅に嵩むことになるから、前記ブロック体２付き
ステム１の製作にコストが大幅に嵩むことと相俟って、
半導体レーザ装置の価格が著しく高くなると言う問題が
あった。
ト端子７ｂ、７ｃにガラス管を被嵌したのちステムにお
ける孔に挿入すると言う複雑な工程が必要であることに
加えて、高温に加熱することが必要であり、この高温の
加熱によってステム１の全体が変色することにより、そ
の後処理として酸洗いしたのちメツキを施すようにしな
ければならないから、両リード端子７ｂ、７ｃをステム
ｌに対して絶縁シール状態で固着することに要するコス
トが大幅に嵩むことになるから、前記ブロック体２付き
ステム１の製作にコストが大幅に嵩むことと相俟って、
半導体レーザ装置の価格が著しく高くなると言う問題が
あった。
本発明は、ブロック体付きステムの製作、各リード端子
をステムに対して絶縁シール状態で固着することに要す
るコストを確実に低減できると共に、軽量化できるよう
にした半導体レーザ装置を提供することを目的とするも
のである。
をステムに対して絶縁シール状態で固着することに要す
るコストを確実に低減できると共に、軽量化できるよう
にした半導体レーザ装置を提供することを目的とするも
のである。
この目的を達成するため本発明は、炭素鋼等の金属にて
円盤型に形成したステムの表面にブロック体を設け、該
ブロック体に半導体レーザチップを固着して成る半導体
レーザ装置において、前記ステムに、略コ字状の切線を
刻設し、この切線よりも内側の部分を、前記ステムの表
面に突出するように折曲げて、前記半導体レーザチップ
固着用のブロック体を形成する一方、前記ステムの裏面
に、前記半導体レーザチップに対する複数本のリード端
子をインサートして成る合成樹脂製の裏板を、前記ステ
ムにブロック体を形成するために穿設される貫通孔を塞
ぐように一体的に成形する構成にした。
円盤型に形成したステムの表面にブロック体を設け、該
ブロック体に半導体レーザチップを固着して成る半導体
レーザ装置において、前記ステムに、略コ字状の切線を
刻設し、この切線よりも内側の部分を、前記ステムの表
面に突出するように折曲げて、前記半導体レーザチップ
固着用のブロック体を形成する一方、前記ステムの裏面
に、前記半導体レーザチップに対する複数本のリード端
子をインサートして成る合成樹脂製の裏板を、前記ステ
ムにブロック体を形成するために穿設される貫通孔を塞
ぐように一体的に成形する構成にした。
このように、ステムに、コ字状の切線を刻設しその内側
の部分をステムの表面に突出するように折曲げてブロッ
ク体に形成したことにより、このブロック体付きステム
を、金属板からの打ち抜きプレス加工によって製造する
ことができるから、ブロック体付きステムを、前記従来
のように、冷間鍛造にて製作するものに比べて、至極容
易に、低コストで製造することかできるのである。
の部分をステムの表面に突出するように折曲げてブロッ
ク体に形成したことにより、このブロック体付きステム
を、金属板からの打ち抜きプレス加工によって製造する
ことができるから、ブロック体付きステムを、前記従来
のように、冷間鍛造にて製作するものに比べて、至極容
易に、低コストで製造することかできるのである。
一方、ステムにおけるブロック体を、前記のようにして
形成したことにより、ステムには、貫通孔か明くことに
なるが、この貫通孔は、前記ステムの裏面に、一体的に
成形した合成樹脂製の裏板によって、完全に塞ぐことが
できるのであり、しかも、半導体レーザチップに対する
複数本のリード端子を、前記ステムの裏面に対して一体
的に形成した合成樹脂製の裏板にインサートしたことに
より、当該合成樹脂製の裏板をステムに対して一体成形
するとき、当該裏板に対して前記各リート端子を絶縁シ
ール状態で確実に固着することかできから゛、前記従来
のように、金属製のステムに対して複数本のリード端子
をガラスシール材によって固着する場合のような複雑な
工程、高温加熱、及びこの高温加熱後における後処理と
してのメツキ処理を必要としないのである。
形成したことにより、ステムには、貫通孔か明くことに
なるが、この貫通孔は、前記ステムの裏面に、一体的に
成形した合成樹脂製の裏板によって、完全に塞ぐことが
できるのであり、しかも、半導体レーザチップに対する
複数本のリード端子を、前記ステムの裏面に対して一体
的に形成した合成樹脂製の裏板にインサートしたことに
より、当該合成樹脂製の裏板をステムに対して一体成形
するとき、当該裏板に対して前記各リート端子を絶縁シ
ール状態で確実に固着することかできから゛、前記従来
のように、金属製のステムに対して複数本のリード端子
をガラスシール材によって固着する場合のような複雑な
工程、高温加熱、及びこの高温加熱後における後処理と
してのメツキ処理を必要としないのである。
従って本発明によると、半導体レーザ装置におけるブロ
ック付きステムの製作に要するコスト、及びステムに対
して複数本のリード端子を絶縁シール状態で固着するこ
とに要するコストを大幅に低減することができるのであ
り、しかも、ステムにブロック体を形成するために穿設
される貫通孔を塞ぐ合成樹脂製の裏板をステムに対して
、当該裏板に各リード端子をインサートした状態で一体
成形したことにより、裏板の成形、当該裏板に対する各
リード端子の固着及び当該裏板のステムに対する固着が
一挙にできて、これらに要する手数を大幅に低減できる
から、半導体レーザ装置を著しく安価に提供できるので
ある。
ック付きステムの製作に要するコスト、及びステムに対
して複数本のリード端子を絶縁シール状態で固着するこ
とに要するコストを大幅に低減することができるのであ
り、しかも、ステムにブロック体を形成するために穿設
される貫通孔を塞ぐ合成樹脂製の裏板をステムに対して
、当該裏板に各リード端子をインサートした状態で一体
成形したことにより、裏板の成形、当該裏板に対する各
リード端子の固着及び当該裏板のステムに対する固着が
一挙にできて、これらに要する手数を大幅に低減できる
から、半導体レーザ装置を著しく安価に提供できるので
ある。
しかも、本発明は、半導体レーザチップ固着用のブロッ
ク体を、ステムにコ字状切線を刻設し、この切線よりも
内側の部分を折曲げることによって形成したもので、換
言すると、ステムにおける一部を利用してブロック体を
造形するものであるから、前記従来のものに比べて、半
導体レーザ装置の重量を、前記ブロック体の分だけ軽量
化できる効果をも有する。
ク体を、ステムにコ字状切線を刻設し、この切線よりも
内側の部分を折曲げることによって形成したもので、換
言すると、ステムにおける一部を利用してブロック体を
造形するものであるから、前記従来のものに比べて、半
導体レーザ装置の重量を、前記ブロック体の分だけ軽量
化できる効果をも有する。
以下、本発明の実施例を図面について説明する。
第１図〜第５図は、第１の実施例を示し、この図におい
て符号ＩＯは、炭素鋼等の金属にて円盤型に形成したス
テム１１と、ガラス窓１６を備えた炭素鋼等の金属製の
キャップ体１５とによって構成された半導体レーザ装置
を示す。
て符号ＩＯは、炭素鋼等の金属にて円盤型に形成したス
テム１１と、ガラス窓１６を備えた炭素鋼等の金属製の
キャップ体１５とによって構成された半導体レーザ装置
を示す。
前記ステム１１には、第４図の平面視においてコ字状の
切線１９を刻設して、この切線１９よりも内側の部分を
、前記キャップ体１５内に向かって折曲げることによっ
て、ブロック体１２を一体的に造形する。従って、ステ
ム１１には、前記ブロック体１２の造形により、貫通孔
２０が明くことになる。
切線１９を刻設して、この切線１９よりも内側の部分を
、前記キャップ体１５内に向かって折曲げることによっ
て、ブロック体１２を一体的に造形する。従って、ステ
ム１１には、前記ブロック体１２の造形により、貫通孔
２０が明くことになる。
一方、第５図において符号２１は、一つの半導体レーザ
装置１０における三本のリード端子１７ａ、１７ｂ、１
７ｃを長手方向に適宜ピッチＰで造形して成るリードフ
レームを示し、このリードフレーム２１における各リー
ド端子１７ａ、１７ｂ、１７ｃの箇所に、前記ステム１
１を、第５図、第６図及び第７図に示すように、各リー
ド端子１７ａ、１７ｂ、１７ｃのうち一本のリード端子
１７ａがステム１１の下面に接当し、他の二本のリード
端子１７ｂ、１７ｃかステム１１における貫通孔２０内
に挿入するようにして装着したのち、前記−本のリード
端子１７ａを、ステム１１の下面に対して抵抗溶接にて
固着する。
装置１０における三本のリード端子１７ａ、１７ｂ、１
７ｃを長手方向に適宜ピッチＰで造形して成るリードフ
レームを示し、このリードフレーム２１における各リー
ド端子１７ａ、１７ｂ、１７ｃの箇所に、前記ステム１
１を、第５図、第６図及び第７図に示すように、各リー
ド端子１７ａ、１７ｂ、１７ｃのうち一本のリード端子
１７ａがステム１１の下面に接当し、他の二本のリード
端子１７ｂ、１７ｃかステム１１における貫通孔２０内
に挿入するようにして装着したのち、前記−本のリード
端子１７ａを、ステム１１の下面に対して抵抗溶接にて
固着する。
次いで、第８図に示すように、前記ステム１１の裏面に
、当該ステム１１における貫通孔２０を塞ぐためのエポ
キシ等の熱硬化性合成樹脂製の裏板１８を、一体的に成
形する。このとき、前記他の二本のリード端子１７ｂ、
１７ｃを、前記裏板１８にインサートすることによって
、同時に絶縁シール状態で固着する。
、当該ステム１１における貫通孔２０を塞ぐためのエポ
キシ等の熱硬化性合成樹脂製の裏板１８を、一体的に成
形する。このとき、前記他の二本のリード端子１７ｂ、
１７ｃを、前記裏板１８にインサートすることによって
、同時に絶縁シール状態で固着する。
このステム１１の下面に対する裏板１８の一体成形後に
おいて、ステム１１におけるブロック体１２の側面に、
半導体レーザチップ１３を、表面の一部にモニター用フ
ォトダイオードを備えた半導体基板］４を介してダイボ
ンディングしたのち、前記半導体レーザチップ１３と半
導体基板１４との間、及び前記半導体基板１４と前記両
リード端子１７ｂ、１７ｃとの間を、各々金線にてワイ
ヤーボンディングし、そして、前記キャップ体１５を被
嵌したのち、このキャップ体１５の周囲を、前記ステム
１１に対して抵抗溶接することによって密閉する。
おいて、ステム１１におけるブロック体１２の側面に、
半導体レーザチップ１３を、表面の一部にモニター用フ
ォトダイオードを備えた半導体基板］４を介してダイボ
ンディングしたのち、前記半導体レーザチップ１３と半
導体基板１４との間、及び前記半導体基板１４と前記両
リード端子１７ｂ、１７ｃとの間を、各々金線にてワイ
ヤーボンディングし、そして、前記キャップ体１５を被
嵌したのち、このキャップ体１５の周囲を、前記ステム
１１に対して抵抗溶接することによって密閉する。
このように、ステム１１に、コ字状の切線１９を刻設し
その内側の部分をキャップ体１５内に向かって折曲げて
ブロック体１２に形成したことにより、このブロック体
１２付きステム１１を、金属板からの打ち抜きプレス加
工によって製造することができる。
その内側の部分をキャップ体１５内に向かって折曲げて
ブロック体１２に形成したことにより、このブロック体
１２付きステム１１を、金属板からの打ち抜きプレス加
工によって製造することができる。
一方、ステム１１におけるブロック体１２を、前記のよ
うにして形成したことにより、ステム１１には、貫通孔
２０か明くことになるか、この貫通孔２０は、前記ステ
ム１１の裏面に、一体的に成形した合成樹脂製の裏板１
８によって、完全に塞ぐことができるのであり、また、
半導体レーザチップ１３に対する二本のリード端子１７
ｂ、１７Ｃを、前記ステム１１の裏面に対して一体的に
形成した合成樹脂製の裏板１８にインサートしたことに
より、この合成樹脂製の裏板１８をステム１１に対して
一体成形するとき、当該裏板１８に対して前記両リード
端子１７ｂ、１７ｃを絶縁シール状態で確実に固着する
ことができるのである。
うにして形成したことにより、ステム１１には、貫通孔
２０か明くことになるか、この貫通孔２０は、前記ステ
ム１１の裏面に、一体的に成形した合成樹脂製の裏板１
８によって、完全に塞ぐことができるのであり、また、
半導体レーザチップ１３に対する二本のリード端子１７
ｂ、１７Ｃを、前記ステム１１の裏面に対して一体的に
形成した合成樹脂製の裏板１８にインサートしたことに
より、この合成樹脂製の裏板１８をステム１１に対して
一体成形するとき、当該裏板１８に対して前記両リード
端子１７ｂ、１７ｃを絶縁シール状態で確実に固着する
ことができるのである。
第９図は、第２の実施例を示し、この第２の実施例は、
前記第１の実施例のように、半導体レーザチップ１３に
対するモニター用フォトダイオードを半導体基板１４に
設けることに代えて、前記モニター用フォトダイオード
を別の箇所に設けた場合を示すものである。
前記第１の実施例のように、半導体レーザチップ１３に
対するモニター用フォトダイオードを半導体基板１４に
設けることに代えて、前記モニター用フォトダイオード
を別の箇所に設けた場合を示すものである。
すなわち、前記各リード端子１７ａ、１７ｂ。
１７ｃのうち一本のリード端子１７ａに延長部１７ａ’
を設けて、この延長部１７ａ′に、前記半導体レーザチ
ップ１３に対するモニター用フォトダイオード２２を、
ダイボンディングしたものであり、その他の構成は、前
記第１の実施例と同様である。
を設けて、この延長部１７ａ′に、前記半導体レーザチ
ップ１３に対するモニター用フォトダイオード２２を、
ダイボンディングしたものであり、その他の構成は、前
記第１の実施例と同様である。
そして、前記ステム１１におけるブロック体１２に対し
て半導体基板１４を介してダイボンディングした半導体
レーザチップ１３から発生する熱は、ブロック体１２か
らステム１１に熱伝達したのち放熱されるのであるが、
この場合において、半導体レーザチップ１３からステム
１１への熱伝達を更に促進するには、ステム１１に、コ
字状切線１９を刻設しその内側の部分を折曲げることに
よって形成されるブロック体１２を、第１０図、第１１
図及び第１２図に示すように、ステム１１に対する付は
根部における幅寸法Ｗ１を先端部における幅寸法Ｗ２よ
りも大きくして成る台形状に形成すれば良いのであり、
その他の構成は、前記第１の実施例と同様である。
て半導体基板１４を介してダイボンディングした半導体
レーザチップ１３から発生する熱は、ブロック体１２か
らステム１１に熱伝達したのち放熱されるのであるが、
この場合において、半導体レーザチップ１３からステム
１１への熱伝達を更に促進するには、ステム１１に、コ
字状切線１９を刻設しその内側の部分を折曲げることに
よって形成されるブロック体１２を、第１０図、第１１
図及び第１２図に示すように、ステム１１に対する付は
根部における幅寸法Ｗ１を先端部における幅寸法Ｗ２よ
りも大きくして成る台形状に形成すれば良いのであり、
その他の構成は、前記第１の実施例と同様である。
また、ステム１１におけるブロック体１２を、前記のよ
うに台形状に形成する場合には、この台形状のブロック
体１２における左右両側１２ａ。
うに台形状に形成する場合には、この台形状のブロック
体１２における左右両側１２ａ。
１２ｂを、他の二本のリード端子１７ｂ、１７ｃよりも
遠ざかる方向に屈曲することにより、当該台形状ブロッ
ク体１２が、前記両リード端子１７ｂ、１７ｃに対して
接近・干渉することを回避できるのである。
遠ざかる方向に屈曲することにより、当該台形状ブロッ
ク体１２が、前記両リード端子１７ｂ、１７ｃに対して
接近・干渉することを回避できるのである。
第１図〜第１２図は本発明の実施例を示し、第１図は第
１の実施例を示す縦断正面図、第２図は第１図の■−■
視断面断面図３図はステムを分解したときの断面図、第
４図は第３図の平面図、第５図はステムをリードフレー
ムに対して装着したときの図、第６図は第５図のＶＩ−
ＶＩ視断面図、第７図は第５図の■−■視平開平面図８
図はステムに対して裏板を一体成形したときの断面図、
第９図は第２の実施例を示す縦断正面図、第１０図は第
３の実施例を示す平面図、第１１図は第１０図のｘ ｒ
−ｘ ｒ視断面図、第１２図は第１Ｏ図のＸｎ−ｘｎ
視断面図、第１３図は従来の例を示す縦断正面図、第１
４図は第１３図のＸＩＶ−ＸＩＶ視断面図、第１５図は
第１３図のｘｖ−ｘｖ視断面図である。 ＩＯ・・・・半導体レーザ装置、１１・・・・ステム、
１２・・・・ブロック体、１３・・・・半導体レーザチ
ップ、１４・・・・半導体基板、１５・・・・キャップ
体、１６−−・・ガラス窓、１７ａ、１７ｂ、１１ｃｍ
・−リード端子、１８・・・・裏板、１９・・・・切
線、２０・・・・貫通孔 第１４図 第１３図 第１０図 第１２図 第９図
１の実施例を示す縦断正面図、第２図は第１図の■−■
視断面断面図３図はステムを分解したときの断面図、第
４図は第３図の平面図、第５図はステムをリードフレー
ムに対して装着したときの図、第６図は第５図のＶＩ−
ＶＩ視断面図、第７図は第５図の■−■視平開平面図８
図はステムに対して裏板を一体成形したときの断面図、
第９図は第２の実施例を示す縦断正面図、第１０図は第
３の実施例を示す平面図、第１１図は第１０図のｘ ｒ
−ｘ ｒ視断面図、第１２図は第１Ｏ図のＸｎ−ｘｎ
視断面図、第１３図は従来の例を示す縦断正面図、第１
４図は第１３図のＸＩＶ−ＸＩＶ視断面図、第１５図は
第１３図のｘｖ−ｘｖ視断面図である。 ＩＯ・・・・半導体レーザ装置、１１・・・・ステム、
１２・・・・ブロック体、１３・・・・半導体レーザチ
ップ、１４・・・・半導体基板、１５・・・・キャップ
体、１６−−・・ガラス窓、１７ａ、１７ｂ、１１ｃｍ
・−リード端子、１８・・・・裏板、１９・・・・切
線、２０・・・・貫通孔 第１４図 第１３図 第１０図 第１２図 第９図
Claims (1)
- （１）、炭素鋼等の金属にて円盤型に形成したステムの
表面にブロック体を設け、該ブロック体に半導体レーザ
チップを固着して成る半導体レーザ装置において、前記
ステムに、略コ字状の切線を刻設し、この切線よりも内
側の部分を、前記ステムの表面に突出するように折曲げ
て、前記半導体レーザチップ固着用のブロック体を形成
する一方、前記ステムの裏面に、前記半導体レーザチッ
プに対する複数本のリード端子をインサートして成る合
成樹脂製の裏板を、前記ステムにブロック体を形成する
ために穿設される貫通孔を塞ぐように一体的に成形した
ことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2124590A JP2560127B2 (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2124590A JP2560127B2 (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0424976A true JPH0424976A (ja) | 1992-01-28 |
| JP2560127B2 JP2560127B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=14889226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2124590A Expired - Lifetime JP2560127B2 (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2560127B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200135534A (ko) | 2018-04-09 | 2020-12-02 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 혼련 로터 및 뱃치식 혼련기 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61149365U (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-16 | ||
| JPS63118258U (ja) * | 1987-01-24 | 1988-07-30 | ||
| JPS63185247U (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-29 |
-
1990
- 1990-05-15 JP JP2124590A patent/JP2560127B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61149365U (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-16 | ||
| JPS63118258U (ja) * | 1987-01-24 | 1988-07-30 | ||
| JPS63185247U (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-29 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200135534A (ko) | 2018-04-09 | 2020-12-02 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 혼련 로터 및 뱃치식 혼련기 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2560127B2 (ja) | 1996-12-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9905497B2 (en) | Resin sealing type semiconductor device and method of manufacturing the same, and lead frame | |
| US5052009A (en) | Semiconductor laser device and process of assembling the same | |
| KR102173436B1 (ko) | 대면 장착 다이들을 구비하고 내부 본드와이어들을 구비하지 않는 얇은 프로파일 전력 반도체 장치 패키지 | |
| JPH0428282A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| FR2176103B1 (ja) | ||
| JPH0424976A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| KR900001275B1 (ko) | 세라믹형 반도체 패케이지와 그의 제조방법 | |
| JP2546910B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP4162363B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP4739975B2 (ja) | 光半導体素子用パッケージ | |
| JP2560130B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH03129870A (ja) | リードフレーム | |
| JP2546907B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3747991B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR800001155Y1 (ko) | 반도체 장치용 스템(stem) | |
| JP2546908B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0448675A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2543661Y2 (ja) | マイクロ波トランジスタ | |
| JPS5817644A (ja) | ステム | |
| JPH04329660A (ja) | リードフレーム及びその製造方法 | |
| JPS6134960A (ja) | 半導体装置用ステムの製造方法 | |
| JPS5856448A (ja) | 樹脂モ−ルドダイオ−ドの製造方法 | |
| JPS63232453A (ja) | リ−ドフレ−ムおよびリ−ドフレ−ムの製造方法 | |
| KR19990038731U (ko) | 반도체의 다핀형태 패키지 | |
| JPS5810860B2 (ja) | 電子装置の製法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080919 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090919 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090919 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100919 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100919 Year of fee payment: 14 |