JPH04250374A - パターン発生器 - Google Patents
パターン発生器Info
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- JPH04250374A JPH04250374A JP3008461A JP846191A JPH04250374A JP H04250374 A JPH04250374 A JP H04250374A JP 3008461 A JP3008461 A JP 3008461A JP 846191 A JP846191 A JP 846191A JP H04250374 A JPH04250374 A JP H04250374A
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- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 135
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 99
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は例えばマイクロプロセ
ッサのような集積回路を試験する場合に用いるパターン
発生器に関する。
ッサのような集積回路を試験する場合に用いるパターン
発生器に関する。
【0002】
【従来の技術】図7に集積回路試験装置の概要を示す。
図中10は集積回路試験装置本体、20は外部記憶装置
を示す。この外部記憶装置20には被試験IC30の各
ピンに与えるパターンデータが記憶されている。つまり
集積回路試験装置本体10は制御器11と、タイミング
発生器12と、パターン発生器13、不良解析装置14
、波形生成器15、論理比較器16、ピンエレクトロニ
クス17、基準電圧発生器18とによって構成される。 パターン発生器13はシーケンス制御部13Aと、テス
トパターン用バッファメモリ13Bとによって構成され
る。テストパターン用バッファメモリ13Bには外部記
憶装置20から試験に必要なテストパターンデータを読
込み、この読込んだテストパターンデータを波形生成器
15と論理比較器16に与え、波形生成器15において
テストパターン信号の実波形を生成し、このテストパタ
ーン信号をピンエレクトロニクス17に設けられたドラ
イバ17Aを通じて被試験IC30の一つの入力端子に
与えられる。
を示す。この外部記憶装置20には被試験IC30の各
ピンに与えるパターンデータが記憶されている。つまり
集積回路試験装置本体10は制御器11と、タイミング
発生器12と、パターン発生器13、不良解析装置14
、波形生成器15、論理比較器16、ピンエレクトロニ
クス17、基準電圧発生器18とによって構成される。 パターン発生器13はシーケンス制御部13Aと、テス
トパターン用バッファメモリ13Bとによって構成され
る。テストパターン用バッファメモリ13Bには外部記
憶装置20から試験に必要なテストパターンデータを読
込み、この読込んだテストパターンデータを波形生成器
15と論理比較器16に与え、波形生成器15において
テストパターン信号の実波形を生成し、このテストパタ
ーン信号をピンエレクトロニクス17に設けられたドラ
イバ17Aを通じて被試験IC30の一つの入力端子に
与えられる。
【0003】被試験IC30の出力端子から出力される
応答出力信号はレベル比較器17Bで基準電圧発生器1
8から与えられる基準電圧と比較され、規定の論理レベ
ルを持っているか否かを判定し、規定の論理レベルを持
っている応答出力信号は良として論理比較器16に与え
られ、論理比較器16でパターン発生器13から与えら
れる期待値パターン信号と比較され、期待値パターン信
号と不一致が検出されるか否かによって被試験IC30
の良否を判定する。
応答出力信号はレベル比較器17Bで基準電圧発生器1
8から与えられる基準電圧と比較され、規定の論理レベ
ルを持っているか否かを判定し、規定の論理レベルを持
っている応答出力信号は良として論理比較器16に与え
られ、論理比較器16でパターン発生器13から与えら
れる期待値パターン信号と比較され、期待値パターン信
号と不一致が検出されるか否かによって被試験IC30
の良否を判定する。
【0004】尚不良解析装置14はメモリで構成され、
論理比較器16で不一致が検出されたとき、その不良発
生時のアドレスとパターン信号等を記憶し、この記憶を
基に被試験IC30の不良個所を特定することに用いら
れる。被試験IC30が例えばマイクロプロセッサのよ
うな機能素子の場合、テストパターンは各種のパターン
が用いられて試験が行なわれる。このため外部記憶装置
20にはテストパターン1、テストパターン2、…テス
トパターンNNが用意され、これら各テストパターン1
〜NNを順次パターン発生器13のテストパターン用バ
ッファメモリ13Bに転送し、テストパターンを発生さ
せている。
論理比較器16で不一致が検出されたとき、その不良発
生時のアドレスとパターン信号等を記憶し、この記憶を
基に被試験IC30の不良個所を特定することに用いら
れる。被試験IC30が例えばマイクロプロセッサのよ
うな機能素子の場合、テストパターンは各種のパターン
が用いられて試験が行なわれる。このため外部記憶装置
20にはテストパターン1、テストパターン2、…テス
トパターンNNが用意され、これら各テストパターン1
〜NNを順次パターン発生器13のテストパターン用バ
ッファメモリ13Bに転送し、テストパターンを発生さ
せている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】マイクロプロセッサの
ようなICを試験する場合、多くの種類のテストパター
ンデータが必要となる。このために外部記憶装置20の
記憶容量が大きくなってしまう欠点がある。また被試験
IC30の試験中にテストパターン1によってテストパ
ターン信号を生成し、テストパターン1による試験が終
了すると、次にテストパターン2をテストパターン用メ
モリ13Bに転送し、テストパターン2による試験を実
行する。
ようなICを試験する場合、多くの種類のテストパター
ンデータが必要となる。このために外部記憶装置20の
記憶容量が大きくなってしまう欠点がある。また被試験
IC30の試験中にテストパターン1によってテストパ
ターン信号を生成し、テストパターン1による試験が終
了すると、次にテストパターン2をテストパターン用メ
モリ13Bに転送し、テストパターン2による試験を実
行する。
【0006】このように各テストパターン1〜NNを実
行する毎に、各テストパターン1〜NNの中の一つのテ
ストパターンデータをテストパターン用バッファメモリ
13Bに転送しなければならない。各テストパターン1
〜NNの内容は類似したパターンが多いものの、その量
は多い。従って外部記憶装置20からテストパターン用
バッファ13Bに転送する時間が長くなる。この転送動
作は試験を中断して行なうため試験に要する時間が長く
なってしまう欠点がある。
行する毎に、各テストパターン1〜NNの中の一つのテ
ストパターンデータをテストパターン用バッファメモリ
13Bに転送しなければならない。各テストパターン1
〜NNの内容は類似したパターンが多いものの、その量
は多い。従って外部記憶装置20からテストパターン用
バッファ13Bに転送する時間が長くなる。この転送動
作は試験を中断して行なうため試験に要する時間が長く
なってしまう欠点がある。
【0007】この発明の目的は試験に要する時間を短縮
し、然も外部記憶装置20の記憶容量も少なくすること
ができるパターン発生器を提供しようとするものである
。
し、然も外部記憶装置20の記憶容量も少なくすること
ができるパターン発生器を提供しようとするものである
。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明では外部記憶装
置に記憶するテストパターンを圧縮し、少ないデータ量
のパターンデータに変換すると共に、この圧縮されたパ
ターンデータを使って所定のテストパターンを発生させ
る。このためこの発明では一つのテストパターンを基準
テストパターンに選定して記憶すると共に、この基準テ
ストパターンを他のテストパターンデータに変換するた
めの圧縮データを記憶し、この圧縮データによってパタ
ーン別にテストパターンデータを得るように構成したも
のである。
置に記憶するテストパターンを圧縮し、少ないデータ量
のパターンデータに変換すると共に、この圧縮されたパ
ターンデータを使って所定のテストパターンを発生させ
る。このためこの発明では一つのテストパターンを基準
テストパターンに選定して記憶すると共に、この基準テ
ストパターンを他のテストパターンデータに変換するた
めの圧縮データを記憶し、この圧縮データによってパタ
ーン別にテストパターンデータを得るように構成したも
のである。
【0009】この発明の構成によれば被試験ICのピン
数が数10〜数100あっても、基準テストパターンを
1パターン分と、基準テストパターンを各テストパター
ンデータに変換するための圧縮データとなるデータ反転
アドレスデータと、データ反転チャンネルデータとを記
憶すればよいから外部記憶装置の記憶容量を小さくする
ことができる。
数が数10〜数100あっても、基準テストパターンを
1パターン分と、基準テストパターンを各テストパター
ンデータに変換するための圧縮データとなるデータ反転
アドレスデータと、データ反転チャンネルデータとを記
憶すればよいから外部記憶装置の記憶容量を小さくする
ことができる。
【0010】またデータ量が少ないから1回の転送で試
験に必要なテストパターンデータの全てを転送すること
ができる。よって一つのテストパターンを使った試験の
終了から次のテストパターンを使った試験までの間デー
タの転送を行なわなくてよい。従って試験に要する時間
を短縮することができる利点が得られる。
験に必要なテストパターンデータの全てを転送すること
ができる。よって一つのテストパターンを使った試験の
終了から次のテストパターンを使った試験までの間デー
タの転送を行なわなくてよい。従って試験に要する時間
を短縮することができる利点が得られる。
【0011】
【実施例】図1にこの発明の一実施例を示す。図1は図
7に示したパターン発生器13の部分だけを示している
。つまりパターン発生器13は従来の技術で説明したよ
うにシーケンス制御部13Aと、テストパターン用バッ
ファメモリ13Bとによって構成される。テストパター
ン用バッファメモリ13Bは被試験ICのピンの数だけ
設けられる。このピン数をここではチャンネル数に対応
させ、以下ではチャンネルとして説明する。図中13B
1 ,13B2 ,13B3 …は各チャンネル毎に設
けたテストパターン用バッファメモリを示す。
7に示したパターン発生器13の部分だけを示している
。つまりパターン発生器13は従来の技術で説明したよ
うにシーケンス制御部13Aと、テストパターン用バッ
ファメモリ13Bとによって構成される。テストパター
ン用バッファメモリ13Bは被試験ICのピンの数だけ
設けられる。このピン数をここではチャンネル数に対応
させ、以下ではチャンネルとして説明する。図中13B
1 ,13B2 ,13B3 …は各チャンネル毎に設
けたテストパターン用バッファメモリを示す。
【0012】この発明ではシーケンス制御部13Aにデ
ータ反転アドレスメモリDMを設けると共に各テストパ
ターン用バッファメモリ13B1 ,13B2 ,13
B3 …にデータ反転チャンネルメモリDjを設ける。 シーケンス制御部13Aに設けたデータ反転アドレスメ
モリDMには、テストパターン毎に基準パターンとの偏
差が生じるアドレスの情報が書込まれる。また各チャン
ネルのテストパターン用バッファメモリ13B1 ,1
3B2 ,13B3 …に設けたデータ反転チャンネル
メモリDjには、各チャンネルのテストパターンと基準
テストパターンとの間のデータに差が生じるチャンネル
情報が書込まれる。
ータ反転アドレスメモリDMを設けると共に各テストパ
ターン用バッファメモリ13B1 ,13B2 ,13
B3 …にデータ反転チャンネルメモリDjを設ける。 シーケンス制御部13Aに設けたデータ反転アドレスメ
モリDMには、テストパターン毎に基準パターンとの偏
差が生じるアドレスの情報が書込まれる。また各チャン
ネルのテストパターン用バッファメモリ13B1 ,1
3B2 ,13B3 …に設けたデータ反転チャンネル
メモリDjには、各チャンネルのテストパターンと基準
テストパターンとの間のデータに差が生じるチャンネル
情報が書込まれる。
【0013】これらデータ反転アドレスデータとデータ
反転チャンネルデータは図7に示した外部記憶装置20
から転送されて記憶される。シーケンス制御部13Aは
データ反転アドレスメモリDMの他にシーケンス制御回
路CSと、アドレス制御回路DRと、一致検出回路IH
とが設けられる。各チャンネルのバッファメモリ13B
1 ,13B2 ,13B3 …にはデータ反転チャン
ネルメモリDjの他に、パターンメモリPMとデータ反
転制御回路DHと、アンドゲートANとが設けられる。
反転チャンネルデータは図7に示した外部記憶装置20
から転送されて記憶される。シーケンス制御部13Aは
データ反転アドレスメモリDMの他にシーケンス制御回
路CSと、アドレス制御回路DRと、一致検出回路IH
とが設けられる。各チャンネルのバッファメモリ13B
1 ,13B2 ,13B3 …にはデータ反転チャン
ネルメモリDjの他に、パターンメモリPMとデータ反
転制御回路DHと、アンドゲートANとが設けられる。
【0014】シーケンス制御回路CSは各チャンネルの
パターンメモリPMをアドレス順にアクセスするシーケ
ンスアドレス信号Pb(図4B)を出力すると共に、ア
ドレス制御回路DRを制御するスタート/ストップ信号
S/Pを出力する。アドレス制御回路DRはシーケンス
アドレス信号Pcとデータ反転アドレスメモリDMから
読出した圧縮データとが一致したとき一致検出回路IH
が一致信号を出力し、その一致検出信号Pe(図4E)
をアドレス制御回路DRに与える。アドレス制御回路D
Rはデータ反転アドレスメモリDMに与えるアドレスを
一つ進める。
パターンメモリPMをアドレス順にアクセスするシーケ
ンスアドレス信号Pb(図4B)を出力すると共に、ア
ドレス制御回路DRを制御するスタート/ストップ信号
S/Pを出力する。アドレス制御回路DRはシーケンス
アドレス信号Pcとデータ反転アドレスメモリDMから
読出した圧縮データとが一致したとき一致検出回路IH
が一致信号を出力し、その一致検出信号Pe(図4E)
をアドレス制御回路DRに与える。アドレス制御回路D
Rはデータ反転アドレスメモリDMに与えるアドレスを
一つ進める。
【0015】ここで、テストパターンデータの圧縮方法
について、図2と図3を用いて説明する。図2に各テス
トパターンデータを示す。図の例ではテストパターン1
、テストパターン2、テストパターン3の3つのテスト
パターンを示している。各テストパターンは1アドレス
毎に、この例では4ビットの論理信号によって構成した
場合を示す。4ビットの各ビットはチャンネルCH1〜
CH4に対応し、実際には数100チャンネルになる。
について、図2と図3を用いて説明する。図2に各テス
トパターンデータを示す。図の例ではテストパターン1
、テストパターン2、テストパターン3の3つのテスト
パターンを示している。各テストパターンは1アドレス
毎に、この例では4ビットの論理信号によって構成した
場合を示す。4ビットの各ビットはチャンネルCH1〜
CH4に対応し、実際には数100チャンネルになる。
【0016】複数のテストパターンの中で、一つのテス
トパターンを基準パターンデータと定める。この例では
テストパターン1を基準パターンデータSP(図2)と
定める。従って各チャンネルのバッファメモリ13B1
,13B2 ,13B3 …の各パターンメモリPM
には、テストパターン1のパターンデータを各チャンネ
ル別に記憶させる。この記憶は図に示した外部記憶装置
20から転送されて書込まれる。
トパターンを基準パターンデータと定める。この例では
テストパターン1を基準パターンデータSP(図2)と
定める。従って各チャンネルのバッファメモリ13B1
,13B2 ,13B3 …の各パターンメモリPM
には、テストパターン1のパターンデータを各チャンネ
ル別に記憶させる。この記憶は図に示した外部記憶装置
20から転送されて書込まれる。
【0017】図3にパターンメモリPMに格納する内容
と、データ反転アドレスメモリDM及びデータ反転チャ
ンネルメモリDjに書込んだ圧縮データの内容を示す。 パターンメモリPMの内容はどのテストパターンを発生
させる場合もテストパターン1が書込まれている。デー
タ反転アドレスメモリDMの内容はテストパターン1を
発生させる場合は、パターンの最終アドレス“9”が書
込まれる。このアドレス“9”を表わすデータはテスト
パターン1、テストパターン2、テストパターン3の順
にテストパターンを発生させるとするとデータ反転アド
レスメモリDMの1番目のアドレスに書込まれる。
と、データ反転アドレスメモリDM及びデータ反転チャ
ンネルメモリDjに書込んだ圧縮データの内容を示す。 パターンメモリPMの内容はどのテストパターンを発生
させる場合もテストパターン1が書込まれている。デー
タ反転アドレスメモリDMの内容はテストパターン1を
発生させる場合は、パターンの最終アドレス“9”が書
込まれる。このアドレス“9”を表わすデータはテスト
パターン1、テストパターン2、テストパターン3の順
にテストパターンを発生させるとするとデータ反転アド
レスメモリDMの1番目のアドレスに書込まれる。
【0018】アドレス制御回路DRは1番目のアドレス
を読出すことによりテストパターン1の最終アドレス“
9”を読出し、一致検出回路IHに与える。シーケンス
制御回路CSは“0”〜“9”のシーケンスアドレス信
号Pbを発生し、このシーケンスアドレス信号Pbによ
ってパターンメモリPMに書込まれている基準パターン
を読出す。
を読出すことによりテストパターン1の最終アドレス“
9”を読出し、一致検出回路IHに与える。シーケンス
制御回路CSは“0”〜“9”のシーケンスアドレス信
号Pbを発生し、このシーケンスアドレス信号Pbによ
ってパターンメモリPMに書込まれている基準パターン
を読出す。
【0019】基準パターンを読出している状態において
、データ反転チャンネルメモリDjからは「0」論理の
圧縮データが読出される。この「0」論理の圧縮データ
はパターンメモリPMから読出される基準パターンデー
タをそのまま出力することを意味する。テストパターン
1を基準パターンとしたから基準パターンを出力する際
にはパターンメモリPMから読出されるテストパターン
データをそのまま出力すればよい。従ってテストパター
ン1を出力する場合の圧縮データは最終アドレスの“9
”とデータを反転させない「0」論理となる。最終アド
レスを表わす“9”はデータ反転アドレスメモリDMの
1番目のアドレスに書込まれ、データを反転しないこと
を表わすデータ「0」論理は各チャンネルに設けたデー
タ反転チャンネルメモリDjの1番目のアドレスに書込
まれる。つまり図3に示すようにデータ反転アドレスメ
モリDMには最終アドレス“9”を書込むと共に各チャ
ンネルCH1〜CH4のデータ反転チャンネルメモリD
jにはデータを反転させないことを意味する「0」論理
が書込まれる。
、データ反転チャンネルメモリDjからは「0」論理の
圧縮データが読出される。この「0」論理の圧縮データ
はパターンメモリPMから読出される基準パターンデー
タをそのまま出力することを意味する。テストパターン
1を基準パターンとしたから基準パターンを出力する際
にはパターンメモリPMから読出されるテストパターン
データをそのまま出力すればよい。従ってテストパター
ン1を出力する場合の圧縮データは最終アドレスの“9
”とデータを反転させない「0」論理となる。最終アド
レスを表わす“9”はデータ反転アドレスメモリDMの
1番目のアドレスに書込まれ、データを反転しないこと
を表わすデータ「0」論理は各チャンネルに設けたデー
タ反転チャンネルメモリDjの1番目のアドレスに書込
まれる。つまり図3に示すようにデータ反転アドレスメ
モリDMには最終アドレス“9”を書込むと共に各チャ
ンネルCH1〜CH4のデータ反転チャンネルメモリD
jにはデータを反転させないことを意味する「0」論理
が書込まれる。
【0020】次にテストパターン1とテストパターン2
を比較すると、チャンネルCH1,CH2及びCH3は
図2に示すように同一パターンになっている。これに対
しテストパターン2のチャンネルCH3はアドレス“1
”と“7”で基準パターンと異なっている。従って基準
パターンとデータが異なるアドレスは“1”と“7”で
ある。このためデータ反転アドレスメモリDMには図3
に示すように“1”と“7”が書込まれる。またデータ
反転チャンネルメモリDjにはチャンネルCH1とCH
2及びCH4に「0,0」を書込む。これと共にチャン
ネルCH3のデータ反転チャンネルメモリDjにはデー
タを反転させる「1」論理を書込む。
を比較すると、チャンネルCH1,CH2及びCH3は
図2に示すように同一パターンになっている。これに対
しテストパターン2のチャンネルCH3はアドレス“1
”と“7”で基準パターンと異なっている。従って基準
パターンとデータが異なるアドレスは“1”と“7”で
ある。このためデータ反転アドレスメモリDMには図3
に示すように“1”と“7”が書込まれる。またデータ
反転チャンネルメモリDjにはチャンネルCH1とCH
2及びCH4に「0,0」を書込む。これと共にチャン
ネルCH3のデータ反転チャンネルメモリDjにはデー
タを反転させる「1」論理を書込む。
【0021】テストパターン3ではチャンネルCH3に
おいてアドレス3と9で基準データと差があり、またチ
ャンネルCH4ではアドレス“0”と“9”で基準デー
タと差がある。このためデータ反転アドレスメモリDM
にはデータを反転させるアドレス“0”,“3”,“9
”を書込む。これと共にデータ反転チャンネルメモリD
jのチャンネルCH1とCH2に設けたてデータ反転チ
ャンネルメモリDjにはデータを反転しない「0」論理
を書込むと共に、チャンネルCH3のデータ反転チャン
ネルメモリには「0,1,1」を書込む。更にチャンネ
ルCH4のデータ反転チャンネルメモリDjにはアドレ
ス“0”と“9”でデータを反転し、アドレス“3”で
はデータを反転させない「0」論理とした圧縮データ「
1,0,1」を書込む。
おいてアドレス3と9で基準データと差があり、またチ
ャンネルCH4ではアドレス“0”と“9”で基準デー
タと差がある。このためデータ反転アドレスメモリDM
にはデータを反転させるアドレス“0”,“3”,“9
”を書込む。これと共にデータ反転チャンネルメモリD
jのチャンネルCH1とCH2に設けたてデータ反転チ
ャンネルメモリDjにはデータを反転しない「0」論理
を書込むと共に、チャンネルCH3のデータ反転チャン
ネルメモリには「0,1,1」を書込む。更にチャンネ
ルCH4のデータ反転チャンネルメモリDjにはアドレ
ス“0”と“9”でデータを反転し、アドレス“3”で
はデータを反転させない「0」論理とした圧縮データ「
1,0,1」を書込む。
【0022】図1に示すバッファメモリ13B1 はチ
ャンネルCH3の状態を示している。従ってデータ反転
チャンネルメモリDjに表示した圧縮データはチャンネ
ルCH3の圧縮データを表わしている。テストパターン
1を発生する場合はデータ反転チャンネルメモリDjの
1番目のアドレスから「0」論理が読出され、この「0
」論理がアンドゲートANに与えられるから、アンドゲ
ートANは閉じた状態に維持される。よって一致検出回
路IHが一致を検出し、H論理の一致検出信号Peをラ
ッチして出力した信号Pg(図4G)がアンドゲートA
Nに与えられても、アンドゲートANはデータ反転回路
DHにH論理のデータ反転信号を出力することはない。 従ってテストパターン1はそのまま出力される。テスト
パターン1が全て読出されるとシーケンス制御回路CS
の出力信号Pb(図4B)はアドレス“9”を出力しデ
ータ反転アドレスメモリDMから読出されているアドレ
ス“9”と一致する。
ャンネルCH3の状態を示している。従ってデータ反転
チャンネルメモリDjに表示した圧縮データはチャンネ
ルCH3の圧縮データを表わしている。テストパターン
1を発生する場合はデータ反転チャンネルメモリDjの
1番目のアドレスから「0」論理が読出され、この「0
」論理がアンドゲートANに与えられるから、アンドゲ
ートANは閉じた状態に維持される。よって一致検出回
路IHが一致を検出し、H論理の一致検出信号Peをラ
ッチして出力した信号Pg(図4G)がアンドゲートA
Nに与えられても、アンドゲートANはデータ反転回路
DHにH論理のデータ反転信号を出力することはない。 従ってテストパターン1はそのまま出力される。テスト
パターン1が全て読出されるとシーケンス制御回路CS
の出力信号Pb(図4B)はアドレス“9”を出力しデ
ータ反転アドレスメモリDMから読出されているアドレ
ス“9”と一致する。
【0023】この一致検出によりアドレス制御回路DR
がアドレスを+1し、データ反転アドレスメモリDMと
、データ反転チャンネルメモリDjの読出アドレスを一
つ進める。データ反転アドレスメモリDMのアドレスが
+1されることにより一致検出回路IHにはテストパタ
ーン2の圧縮データであるアドレス“1”が与えられる
。シーケンス制御回路CSは再びシーケンスアドレスP
bを0〜9までを出力する。このとき、データ反転チャ
ンネルメモリDjは「1」論理を読出して出力し、アン
ドゲートANに与えている。このためシーケンス制御回
路CSから出力されるシーケンスアドレスPbがアドレ
ス“1”を出力すると一致検出回路IHがH論理の一致
信号を出力するから、アンドゲートANはH論理信号を
出力する。よってアドレス“1”のときパターンメモリ
PMから読出される「0」論理はデータ反転制御回路D
Hで「1」論理信号に反転されて出力される。
がアドレスを+1し、データ反転アドレスメモリDMと
、データ反転チャンネルメモリDjの読出アドレスを一
つ進める。データ反転アドレスメモリDMのアドレスが
+1されることにより一致検出回路IHにはテストパタ
ーン2の圧縮データであるアドレス“1”が与えられる
。シーケンス制御回路CSは再びシーケンスアドレスP
bを0〜9までを出力する。このとき、データ反転チャ
ンネルメモリDjは「1」論理を読出して出力し、アン
ドゲートANに与えている。このためシーケンス制御回
路CSから出力されるシーケンスアドレスPbがアドレ
ス“1”を出力すると一致検出回路IHがH論理の一致
信号を出力するから、アンドゲートANはH論理信号を
出力する。よってアドレス“1”のときパターンメモリ
PMから読出される「0」論理はデータ反転制御回路D
Hで「1」論理信号に反転されて出力される。
【0024】一致検出回路IHがアドレス“1”におい
て一致を検出すると、アドレス制御回路DRのアドレス
信号を+1し、データ反転アドレスメモリDMとデータ
反転チャンネルメモリDjのアドレスを一つ進める。従
って一致検出回路IHにはアドレス“7”が入力され、
またアンドゲートANには再び「1」論理が与えられる
。この結果シーケンス制御回路CSが出力するシーケン
スアドレスPbがアドレス“7”に達すると一致検出回
路IHがH論理の信号Pe(図4E)を出力し、このH
論理の信号Pe(実際はラッチ出力信号Pg)をアンド
ゲートANに与えるからアンドゲートANはデータ反転
回路DHにH論理を与える。よってパターンメモリPM
から読出された基準パターンはアドレス“7”のデータ
「1」論理が「0」論理に反転(図2参照)されて出力
される。
て一致を検出すると、アドレス制御回路DRのアドレス
信号を+1し、データ反転アドレスメモリDMとデータ
反転チャンネルメモリDjのアドレスを一つ進める。従
って一致検出回路IHにはアドレス“7”が入力され、
またアンドゲートANには再び「1」論理が与えられる
。この結果シーケンス制御回路CSが出力するシーケン
スアドレスPbがアドレス“7”に達すると一致検出回
路IHがH論理の信号Pe(図4E)を出力し、このH
論理の信号Pe(実際はラッチ出力信号Pg)をアンド
ゲートANに与えるからアンドゲートANはデータ反転
回路DHにH論理を与える。よってパターンメモリPM
から読出された基準パターンはアドレス“7”のデータ
「1」論理が「0」論理に反転(図2参照)されて出力
される。
【0025】アドレス“7”においてパターンデータを
反転させて出力した後シーケンス制御回路CSはアドレ
ス“8”,“9”を出力しパターンメモリPMに書込ま
れている全てのパターンデータを読出して出力する。こ
の間アドレス制御回路DRはアドレスを+1しデータ反
転アドレスメモリDMとデータ反転チャンネルメモリD
jのアドレスを一つ進める。
反転させて出力した後シーケンス制御回路CSはアドレ
ス“8”,“9”を出力しパターンメモリPMに書込ま
れている全てのパターンデータを読出して出力する。こ
の間アドレス制御回路DRはアドレスを+1しデータ反
転アドレスメモリDMとデータ反転チャンネルメモリD
jのアドレスを一つ進める。
【0026】よって今度はテストパターン3の圧縮デー
タであるアドレス「0」がデータ反転アドレスメモリD
Mから読出される。従ってシーケンス制御回路CSがシ
ーケンスアドレスPbとして“0”番地を出力すると一
致検出回路IHが一致検出信号Peを出力する。このと
きデータ反転チャンネルメモリDjは「0」論理を出力
しているからアンドゲートANはH論理を出力しない。 よってパターンメモリPMから読出された“0”番地の
データ「0」はそのまま出力される。
タであるアドレス「0」がデータ反転アドレスメモリD
Mから読出される。従ってシーケンス制御回路CSがシ
ーケンスアドレスPbとして“0”番地を出力すると一
致検出回路IHが一致検出信号Peを出力する。このと
きデータ反転チャンネルメモリDjは「0」論理を出力
しているからアンドゲートANはH論理を出力しない。 よってパターンメモリPMから読出された“0”番地の
データ「0」はそのまま出力される。
【0027】尚このときチャンネルCH4のデータ反転
チャンネルメモリDjには図3に示すように「1,0,
1」が書込まれているから“0”番地のデータは反転さ
れて出力される。チャンネルCH3では0番地のデータ
がその状態のまま出力された後、シーケンス制御回路C
Sがアドレス“3”を出力すると、一致検出回路IHが
一致を検出し、アンドゲートANにH論理を出力する。 このときデータ反転チャンネルメモリDjからは「1」
論理が出力されているからアンドゲートANはH論理を
出力しアドレス“3”のデータを反転させて出力する。 このようにしてアドレス“9”のデータ「0」も「1」
論理に反転させて出力しテストパターン3におけるチャ
ンネルCH3のパターン信号Pl(図4L)を出力する
。
チャンネルメモリDjには図3に示すように「1,0,
1」が書込まれているから“0”番地のデータは反転さ
れて出力される。チャンネルCH3では0番地のデータ
がその状態のまま出力された後、シーケンス制御回路C
Sがアドレス“3”を出力すると、一致検出回路IHが
一致を検出し、アンドゲートANにH論理を出力する。 このときデータ反転チャンネルメモリDjからは「1」
論理が出力されているからアンドゲートANはH論理を
出力しアドレス“3”のデータを反転させて出力する。 このようにしてアドレス“9”のデータ「0」も「1」
論理に反転させて出力しテストパターン3におけるチャ
ンネルCH3のパターン信号Pl(図4L)を出力する
。
【0028】このようにこの発明によれば各パターンメ
モリPMに一つの基準パターンを書込んでおき、この基
準パターンとの差を表わす圧縮データをデータ反転アド
レスメモリDMとデータ反転チャンネルメモリDjに用
意しておくだけで基準パターンとは異なるパターンを発
生させることができる。然も基準パターン及び圧縮デー
タは外部記憶装置から最初に1回だけ転送するだけでよ
く、その後は転送動作を行なうことなく、連続してテス
トパターン1〜3を発生させることができる。よってそ
の転送に要する時間が必要ないため連続してICを試験
することができ、ICの試験時間を短かくすることがで
きる。また外部記憶装置の記憶容量も小さくすることが
できる利点がある。
モリPMに一つの基準パターンを書込んでおき、この基
準パターンとの差を表わす圧縮データをデータ反転アド
レスメモリDMとデータ反転チャンネルメモリDjに用
意しておくだけで基準パターンとは異なるパターンを発
生させることができる。然も基準パターン及び圧縮デー
タは外部記憶装置から最初に1回だけ転送するだけでよ
く、その後は転送動作を行なうことなく、連続してテス
トパターン1〜3を発生させることができる。よってそ
の転送に要する時間が必要ないため連続してICを試験
することができ、ICの試験時間を短かくすることがで
きる。また外部記憶装置の記憶容量も小さくすることが
できる利点がある。
【0029】図5はこの発明の他の実施例を示す。この
例ではパターンメモリPM1とPM2の二個設け、この
2個のパターンメモリPM1とPM2をメモリ制御回路
MCによって一方が読出モードのとき、他方を書込モー
ドに制御し、書込モードにあるメモリにデータ反転制御
回路DHから出力される反転制御されたテストパターン
データを書込む。
例ではパターンメモリPM1とPM2の二個設け、この
2個のパターンメモリPM1とPM2をメモリ制御回路
MCによって一方が読出モードのとき、他方を書込モー
ドに制御し、書込モードにあるメモリにデータ反転制御
回路DHから出力される反転制御されたテストパターン
データを書込む。
【0030】次にテストパターンを出力させるときは今
ま書込を行なったメモリを読出モードとし、読出モード
にあったメモリを書込モードに切替える。データ反転チ
ャンネルメモリDjには、前回書替えられたパターンデ
ータを含めて、反転制御を行なうための圧縮データを書
込む。図6に図5の実施例で用いる圧縮データの例を示
す。データ反転アドレスメモリDMに書込まれる圧縮デ
ータは、テストパターン1に関しては最終シーケンスア
ドレスである“9”が書込まれる。
ま書込を行なったメモリを読出モードとし、読出モード
にあったメモリを書込モードに切替える。データ反転チ
ャンネルメモリDjには、前回書替えられたパターンデ
ータを含めて、反転制御を行なうための圧縮データを書
込む。図6に図5の実施例で用いる圧縮データの例を示
す。データ反転アドレスメモリDMに書込まれる圧縮デ
ータは、テストパターン1に関しては最終シーケンスア
ドレスである“9”が書込まれる。
【0031】またテストパターン2に関しては先の実施
例と同様にデータが変化したアドレス“1”と“7”が
書込まれ、テストパターン3に関してはテストパターン
2の発生時にデータが反転されたアドレス“1”と“7
”を追加した“0”,“1”,“7”,“9”を書込む
。データ反転チャンネルメモリDjにはテストパターン
1に関してはチャンネルCH1〜CH4までデータの反
転制御は行なわないから全てのチャンネルに関して「0
」論理が書込まれる。
例と同様にデータが変化したアドレス“1”と“7”が
書込まれ、テストパターン3に関してはテストパターン
2の発生時にデータが反転されたアドレス“1”と“7
”を追加した“0”,“1”,“7”,“9”を書込む
。データ反転チャンネルメモリDjにはテストパターン
1に関してはチャンネルCH1〜CH4までデータの反
転制御は行なわないから全てのチャンネルに関して「0
」論理が書込まれる。
【0032】テストパターン2に関してはチャンネルC
H1とCH2及びCH3はアドレス“1”でも“7”で
もデータの反転を行なわないから「0」論理が書込まれ
、チャンネルCH3はアドレス“1”と“7”でデータ
の反転を行なうから「1」論理を書込む。テストパター
ン3に関してはチャンネルCH1とCH2はデータの反
転制御を行なわないから「0」論理を書込むがチャンネ
ルCH3はアドレス“1”,“3”,“7”,“9”で
データを反転させるためこのアドレスに対応した順序で
「1」論理を書込む。
H1とCH2及びCH3はアドレス“1”でも“7”で
もデータの反転を行なわないから「0」論理が書込まれ
、チャンネルCH3はアドレス“1”と“7”でデータ
の反転を行なうから「1」論理を書込む。テストパター
ン3に関してはチャンネルCH1とCH2はデータの反
転制御を行なわないから「0」論理を書込むがチャンネ
ルCH3はアドレス“1”,“3”,“7”,“9”で
データを反転させるためこのアドレスに対応した順序で
「1」論理を書込む。
【0033】またチャンネルCH4ではアドレス“0”
と“9”でデータを反転させるためアドレス“0”と“
9”に対応する位置に「1」論理を書込む。このように
して図5の実施例によっても、圧縮データと一つの基準
テストパターンから、複数のテストパターンを発生させ
ることができる。然もこの実施例によれば、前回発生し
たテストパターンをパターンメモリPM1又はPM2の
何れか一方に記憶しているから、前回発生したテストパ
ターンをリアルタイムで読出すことができる。よってデ
バッグ等を行なうことに利用することができる効果が得
られる。
と“9”でデータを反転させるためアドレス“0”と“
9”に対応する位置に「1」論理を書込む。このように
して図5の実施例によっても、圧縮データと一つの基準
テストパターンから、複数のテストパターンを発生させ
ることができる。然もこの実施例によれば、前回発生し
たテストパターンをパターンメモリPM1又はPM2の
何れか一方に記憶しているから、前回発生したテストパ
ターンをリアルタイムで読出すことができる。よってデ
バッグ等を行なうことに利用することができる効果が得
られる。
【0034】
【発明の効果】上述したように、この発明によれば圧縮
データを用いることによって一つの基準パターンを利用
して他のテストパターンを発生させることができるから
、外部記憶装置には一つのテストパターンだけを記憶す
ればよい。よって外部記憶装置の記憶容量を少なくする
ことができる。
データを用いることによって一つの基準パターンを利用
して他のテストパターンを発生させることができるから
、外部記憶装置には一つのテストパターンだけを記憶す
ればよい。よって外部記憶装置の記憶容量を少なくする
ことができる。
【0035】また基準テストパターンを一度パターンメ
モリPMに転送すれば、爾後はテストパターンを転送す
る必要がない。よってICを試験している際にテストパ
ターンを外部記憶装置からパターンメモリに転送しなく
てよいから試験に要する時間を短かくすることができる
利点が得られる。
モリPMに転送すれば、爾後はテストパターンを転送す
る必要がない。よってICを試験している際にテストパ
ターンを外部記憶装置からパターンメモリに転送しなく
てよいから試験に要する時間を短かくすることができる
利点が得られる。
【図1】この発明の一実施例を示すブロック図。
【図2】図1の実施例で用いるテストパターンを説明す
るための図。
るための図。
【図3】図1の実施例で用いる圧縮データを説明するた
めの図。
めの図。
【図4】図1の実施例の動作を説明するための波形図。
【図5】この発明の変形実施例を示すブロック図。
【図6】図5に示した変形実施例に用いる圧縮データを
説明するための図。
説明するための図。
【図7】従来の技術を説明するためのブロック図。
13 パターン発生器
13A シーケンス制御部
13B バッファメモリ部
DM データ反転アドレスメモリDj デ
ータ反転チャンネルメモリCS シーケンス制御
回路 DR アドレス制御回路 IH 一致検出回路 PM パターンメモリ AN アンドゲート DH データ反転制御回路
ータ反転チャンネルメモリCS シーケンス制御
回路 DR アドレス制御回路 IH 一致検出回路 PM パターンメモリ AN アンドゲート DH データ反転制御回路
Claims (1)
- 【請求項1】 被試験ICの各ピンに対応した複数の
チャンネルを有し、各チャンネル毎に予め予定したテス
トパターンを生成し、このテストパターンを被試験IC
の対応するピンに与えて被試験ICの動作を試験するよ
うに構成されるパターン発生器において、各チャンネル
毎に基準パターンデータを格納するパターンメモリと、
このパターンメモリに記憶した基準パターンの所望のア
ドレスの論理を反転させ、他のパターンに変換するため
のアドレスデータを記憶したデータ反転アドレス格納メ
モリと、各チャンネル毎に設けられ各チャンネルにおい
て上記データ反転アドレス格納メモリに記憶したアドレ
スにおいて上記基準パターンデータを反転させるか否か
を制御するデータ反転制御メモリと、上記パターンメモ
リに記憶した基準パターンデータを読出すアドレスと上
記データ反転アドレス格納メモリに記憶したデータ反転
アドレスとの一致を検出する一致検出回路と、この一致
検出回路の検出出力と上記データ反転制御メモリとの論
理積によって上記パターンメモリから読出す基準パター
ンデータを反転制御するデータ反転制御回路とを設けた
ことを特徴とするパターン発生器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3008461A JPH04250374A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | パターン発生器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3008461A JPH04250374A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | パターン発生器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04250374A true JPH04250374A (ja) | 1992-09-07 |
Family
ID=11693773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3008461A Withdrawn JPH04250374A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | パターン発生器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04250374A (ja) |
-
1991
- 1991-01-28 JP JP3008461A patent/JPH04250374A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |