JPH0425120A - 化合物半導体層の製造方法 - Google Patents
化合物半導体層の製造方法Info
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- JPH0425120A JPH0425120A JP2129914A JP12991490A JPH0425120A JP H0425120 A JPH0425120 A JP H0425120A JP 2129914 A JP2129914 A JP 2129914A JP 12991490 A JP12991490 A JP 12991490A JP H0425120 A JPH0425120 A JP H0425120A
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- crystal layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は化合物半導体層の製造方法に関し、特に、ｍ−
ｖ族に属する化合物半導体層をＧａＡｓ基板上に結晶性
良く形成することができる化合物半導体層の製造方法に
関する。
ｖ族に属する化合物半導体層をＧａＡｓ基板上に結晶性
良く形成することができる化合物半導体層の製造方法に
関する。
（従来の技術）
近年、光情′報処理システムの高機能化等を目的として
、より短波長域で発振する半導体レーザ素子の実現が要
求されている。
、より短波長域で発振する半導体レーザ素子の実現が要
求されている。
ＧａＡｓ基板に格子整合する（Ａ Ｉ ｙＧ ａ ＋−
ｖ）ｅ、ｓ Ｉｎ １１．ＳＰ結晶（０≦Ｙ≦１）は、
６００ｎｍ帯の波長を有する光を放射する可視光半導体
レーザのための材料として注目されている。以下、本明
細書に於ては、特に断わらない限り、 （ＡＩＹＧａ
Ｉ−Ｙ） １１．５ｒ ｎ ｌＩ、５Ｐ （０≦Ｙ≦１
）をＡｌＧａ１ｎＰ又はＧａ Ｉ ｎＰ （Ｙ＝Ｏの場
合）と称する。
ｖ）ｅ、ｓ Ｉｎ １１．ＳＰ結晶（０≦Ｙ≦１）は、
６００ｎｍ帯の波長を有する光を放射する可視光半導体
レーザのための材料として注目されている。以下、本明
細書に於ては、特に断わらない限り、 （ＡＩＹＧａ
Ｉ−Ｙ） １１．５ｒ ｎ ｌＩ、５Ｐ （０≦Ｙ≦１
）をＡｌＧａ１ｎＰ又はＧａ Ｉ ｎＰ （Ｙ＝Ｏの場
合）と称する。
ＡＩＧａＩｎＰ結晶を基板上に成長させる方法としては
、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）の他に、分子線
エピタキシー法（ＭＢＥ法）が期待されている。
、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）の他に、分子線
エピタキシー法（ＭＢＥ法）が期待されている。
ＭＢＥ法を用いて作成されたＡｌＧａ ＩｎＰ系可視光
半導体レーザ素子が、室温で可視光を連続的に発振した
ことの報告がある（Ｈａｙａｋａｗａ、ｅｔ、ａｌ、Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙ＝２ ５ｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ ９５ （１９８
９）ｐｐ、 ９４９）。
半導体レーザ素子が、室温で可視光を連続的に発振した
ことの報告がある（Ｈａｙａｋａｗａ、ｅｔ、ａｌ、Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙ＝２ ５ｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ ９５ （１９８
９）ｐｐ、 ９４９）。
第５図に、’ＭＢＥ法により作成された従来のＡＩＧａ
ＩｎＰ系可視光半導体レーザ素子の断面図を示す。
ＩｎＰ系可視光半導体レーザ素子の断面図を示す。
第１導電型ＧａＡｓ基板１上に、各々ＭＢＥ法により成
長させられた第１導電型Ｇ ａ Ａ ｓ ／’ ｙファ
層２、第１導電型Ｇａ Ｉ ｎＰバッファ層３、第１導
電型ＡｌＧａ ＩｎＰクラッド層４、ＧａＩｎＰ活性層
５、第２導電型ＡＩＧａＩｎＰ第２クラツド層６、及び
第２導電型ＧａＩｎＰ層２０が、この順番で基板１側か
ら積層されている。
長させられた第１導電型Ｇ ａ Ａ ｓ ／’ ｙファ
層２、第１導電型Ｇａ Ｉ ｎＰバッファ層３、第１導
電型ＡｌＧａ ＩｎＰクラッド層４、ＧａＩｎＰ活性層
５、第２導電型ＡＩＧａＩｎＰ第２クラツド層６、及び
第２導電型ＧａＩｎＰ層２０が、この順番で基板１側か
ら積層されている。
第２導電型ＧａＩｎＰ層２０上には、絶縁性窒化シリコ
ン膜２１が形成されており、窒化シリコン膜２１には、
第２導電型Ｇａ Ｉ ｎＰＰ２Ｏ３達する幅１０μｍの
ストライブ状溝が形成されている。
ン膜２１が形成されており、窒化シリコン膜２１には、
第２導電型Ｇａ Ｉ ｎＰＰ２Ｏ３達する幅１０μｍの
ストライブ状溝が形成されている。
上記の積層構造の上面及び基板１の裏面には、電極２３
．２２が形成されている。
．２２が形成されている。
第５図の半導体レーザ素子は、ストライプ状の溝を有す
る絶縁性窒化シリコン膜２１が電流を狭搾する利得導波
形半導体レーザ素子である。
る絶縁性窒化シリコン膜２１が電流を狭搾する利得導波
形半導体レーザ素子である。
この半導体レーザ素子は、発振閾値９３ｍＡを示し、ま
た、゛可視光を室温で連続的に発振することができる。
た、゛可視光を室温で連続的に発振することができる。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上述の従来技術においては、以下に述べ
る問題点があった。
る問題点があった。
第５図の半導体レーザ素子は、発振時に、活性層で発生
した熱の放散が悪いため、最高連続発振温度が３５°Ｃ
と低かった。これは、ＡＩＧａＩｎＰ結晶の熱伝導率が
低いためである。
した熱の放散が悪いため、最高連続発振温度が３５°Ｃ
と低かった。これは、ＡＩＧａＩｎＰ結晶の熱伝導率が
低いためである。
放熱性に優れた構造を有し、しかも、ＧａＡｓ基板に格
子整合したＡＩＧａＩｎＰ結晶からなるダブルへテロ構
造を備えた半導体レーザ素子を製造するためには、Ａｌ
Ｇａ１ｎＰ結晶層上に、比較的熱伝導率が大きく、放熱
性に優れた材料であるＡｌＧａＡｓ結晶層を、ＭＢＥ法
により形成することができればよい。
子整合したＡＩＧａＩｎＰ結晶からなるダブルへテロ構
造を備えた半導体レーザ素子を製造するためには、Ａｌ
Ｇａ１ｎＰ結晶層上に、比較的熱伝導率が大きく、放熱
性に優れた材料であるＡｌＧａＡｓ結晶層を、ＭＢＥ法
により形成することができればよい。
しかし、ＧａＡｓ基板に格子整合するＡＩＧａＩｎＰ結
晶層上に、ＡｌＧａＡｓ結晶層を、ＭＢ＝４＝ Ｅ法により形成する場合、ＡＩＧａＩｎＰ結晶層の表面
が不純物により汚染されると、そのＡｌＧａ１ｎＰ結晶
゛層上に、結晶性の優れたＡｌＧａＡｓ結晶層を成長さ
せることができないという問題がある。
晶層上に、ＡｌＧａＡｓ結晶層を、ＭＢ＝４＝ Ｅ法により形成する場合、ＡＩＧａＩｎＰ結晶層の表面
が不純物により汚染されると、そのＡｌＧａ１ｎＰ結晶
゛層上に、結晶性の優れたＡｌＧａＡｓ結晶層を成長さ
せることができないという問題がある。
このような汚染は、ＡＩ Ｇａ Ｉ ｎＰ結晶層とＡｌ
ＧａＡｓ結晶層とを、ＭＢＥ法により連続的に形成する
場合に於て、ＡＩＧａＩｎＰ結晶層の成長終了後に、Ｐ
の分子線照射から、Ａｓの分子線照射への切り替えのた
め、層成長を一時的に停止するときにも生じる。
ＧａＡｓ結晶層とを、ＭＢＥ法により連続的に形成する
場合に於て、ＡＩＧａＩｎＰ結晶層の成長終了後に、Ｐ
の分子線照射から、Ａｓの分子線照射への切り替えのた
め、層成長を一時的に停止するときにも生じる。
これは、上述の一時的な結晶層成長の停止後数秒の内に
、ＭＢＥ装置内雰囲気中の酸素、水蒸気等の不純物が、
成長の停止した結晶層表面を汚染するからである。
、ＭＢＥ装置内雰囲気中の酸素、水蒸気等の不純物が、
成長の停止した結晶層表面を汚染するからである。
また、ＭＢＥ法により高品質のＡｌＧａＡｓ層を成長さ
せる場合、基板温度を６２０°Ｃ程度に上昇させる必要
がある。この温度では、しかし、ＡｌＧａ ＩｎＰ層か
らのＩｎ又はＰの蒸発が盛んに生じるために、ＡＩＧａ
ＩｎＰ結晶層の表面が劣−５＝ 化してしまうという問題がある。このような表面の劣化
が生じたＡＩＧａＩｎＰ結晶層上に、ＡｌＧａＡｓｌＧ
ａＡｓ結晶古層ると、結晶性に優れたＡｌＧａＡｓ結晶
層を得ることはできない。
せる場合、基板温度を６２０°Ｃ程度に上昇させる必要
がある。この温度では、しかし、ＡｌＧａ ＩｎＰ層か
らのＩｎ又はＰの蒸発が盛んに生じるために、ＡＩＧａ
ＩｎＰ結晶層の表面が劣−５＝ 化してしまうという問題がある。このような表面の劣化
が生じたＡＩＧａＩｎＰ結晶層上に、ＡｌＧａＡｓｌＧ
ａＡｓ結晶古層ると、結晶性に優れたＡｌＧａＡｓ結晶
層を得ることはできない。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであ
り、その目的とするところは、ＧａＡｓ基板に格子整合
する（Ａ １ ｙＧ ａ １−Ｙ） ＬＳＩ ｎｅ、ｓ
Ｐ結晶層の表面が汚染されたときでも、その（ＡＩ Ｙ
Ｇ ａ Ｉ−Ｙ） ＩＩ、５１ ｎ ｌＩ、ｓＰ結晶層
上に、高品質のＡ Ｉ ＸＧ ａ ＋−＊Ａ ｓ結晶層
を容易に形成することができる化合物半導体層の製造方
法を提供することにある。
り、その目的とするところは、ＧａＡｓ基板に格子整合
する（Ａ １ ｙＧ ａ １−Ｙ） ＬＳＩ ｎｅ、ｓ
Ｐ結晶層の表面が汚染されたときでも、その（ＡＩ Ｙ
Ｇ ａ Ｉ−Ｙ） ＩＩ、５１ ｎ ｌＩ、ｓＰ結晶層
上に、高品質のＡ Ｉ ＸＧ ａ ＋−＊Ａ ｓ結晶層
を容易に形成することができる化合物半導体層の製造方
法を提供することにある。
本発明の他の目的は、ＧａＡｓ基板に格子整合する（
Ａ Ｉ ＹＧ ａ ＋−ｙ） ｅ、ｓ Ｉ ｎ ＩＩ、
ｓＰ結晶層の表面を劣化させることなく、その（Ａ Ｉ
ＹＧ ａ ｔ−ｙ） ｅ５１ｒｚ＋、ｓＰ結晶層上に
、高品質のＡ Ｉ ＸＧ ａ １−ＸＡｓ結晶層を容易
に形成することができる化合物半導体層の製造方法を提
供することにある。
Ａ Ｉ ＹＧ ａ ＋−ｙ） ｅ、ｓ Ｉ ｎ ＩＩ、
ｓＰ結晶層の表面を劣化させることなく、その（Ａ Ｉ
ＹＧ ａ ｔ−ｙ） ｅ５１ｒｚ＋、ｓＰ結晶層上に
、高品質のＡ Ｉ ＸＧ ａ １−ＸＡｓ結晶層を容易
に形成することができる化合物半導体層の製造方法を提
供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明の化合物半導体層の製造方法は、ＧａＡ一
Ｓ基板に格子整合する（ＡｌｙＧａ＋−ｙ）ｓ、５１ｎ
ｅ５Ｐ結晶層（Ｏ≦Ｙ≦１）を該基板上に形成する工程
と、該結゛晶層の表面にＡｓ分子線を照射しながら、該
結晶層のＩｎが蒸発する温度に該基板を昇温することに
より、該結晶層の表面を数分子層のＡ Ｉ ｙＧ ａ
１−ｙＡ ｓ結晶層（０≦Ｙ≦１）に変化させる工程と
、Ａ Ｉ ＸＧ ａ Ｉ−ＸＡ Ｓ結晶層（０≦Ｘ≦１
）を該Ａ １ ｙＧ ａ １−ｖＡ ｓ結晶層上に形成
する工程とを包含しており、そのことにより上記目的が
達成される。
ｅ５Ｐ結晶層（Ｏ≦Ｙ≦１）を該基板上に形成する工程
と、該結゛晶層の表面にＡｓ分子線を照射しながら、該
結晶層のＩｎが蒸発する温度に該基板を昇温することに
より、該結晶層の表面を数分子層のＡ Ｉ ｙＧ ａ
１−ｙＡ ｓ結晶層（０≦Ｙ≦１）に変化させる工程と
、Ａ Ｉ ＸＧ ａ Ｉ−ＸＡ Ｓ結晶層（０≦Ｘ≦１
）を該Ａ １ ｙＧ ａ １−ｖＡ ｓ結晶層上に形成
する工程とを包含しており、そのことにより上記目的が
達成される。
（実施例）
以下に本発明を実施例について説明する。
最初に、第１図を参照しながら、第１の実施例を説明す
る。
る。
第１図（ａ）に示すように、まず、ＧａＡｓ基板ｌｌ上
に、ＧａＡｓバッファ層１２、及び（ＡＩ １１．７Ｇ
ａ ｉ＋、ａ） ｓ、ｓ Ｉ ｎ Ｔ！、６Ｐ層１４
を、この順番で基板１１側からＭＢＥ法により成長させ
た。このときの基板温度は、５１０°Ｃとした。
に、ＧａＡｓバッファ層１２、及び（ＡＩ １１．７Ｇ
ａ ｉ＋、ａ） ｓ、ｓ Ｉ ｎ Ｔ！、６Ｐ層１４
を、この順番で基板１１側からＭＢＥ法により成長させ
た。このときの基板温度は、５１０°Ｃとした。
次に、２分子線の照射を停止した後、 （ＡＩθ７Ｇ
ａ ［１，３） ｅ、ｓ Ｉ ｎ ［！、５Ｐ層１４に
対してＡｓ分子線を照射しながら、基板温度を６２０
’Ｃに上昇させ、その状態“を数分間維持するという工
程を行った。
ａ ［１，３） ｅ、ｓ Ｉ ｎ ［！、５Ｐ層１４に
対してＡｓ分子線を照射しながら、基板温度を６２０
’Ｃに上昇させ、その状態“を数分間維持するという工
程を行った。
この工程によって、 （Ａ １ ｎ、７Ｇ ａ １１．
３） １１．５ Ｉ ｎ８．５Ｐ層１４の表面近傍のＩ
ｎ及びＰが、Ａｓ分子線のＡｓと置換することにより、
（Ａ Ｉ ［１，ＴＧ ａ ８、ｓ） ［１，５Ｉ ｎ
＋！、ｓＰ層１４の層面４傍の数分子層が、数分子層
のＡ ｌ ｌ！、７Ｇ ａ ［１，３Ａ ３層１５に変
化した。
３） １１．５ Ｉ ｎ８．５Ｐ層１４の表面近傍のＩ
ｎ及びＰが、Ａｓ分子線のＡｓと置換することにより、
（Ａ Ｉ ［１，ＴＧ ａ ８、ｓ） ［１，５Ｉ ｎ
＋！、ｓＰ層１４の層面４傍の数分子層が、数分子層
のＡ ｌ ｌ！、７Ｇ ａ ［１，３Ａ ３層１５に変
化した。
この数分子層のＡ ｌ ｌ！、７Ｇ ａ １１．ａＡ
３層１５は、６８０°Ｃ程度以下では、組成元素の蒸発
がほとんど生じない熱的に安定な材料からなる層である
。
３層１５は、６８０°Ｃ程度以下では、組成元素の蒸発
がほとんど生じない熱的に安定な材料からなる層である
。
このため、６２０°Ｃ程度で通常盛んに生じるはずの（
Ａ Ｉ １１．７Ｇ ａ ｓ、３） ｓ、ｓ Ｉ ｎ
ｅ、ｓＰ層１４からのＩｎ又はＰの蒸発が、数分子層の
Ａ ｌ ｔ＋、ｙＧ ａ ［１，３Ａｓ層１５に覆われ
ることによって防止された。
Ａ Ｉ １１．７Ｇ ａ ｓ、３） ｓ、ｓ Ｉ ｎ
ｅ、ｓＰ層１４からのＩｎ又はＰの蒸発が、数分子層の
Ａ ｌ ｔ＋、ｙＧ ａ ［１，３Ａｓ層１５に覆われ
ることによって防止された。
このように、上記工程を行うことによって、特に５８０
°Ｃ程度以上に於いて顕著となる（Ａｌｉ！。
°Ｃ程度以上に於いて顕著となる（Ａｌｉ！。
７Ｇ ａ ［１，３） ［！、５ Ｉ ｎ ｓ、ｓＰ層
１４のＩｎ又はＰの蒸発による劣化を、６２０°Ｃ程１
度に於いても防止するこ七ができた。
１４のＩｎ又はＰの蒸発による劣化を、６２０°Ｃ程１
度に於いても防止するこ七ができた。
Ａｓ分子線を照射しながら基板温度を６２０°Ｃに上昇
させる゛という上述の工程の後、その工程に連続させて
、Ａ ｌ １１，４Ｇ ａ ９．ａＡ ３層１６をＡＩ
ｉ！。
させる゛という上述の工程の後、その工程に連続させて
、Ａ ｌ １１，４Ｇ ａ ９．ａＡ ３層１６をＡＩ
ｉ！。
７Ｇａａ３Ａｓ層１５上に成長させる工程を行った。
このＡ １ ｇ、４Ｇ ａ ｅ、ｅＡ ３層１６の成長
は、Ａｓ分子線の他に、Ａ１分子線及びＧａ分子線を基
板１１に向けて照射する通常のＭＢＥ法により行った。
は、Ａｓ分子線の他に、Ａ１分子線及びＧａ分子線を基
板１１に向けて照射する通常のＭＢＥ法により行った。
このときの基板温度は、６２０°Ｃとした。第１の実施
例の方法により形成したＡＩθ、４Ｇ ａ ８．ａＡ
ｓ層１６と、Ａｓ分子線を照射しながら基板温度を６２
０°Ｃに上昇させるという上述の工程のみを省略した方
法により形成したＡ Ｉ ［１，４Ｇ ａ８．６Ａｓ層
（比較例）とを比較するために、各々のＡ Ｉ 、、Ａ
Ｇａθ、ＢＡ ｓ層のフォトルミネッセンスを測定した
。
例の方法により形成したＡＩθ、４Ｇ ａ ８．ａＡ
ｓ層１６と、Ａｓ分子線を照射しながら基板温度を６２
０°Ｃに上昇させるという上述の工程のみを省略した方
法により形成したＡ Ｉ ［１，４Ｇ ａ８．６Ａｓ層
（比較例）とを比較するために、各々のＡ Ｉ 、、Ａ
Ｇａθ、ＢＡ ｓ層のフォトルミネッセンスを測定した
。
この結果、実施例の発光強度は、比較例のものの数倍の
大きさであった。このことは、実施例のＡ Ｉ ９，４
Ｇ ａ ９．ａＡ ３層１６の結晶性が、比較例のＡ
Ｉ ［１，４Ｇ ａ ６．ＢＡ ｓ層の結晶性よりも優
れていることを示している。
大きさであった。このことは、実施例のＡ Ｉ ９，４
Ｇ ａ ９．ａＡ ３層１６の結晶性が、比較例のＡ
Ｉ ［１，４Ｇ ａ ６．ＢＡ ｓ層の結晶性よりも優
れていることを示している。
上述の実施例の方法により、このように優れた結晶性を
有するＡ Ｉ １１．４Ｇ ａ ｇ、６Ａ ｓ層１６を
形成できた第１の理由は、Ａ ｌ ｅ、ａＧ ａ ｅ、
６Ａ ｓ層１６の成長前に、Ａｓ分子線を照射しながら
基板温度を６２０°Ｃに上昇させるという上述の工程を
行うことにより、（Ａ Ｉ ｅ、ｒＧ ａ ［１，３）
［！、５ Ｉ ｎ ｅ、ｓＰ層１４の表面近傍の数分
子層を数分子層のＡｌＧａＡｓ層１５に変化させ、この
層によって、（Ａ１［１，７Ｇ ａ １１．３） １１
．ｓ Ｉ ｎ １１．５Ｐ層１４のＩｎ及びＰの蒸発に
よる劣化を防止したためである。
有するＡ Ｉ １１．４Ｇ ａ ｇ、６Ａ ｓ層１６を
形成できた第１の理由は、Ａ ｌ ｅ、ａＧ ａ ｅ、
６Ａ ｓ層１６の成長前に、Ａｓ分子線を照射しながら
基板温度を６２０°Ｃに上昇させるという上述の工程を
行うことにより、（Ａ Ｉ ｅ、ｒＧ ａ ［１，３）
［！、５ Ｉ ｎ ｅ、ｓＰ層１４の表面近傍の数分
子層を数分子層のＡｌＧａＡｓ層１５に変化させ、この
層によって、（Ａ１［１，７Ｇ ａ １１．３） １１
．ｓ Ｉ ｎ １１．５Ｐ層１４のＩｎ及びＰの蒸発に
よる劣化を防止したためである。
第２の理由は、Ａ Ｉ ｉ！、４Ｇ ａ ［１，ｅＡ
ｓ層１６の成長前に、Ａｓ分子線を照射しながら基板温
度を６２０°Ｃに上昇させるという上述の工程中に、（
Ａ１ ｅ、７Ｇ ａ １１．３） ［１，５Ｉ ｎ ｅ
、ｓＰ層１４の表面近傍のＩｎ及びＰが、Ａｓ分子線の
Ａｓと置換することにより、 （Ａ １ ａ、ｙＧ ａ
ｅ、３） ［！、５ ｒ ｎ Ｂ、５Ｐ層１４の表面
近傍に存在した酸化物などの不純物が除去され、それに
よって、その表面近傍が清浄化されたためである。
ｓ層１６の成長前に、Ａｓ分子線を照射しながら基板温
度を６２０°Ｃに上昇させるという上述の工程中に、（
Ａ１ ｅ、７Ｇ ａ １１．３） ［１，５Ｉ ｎ ｅ
、ｓＰ層１４の表面近傍のＩｎ及びＰが、Ａｓ分子線の
Ａｓと置換することにより、 （Ａ １ ａ、ｙＧ ａ
ｅ、３） ［！、５ ｒ ｎ Ｂ、５Ｐ層１４の表面
近傍に存在した酸化物などの不純物が除去され、それに
よって、その表面近傍が清浄化されたためである。
このように、本実施例では、たとえＰ分子線熱射の停止
からＡｓ分子線照射を開始するまでの数秒の内に、ＭＢ
Ｅ装置内雰囲気中の酸素、水蒸気等の不純物力９、成長
の停止した結晶層表面を汚染しても、その汚染が上述の
方法により清浄化されるので、分子線照射の切り替えに
よる問題は生じなかった。
からＡｓ分子線照射を開始するまでの数秒の内に、ＭＢ
Ｅ装置内雰囲気中の酸素、水蒸気等の不純物力９、成長
の停止した結晶層表面を汚染しても、その汚染が上述の
方法により清浄化されるので、分子線照射の切り替えに
よる問題は生じなかった。
次に、第２図を参照しながら、第２の実施例を説明する
。
。
第２図（ａ）が示すように、まず、ＧａＡｓ基板ｌｌ上
に、ＧａＡｓバッファ層１２、及びＧａＩｎＰ層１３を
、この順番で基板１１側からＭＢＥ法により成長させた
。このときの基板温度は、４５０〜５７０°Ｃの範囲と
した。
に、ＧａＡｓバッファ層１２、及びＧａＩｎＰ層１３を
、この順番で基板１１側からＭＢＥ法により成長させた
。このときの基板温度は、４５０〜５７０°Ｃの範囲と
した。
この後、表面観察のため、基板１１をＭＢＥ装置外に取
り出した。その後、再び、基板１１をＭＢＥ装置内に導
入し、ＧａＩｎＰ層１３に対してＡｓ分子線を照射しな
がら、基板温度を６２０°Ｃに上昇させ、その状態を数
分間維持するという工程を行った。
り出した。その後、再び、基板１１をＭＢＥ装置内に導
入し、ＧａＩｎＰ層１３に対してＡｓ分子線を照射しな
がら、基板温度を６２０°Ｃに上昇させ、その状態を数
分間維持するという工程を行った。
この工程によって、ＧａｌｎＰ層１３の表面近傍のＩｎ
及びＰが、Ａｓ分子線のＡｓと置換することにより、Ｇ
ａｌｎＰ層１３の表面近傍の数分子層が、数分子層のＧ
ａＡｓ層１７に変化した。
及びＰが、Ａｓ分子線のＡｓと置換することにより、Ｇ
ａｌｎＰ層１３の表面近傍の数分子層が、数分子層のＧ
ａＡｓ層１７に変化した。
この数分子層のＧａＡｓ層１７は、６８０°Ｃ程度以下
では、組成元素の蒸発がほとんど生じない熱的に安定な
材料からなる層である。このため、６２０℃程度で通常
盛んに生じるはずのＧａｌｎＰ層１３からのＩｎ又はＰ
の蒸発が、この数分子層のＧａＡｓ層１７に覆われるこ
とによって防止された。
では、組成元素の蒸発がほとんど生じない熱的に安定な
材料からなる層である。このため、６２０℃程度で通常
盛んに生じるはずのＧａｌｎＰ層１３からのＩｎ又はＰ
の蒸発が、この数分子層のＧａＡｓ層１７に覆われるこ
とによって防止された。
このように、上記工程を行うことによって、特に５８０
°Ｃ程度以上に於いて顕著となるＧａｌｎＰ層１３のＩ
ｎ又はＰの蒸発による劣化を、６２０°Ｃ程度に於いて
も防止することができた。
°Ｃ程度以上に於いて顕著となるＧａｌｎＰ層１３のＩ
ｎ又はＰの蒸発による劣化を、６２０°Ｃ程度に於いて
も防止することができた。
Ａｓ分子線を照射しながら基板温度を６２０°Ｃに上昇
させるという上述の工程の後、その工程に連続させて、
Ａ ｌ １１．７Ｇ ａ １１．３Ａ ６層１８をＧａ
ＡＳ層１７層間７上させる工程を行った。このＡ１［！
、７Ｇ ａ ｌ！、３Ａ ｓ層１８の成長は、Ａｓ分子
線の他に、Ａ１分子線及びＧａ分子線を基板１１に向け
て照射する通常のＭＢＥ法により行った。このときの基
板温度は、６９０°Ｃとした。
させるという上述の工程の後、その工程に連続させて、
Ａ ｌ １１．７Ｇ ａ １１．３Ａ ６層１８をＧａ
ＡＳ層１７層間７上させる工程を行った。このＡ１［！
、７Ｇ ａ ｌ！、３Ａ ｓ層１８の成長は、Ａｓ分子
線の他に、Ａ１分子線及びＧａ分子線を基板１１に向け
て照射する通常のＭＢＥ法により行った。このときの基
板温度は、６９０°Ｃとした。
こうして形′成したＡｌＧａＡｓ層１８も、第１の実施
例の方法により形成したＡｌＧａＡｓ層１６と同様に、
優れた結晶性を有するものであった。
例の方法により形成したＡｌＧａＡｓ層１６と同様に、
優れた結晶性を有するものであった。
次に、第３図を参照しながら、第３の実施例を説明する
。
。
まず、第１導電型ＧａＡｓ基板１上に、第１導電型Ｇａ
Ａｓバッファ層２、第１導電型ＧａＩｎＰバツフア層３
、第１導電型ＡＩＧａＩｎＰクラツド層４、Ｇａ Ｉ
ｎＰ活性層５、第２導電型ＡＩＧａＩｎＰ第２クラツド
層６、及び第２導電型ＧａＩｎＰ層７を、この順番で基
板１側から、ＭＢＥ法により成長させた（第３図（ａ）
）。これらの層の成長は、Ｐを分子線源として扱うＭＢ
Ｅ装置内で通常のＭＢＥ法により行った。なお、そのと
きの基板温度は、５１０°Ｃとした。また、第２導電型
ＧａＩｎＰ層７の層厚は、１００Ａとした。
Ａｓバッファ層２、第１導電型ＧａＩｎＰバツフア層３
、第１導電型ＡＩＧａＩｎＰクラツド層４、Ｇａ Ｉ
ｎＰ活性層５、第２導電型ＡＩＧａＩｎＰ第２クラツド
層６、及び第２導電型ＧａＩｎＰ層７を、この順番で基
板１側から、ＭＢＥ法により成長させた（第３図（ａ）
）。これらの層の成長は、Ｐを分子線源として扱うＭＢ
Ｅ装置内で通常のＭＢＥ法により行った。なお、そのと
きの基板温度は、５１０°Ｃとした。また、第２導電型
ＧａＩｎＰ層７の層厚は、１００Ａとした。
この後、基板１をそのＭＢＥ装置から外に取り出し、次
に、Ａｓを分子線源として扱う他のＭＢＥ装置内に基板
１を導入した。
に、Ａｓを分子線源として扱う他のＭＢＥ装置内に基板
１を導入した。
次に、このＭＢＥ装置内で、第２導電型Ｇａ１ｎＰ層７
上１ごＡｓ分子線を照射しながら、基板温度を６２０°
Ｃに上昇させ、その状態を数分間維持するという工程を
行った。
上１ごＡｓ分子線を照射しながら、基板温度を６２０°
Ｃに上昇させ、その状態を数分間維持するという工程を
行った。
この工程によって、ＧａｌｎＰ層７の表面近傍のＩｎ及
びＰが、Ａｓ分子線のＡｓと置換することにより、Ｇａ
Ｉ ｎＰ層７０表面近傍の数分子層が、数分子層のＧ
ａ Ａ ’ｓ層８に変化した（第３図（ｂ））。
びＰが、Ａｓ分子線のＡｓと置換することにより、Ｇａ
Ｉ ｎＰ層７０表面近傍の数分子層が、数分子層のＧ
ａ Ａ ’ｓ層８に変化した（第３図（ｂ））。
ＧａＡｓ層８上に、第２導電型ＧａＡｓキャップ層９を
ＭＢＥ法により成長させた後、第２導電型ＧａＡｓキャ
ップ層９上に、絶縁性窒化シリコン膜２１をプラズマＣ
ＶＤ法により成長させた。
ＭＢＥ法により成長させた後、第２導電型ＧａＡｓキャ
ップ層９上に、絶縁性窒化シリコン膜２１をプラズマＣ
ＶＤ法により成長させた。
窒化シリコン膜２１をフォトエツチングすることにより
、第２導電型ＧａＡｓキャップ層９に達する幅１０μｍ
のストライブ状溝を窒化シリコン膜２１に形成した。
、第２導電型ＧａＡｓキャップ層９に達する幅１０μｍ
のストライブ状溝を窒化シリコン膜２１に形成した。
このようにして形成した積層構造の上面及び基板１の裏
面に、電極２３．２２を形成することにより、第３図（
Ｃ）に示す利得導波型の半導体レーザ素子を作成した。
面に、電極２３．２２を形成することにより、第３図（
Ｃ）に示す利得導波型の半導体レーザ素子を作成した。
この半導体ル−ザ素子は、６７０ｎｍの波長光を室温で
連続発振した。
連続発振した。
この半導体レーザ素子は、ＧａＩｎＰよりも熱伝導性に
優れたＧａＡｓからなる第２導電型ＧａＡｓキャップ層
９を有しているため、活性層５で発生した熱が効率的に
半導体レーザ素子外へ放散される。このため、第６図の
半導体レーザ素子の温度特性よりも、優れた温度特性を
達成することができた。
優れたＧａＡｓからなる第２導電型ＧａＡｓキャップ層
９を有しているため、活性層５で発生した熱が効率的に
半導体レーザ素子外へ放散される。このため、第６図の
半導体レーザ素子の温度特性よりも、優れた温度特性を
達成することができた。
上述の作成方法から、Ａｓ分子線を照射しながら基板温
度を６２０°Ｃに上昇させる工程を省略した方法により
作成した半導体レーザ素子（比較例）では、その発振閾
値が上昇したため、室温での連続発振を実現することは
できなかった。これは、この半導体レーザ素子の第２導
電型Ｇａ１ｎＰ層７の表面が大気との接触により汚染さ
れた後、ＭＢＥ装置内で充分に清浄化されないまま、そ
の上に結晶層を成長させたためである。このため、比較
例の第２導電型ＧａＩｎＰ層より上方に形成された結晶
層の結晶性が実施例のものに比べ劣ったものとなり、′
比較例のレーザ光の発光効率が低下するに至った。
度を６２０°Ｃに上昇させる工程を省略した方法により
作成した半導体レーザ素子（比較例）では、その発振閾
値が上昇したため、室温での連続発振を実現することは
できなかった。これは、この半導体レーザ素子の第２導
電型Ｇａ１ｎＰ層７の表面が大気との接触により汚染さ
れた後、ＭＢＥ装置内で充分に清浄化されないまま、そ
の上に結晶層を成長させたためである。このため、比較
例の第２導電型ＧａＩｎＰ層より上方に形成された結晶
層の結晶性が実施例のものに比べ劣ったものとなり、′
比較例のレーザ光の発光効率が低下するに至った。
次に、第４図を参照しながら、第４の実施例を説明する
。
。
まず、第１導電型ＧａＡｓ基板ｌ上に、第１導電型Ｇａ
１ｎＰバツフア層３、Ｇａ Ｉ ｎＰ活性層５、及び第
２導電型ＧａＩｎＰ層６を、この順番で基板側から、Ｍ
ＢＥ法により成長させた。これらの層の成長は、Ｐを分
子線源として扱うＭＢＥ装置内で通常のＭＢＥ法により
行った。
１ｎＰバツフア層３、Ｇａ Ｉ ｎＰ活性層５、及び第
２導電型ＧａＩｎＰ層６を、この順番で基板側から、Ｍ
ＢＥ法により成長させた。これらの層の成長は、Ｐを分
子線源として扱うＭＢＥ装置内で通常のＭＢＥ法により
行った。
この後、基板１をそのＭＢＥ装置から外に取り出し、次
に、Ａｓを分子線源として扱う他のＭＢＥ装置内に基板
１を導入した。
に、Ａｓを分子線源として扱う他のＭＢＥ装置内に基板
１を導入した。
次に、このＭＢＥ装置内で、第２導電型Ｇａ１ｎＰ層６
上にＡｓ分子線を照射しながら、基板温度を６２０°Ｃ
に上昇させ、その状態を数分間維持するという工程を行
った。
上にＡｓ分子線を照射しながら、基板温度を６２０°Ｃ
に上昇させ、その状態を数分間維持するという工程を行
った。
この工程によって、ＧａＩｎＰ層６の表面近傍のＩｎ及
びＰが、Ａｓ分子線のＡｓと置換することにより、Ｇａ
Ｉ ｎＰＰＯ２表面近傍の数分干潮が、数分干潮°の
ＧａＡｓ層８に変化した。
びＰが、Ａｓ分子線のＡｓと置換することにより、Ｇａ
Ｉ ｎＰＰＯ２表面近傍の数分干潮が、数分干潮°の
ＧａＡｓ層８に変化した。
ＧａＡｓ層８上に、第２導電型ＧａＡｓ層９を成長させ
た後、第２導電型Ｇ ａ Ａ’ｓ層９及び基板１の裏面
に、電極２３．２２を形成した。
た後、第２導電型Ｇ ａ Ａ’ｓ層９及び基板１の裏面
に、電極２３．２２を形成した。
この後、電極２３及び第２導電型ＧａＡｓ層９の所定領
域を第２導電型ＧａＩｎＰ層６の表面までエツチングす
ることにより、フォトダイオードの受光部を形成した。
域を第２導電型ＧａＩｎＰ層６の表面までエツチングす
ることにより、フォトダイオードの受光部を形成した。
次に、電極２３、第２導電型ＧａＡｓ層９、ＧａＡｓ層
８、ＧａＩｎＰ層６、Ｇａ Ｉ ｎＰ活性層５及び第１
導電型ＧａＩｎＰバツフア層３の所定部分をエツチング
することにより、第４図に示すｐＩｎ型フォトダイオー
ドを作成した。
８、ＧａＩｎＰ層６、Ｇａ Ｉ ｎＰ活性層５及び第１
導電型ＧａＩｎＰバツフア層３の所定部分をエツチング
することにより、第４図に示すｐＩｎ型フォトダイオー
ドを作成した。
ＭＢＥ装置内で、上述の第２導電型Ｇａ Ｉ ｎＰ層６
上にＡｓ分子線を照射しながら、基板温度を６２０°Ｃ
に上昇させる工程を行わないで作製したｐｉｎ型フォト
ダイオードの感度に比較して、本実施例のｐｌｎ型フォ
トダイオードの感度は優れたものであった。これは、Ｍ
ＢＥ法による層成長を一時的に休止した部分の成長層界
面に於ても、本実施例の方′法により、界面順位の形成
が低減されたためである。
上にＡｓ分子線を照射しながら、基板温度を６２０°Ｃ
に上昇させる工程を行わないで作製したｐｉｎ型フォト
ダイオードの感度に比較して、本実施例のｐｌｎ型フォ
トダイオードの感度は優れたものであった。これは、Ｍ
ＢＥ法による層成長を一時的に休止した部分の成長層界
面に於ても、本実施例の方′法により、界面順位の形成
が低減されたためである。
このように、製造工程中に、ＧａＡｓ基板に格子整合す
るＡＩＧａＩｎＰ結晶層の表面が汚染されたときでも、
その上に、高品質のＡｌＧａＡｓ結晶層を容易に形成す
ることができるので、高品質の半導体レーザ素子のみな
らず、フォトダイオード等の各種の化合物半導体装置を
提供することができる。
るＡＩＧａＩｎＰ結晶層の表面が汚染されたときでも、
その上に、高品質のＡｌＧａＡｓ結晶層を容易に形成す
ることができるので、高品質の半導体レーザ素子のみな
らず、フォトダイオード等の各種の化合物半導体装置を
提供することができる。
（発明の効果）
このように本発明では、ＧａＡｓ基板に格子整合した（
Ａ １ ｙＧ ａ Ｉ−Ｙ） ［１，５１ｎ ｅ；ｓ
Ｐ結晶層（０≦Ｙ≦１）の表面にＡｓ分子線を照射しな
がら、該結晶層のＩｎが蒸発する温度に該基板を昇温す
ることにより、該結晶層の表面を数分干潮のＡｌｖＧ
ａ ＋−ｙＡ Ｓ結晶層（０≦Ｙ≦１）に変化させるこ
とができる。このため、 （Ａ ｌ ｙＧ ａ Ｉ−Ｙ
） ［１，５１ｎ１１．５Ｐ結晶層の表面を）ｎ浄化し
、しかも、 （Ａｌ−１８＝ ｙＧ ａ ＋−ｙ） ａ、ｓ Ｉ ｎ １！、５Ｐから
のＩｎ及びＰの蒸発を防ぐことができる。
Ａ １ ｙＧ ａ Ｉ−Ｙ） ［１，５１ｎ ｅ；ｓ
Ｐ結晶層（０≦Ｙ≦１）の表面にＡｓ分子線を照射しな
がら、該結晶層のＩｎが蒸発する温度に該基板を昇温す
ることにより、該結晶層の表面を数分干潮のＡｌｖＧ
ａ ＋−ｙＡ Ｓ結晶層（０≦Ｙ≦１）に変化させるこ
とができる。このため、 （Ａ ｌ ｙＧ ａ Ｉ−Ｙ
） ［１，５１ｎ１１．５Ｐ結晶層の表面を）ｎ浄化し
、しかも、 （Ａｌ−１８＝ ｙＧ ａ ＋−ｙ） ａ、ｓ Ｉ ｎ １！、５Ｐから
のＩｎ及びＰの蒸発を防ぐことができる。
また、数分′子層の該Ａ Ｉ ｙＧ ａ Ｉ−ＹＡ Ｓ
結晶層上に、Ａ Ｉ ＸＧ ａ １−ＸＡ Ｓ結晶層（
Ｏ≦Ｘ≦１）を形成すれば、該Ａ １ ｙＧ ａ ＋−
ｙＡ Ｓ結晶層の表面が清浄化されているため、該Ａ
Ｉ ＸＧ ａ Ｉ−ＸＡ Ｓ結晶層の結晶性は高品質な
ものとなる。
結晶層上に、Ａ Ｉ ＸＧ ａ １−ＸＡ Ｓ結晶層（
Ｏ≦Ｘ≦１）を形成すれば、該Ａ １ ｙＧ ａ ＋−
ｙＡ Ｓ結晶層の表面が清浄化されているため、該Ａ
Ｉ ＸＧ ａ Ｉ−ＸＡ Ｓ結晶層の結晶性は高品質な
ものとなる。
従って、本発明の化合物半導体層の製造方法によれば、
（Ａ １ ｙＧ ａ Ｉ−Ｙ） １１．５ Ｉ ｎ
８．ｓＰ結晶層上に優れた結晶性を有するＡ Ｉ ＸＧ
ａ ＋−ｘＡ ｓ結晶層を備えた高品質の化合物半導
体装置を提供することができる。
（Ａ １ ｙＧ ａ Ｉ−Ｙ） １１．５ Ｉ ｎ
８．ｓＰ結晶層上に優れた結晶性を有するＡ Ｉ ＸＧ
ａ ＋−ｘＡ ｓ結晶層を備えた高品質の化合物半導
体装置を提供することができる。
４、 の。 な言Ｉ
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図、第２図は
第２の実施例を示す断面図、第３図は第３の実施例を示
す断面図、第４図は第４の実施例を示す断面図、第５図
は従来例を示す断面図である。
第２の実施例を示す断面図、第３図は第３の実施例を示
す断面図、第４図は第４の実施例を示す断面図、第５図
は従来例を示す断面図である。
Ｉ・・・第１導電型ＧａＡｓ基板、２・・・第１導電型
ＧａＡｓバッファ層、３・・・第１導電型ＧａＩｎＰバ
ッファ層、４・・・第１導電型ＡＩＧａＩｎＰ第１クラ
ツド層、５・・・ＧａＩｎＰ活性層、６・・・第２導電
型ＡｌＧａ’ＩｎＰ第２クラツド層、７・・・第２導電
型Ｇａ Ｉ ｎＰ層、８− Ｇ ａ Ａ ｓ層、９・・
・第２導電型ＧａＡｓキャップ層、１１・・・ＧａＡｓ
基板、１２−−・Ｇ ａ Ａ ｓバッファ層、１３−・
ＧａｌｎＰ層、１４−＝ＡＩ Ｇａ Ｉ ｎＰ層、１５
・・・ＡｌＧａＡｓ層、１６−＝ Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ
ｓ層、１７・−・ＧａＡｓ層、１８−−−ＡｌＧａＡ
ｓ層、２０ ・・・第２導電型ＧａＩｎＰ層、２１・・
・窒化シリコン２２．２３・・・電極。
ＧａＡｓバッファ層、３・・・第１導電型ＧａＩｎＰバ
ッファ層、４・・・第１導電型ＡＩＧａＩｎＰ第１クラ
ツド層、５・・・ＧａＩｎＰ活性層、６・・・第２導電
型ＡｌＧａ’ＩｎＰ第２クラツド層、７・・・第２導電
型Ｇａ Ｉ ｎＰ層、８− Ｇ ａ Ａ ｓ層、９・・
・第２導電型ＧａＡｓキャップ層、１１・・・ＧａＡｓ
基板、１２−−・Ｇ ａ Ａ ｓバッファ層、１３−・
ＧａｌｎＰ層、１４−＝ＡＩ Ｇａ Ｉ ｎＰ層、１５
・・・ＡｌＧａＡｓ層、１６−＝ Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ
ｓ層、１７・−・ＧａＡｓ層、１８−−−ＡｌＧａＡ
ｓ層、２０ ・・・第２導電型ＧａＩｎＰ層、２１・・
・窒化シリコン２２．２３・・・電極。
以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＧａＡｓ基板に格子整合する（Ａｌ＿ＹＧａ＿１＿
−＿Ｙ）＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿．＿５Ｐ結晶層（０≦
Ｙ≦１）を該基板上に形成する工程と、 該結晶層の表面にＡｓ分子線を照射しながら、該結晶層
のＩｎが蒸発する温度に該基板を昇温することにより、
該結晶層の表面を数分子層のＡｌ＿ＹＧａ＿１＿−＿Ｙ
Ａｓ結晶層（０≦Ｙ≦１）に変化させる工程と、 Ａｌ＿ＸＧａ＿１＿−＿ＸＡｓ結晶層（０≦Ｘ≦１）を
該Ａｌ＿ＹＧａ＿１＿−＿ＹＡｓ結晶層上に形成する工
程と、を包含する化合物半導体層の製造方法。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2129914A JPH0828326B2 (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | 化合物半導体層の製造方法 |
| DE69120865T DE69120865T2 (de) | 1990-05-09 | 1991-05-09 | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
| DE69133230T DE69133230T2 (de) | 1990-05-09 | 1991-05-09 | Halbleiterlaservorrichtung und Herstellungsverfahren |
| EP91304161A EP0456485B1 (en) | 1990-05-09 | 1991-05-09 | Method for producing a semiconductor device |
| US07/698,001 US5255279A (en) | 1990-05-09 | 1991-05-09 | Semiconductor laser device, and a method for producing a compound semiconductor device including the semiconductor laser device |
| EP97105580A EP0785603B1 (en) | 1990-05-09 | 1991-05-09 | A semiconductor laser device and a method of producing the same |
| EP95115775A EP0695006B1 (en) | 1990-05-09 | 1991-05-09 | A method for producing a compound semiconductor laser device |
| DE69129047T DE69129047T2 (de) | 1990-05-09 | 1991-05-09 | Herstellungsverfahren für eine aus Halbleiterverbindungen bestehende Laservorrichtung |
| US08/080,004 US5360762A (en) | 1990-05-09 | 1993-06-21 | Semiconductor laser device, and a method for producing a compound semiconductor device including the semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2129914A JPH0828326B2 (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | 化合物半導体層の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0425120A true JPH0425120A (ja) | 1992-01-28 |
| JPH0828326B2 JPH0828326B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=15021521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2129914A Expired - Fee Related JPH0828326B2 (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-18 | 化合物半導体層の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0828326B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5441913A (en) * | 1993-06-28 | 1995-08-15 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Process of making a semiconductor epitaxial substrate |
| US6099640A (en) * | 1997-09-03 | 2000-08-08 | Nec Corporation | Molecular beam epitaxial growth method |
-
1990
- 1990-05-18 JP JP2129914A patent/JPH0828326B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5441913A (en) * | 1993-06-28 | 1995-08-15 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Process of making a semiconductor epitaxial substrate |
| US6099640A (en) * | 1997-09-03 | 2000-08-08 | Nec Corporation | Molecular beam epitaxial growth method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0828326B2 (ja) | 1996-03-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |