JPH04251435A - 磁気ディスク - Google Patents
磁気ディスクInfo
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- JPH04251435A JPH04251435A JP2418751A JP41875190A JPH04251435A JP H04251435 A JPH04251435 A JP H04251435A JP 2418751 A JP2418751 A JP 2418751A JP 41875190 A JP41875190 A JP 41875190A JP H04251435 A JPH04251435 A JP H04251435A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
- G11B5/743—Patterned record carriers, wherein the magnetic recording layer is patterned into magnetic isolated data islands, e.g. discrete tracks
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
- G11B5/82—Disk carriers
Landscapes
- Paints Or Removers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Pigments, Carbon Blacks, Or Wood Stains (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、剛性のディスク基板上
に塗布型の磁性層を有する、いわゆるハードタイプの磁
気ディスクに関する。
に塗布型の磁性層を有する、いわゆるハードタイプの磁
気ディスクに関する。
【0002】
【従来の技術】計算機等に用いられる磁気ディスク駆動
装置として、剛性基板上に磁性層を設層したハードタイ
プの磁気ディスク媒体(以下磁気ディスクという。)と
、各種浮上型磁気ヘッドとの組み合わせが用いられてい
る。
装置として、剛性基板上に磁性層を設層したハードタイ
プの磁気ディスク媒体(以下磁気ディスクという。)と
、各種浮上型磁気ヘッドとの組み合わせが用いられてい
る。
【0003】近年、これらの磁気ディスク装置に対して
大容量化、あるいは小型化の要求が高まり、これに対応
するため高記録密度化が重要な課題となっている。この
ため、磁気ディスクでは磁性層の高保磁力化、高磁束密
度化、薄層化、および平滑化が進められており、磁気ヘ
ッドでは高飽和磁束密度化、狭ギャップ化、狭トラック
化などが行われている。
大容量化、あるいは小型化の要求が高まり、これに対応
するため高記録密度化が重要な課題となっている。この
ため、磁気ディスクでは磁性層の高保磁力化、高磁束密
度化、薄層化、および平滑化が進められており、磁気ヘ
ッドでは高飽和磁束密度化、狭ギャップ化、狭トラック
化などが行われている。
【0004】また、ヘッドと媒体の間隙を減少させるた
めのヘッドスライダーの低浮上化、あるいは媒体の高耐
久性化も重要である。
めのヘッドスライダーの低浮上化、あるいは媒体の高耐
久性化も重要である。
【0005】磁気ディスクには、スパッタリング等の気
相成膜法により作製される薄膜型磁気ディスクと、磁性
微粒子とバインダとを含有する塗布型磁気ディスクとが
ある。
相成膜法により作製される薄膜型磁気ディスクと、磁性
微粒子とバインダとを含有する塗布型磁気ディスクとが
ある。
【0006】このうち、塗布型磁気ディスクはヘッドの
低浮上化、さらにヘッドと媒体の接触記録へと進む中で
は、高信頼性、高耐久性の点で有利になると思われる。
低浮上化、さらにヘッドと媒体の接触記録へと進む中で
は、高信頼性、高耐久性の点で有利になると思われる。
【0007】また、剛性基板には、通常、ディスク状の
Al合金が用いられているが、低浮上化に対応してより
平滑なガラス円板も検討され、さらに駆動装置の小型化
の要請から、磁気ディスクの軽量化も強く望まれ、これ
らの基板より軽く、しかも低コストな樹脂製の剛性基板
も注目されている。
Al合金が用いられているが、低浮上化に対応してより
平滑なガラス円板も検討され、さらに駆動装置の小型化
の要請から、磁気ディスクの軽量化も強く望まれ、これ
らの基板より軽く、しかも低コストな樹脂製の剛性基板
も注目されている。
【0008】また、媒体の記録密度を高める方法として
、特開昭61−24021号公報に記載されているよう
な提案がある。これは、図2に示されるように、ディス
ク基板2の主面に、溝21を同心円状のパターンに形成
し、このディスク基板2上に、磁性層4を形成し、その
表面形状を溝21と同じパターンの凹凸形状とし、ラン
ド部23上に位置する磁性層4にて記録・再生を行なう
磁気ディスクである。
、特開昭61−24021号公報に記載されているよう
な提案がある。これは、図2に示されるように、ディス
ク基板2の主面に、溝21を同心円状のパターンに形成
し、このディスク基板2上に、磁性層4を形成し、その
表面形状を溝21と同じパターンの凹凸形状とし、ラン
ド部23上に位置する磁性層4にて記録・再生を行なう
磁気ディスクである。
【0009】このような磁気ディスク(以下ディスクリ
ートトラックメディアという)では、隣接する記録トラ
ックを溝21にて分離することによりトラック間のクロ
ストークを防止できるため、高いトラック密度を実現で
き、しかもこの溝21内部の磁性層からの出力とランド
部23上の磁性層からの出力との差を利用することによ
り正確なトラッキングを比較的容易に行なえるという利
点がある。また、アクセスを正確に行なうことができ、
磁気ヘッドのディスク磁性面上におけるスティクション
(はりつき)を回避でき、さらに耐久性の向上をはかれ
るという利点もあげられる。
ートトラックメディアという)では、隣接する記録トラ
ックを溝21にて分離することによりトラック間のクロ
ストークを防止できるため、高いトラック密度を実現で
き、しかもこの溝21内部の磁性層からの出力とランド
部23上の磁性層からの出力との差を利用することによ
り正確なトラッキングを比較的容易に行なえるという利
点がある。また、アクセスを正確に行なうことができ、
磁気ヘッドのディスク磁性面上におけるスティクション
(はりつき)を回避でき、さらに耐久性の向上をはかれ
るという利点もあげられる。
【0010】このような目的で特開平2−189715
号公報に示されるように、基板上に非磁性層を設け、こ
の非磁性膜上にトラックパターンを形成し、凹部(溝)
のみに磁性層を形成し、非磁性層に研磨剤(フィラー)
、潤滑剤などを含ませることにより、磁気ディスクの耐
久性を向上させる提案や、さらに、特開平2−2017
30号公報に示されるように、非磁性基板上に設けられ
た凹部(溝)にのみ磁性層を残し、ディスクの表面を厚
さ50〜500Aのカーボン層で覆うことにより摩擦係
数を低くした磁気ディスクが提案されている。
号公報に示されるように、基板上に非磁性層を設け、こ
の非磁性膜上にトラックパターンを形成し、凹部(溝)
のみに磁性層を形成し、非磁性層に研磨剤(フィラー)
、潤滑剤などを含ませることにより、磁気ディスクの耐
久性を向上させる提案や、さらに、特開平2−2017
30号公報に示されるように、非磁性基板上に設けられ
た凹部(溝)にのみ磁性層を残し、ディスクの表面を厚
さ50〜500Aのカーボン層で覆うことにより摩擦係
数を低くした磁気ディスクが提案されている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、ディス
クリートトラックメディアには多くの利点があるものの
、これまでの提案によるディスクでは、実際上、以下に
述べるような問題点がある。
クリートトラックメディアには多くの利点があるものの
、これまでの提案によるディスクでは、実際上、以下に
述べるような問題点がある。
【0012】特開昭61−24021号公報に示される
磁気ディスクのように、ランド部上の磁性層に記録する
場合には、磁性層に対して、電磁気的な特性とともに耐
久性という異なる特性の向上が同時に要求される。この
ため、磁性層の磁気特性をある程度犠牲にする必要があ
る。
磁気ディスクのように、ランド部上の磁性層に記録する
場合には、磁性層に対して、電磁気的な特性とともに耐
久性という異なる特性の向上が同時に要求される。この
ため、磁性層の磁気特性をある程度犠牲にする必要があ
る。
【0013】これに対し、特開平2−189715号公
報および特開平2−201730号公報に示される磁気
ディスクではパターンの凸部に形成された磁性層を除去
して、凹部(溝)にのみ磁性層(記録層)を形成するた
め、非磁性の凸部と記録層を明確に区別でき、さらに凹
部では電磁気的な特性向上を、また凸部では耐久性向上
というように異なる特性の向上を同時にはかることがで
きるという点で改良されている。
報および特開平2−201730号公報に示される磁気
ディスクではパターンの凸部に形成された磁性層を除去
して、凹部(溝)にのみ磁性層(記録層)を形成するた
め、非磁性の凸部と記録層を明確に区別でき、さらに凹
部では電磁気的な特性向上を、また凸部では耐久性向上
というように異なる特性の向上を同時にはかることがで
きるという点で改良されている。
【0014】しかし、前者(特開平2−189715号
公報)では、基板上にまず非磁性層を成膜し、こののち
レプリカ法などにより非磁性層にトラックパターンを形
成し、ついで磁性層を成膜するため、成膜プロセスが二
分されて製法上の効率が悪くなるという問題がある。
公報)では、基板上にまず非磁性層を成膜し、こののち
レプリカ法などにより非磁性層にトラックパターンを形
成し、ついで磁性層を成膜するため、成膜プロセスが二
分されて製法上の効率が悪くなるという問題がある。
【0015】また、硬質フィラーを含む塗膜によって形
成された非磁性層に、トラックを構成する凹部(溝)を
形成する場台には、フィラーの存在が均一な溝の形成の
障害になる恐れが大きい。
成された非磁性層に、トラックを構成する凹部(溝)を
形成する場台には、フィラーの存在が均一な溝の形成の
障害になる恐れが大きい。
【0016】一方、後者(特開平2−201730号公
報)の場合は、スパッタなどの手段により作製される磁
性薄膜型の磁気ディスクに対して適用可能であるが、磁
性層の上に非磁性のカーボン層が存在するため、磁性層
と磁気ヘッドとの間隔が拡大し、磁性微粒子とバインダ
とを含有する塗布型磁性層では、いわゆるスペーシング
損失の増大によって再生出力が低下するという問題を生
ずる。
報)の場合は、スパッタなどの手段により作製される磁
性薄膜型の磁気ディスクに対して適用可能であるが、磁
性層の上に非磁性のカーボン層が存在するため、磁性層
と磁気ヘッドとの間隔が拡大し、磁性微粒子とバインダ
とを含有する塗布型磁性層では、いわゆるスペーシング
損失の増大によって再生出力が低下するという問題を生
ずる。
【0017】また、カーボン層を設層しないと、ディス
ク基板と、磁気ヘッドとが直接接触するため、磁気ディ
スクと、磁気ヘッドとの摩擦係数が増加し、安定した浮
上が困難である。しかも磁気ディスクの製造中には、磁
性塗膜の研削・研磨によって、直接ディスク基板の凸部
が露出し、加工時の摩擦が著しく増大してしまう。この
ため特に樹脂基板を用いると、加工時に発生した摩擦熱
により樹脂の表面が溶融することがあり、研削・研磨作
業が非常に困難である。
ク基板と、磁気ヘッドとが直接接触するため、磁気ディ
スクと、磁気ヘッドとの摩擦係数が増加し、安定した浮
上が困難である。しかも磁気ディスクの製造中には、磁
性塗膜の研削・研磨によって、直接ディスク基板の凸部
が露出し、加工時の摩擦が著しく増大してしまう。この
ため特に樹脂基板を用いると、加工時に発生した摩擦熱
により樹脂の表面が溶融することがあり、研削・研磨作
業が非常に困難である。
【0018】本発明の目的は、上述のようなディスクリ
ートトラックメディアにおける問題点を解決し、製造上
の効率が良く、耐久性および磁気特性が高く、しかも電
磁変換特性が良好である磁気ディスクを提供することに
ある。
ートトラックメディアにおける問題点を解決し、製造上
の効率が良く、耐久性および磁気特性が高く、しかも電
磁変換特性が良好である磁気ディスクを提供することに
ある。
【0019】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
(1)〜(7)の本発明によって達成される。
(1)〜(7)の本発明によって達成される。
【0020】(1)剛性のディスク基板を有し、前記デ
ィスク基板は、表面に同心円状またはスパイラル状に形
成された溝を有し、前記ディスク基板上に非磁性の下地
層を設層し、この下地層表面に前記溝形状と対応する凹
凸を形成し、この下地層上に磁性微粒子を含有する磁性
塗膜を設層した後、前記磁性塗膜の一部を除去して前記
溝内部の下地層上に磁性層を充填したことを特徴とする
磁気ディスク。
ィスク基板は、表面に同心円状またはスパイラル状に形
成された溝を有し、前記ディスク基板上に非磁性の下地
層を設層し、この下地層表面に前記溝形状と対応する凹
凸を形成し、この下地層上に磁性微粒子を含有する磁性
塗膜を設層した後、前記磁性塗膜の一部を除去して前記
溝内部の下地層上に磁性層を充填したことを特徴とする
磁気ディスク。
【0021】(2)溝間間隙のランド部上に存在する前
記下地層が、実質的に露出するように前記磁性塗膜を除
去する上記(1)に記載の磁気ディスク。
記下地層が、実質的に露出するように前記磁性塗膜を除
去する上記(1)に記載の磁気ディスク。
【0022】(3)前記溝の幅が0.5〜10μm、前
記溝の深さが0.05〜1μm、溝間間隙のランド部の
幅が0.5〜10μmである上記(1)または(2)に
記載の磁気ディスク。
記溝の深さが0.05〜1μm、溝間間隙のランド部の
幅が0.5〜10μmである上記(1)または(2)に
記載の磁気ディスク。
【0023】(4)前記溝内部の下地層上の磁性層の膜
厚が0.01〜1μmである上記(1)ないし(3)の
いずれかに記載の磁気ディスク。
厚が0.01〜1μmである上記(1)ないし(3)の
いずれかに記載の磁気ディスク。
【0024】(5)前記下地層が、モース硬度5以上の
無機微粒子を含有する塗膜である上記(1)ないし(4
)のいずれかに記載の磁気ディスク。
無機微粒子を含有する塗膜である上記(1)ないし(4
)のいずれかに記載の磁気ディスク。
【0025】(6)前記下地層が、さらにカーボンブラ
ックを前記モース硬度5以上の無機微粒子に対し4〜1
0wt%含有する上記(5)に記載の磁気ディスク。
ックを前記モース硬度5以上の無機微粒子に対し4〜1
0wt%含有する上記(5)に記載の磁気ディスク。
【0026】(7)前記下地層が、ビッカース硬度60
0以上の連続薄膜である上記(1)ないし(4)のいず
れかに記載の磁気ディスク。
0以上の連続薄膜である上記(1)ないし(4)のいず
れかに記載の磁気ディスク。
【0027】
【作用】本発明の磁気ディスクは、図1に示されるよう
に、溝21とランド部23が規則的にディスク周方向に
形成されたディスク基板2を用い、この基板主面上の溝
21内部には、後述の非磁性の下地層3と磁性層4がこ
の順番で充填されて記録トラツク部を構成し、一方、記
録トラック部を分離するランド部23上の磁性層は研削
、研磨等により除去され、きわめて薄い磁性層しか存在
しない構造、特に耐久性、耐摩耗性、摩擦特性、導電性
などの向上を目的として設けた非磁性機能性膜の下地層
3が露出した構造を有する。
に、溝21とランド部23が規則的にディスク周方向に
形成されたディスク基板2を用い、この基板主面上の溝
21内部には、後述の非磁性の下地層3と磁性層4がこ
の順番で充填されて記録トラツク部を構成し、一方、記
録トラック部を分離するランド部23上の磁性層は研削
、研磨等により除去され、きわめて薄い磁性層しか存在
しない構造、特に耐久性、耐摩耗性、摩擦特性、導電性
などの向上を目的として設けた非磁性機能性膜の下地層
3が露出した構造を有する。
【0028】上述の本発明によるデイスクリートトラッ
クメディア、特に下地層を露出させた磁気ディスクによ
れば、ランド部23上の下地層3が磁気ヘッドに対して
耐久性、耐摩耗性、潤滑性、導電性等に優れているため
、これによる干渉作用によって磁気ヘッドと磁性層の直
接接触によるスティクション(はりつき)や磁性層の破
壊などを回避でき、極めて信頼性の高い磁気ディスクが
実現する。さらに凹凸部の信号変化を検出することによ
り、精度の高いトラッキングが可能となり、これによっ
て高トラック密度化が可能になる。
クメディア、特に下地層を露出させた磁気ディスクによ
れば、ランド部23上の下地層3が磁気ヘッドに対して
耐久性、耐摩耗性、潤滑性、導電性等に優れているため
、これによる干渉作用によって磁気ヘッドと磁性層の直
接接触によるスティクション(はりつき)や磁性層の破
壊などを回避でき、極めて信頼性の高い磁気ディスクが
実現する。さらに凹凸部の信号変化を検出することによ
り、精度の高いトラッキングが可能となり、これによっ
て高トラック密度化が可能になる。
【0029】しかも、あらかじめパターンを形成したデ
ィスク基板を用いるため、フィラーが介在することによ
って生ずるパターン形成上の問題も回避でき、また同時
に下地層の形成に次いで磁性層の形成が行なえるため、
磁気ディスクの製造を効率的に行なうことができる。
ィスク基板を用いるため、フィラーが介在することによ
って生ずるパターン形成上の問題も回避でき、また同時
に下地層の形成に次いで磁性層の形成が行なえるため、
磁気ディスクの製造を効率的に行なうことができる。
【0030】なお、ディスク基板2としては、軽量であ
り、かつ溝21の加工が容易な樹脂基板を採用すること
が好ましいが、このような樹脂基板を用いた場台、ラン
ド部23上の下地層3は、磁性塗膜表面層の一部を最終
的に研削、研磨加工して除去する際の規制部として有効
に作用するため、研削、研磨作業を容易にし、かつ面精
度を向上させる上で極めて好都合である。
り、かつ溝21の加工が容易な樹脂基板を採用すること
が好ましいが、このような樹脂基板を用いた場台、ラン
ド部23上の下地層3は、磁性塗膜表面層の一部を最終
的に研削、研磨加工して除去する際の規制部として有効
に作用するため、研削、研磨作業を容易にし、かつ面精
度を向上させる上で極めて好都合である。
【0031】
【発明の具体的構成】以下、本発明の具休的構成につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【0032】本発明の磁気ディスクの好適例を図1に示
す。
す。
【0033】磁気ディスク1は、後述の凹凸パターンを
有する剛性のディスク基板2を有する。
有する剛性のディスク基板2を有する。
【0034】ディスク基板2の材質には特に制限がなく
、例えば、Al合金等の金属、ガラス、セラミックス、
樹脂等を用いればよいが、軽量であり、しかもスタンパ
を用いた射出成形等により容易に溝21を形成できる点
で樹脂を用いることが好ましい。
、例えば、Al合金等の金属、ガラス、セラミックス、
樹脂等を用いればよいが、軽量であり、しかもスタンパ
を用いた射出成形等により容易に溝21を形成できる点
で樹脂を用いることが好ましい。
【0035】ディスク基板2に樹脂を用いる場合、樹脂
の種類には特に制限がなく、ポリエーテルイミド、ポリ
イミド、ポリエーテルサルホン、ポリサルホン、ポリフ
ェニレンサルファイド、ポリアクリレート、ポリカーボ
ネート、ポリアクリルイミド、ポリオキシベンジレン、
ポリエーテルエーテルケトン、アモルファスポリオレフ
ィン、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂等
を始めとして各種熱硬化性、熱可塑性および放射線硬化
性の樹脂のいずれも使用可能である。
の種類には特に制限がなく、ポリエーテルイミド、ポリ
イミド、ポリエーテルサルホン、ポリサルホン、ポリフ
ェニレンサルファイド、ポリアクリレート、ポリカーボ
ネート、ポリアクリルイミド、ポリオキシベンジレン、
ポリエーテルエーテルケトン、アモルファスポリオレフ
ィン、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂等
を始めとして各種熱硬化性、熱可塑性および放射線硬化
性の樹脂のいずれも使用可能である。
【0036】ディスク基板2は、いずれか一方の主面ま
たは双方の主面にディスク周方向に形成された同心円状
またはスパイラル状の規則的な溝21を有する。そして
、この溝21中に充填された磁性層4が各記録トラック
に対応する。
たは双方の主面にディスク周方向に形成された同心円状
またはスパイラル状の規則的な溝21を有する。そして
、この溝21中に充填された磁性層4が各記録トラック
に対応する。
【0037】溝21の断面形状には特に制限がなく、矩
形等種々のものであってよい。
形等種々のものであってよい。
【0038】また、溝21の寸法や、溝配置間隔等には
特に制限がなく、目的等に応じて適宜決定すればよいが
、下記の寸法が好適である。
特に制限がなく、目的等に応じて適宜決定すればよいが
、下記の寸法が好適である。
【0039】溝21の幅a:0.5〜10μm、溝21
の深さh:0.05〜1μm、互いに隣接する一対の溝
21と溝21との間のランド部23の幅b:0.5〜1
0μm
の深さh:0.05〜1μm、互いに隣接する一対の溝
21と溝21との間のランド部23の幅b:0.5〜1
0μm
【0040】また、ディスク基板2の製造方法には特に
制限がなく、例えば樹脂基板の場台、射出成形により溝
21を同時に形成すればよい。
制限がなく、例えば樹脂基板の場台、射出成形により溝
21を同時に形成すればよい。
【0041】ディスク基板2の寸法は、目的や用途等に
応じて適宜選択すればよいが、通常、外径25〜300
mm程度、内径10〜150mm程度、厚さ0.1〜3
mm程度である。
応じて適宜選択すればよいが、通常、外径25〜300
mm程度、内径10〜150mm程度、厚さ0.1〜3
mm程度である。
【0042】このようなディスク基板2のいずれか一方
の主面上または双方の主面上に非磁性の下地層3および
塗布型の磁性層4を形成する。
の主面上または双方の主面上に非磁性の下地層3および
塗布型の磁性層4を形成する。
【0043】下地層3は、無機微粒子およびバインダを
含む塗布型の非磁性膜とスパッタリング等によって成膜
される薄膜型の非磁性膜のいずれかを選ぶことができ、
下地層3の表面には、ディスク基板2の溝21の形状と
対応する凹凸を形成する。
含む塗布型の非磁性膜とスパッタリング等によって成膜
される薄膜型の非磁性膜のいずれかを選ぶことができ、
下地層3の表面には、ディスク基板2の溝21の形状と
対応する凹凸を形成する。
【0044】この場台、より好ましくは、表面形状が実
質的にディスク基板2の溝形状ないし溝パターンどおり
の凹凸形状となるように形成する。
質的にディスク基板2の溝形状ないし溝パターンどおり
の凹凸形状となるように形成する。
【0045】塗布型の下地層3には、モース硬度5以上
の無機微粒子を用いることが好ましい。
の無機微粒子を用いることが好ましい。
【0046】モース硬度が前記範囲未満であると、耐久
性、耐摩耗性、摩擦特性等が不十分である。
性、耐摩耗性、摩擦特性等が不十分である。
【0047】このようなモース硬度の無機微粒子として
は、α−Fe2O3、Al2O3、Cr2O3、TiO
2、SiO2、SiC、ダイヤモンド等が挙げられる。
は、α−Fe2O3、Al2O3、Cr2O3、TiO
2、SiO2、SiC、ダイヤモンド等が挙げられる。
【0048】また、前記モース硬度の無機微粒子の平均
粒径は、0.5μm以下、特に0.05〜0.2μmが
好ましい。
粒径は、0.5μm以下、特に0.05〜0.2μmが
好ましい。
【0049】塗布型の下地層3を成膜するには、前記モ
ース硬度の1種または2種以上の無機微粒子とバインダ
とを溶剤中によく分散させた非磁性塗料を塗布した後、
塗膜を硬化させる。
ース硬度の1種または2種以上の無機微粒子とバインダ
とを溶剤中によく分散させた非磁性塗料を塗布した後、
塗膜を硬化させる。
【0050】この場合、非磁性塗料中には、必要に応じ
て、固体または液体の潤滑剤、界面活性剤等の各種添加
剤、例えば、導電性や潤滑性を向上するためカーボンブ
ラックを添加してもよい。
て、固体または液体の潤滑剤、界面活性剤等の各種添加
剤、例えば、導電性や潤滑性を向上するためカーボンブ
ラックを添加してもよい。
【0051】非磁性塗料の塗布方法には特に制限がない
が、スピンコート法が好ましい。
が、スピンコート法が好ましい。
【0052】また、ディスク基板の溝21が下地層3に
よって埋められないように、すなわち、溝21内部の下
地層3の輪郭形状を溝21の形状に近づけるためには、
塗料化条件として、非磁性塗料中の前記モース硬度の無
機微粒子とバインダの比率は重量比で20:1以下、特
に2:1〜10:1、カーボンブラックを添加する場台
は、前記モース硬度の無機微粒子に対し、カーボンブラ
ックを4〜10wt%添加することが好ましい。また、
非磁性塗料中の固形分の重量比は40wt%以下、特に
10〜30wt%とすることが好ましい。
よって埋められないように、すなわち、溝21内部の下
地層3の輪郭形状を溝21の形状に近づけるためには、
塗料化条件として、非磁性塗料中の前記モース硬度の無
機微粒子とバインダの比率は重量比で20:1以下、特
に2:1〜10:1、カーボンブラックを添加する場台
は、前記モース硬度の無機微粒子に対し、カーボンブラ
ックを4〜10wt%添加することが好ましい。また、
非磁性塗料中の固形分の重量比は40wt%以下、特に
10〜30wt%とすることが好ましい。
【0053】そして、非磁性塗料をスピンコート法で塗
布する場合、ディスク基板の溝21の内部まで塗料を十
分に行き渡らせるためには、ディスク基板の回転数を2
000rpm以上、特に3000〜8000rpmとす
ることが好ましい。
布する場合、ディスク基板の溝21の内部まで塗料を十
分に行き渡らせるためには、ディスク基板の回転数を2
000rpm以上、特に3000〜8000rpmとす
ることが好ましい。
【0054】下地層3の膜厚には特に制限がないが、塗
布型の場合、0.1〜1μmが好ましい。
布型の場合、0.1〜1μmが好ましい。
【0055】前記範囲未満では、下地層3の凹凸形状が
不均一になり、前記範囲をこえると、非磁性塗料を塗布
したとき、溝形状どうりの凹凸形状を維持することが困
難である。
不均一になり、前記範囲をこえると、非磁性塗料を塗布
したとき、溝形状どうりの凹凸形状を維持することが困
難である。
【0056】薄膜型の下地層3は、膜厚分布のバラツキ
が少なく、塗布型に比べ容易に、表面形状をディスク基
板の溝21の形状やパターンどうりの凹凸形状に形成で
きるため、特に好適である。
が少なく、塗布型に比べ容易に、表面形状をディスク基
板の溝21の形状やパターンどうりの凹凸形状に形成で
きるため、特に好適である。
【0057】この場合、薄膜型の下地層3は、ビッカー
ス硬度600以上、特に800以上の連続薄膜で構成す
ることが好ましい。
ス硬度600以上、特に800以上の連続薄膜で構成す
ることが好ましい。
【0058】ビッカース硬度が前記範囲未満であると、
耐久性、耐摩耗性、潤滑性等が不十分である。
耐久性、耐摩耗性、潤滑性等が不十分である。
【0059】また、下地層3のビッカース硬度の上限は
通常10000程度である。
通常10000程度である。
【0060】ビッカース硬度は、対面角が136°のダ
イヤモンド正四角錐圧子を用い、試験面にくぼみを付け
たときの荷重を、くぼみの対角線長さから求めた表面積
で除した商をいい、通常下記式によって算出される。
イヤモンド正四角錐圧子を用い、試験面にくぼみを付け
たときの荷重を、くぼみの対角線長さから求めた表面積
で除した商をいい、通常下記式によって算出される。
【0061】(式)Hv=F/S=[2Fsin(θ/
2)]/d2=1.8544F/d2 ここで Hv:ビッカース硬度 F:荷重(kgf) S:くぼみの表面積(mm2) d:くぼみの対角線長さの平均(mm)θ:ダイヤモン
ド圧子の対面角
2)]/d2=1.8544F/d2 ここで Hv:ビッカース硬度 F:荷重(kgf) S:くぼみの表面積(mm2) d:くぼみの対角線長さの平均(mm)θ:ダイヤモン
ド圧子の対面角
【0062】ビッカース硬度の測定は、例えば、明石製
作所製の軽荷重微小硬度計(MVK−1S)などを用い
て行なうことができる。
作所製の軽荷重微小硬度計(MVK−1S)などを用い
て行なうことができる。
【0063】このようなビッカース硬度の下地層3は、
スパッタリングなどの各種気相成膜法により形成した酸
化物、窒化物、炭化物、ケイ化物、ホウ化物、および炭
素の一種以上を含有する薄膜が好ましい。あるいは、特
にCまたは、CとH、NおよびCのうちの1種以上とを
含有するプラズマ重合膜なども好適に使用できる。また
、成膜方法としては、気相法とは異なるが、湿式法例え
ば、シランカップリング剤等の溶液にディスク基板をデ
ィップしてこれらの重合物の薄膜としたり、ゾルゲル法
によりガラス状のケイ化物などの薄膜を得る方法も採用
できる。
スパッタリングなどの各種気相成膜法により形成した酸
化物、窒化物、炭化物、ケイ化物、ホウ化物、および炭
素の一種以上を含有する薄膜が好ましい。あるいは、特
にCまたは、CとH、NおよびCのうちの1種以上とを
含有するプラズマ重合膜なども好適に使用できる。また
、成膜方法としては、気相法とは異なるが、湿式法例え
ば、シランカップリング剤等の溶液にディスク基板をデ
ィップしてこれらの重合物の薄膜としたり、ゾルゲル法
によりガラス状のケイ化物などの薄膜を得る方法も採用
できる。
【0064】薄膜型の下地層3の膜厚は、0.001〜
0.3μmが好ましい。
0.3μmが好ましい。
【0065】前記範囲未満では、下地層としての十分な
効果が得られない傾向にある。前記範囲をこえると一般
に成膜に時間を要し、実用性が薄れるとともに、下地層
としての効果も飽和して必要性が薄れる傾向にある。
効果が得られない傾向にある。前記範囲をこえると一般
に成膜に時間を要し、実用性が薄れるとともに、下地層
としての効果も飽和して必要性が薄れる傾向にある。
【0066】下地層3上には、塗布型の磁性層4を形成
する。
する。
【0067】この場合、磁性層4の保磁力は1000
Oe以上とすることが好ましい。
Oe以上とすることが好ましい。
【0068】保磁力がこの値未満であると十分な電磁変
換特性が得られず高密度記録が困難となる。
換特性が得られず高密度記録が困難となる。
【0069】磁性層の保磁力は、組み合わせる磁気ヘッ
ドの性能を考慮し、十分なオーバーライト特性が得られ
る範囲とすればよいので、その上限は特にないが、通常
、2000 Oe以下とすることが好ましい。
ドの性能を考慮し、十分なオーバーライト特性が得られ
る範囲とすればよいので、その上限は特にないが、通常
、2000 Oe以下とすることが好ましい。
【0070】なお、磁性層の保磁力の特に好ましい範囲
は、1200〜1800Oeである。
は、1200〜1800Oeである。
【0071】磁性層4に用いる磁性微粒子には特に制限
がなく、各種酸化物磁性微粒子等も使用可能であるが、
前記の保磁力を得るためには、高保磁力の磁性微粒子、
例えば、強磁性金属微粒子またはバリウムフェライト、
ストロンチウムフェライト等の六方晶系酸化物フェライ
ト微粒子などが好ましい。
がなく、各種酸化物磁性微粒子等も使用可能であるが、
前記の保磁力を得るためには、高保磁力の磁性微粒子、
例えば、強磁性金属微粒子またはバリウムフェライト、
ストロンチウムフェライト等の六方晶系酸化物フェライ
ト微粒子などが好ましい。
【0072】強磁性金属微粒子としては、例えば、Fe
、Co、Niの単体、これらの合金、またはこれらの単
体および合金に、Cr、Mn、Co、Si、さらにはZ
n、Cu、Zr、Al、Ti、Bi、Ag、Pt等を添
加した微粒子が使用できる。
、Co、Niの単体、これらの合金、またはこれらの単
体および合金に、Cr、Mn、Co、Si、さらにはZ
n、Cu、Zr、Al、Ti、Bi、Ag、Pt等を添
加した微粒子が使用できる。
【0073】また、これらの金属や合金にB、C、P、
Nなどの非金属元素を少量添加したものであってもよく
、Fe4N等、一部窒化されたものであってもよく、さ
らに、耐食性、耐候性の向上のために、表面に酸化物等
の被膜を有するものであってもよい。
Nなどの非金属元素を少量添加したものであってもよく
、Fe4N等、一部窒化されたものであってもよく、さ
らに、耐食性、耐候性の向上のために、表面に酸化物等
の被膜を有するものであってもよい。
【0074】六方晶系の酸化物フェライト微粒子として
は、例えば、M型で代表されるバリウム、ストロンチウ
ム、カルシウム、鉛などの各フェライトがあげられ、構
成元素であるBa、Ca、Sr、Pbの1部を相互に交
換してもよく、また、Feの一部をCo、Ni、Ti、
Cr、Zn、In、Mn、Cu、Ge、Nb、Zr、S
nその他の金属から選ばれる1種以上で置換したもであ
ってもよい。
は、例えば、M型で代表されるバリウム、ストロンチウ
ム、カルシウム、鉛などの各フェライトがあげられ、構
成元素であるBa、Ca、Sr、Pbの1部を相互に交
換してもよく、また、Feの一部をCo、Ni、Ti、
Cr、Zn、In、Mn、Cu、Ge、Nb、Zr、S
nその他の金属から選ばれる1種以上で置換したもであ
ってもよい。
【0075】さらに、上記六方晶系酸化物微粒子は、耐
候性や分散性の向上のために、表面に他の酸化物や有機
化合物等の被膜を有するものであってもよい。
候性や分散性の向上のために、表面に他の酸化物や有機
化合物等の被膜を有するものであってもよい。
【0076】なお、これらの磁性微粒子は、必要に応じ
て2種以上併用してもよい。
て2種以上併用してもよい。
【0077】磁性層4を形成するには、例えば、まず磁
性微粒子とバインダとを含有する磁性塗料をスピンコー
ト法によって塗布し、溶剤蒸気中で磁界を印加して塗膜
のレベリングを行なった後、磁性微粒子の配向を行ない
、常法に従い各種硬化処理を行なう。
性微粒子とバインダとを含有する磁性塗料をスピンコー
ト法によって塗布し、溶剤蒸気中で磁界を印加して塗膜
のレベリングを行なった後、磁性微粒子の配向を行ない
、常法に従い各種硬化処理を行なう。
【0078】その後、塗膜を研削、研磨などの表面加工
処理、その他の方法で表面から徐々に除去し、好ましく
は下地層3を露出させる。この場台、ランド部23上の
下地層3上に残る磁性層の膜厚は、溝21内部の下地層
3上の磁性層4の膜厚の10%以下にする必要があり、
実際上、ランド部23上には磁性層が全く無い状態がよ
り好ましい。
処理、その他の方法で表面から徐々に除去し、好ましく
は下地層3を露出させる。この場台、ランド部23上の
下地層3上に残る磁性層の膜厚は、溝21内部の下地層
3上の磁性層4の膜厚の10%以下にする必要があり、
実際上、ランド部23上には磁性層が全く無い状態がよ
り好ましい。
【0079】このようにして形成される溝21内部の下
地層4上の磁性層4の膜厚は、1μm以下、より好まし
くは0.5μm以下が好ましい。
地層4上の磁性層4の膜厚は、1μm以下、より好まし
くは0.5μm以下が好ましい。
【0080】磁性層4の厚さが前記範囲を超えると、十
分なオーバーライト特性が得られなくなる。また、とく
に短波長記録において飽和記録が困難となり、厚み損失
が増大するため、高密度記録が困難となる。
分なオーバーライト特性が得られなくなる。また、とく
に短波長記録において飽和記録が困難となり、厚み損失
が増大するため、高密度記録が困難となる。
【0081】磁性層4の厚さの下限は、十分な再生出力
、およびS/Nを確保できればよく、少なくとも0.0
1μm以上であればよいが、特に0.05μm以上が好
ましい。
、およびS/Nを確保できればよく、少なくとも0.0
1μm以上であればよいが、特に0.05μm以上が好
ましい。
【0082】本発明の磁気ディスク1の磁性層側表面に
は、必要に応じて液体潤滑剤等を塗布し、磁性層4中に
含浸させる。
は、必要に応じて液体潤滑剤等を塗布し、磁性層4中に
含浸させる。
【0083】液体潤滑剤としては、フッ素を含む有機化
合物を含有する液体潤滑剤が好適である。
合物を含有する液体潤滑剤が好適である。
【0084】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【0085】実施例1
外径3.5インチ、厚さ1.27mmのポリニーテルイ
ミド樹脂よりなるディスク基板を射出成型により製造し
、同時にディスク基板の一方の主面に規則的に溝を形成
した。
ミド樹脂よりなるディスク基板を射出成型により製造し
、同時にディスク基板の一方の主面に規則的に溝を形成
した。
【0086】溝は、ディスク基板の周方向に同心円状に
形成し、断面矩形とし、下記の寸法とした。
形成し、断面矩形とし、下記の寸法とした。
【0087】溝の幅 :7.0μm溝の深さ
:0.5μm ランド部の幅:3.0μm
:0.5μm ランド部の幅:3.0μm
【0088】このディスク基板上に、研磨材としてのA
l2O3粒子を含む下記の非磁性塗料を回転数4000
rpmにてスピンコート法により塗布して、硬化させ、
下地層を成膜した。
l2O3粒子を含む下記の非磁性塗料を回転数4000
rpmにてスピンコート法により塗布して、硬化させ、
下地層を成膜した。
【0089】Al2O3粒子の平均粒径:0.06μm
Al2O3粒子のモース硬度:9 Al2O3粒子とバインダとの重量比:5対1非磁性塗
料中の固形分の重量比:30wt%
Al2O3粒子のモース硬度:9 Al2O3粒子とバインダとの重量比:5対1非磁性塗
料中の固形分の重量比:30wt%
【0090】得られ
た下地層の平均膜厚は0.5μmで、基板の溝パターン
の規則性をよく維持していた。
た下地層の平均膜厚は0.5μmで、基板の溝パターン
の規則性をよく維持していた。
【0091】この下地層上にα−Feからなる保磁力1
400 Oeの磁性微粒子を含有する磁性塗料をスピ
ンコート法により塗布し、塗膜のレベリングと配向を行
なった後、硬化処理した。この結果、溝内部にも十分行
き渡った平均膜厚0.3μmの磁性塗膜が得られた。
400 Oeの磁性微粒子を含有する磁性塗料をスピ
ンコート法により塗布し、塗膜のレベリングと配向を行
なった後、硬化処理した。この結果、溝内部にも十分行
き渡った平均膜厚0.3μmの磁性塗膜が得られた。
【0092】次いで、基板上の位置を少しずつ変化させ
ながら、磁性塗膜および下地層を研磨テープにて研磨し
、全休として厚さ0.5μm程度の塗膜を除去してラン
ド部上の下地層を露出させた。この結果、ディスク表面
の磁性層の幅約6.8μm、ディスク表面の下地層(非
磁性層)の幅約3.2μm、磁性層の膜厚0.3μmの
磁気ディスクサンプルが得られた。このサンプルを実施
例1とする。
ながら、磁性塗膜および下地層を研磨テープにて研磨し
、全休として厚さ0.5μm程度の塗膜を除去してラン
ド部上の下地層を露出させた。この結果、ディスク表面
の磁性層の幅約6.8μm、ディスク表面の下地層(非
磁性層)の幅約3.2μm、磁性層の膜厚0.3μmの
磁気ディスクサンプルが得られた。このサンプルを実施
例1とする。
【0093】実施例2
外径3.5インチ、厚さ1.27mmのポリエーテルイ
ミド樹脂よりなるディスク基板を射出成型により製造し
、同時にディスク基板の一方の主面に規則的に溝を形成
した。
ミド樹脂よりなるディスク基板を射出成型により製造し
、同時にディスク基板の一方の主面に規則的に溝を形成
した。
【0094】溝は、ディスク基板の周方向に同心円状に
形成し、断面矩形とし、下記の寸法とした。
形成し、断面矩形とし、下記の寸法とした。
【0095】溝の幅 :8.0μm溝の深さ
:0.2μm ランド部の幅:2.0μm
:0.2μm ランド部の幅:2.0μm
【0096】このディスク基板上に、カーボンブラック
(導電材)およびAl2O3粒子(研磨材)を含む下記
の非磁性塗料を回転数4000rpmにてスピンコート
法により塗布して、硬化させ、下記層を成膜した。
(導電材)およびAl2O3粒子(研磨材)を含む下記
の非磁性塗料を回転数4000rpmにてスピンコート
法により塗布して、硬化させ、下記層を成膜した。
【0097】カーボンブラックの平均一次粒径:0.0
2μm Al2O3粒子の平均粒径:0.06μmAl2O3粒
子のモース硬度:9 Al2O3と、バインダとの重量比:5対1Al2O3
に対するカーボンブラックの含有量:7wt% 非磁性塗料中の固形分の重量比:27wt%
2μm Al2O3粒子の平均粒径:0.06μmAl2O3粒
子のモース硬度:9 Al2O3と、バインダとの重量比:5対1Al2O3
に対するカーボンブラックの含有量:7wt% 非磁性塗料中の固形分の重量比:27wt%
【0098
】得られた下地層の平均膜厚は0.4μmで、基板の溝
パターンの規則性をよく維持していた。
】得られた下地層の平均膜厚は0.4μmで、基板の溝
パターンの規則性をよく維持していた。
【0099】この下地層上にバリウムフェライトからな
る保磁力700 Oeの磁性微粒子を含有する磁性塗
料をスピンコート法により塗布し、塗膜のレベリングと
配向を行なった後、硬化処理した。この結果、溝内部に
も十分行き渡った平均膜厚0.3μmの磁性塗膜が得ら
れた。
る保磁力700 Oeの磁性微粒子を含有する磁性塗
料をスピンコート法により塗布し、塗膜のレベリングと
配向を行なった後、硬化処理した。この結果、溝内部に
も十分行き渡った平均膜厚0.3μmの磁性塗膜が得ら
れた。
【0100】次いで、基板上の位置を少しずつ変化させ
ながら、磁性塗膜および下地層を研磨テープにて研磨し
、全体として厚さ0.3μm程度の塗膜を除去してラン
ド部上の下地層を露出させた。この結果、ディスク表面
の磁性層の幅約8μm、ディスク表面の下地層の幅(非
磁性層)の幅約2μm、磁性層の膜厚0.2μmの磁気
ディスクサンプルが得られた。このサンプルを実施例2
とする。
ながら、磁性塗膜および下地層を研磨テープにて研磨し
、全体として厚さ0.3μm程度の塗膜を除去してラン
ド部上の下地層を露出させた。この結果、ディスク表面
の磁性層の幅約8μm、ディスク表面の下地層の幅(非
磁性層)の幅約2μm、磁性層の膜厚0.2μmの磁気
ディスクサンプルが得られた。このサンプルを実施例2
とする。
【0101】比較例1
ディスク基板および磁性層は、上記実施例2と同様で、
下地層を設けず、基板上に直接磁性塗膜を成膜した。こ
れを実施例2と同様に、基板のランド部が露出するまで
研磨したが、ランド部が露出するたびに、研磨テープが
焼き切れるトラブルがあり、作業が停止した。このよう
に円滑な研磨作業が困難であったため、後述する摩擦測
定に可能な部分のみの研磨にとどめた。このサンプルを
比較例1とする。
下地層を設けず、基板上に直接磁性塗膜を成膜した。こ
れを実施例2と同様に、基板のランド部が露出するまで
研磨したが、ランド部が露出するたびに、研磨テープが
焼き切れるトラブルがあり、作業が停止した。このよう
に円滑な研磨作業が困難であったため、後述する摩擦測
定に可能な部分のみの研磨にとどめた。このサンプルを
比較例1とする。
【0102】比較例2
溝のない平滑なアルミニウム台金製のディスク基板上に
実施例1と同じα−Feからなる保磁力1400 O
eの磁性微粒子を含有する磁性塗料をスピンコート法に
より塗布し、塗膜のレベリングと配向を行なった後、硬
化処理した。この結果、平均膜厚0.3μmの磁性塗膜
が得られた。次いで、表面平滑化のために、磁性層表面
を研磨したところ、磁性層中に硬度の高い研磨材が存在
しないため磁性層が弱く、磁性層に無数の研磨きずが入
った磁気ディスクサンプルが得られた。このサンプルを
比較例2とする。
実施例1と同じα−Feからなる保磁力1400 O
eの磁性微粒子を含有する磁性塗料をスピンコート法に
より塗布し、塗膜のレベリングと配向を行なった後、硬
化処理した。この結果、平均膜厚0.3μmの磁性塗膜
が得られた。次いで、表面平滑化のために、磁性層表面
を研磨したところ、磁性層中に硬度の高い研磨材が存在
しないため磁性層が弱く、磁性層に無数の研磨きずが入
った磁気ディスクサンプルが得られた。このサンプルを
比較例2とする。
【0103】比較例3
比較例2と同じディスク基板上に、実施例1と同じ磁性
微粒子と平均粒径が0.1μmのAl2O3粒子(研磨
材)とを含む磁性塗料をスピンコート法により塗布し、
塗膜のレベリングと配向を行なった後、硬化処理して平
均膜厚0.35μmの磁性塗膜を成膜した。ついで磁性
層の表面を研磨して、最終的に膜厚0.3μmの磁性層
を有する磁気ディスクサンプルを作製した。このサンプ
ルを比較例3とする。
微粒子と平均粒径が0.1μmのAl2O3粒子(研磨
材)とを含む磁性塗料をスピンコート法により塗布し、
塗膜のレベリングと配向を行なった後、硬化処理して平
均膜厚0.35μmの磁性塗膜を成膜した。ついで磁性
層の表面を研磨して、最終的に膜厚0.3μmの磁性層
を有する磁気ディスクサンプルを作製した。このサンプ
ルを比較例3とする。
【0104】各実施例、および比較例のディスクサンプ
ルの磁性層側の表面(磁性面)にフルオロカーボン溶液
を含浸させた後、摩擦特性と電磁変換特性とを評価した
。
ルの磁性層側の表面(磁性面)にフルオロカーボン溶液
を含浸させた後、摩擦特性と電磁変換特性とを評価した
。
【0105】摩擦特性は、フェライトヘッドを荷重15
gの条件下で線速5mm/秒で回転するディスクサンプ
ル磁性面にあてて摩擦係数を測定して評価した。この場
台、はじめに測定した摩擦係数をμ0とし、ついでヘッ
ドをあてたまま線速を300mm/秒に上げ、10時間
経過後再び線速を5mm/秒に低下して測定した摩擦係
数をμ10とした。
gの条件下で線速5mm/秒で回転するディスクサンプ
ル磁性面にあてて摩擦係数を測定して評価した。この場
台、はじめに測定した摩擦係数をμ0とし、ついでヘッ
ドをあてたまま線速を300mm/秒に上げ、10時間
経過後再び線速を5mm/秒に低下して測定した摩擦係
数をμ10とした。
【0106】なお、比較例1のサンプルでは、測定開始
後5分間で摩擦は急増し、10分後にはディスクの回転
が摩擦増大により停止し、以後の測定は不可能であった
。これは磁気ディスクとしての安定動作が困難であるこ
とを示している。
後5分間で摩擦は急増し、10分後にはディスクの回転
が摩擦増大により停止し、以後の測定は不可能であった
。これは磁気ディスクとしての安定動作が困難であるこ
とを示している。
【0107】また、各ディスクサンプルに対し、記録再
生を行なったところ、実施例1、実施例2および比較例
3は磁気ヘッドを0.14μmで浮上させて何等支障な
く記録再生を行なうことができたが、実施例1や2に対
し、比較例3は磁性層に非磁性の研磨材粒子が含まれる
ため、S/Nが悪くなることがわかった。また、比較例
2は、ヘッドによる塗膜の損傷が著しく、摩擦特性の測
定および記録再生の測定をともに行なうことができなか
った。
生を行なったところ、実施例1、実施例2および比較例
3は磁気ヘッドを0.14μmで浮上させて何等支障な
く記録再生を行なうことができたが、実施例1や2に対
し、比較例3は磁性層に非磁性の研磨材粒子が含まれる
ため、S/Nが悪くなることがわかった。また、比較例
2は、ヘッドによる塗膜の損傷が著しく、摩擦特性の測
定および記録再生の測定をともに行なうことができなか
った。
【0108】さらに、実施例1および2では磁性層を分
離する非磁性層の存在による信号の弱まりをヘッドの位
置決め信号として用いることができた。この結果、高精
度の位置決め並びに高トラック密度化が可能になること
がわかった。これらの結果を表1に示す。
離する非磁性層の存在による信号の弱まりをヘッドの位
置決め信号として用いることができた。この結果、高精
度の位置決め並びに高トラック密度化が可能になること
がわかった。これらの結果を表1に示す。
【0109】
【表1】
【0110】以上の結果から本発明の効果が明らかであ
る。
る。
【0111】なお、下地層を、スパッタリングによる膜
厚0.05μmのSiO2薄膜、膜厚0.03μmのA
l2O3薄膜等のHV600以上の各種連続薄膜にかえ
たところ、下地層の膜厚のバラツキが減少し、摩擦特性
および電磁変換特性も良好であった。
厚0.05μmのSiO2薄膜、膜厚0.03μmのA
l2O3薄膜等のHV600以上の各種連続薄膜にかえ
たところ、下地層の膜厚のバラツキが減少し、摩擦特性
および電磁変換特性も良好であった。
【0112】
【発明の効果】本発明の磁気ディスクは、記録層に相当
する磁性層を分離する非磁性の下地層を設けてトラック
を構成しているので、高精度のヘッド位置決めと高トラ
ック密度化が可能である。そして、下地層に高耐久性、
高潤滑性、高導電性などの機能を持たせることによりS
/Nが向上し、しかも信頼性に優れた磁気ディスクを実
現することができる。
する磁性層を分離する非磁性の下地層を設けてトラック
を構成しているので、高精度のヘッド位置決めと高トラ
ック密度化が可能である。そして、下地層に高耐久性、
高潤滑性、高導電性などの機能を持たせることによりS
/Nが向上し、しかも信頼性に優れた磁気ディスクを実
現することができる。
【図1】本発明の磁気ディスクの1例が示される部分断
面図である。
面図である。
【図2】従来の磁気ディスクが示される部分断面図であ
る。
る。
1 磁気ディスク
2 ディスク基板
21 溝
23 ランド部
3 下地層
4 磁性層
Claims (7)
- 【請求項1】 剛性のディスク基板を有し、前記ディ
スク基板は、表面に同心円状またはスパイラル状に形成
された溝を有し、前記ディスク基板上に非磁性の下地層
を設層し、この下地層表面に前記溝形状と対応する凹凸
を形成し、この下地層上に磁性微粒子を含有する磁性塗
膜を設層した後、前記磁性塗膜の一部を除去して前記溝
内部の下地層上に磁性層を充填したことを特徴とする磁
気ディスク。 - 【請求項2】 溝間間隙のランド部上に存在する前記
下地層が、実質的に露出するように前記磁性塗膜を除去
する請求項1に記載の磁気ディスク。 - 【請求項3】 前記溝の幅が0.5〜10μm、前記
溝の深さが0.05〜1μm、溝間間隙のランド部の幅
が0.5〜10μmである請求項1または2に記載の磁
気ディスク。 - 【請求項4】 前記溝内部の下地層上の磁性層の膜厚
が0.01〜1μmである請求項1ないし3のいずれか
に記載の磁気ディスク。 - 【請求項5】 前記下地層が、モース硬度5以上の無
機微粒子を含有する塗膜である請求項1ないし4のいず
れかに記載の磁気ディスク。 - 【請求項6】 前記下地層が、さらにカーボンブラッ
クを前記モース硬度5以上の無機微粒子に対し4〜10
wt%含有する請求項5に記載の磁気ディスク。 - 【請求項7】 前記下地層が、ビッカース硬度600
以上の連続薄膜である請求項1ないし4のいずれかに記
載の磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2418751A JPH04251435A (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2418751A JPH04251435A (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 磁気ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04251435A true JPH04251435A (ja) | 1992-09-07 |
Family
ID=18526539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2418751A Withdrawn JPH04251435A (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04251435A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999049457A1 (en) * | 1998-03-20 | 1999-09-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Master information support |
| WO2000074041A1 (fr) * | 1999-05-28 | 2000-12-07 | Fujitsu Limited | Support d'enregistrement magnetique, son procede de fabrication et appareil a disque magnetique |
| US6347016B1 (en) | 1996-07-22 | 2002-02-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Master information carrier, process for producing the carrier, and method and apparatus for recording master information signal on magnetic recording medium by using the carrier |
| US6611388B1 (en) | 1998-03-23 | 2003-08-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Master information magnetic recorder |
| US6714367B1 (en) | 1998-10-29 | 2004-03-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Master information medium and method of master information recording |
| WO2007074645A1 (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-05 | Konica Minolta Opto, Inc. | 磁気記録媒体用基板および磁気記録媒体 |
| CN100411019C (zh) * | 2004-09-22 | 2008-08-13 | Tdk株式会社 | 磁记录介质及其制造方法、以及用于磁记录介质的中间体 |
| US7941911B2 (en) | 2006-12-18 | 2011-05-17 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Planarization methods for patterned media disks |
-
1990
- 1990-12-28 JP JP2418751A patent/JPH04251435A/ja not_active Withdrawn
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6961196B2 (en) | 1996-07-22 | 2005-11-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Master information carrier, method for producing the carrier, method and apparatus for writing information into magnetic record medium using the carrier |
| US6347016B1 (en) | 1996-07-22 | 2002-02-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Master information carrier, process for producing the carrier, and method and apparatus for recording master information signal on magnetic recording medium by using the carrier |
| US6567227B2 (en) | 1996-07-22 | 2003-05-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Master information carrier, method for producing the carrier, method and apparatus for writing information into magnetic record medium using the carrier |
| US6587290B2 (en) | 1996-07-22 | 2003-07-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Master information carrier, method for producing the carrier, and method apparatus for writing information into magnetic record medium using the carrier |
| US6590727B2 (en) | 1996-07-22 | 2003-07-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Master information carrier, method for producing the carrier, method and apparatus for writing information into magnetic record medium using the carrier |
| US6606208B2 (en) | 1996-07-22 | 2003-08-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Master information carrier, method for producing the carrier, method and apparatus for writing information into magnetic record medium using the carrier |
| US6606209B2 (en) | 1996-07-22 | 2003-08-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Master information carrier, method for producing the carrier, method and apparatus for writing information into magnetic record medium using the carrier |
| US6858328B1 (en) | 1998-03-20 | 2005-02-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Master information support |
| WO1999049457A1 (en) * | 1998-03-20 | 1999-09-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Master information support |
| US6611388B1 (en) | 1998-03-23 | 2003-08-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Master information magnetic recorder |
| US6714367B1 (en) | 1998-10-29 | 2004-03-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Master information medium and method of master information recording |
| US6773782B2 (en) | 1999-05-28 | 2004-08-10 | Fujitsu Limited | Magnetic memory medium having a magnetic film laminated on a substrate and a non-magnetic film formed thereon, and method of manufacturing the same |
| WO2000074041A1 (fr) * | 1999-05-28 | 2000-12-07 | Fujitsu Limited | Support d'enregistrement magnetique, son procede de fabrication et appareil a disque magnetique |
| CN100411019C (zh) * | 2004-09-22 | 2008-08-13 | Tdk株式会社 | 磁记录介质及其制造方法、以及用于磁记录介质的中间体 |
| WO2007074645A1 (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-05 | Konica Minolta Opto, Inc. | 磁気記録媒体用基板および磁気記録媒体 |
| US7941911B2 (en) | 2006-12-18 | 2011-05-17 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Planarization methods for patterned media disks |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980312 |