JPH04252007A - 磁気ヘッド及びこれを用いた磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気ヘッド及びこれを用いた磁気記録再生装置Info
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- JPH04252007A JPH04252007A JP828991A JP828991A JPH04252007A JP H04252007 A JPH04252007 A JP H04252007A JP 828991 A JP828991 A JP 828991A JP 828991 A JP828991 A JP 828991A JP H04252007 A JPH04252007 A JP H04252007A
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- magnetic head
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＶＴＲ，ＤＡＴあるいは
ＦＤＤなどに用いられる高保磁力の磁気記録媒体に対し
、高精度に情報を記録，再生するのに適した磁気ヘッド
に関する。
ＦＤＤなどに用いられる高保磁力の磁気記録媒体に対し
、高精度に情報を記録，再生するのに適した磁気ヘッド
に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録の分野においては、短波長化に
よる高密度記録化が進められており、高保磁力，高残留
磁束密度を持つ記録媒体が開発されている。短波長化に
対応するためには、ギャップロスを低減させるためにギ
ャップ長を小さくしなければならない。狭ギャップ長に
なると媒体へのヘッド磁界が弱まり、かつ上記したよう
に媒体は高保磁力となっているのでヘッドの記録能力を
大幅に向上する必要がある。また狭ギャップ長ではヘッ
ド分配効率それ自身が低下するので再生効率の確保も重
要な問題となる。これについて図を用いて詳述する。図
１６はヘッド分配効率とギャップ長の関係である。図に
示したようにギャップ長が０．３５μｍ以下になるとヘ
ッドの分配効率は急激に低くなる。すなわちギャップ長
０．３５μｍ以下のヘッドでは再生効率の確保が特に重
要な問題となる。
よる高密度記録化が進められており、高保磁力，高残留
磁束密度を持つ記録媒体が開発されている。短波長化に
対応するためには、ギャップロスを低減させるためにギ
ャップ長を小さくしなければならない。狭ギャップ長に
なると媒体へのヘッド磁界が弱まり、かつ上記したよう
に媒体は高保磁力となっているのでヘッドの記録能力を
大幅に向上する必要がある。また狭ギャップ長ではヘッ
ド分配効率それ自身が低下するので再生効率の確保も重
要な問題となる。これについて図を用いて詳述する。図
１６はヘッド分配効率とギャップ長の関係である。図に
示したようにギャップ長が０．３５μｍ以下になるとヘ
ッドの分配効率は急激に低くなる。すなわちギャップ長
０．３５μｍ以下のヘッドでは再生効率の確保が特に重
要な問題となる。
【０００３】現在、ヘッドコア材として主流をなすフェ
ライト，ＣｏＮｂＺｒ，ＦｅＡｌＳｉなどの材料を用い
た磁気ヘッドは、再生効率は比較的良好であるが、その
飽和磁束密度がそれぞれ０．５Ｔ，０．９Ｔ，１．１Ｔ
程度であるため記録媒体の保磁力が１０００エルステッ
ド以上（たとえばメタルテープ）になると記録が不十分
になるという欠点があった。
ライト，ＣｏＮｂＺｒ，ＦｅＡｌＳｉなどの材料を用い
た磁気ヘッドは、再生効率は比較的良好であるが、その
飽和磁束密度がそれぞれ０．５Ｔ，０．９Ｔ，１．１Ｔ
程度であるため記録媒体の保磁力が１０００エルステッ
ド以上（たとえばメタルテープ）になると記録が不十分
になるという欠点があった。
【０００４】そこでＦｅの微結晶粒を主成分とし、飽和
磁束密度１．３Ｔ以上の耐熱性の高い金属磁性膜（例え
ば第１３回日本応用磁気学会学術講演梗要集，２５ａＤ
−３「Ｆｅ−Ｍ−Ｃ（Ｍ＝Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ
，Ｔａ）膜の結晶化挙動」）を用いた磁気ヘッドが提案
されつつある。
磁束密度１．３Ｔ以上の耐熱性の高い金属磁性膜（例え
ば第１３回日本応用磁気学会学術講演梗要集，２５ａＤ
−３「Ｆｅ−Ｍ−Ｃ（Ｍ＝Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ
，Ｔａ）膜の結晶化挙動」）を用いた磁気ヘッドが提案
されつつある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
技術では、高保磁力媒体への記録能力が、フェライト，
ＣｏＮｂＺｒ，ＦｅＡｌＳｉなどの材料を用いた磁気ヘ
ッドに比べ優れているものの、ヘッド基本性能の重要項
目である再生効率が相当劣る（特に３ＭＨｚ以上の高周
波領域）という問題があった。
技術では、高保磁力媒体への記録能力が、フェライト，
ＣｏＮｂＺｒ，ＦｅＡｌＳｉなどの材料を用いた磁気ヘ
ッドに比べ優れているものの、ヘッド基本性能の重要項
目である再生効率が相当劣る（特に３ＭＨｚ以上の高周
波領域）という問題があった。
【０００６】本発明は上記の点に鑑みなされたもので、
その目的とするところは、飽和磁束密度≧１．３Ｔ以上
のコア材，ギャップ長≦０．３５μｍを有する、記録能
力に優れた、再生効率の高い磁気ヘッドを提供すること
にある。
その目的とするところは、飽和磁束密度≧１．３Ｔ以上
のコア材，ギャップ長≦０．３５μｍを有する、記録能
力に優れた、再生効率の高い磁気ヘッドを提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するために、飽和磁束密度≧１．３Ｔ以上のコア材
，ギャップ長≦０．３５μｍを有する磁気ヘッドにおい
て、該磁気ヘッドの磁気コアに所望方向を磁化容易軸と
する一軸異方性を有させたものである。
達成するために、飽和磁束密度≧１．３Ｔ以上のコア材
，ギャップ長≦０．３５μｍを有する磁気ヘッドにおい
て、該磁気ヘッドの磁気コアに所望方向を磁化容易軸と
する一軸異方性を有させたものである。
【０００８】また本発明において好ましくは、上記磁気
コアの一軸異方性が、磁場中熱処理によって付与された
ものである。
コアの一軸異方性が、磁場中熱処理によって付与された
ものである。
【０００９】また本発明において好ましくは、上記磁場
中熱処理が、ヘッド製造プロセスにおける最初の熱処理
工程である。
中熱処理が、ヘッド製造プロセスにおける最初の熱処理
工程である。
【００１０】また本発明において好ましくは、上記磁場
中熱処理における印加磁界がヘッド形状における反磁界
の最大値以上である。
中熱処理における印加磁界がヘッド形状における反磁界
の最大値以上である。
【００１１】また本発明において好ましくは、上記コア
材が、Ｆｅ１００−ｘＭｘ（０≦ｘ≦２０，原子％：Ｍ
＝Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｗ，Ａｌ
，Ｓｉ，Ｂ，Ｃ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｉｒ，Ｐｔ
，Ａｕ，Ｒｈ，Ｒｕの少なくとも一種を含む）の微結晶
粒（粒径５００Å以下）を含む磁性膜である。
材が、Ｆｅ１００−ｘＭｘ（０≦ｘ≦２０，原子％：Ｍ
＝Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｗ，Ａｌ
，Ｓｉ，Ｂ，Ｃ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｉｒ，Ｐｔ
，Ａｕ，Ｒｈ，Ｒｕの少なくとも一種を含む）の微結晶
粒（粒径５００Å以下）を含む磁性膜である。
【００１２】また本発明において好ましくは、上記コア
材が、Ｆｅ１００−ｘ−ｙＣｏｘＭｙ（０≦ｘ≦４０，
０≦ｙ≦２０，原子％：Ｍ＝Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍ
ｏ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｗ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｂ，Ｃ，Ｇａ，Ｇｅ
，Ｎｉ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｈ，Ｒｕの少なくとも一
種を含む）の微結晶粒（粒径５００Å以下）を含む磁性
膜である。
材が、Ｆｅ１００−ｘ−ｙＣｏｘＭｙ（０≦ｘ≦４０，
０≦ｙ≦２０，原子％：Ｍ＝Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍ
ｏ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｗ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｂ，Ｃ，Ｇａ，Ｇｅ
，Ｎｉ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｈ，Ｒｕの少なくとも一
種を含む）の微結晶粒（粒径５００Å以下）を含む磁性
膜である。
【００１３】また本発明において好ましくは、上記コア
材が、Ｃｏ１００−ｘＭｘ（０≦ｘ≦２０，原子％：Ｍ
＝Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｗ，Ａｌ
，Ｓｉ，Ｂ，Ｃ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｉｒ，Ｐｔ
，Ａｕ，Ｒｈ，Ｒｕの少なくとも一種を含む）の微結晶
粒（粒径５００Å以下）を含む磁性膜である。
材が、Ｃｏ１００−ｘＭｘ（０≦ｘ≦２０，原子％：Ｍ
＝Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｗ，Ａｌ
，Ｓｉ，Ｂ，Ｃ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｉｒ，Ｐｔ
，Ａｕ，Ｒｈ，Ｒｕの少なくとも一種を含む）の微結晶
粒（粒径５００Å以下）を含む磁性膜である。
【００１４】
【作用】最初の熱処理工程が、ヘッド形状における反磁
界の最大値以上の磁界で磁場中熱処理を施された一軸異
方性を有するコア材は、高周波領域でのヘッド再生効率
を向上するように働く。
界の最大値以上の磁界で磁場中熱処理を施された一軸異
方性を有するコア材は、高周波領域でのヘッド再生効率
を向上するように働く。
【００１５】そして上記の理由からそのコア材は、Ｆｅ
１００−ｘＭｘ（０≦ｘ≦２０，原子％：Ｍ＝Ｔｉ，Ｖ
，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｗ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｂ
，Ｃ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｒ
ｈ，Ｒｕの少なくとも一種を含む）の微結晶粒（粒径５
００Å以下）を含む磁性膜、あるいはＦｅ１００−ｘ−
ｙＣｏｘＭｙ（０≦ｘ≦４０，０≦ｙ≦２０，原子％：
Ｍ＝Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｗ，Ａ
ｌ，Ｓｉ，Ｂ，Ｃ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｎｉ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａ
ｕ，Ｒｈ，Ｒｕの少なくとも一種を含む）の微結晶粒（
粒径５００Å以下）を含む磁性膜、あるいはＣｏ１００
−ｘＭｘ（０≦ｘ≦２０，原子％：Ｍ＝Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ
，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｗ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｂ，Ｃ，
Ｇａ，Ｇｅ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｈ，Ｒ
ｕの少なくとも一種を含む）の微結晶粒（粒径５００Å
以下）を含む磁性膜であることが好ましい。
１００−ｘＭｘ（０≦ｘ≦２０，原子％：Ｍ＝Ｔｉ，Ｖ
，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｗ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｂ
，Ｃ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｒ
ｈ，Ｒｕの少なくとも一種を含む）の微結晶粒（粒径５
００Å以下）を含む磁性膜、あるいはＦｅ１００−ｘ−
ｙＣｏｘＭｙ（０≦ｘ≦４０，０≦ｙ≦２０，原子％：
Ｍ＝Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｗ，Ａ
ｌ，Ｓｉ，Ｂ，Ｃ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｎｉ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａ
ｕ，Ｒｈ，Ｒｕの少なくとも一種を含む）の微結晶粒（
粒径５００Å以下）を含む磁性膜、あるいはＣｏ１００
−ｘＭｘ（０≦ｘ≦２０，原子％：Ｍ＝Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ
，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｗ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｂ，Ｃ，
Ｇａ，Ｇｅ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｈ，Ｒ
ｕの少なくとも一種を含む）の微結晶粒（粒径５００Å
以下）を含む磁性膜であることが好ましい。
【００１６】
【実施例】以下、本発明を図示した実施例によって説明
する。
する。
【００１７】図１は、本発明による磁気ヘッドの再生出
力の周波数特性である。図示したように本発明によれば
、飽和磁束密度≧１．３Ｔ以上のコア材，ギャップ長≦
０．３５μｍを有する磁気ヘッドにおいて、低周波領域
での記録能力が従来のＦｅ微結晶粒を主成分とするコア
材の磁気ヘッドと同等以上で、かつ高周波領域での再生
効率がフェライトヘッドと同等以上の磁気ヘッドが得ら
れる。高周波領域での再生効率が優れているということ
は、すなわちヘッドコア材に用いている磁性材料の軟磁
気特性の周波数特性が優れていることに他ならない。 以下これについて詳細に説明する。
力の周波数特性である。図示したように本発明によれば
、飽和磁束密度≧１．３Ｔ以上のコア材，ギャップ長≦
０．３５μｍを有する磁気ヘッドにおいて、低周波領域
での記録能力が従来のＦｅ微結晶粒を主成分とするコア
材の磁気ヘッドと同等以上で、かつ高周波領域での再生
効率がフェライトヘッドと同等以上の磁気ヘッドが得ら
れる。高周波領域での再生効率が優れているということ
は、すなわちヘッドコア材に用いている磁性材料の軟磁
気特性の周波数特性が優れていることに他ならない。 以下これについて詳細に説明する。
【００１８】図２は従来のＦｅ微結晶粒を主成分とする
軟磁性膜の構造、図３はそのＢＨカーブ、図４はその比
透磁率である。Ｆｅは結晶磁気異方性が大きいにもかか
わらず軟磁気特性を示す要因は、その結晶粒が小さく（
５００Å程度以下）結晶粒間の交換相互作用が働くため
と考えられている。しかしながら従来は、図３に示した
ように保磁力が小さく軟磁気特性は得られるものの、そ
の比透磁率はいわゆるＭｓ２／２Ｋ（Ｍｓ：飽和磁化，
Ｋ：異方性磁界）より小さく、その周波数特性も劣って
いた。そこで我々は以下に詳述する手法で磁気異方性を
制御し、軟磁気特性の向上を図った。
軟磁性膜の構造、図３はそのＢＨカーブ、図４はその比
透磁率である。Ｆｅは結晶磁気異方性が大きいにもかか
わらず軟磁気特性を示す要因は、その結晶粒が小さく（
５００Å程度以下）結晶粒間の交換相互作用が働くため
と考えられている。しかしながら従来は、図３に示した
ように保磁力が小さく軟磁気特性は得られるものの、そ
の比透磁率はいわゆるＭｓ２／２Ｋ（Ｍｓ：飽和磁化，
Ｋ：異方性磁界）より小さく、その周波数特性も劣って
いた。そこで我々は以下に詳述する手法で磁気異方性を
制御し、軟磁気特性の向上を図った。
【００１９】図５は本発明によるＦｅ１００−ＸＭｘ微
結晶粒（０≦ｘ≦２０，原子％：Ｍ＝Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，
Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｗ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｂ，Ｃ，Ｇ
ａ，Ｇｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｈ，Ｒｕ
の少なくとも一種を含む）を主成分とする軟磁性膜の構
造、図６はそのＢＨカーブ、図７はその比透磁率である
。従来のＦｅ微結晶粒をＦｅ１００−ＸＭｘ微結晶粒と
し、磁場中熱処理を施すことで一軸異方性（異方性磁界
：３２０Ａ／ｍ程度）を有する軟磁性膜を得た。またそ
の比透磁率は、ほぼＭｓ２／２Ｋ（Ｍｓ：飽和磁化，Ｋ
：異方性磁界）に従い周波数特性も優れている。またこ
のとき磁歪定数は５／１０７以下となる。さらに我々は
一軸異方性を有する磁性材料特有の磁壁の存在を、磁気
カー効果の測定により確認した。これについて以下詳述
する。
結晶粒（０≦ｘ≦２０，原子％：Ｍ＝Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，
Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｗ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｂ，Ｃ，Ｇ
ａ，Ｇｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｈ，Ｒｕ
の少なくとも一種を含む）を主成分とする軟磁性膜の構
造、図６はそのＢＨカーブ、図７はその比透磁率である
。従来のＦｅ微結晶粒をＦｅ１００−ＸＭｘ微結晶粒と
し、磁場中熱処理を施すことで一軸異方性（異方性磁界
：３２０Ａ／ｍ程度）を有する軟磁性膜を得た。またそ
の比透磁率は、ほぼＭｓ２／２Ｋ（Ｍｓ：飽和磁化，Ｋ
：異方性磁界）に従い周波数特性も優れている。またこ
のとき磁歪定数は５／１０７以下となる。さらに我々は
一軸異方性を有する磁性材料特有の磁壁の存在を、磁気
カー効果の測定により確認した。これについて以下詳述
する。
【００２０】図８は本発明によるＦｅ１００−ＸＭｘ微
結晶粒（０≦ｘ≦２０，原子％：Ｍ＝Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，
Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｗ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｂ，Ｃ，Ｇ
ａ，Ｇｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｈ，Ｒｕ
の少なくとも一種を含む）を主成分とする軟磁性膜の磁
化容易軸方向のカー効果、図９は従来のＦｅ微結晶粒を
主成分とする軟磁性膜のカー効果である。図８に示した
ように、磁壁移動がある場合特有のカー効果が得られた
ことから磁壁の存在を確認した。このことは、本発明に
よる軟磁性膜が良好な一軸異方性を有することを立証す
るものである。一方、従来のＦｅ微結晶粒を主成分とす
る軟磁性膜では、そのどこを測定しても磁壁の存在は認
められなかった。
結晶粒（０≦ｘ≦２０，原子％：Ｍ＝Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，
Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｗ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｂ，Ｃ，Ｇ
ａ，Ｇｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｈ，Ｒｕ
の少なくとも一種を含む）を主成分とする軟磁性膜の磁
化容易軸方向のカー効果、図９は従来のＦｅ微結晶粒を
主成分とする軟磁性膜のカー効果である。図８に示した
ように、磁壁移動がある場合特有のカー効果が得られた
ことから磁壁の存在を確認した。このことは、本発明に
よる軟磁性膜が良好な一軸異方性を有することを立証す
るものである。一方、従来のＦｅ微結晶粒を主成分とす
る軟磁性膜では、そのどこを測定しても磁壁の存在は認
められなかった。
【００２１】次に本発明の重大要素である磁場中熱処理
について重要な知見を得たので詳述する。図１０ないし
図１２は、熱処理工程の違いによるＢＨカーブ差の比較
である。図１０は本発明による磁場中熱処理を施した軟
磁性膜のＢＨカーブ、図１１，図１２はそれぞれ良好な
一軸異方性が得られなかった軟磁性膜のＢＨカーブであ
る。特に図１１に示したように、一度無磁場中熱処理を
施すとその後磁場中熱処理を施しても良好な一軸異方性
は得にくいことがわかった。また磁場中スパッタをした
後に無磁場中熱処理を施しても良好な一軸異方性は得ら
れなかった。すなわち本発明のように最初の熱処理工程
が磁場中熱処理であることが、良好な一軸異方性を得る
上で重要である。もちろん、ヘッド製造工程においても
最初の熱処理工程が磁場中熱処理であることが重要なこ
とは明らかである。この際この工程がガラスボンディン
グ工程であっても磁場中ガラスボンディングを施せばよ
い。このように微結晶粒を主成分とする軟磁性材料では
、その活性化エネルギーが、従来磁気異方性が比較的容
易に制御できたアモルファス材料のそれに比べて大きい
ため、最初の熱処理工程が磁場中熱処理であることが、
極めて重要である。
について重要な知見を得たので詳述する。図１０ないし
図１２は、熱処理工程の違いによるＢＨカーブ差の比較
である。図１０は本発明による磁場中熱処理を施した軟
磁性膜のＢＨカーブ、図１１，図１２はそれぞれ良好な
一軸異方性が得られなかった軟磁性膜のＢＨカーブであ
る。特に図１１に示したように、一度無磁場中熱処理を
施すとその後磁場中熱処理を施しても良好な一軸異方性
は得にくいことがわかった。また磁場中スパッタをした
後に無磁場中熱処理を施しても良好な一軸異方性は得ら
れなかった。すなわち本発明のように最初の熱処理工程
が磁場中熱処理であることが、良好な一軸異方性を得る
上で重要である。もちろん、ヘッド製造工程においても
最初の熱処理工程が磁場中熱処理であることが重要なこ
とは明らかである。この際この工程がガラスボンディン
グ工程であっても磁場中ガラスボンディングを施せばよ
い。このように微結晶粒を主成分とする軟磁性材料では
、その活性化エネルギーが、従来磁気異方性が比較的容
易に制御できたアモルファス材料のそれに比べて大きい
ため、最初の熱処理工程が磁場中熱処理であることが、
極めて重要である。
【００２２】さらに印加磁界についても重要な知見を得
たので詳述する。図１７は印加磁界強度と再生出力の関
係である。図から明らかなように、印加磁界はヘッド形
状での反磁界の最大値以上が望ましい。
たので詳述する。図１７は印加磁界強度と再生出力の関
係である。図から明らかなように、印加磁界はヘッド形
状での反磁界の最大値以上が望ましい。
【００２３】次に本発明のその他の実施例を示す。図１
３は本発明によるＦｅ１００−ｘ−ｙＣｏｘＭｙ微結晶
粒（０≦ｘ≦４０，０≦ｙ≦２０，原子％：Ｍ＝Ｔｉ，
Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｗ，Ａｌ，Ｓｉ，
Ｂ，Ｃ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｎｉ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｈ，
Ｒｕの少なくとも一種を含む）を主成分とする軟磁性膜
の構造、図１４はそのＢＨカーブ、図１５はその比透磁
率である。このように本発明によれば、さらに良好な一
軸異方性が得られる。
３は本発明によるＦｅ１００−ｘ−ｙＣｏｘＭｙ微結晶
粒（０≦ｘ≦４０，０≦ｙ≦２０，原子％：Ｍ＝Ｔｉ，
Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｗ，Ａｌ，Ｓｉ，
Ｂ，Ｃ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｎｉ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｈ，
Ｒｕの少なくとも一種を含む）を主成分とする軟磁性膜
の構造、図１４はそのＢＨカーブ、図１５はその比透磁
率である。このように本発明によれば、さらに良好な一
軸異方性が得られる。
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、飽和磁束
密度≧１．３Ｔ以上のコア材，ギャップ長≦０．３５μ
ｍを有する磁気ヘッドにおいて、磁気ヘッドのコア材で
ある軟磁性膜の磁気異方性を制御することは、低周波領
域での記録能力が従来のＦｅ微結晶粒を主成分とするコ
ア材の磁気ヘッドと同等以上で、かつ高周波領域での再
生効率がフェライトヘッドと同等以上になるという効果
を奏する。
密度≧１．３Ｔ以上のコア材，ギャップ長≦０．３５μ
ｍを有する磁気ヘッドにおいて、磁気ヘッドのコア材で
ある軟磁性膜の磁気異方性を制御することは、低周波領
域での記録能力が従来のＦｅ微結晶粒を主成分とするコ
ア材の磁気ヘッドと同等以上で、かつ高周波領域での再
生効率がフェライトヘッドと同等以上になるという効果
を奏する。
【図１】本発明による磁気ヘッドの再生出力の周波数特
性図
性図
【図２】従来のＦｅ微結晶粒を主成分とする軟磁性膜の
構造図
構造図
【図３】従来のＦｅ微結晶粒を主成分とする軟磁性膜の
ＢＨカーブ特性図
ＢＨカーブ特性図
【図４】従来のＦｅ微結晶粒を主成分とする軟磁性膜の
比透磁率を示す図
比透磁率を示す図
【図５】本発明によるＦｅ１００−ＸＭｘ微結晶粒を主
成分とする軟磁性膜の構造図
成分とする軟磁性膜の構造図
【図６】本発明によるＦｅ１００−ＸＭｘ微結晶粒を主
成分とする軟磁性膜のＢＨカーブ特性図
成分とする軟磁性膜のＢＨカーブ特性図
【図７】本発明によるＦｅ１００−ＸＭｘ微結晶粒を主
成分とする軟磁性膜の比透磁率を示す図
成分とする軟磁性膜の比透磁率を示す図
【図８】本発明によるＦｅ１００−ＸＭｘ微結晶粒を主
成分とする軟磁性膜の磁化容易軸方向のカー効果を示す
図
成分とする軟磁性膜の磁化容易軸方向のカー効果を示す
図
【図９】従来のＦｅ微結晶粒を主成分とする軟磁性膜
のカー効果を示す図
のカー効果を示す図
【図１０】本発明による熱処理工程によるＢＨカーブ特
性図
性図
【図１１】参考例による熱処理工程によるＢＨカーブ特
性図
性図
【図１２】参考例による熱処理工程によるＢＨカーブ特
性図
性図
【図１３】本発明によるＦｅ１００−ｘ−ｙＣｏｘＭｙ
微結晶粒を主成分とする軟磁性膜の構造図
微結晶粒を主成分とする軟磁性膜の構造図
【図１４】本発明によるＦｅ１００−ｘ−ｙＣｏｘＭｙ
微結晶粒を主成分とする軟磁性膜のＢＨカーブ特性図
微結晶粒を主成分とする軟磁性膜のＢＨカーブ特性図
【
図１５】本発明によるＦｅ１００−ｘ−ｙＣｏｘＭｙ微
結晶粒を主成分とする軟磁性膜の比透磁率を示す図
図１５】本発明によるＦｅ１００−ｘ−ｙＣｏｘＭｙ微
結晶粒を主成分とする軟磁性膜の比透磁率を示す図
【図
１６】ヘッド分配効率とギャップ長の関係を示す図
１６】ヘッド分配効率とギャップ長の関係を示す図
【図
１７】印加磁界強度と再生出力の関係を示す図
１７】印加磁界強度と再生出力の関係を示す図
１．．．磁壁， ２．．．Ｆｅ微結晶粒， ３．．
．Ｆｅ微結晶粒の磁気モーメント， ４．．．その他
の結晶粒， ５．．．Ｆｅ１００−ＸＭｘ微結晶粒，
６．．．Ｆｅ１００−ＸＭｘ微結晶粒の磁気モーメント
， ７．．．Ｆｅ１００−ｘ−ｙＣｏｘＭｙ微結晶粒
， ８．．．Ｆｅ１００−ｘ−ｙＣｏｘＭｙ微結晶粒
の磁気モーメント
．Ｆｅ微結晶粒の磁気モーメント， ４．．．その他
の結晶粒， ５．．．Ｆｅ１００−ＸＭｘ微結晶粒，
６．．．Ｆｅ１００−ＸＭｘ微結晶粒の磁気モーメント
， ７．．．Ｆｅ１００−ｘ−ｙＣｏｘＭｙ微結晶粒
， ８．．．Ｆｅ１００−ｘ−ｙＣｏｘＭｙ微結晶粒
の磁気モーメント
Claims (8)
- 【請求項１】飽和磁束密度≧１．３Ｔのコア材，ギャッ
プ長≦０．３５μｍを有する磁気ヘッドにおいて、該磁
気ヘッドの磁気コアが所望方向を磁化容易軸とする一軸
異方性を有している磁気ヘッド。 - 【請求項２】上記磁気コアの一軸異方性が、磁場中熱処
理によって付与されたことを特徴とする請求項１に記載
の磁気ヘッド。 - 【請求項３】上記磁場中熱処理が、ヘッド製造プロセス
における最初の熱処理工程であることを特徴とする請求
項１または２に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項４】上記磁場中熱処理における印加磁界が、ヘ
ッド形状における反磁界の最大値以上であることを特徴
とする請求項１，２または３に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項５】上記コア材が、Ｆｅ１００−ｘＭｘ（０≦
ｘ≦２０，原子％：Ｍ＝Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，
Ｔａ，Ｈｆ，Ｗ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｂ，Ｃ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｈ，Ｒｕの少なくとも
一種を含む）の微結晶粒（粒径５００Å以下）を含む磁
性膜であることを特徴とする請求項１，２，３または４
に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項６】上記コア材が、Ｆｅ１００−ｘ−ｙＣｏｘ
Ｍｙ（０≦ｘ≦４０，０≦ｙ≦２０，原子％：Ｍ＝Ｔｉ
，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｗ，Ａｌ，Ｓｉ
，Ｂ，Ｃ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｎｉ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｈ
，Ｒｕの少なくとも一種を含む）の微結晶粒（粒径５０
０Å以下）を含む磁性膜であることを特徴とする請求項
１，２，３または４に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項７】上記コア材が、Ｃｏ１００−ｘＭｘ（０≦
ｘ≦２０，原子％：Ｍ＝Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，
Ｔａ，Ｈｆ，Ｗ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｂ，Ｃ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｆ
ｅ，Ｎｉ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｈ，Ｒｕの少なくとも
一種を含む）の微結晶粒（粒径５００Å以下）を含む磁
性膜であることを特徴とする請求項１，２，３または４
に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項８】請求項１，２，３，４，５，６または７に
記載の磁気ヘッドを用いた磁気記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP828991A JPH04252007A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 磁気ヘッド及びこれを用いた磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP828991A JPH04252007A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 磁気ヘッド及びこれを用いた磁気記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04252007A true JPH04252007A (ja) | 1992-09-08 |
Family
ID=11689017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP828991A Pending JPH04252007A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 磁気ヘッド及びこれを用いた磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04252007A (ja) |
-
1991
- 1991-01-28 JP JP828991A patent/JPH04252007A/ja active Pending
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