JPH04252008A - Ｃｏ基軟磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置、ＶＴ
Ｒなどに用いる磁気ヘッドのコア材料に係り、特に高飽
和磁束密度、高透磁率、低磁歪定数、耐熱性、耐食性を
有する磁性膜とそれを用いた磁気ヘッドに関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気記録技術の進歩は著しく、家
庭用ＶＴＲの分野では小型、軽量化のために、また磁気
ディスク装置の分野では大容量化のために、記録密度の
高密度化が進められている。

【０００３】特に、磁気ディスク装置を考えてみた場合
、記録の高密度化を実現するためには、磁気ヘッドは高
周波領域で使用されるため、コアのインダクタンスの低
減が必要であり、また、狭トラック化が必要である。 しかしながら、従来の図１１に示すようなモノリシック
型の磁気ヘッドでは、インダクタンス低減が困難であり
、１０μｍ前後の狭トラック化も加工性を考えると非常
に難しい。

【０００４】これらの欠点を補うものとして、磁気コア
とセラミックスのスライダーを組み合わせて構成される
コンポジット型のヘッドが開発されてきた。さらに、現
在では、高保磁力の媒体に記録可能な強い記録磁界を発
生させるために、コアのギャップ近傍に高飽和磁束密度
を有する磁性膜を付着させたメタルインギャップ型のコ
ンポジットヘッドも実用化されている。図７は、メタル
インギャップ型コンポジットヘッドの磁気コアの一例を
示す外観斜視図であり、磁気コア半対１，２はガラス（
Ａ）５によりボンディングされた磁気回路を構成する。 図８はその記録媒体対向面を示す拡大平面図であり、３
は磁性膜、４は磁気ギャップである。この磁気コア６を
図９に示すような、例えばＣａＴｉＯ３からなるスライ
ダーにガラス（Ｂ）８で固定し、磁気ヘッドを構成する
。

【０００５】磁気ヘッドの信頼性において、ガラスの耐
食性、耐水性は極めて重要な点であるが、高い信頼性を
維持するためには、できるだけ高融点のガラスを使用す
る必要がある。ボンディング温度としては少なくとも５
５０℃程度が必要である。

【０００６】コンポジット型のヘッドを作製する場合、
磁気コアのガラスボンディング（Ｉ）と、スライダーに
そのコアを固定するガラスボンディング（ＩＩ）の２回
のガラスボンディング工程を必要とする。ボンディング
（ＩＩ）の工程で磁気コアのガラス（Ａ）の軟化やそれ
に伴うゆるみによる磁気コアの位置のずれ等を防止する
ためには、ボンディング（Ｉ）とボンディング（ＩＩ）
の温度差は、少なくとも１００〜１５０℃程度必要とな
ってくる（例えば、特開昭６３−１２３４３号公報参照
）。従って、ガラスボンディング工程（Ｉ）は、ガラス
（Ｂ）の信頼性を確保するため約７００℃程度で行う必
要が出てくる。このような観点から、コンポジット型の
ヘッドにおける磁性膜には耐熱性が要求される。従来、
このような耐熱性を有する磁性膜材料としてはＦｅ−Ａ
ｌ−Ｓｉ系合金（センダスト）薄膜が、磁気ヘッドに適
用されている（特開昭６０−７４１１０号公報参照）。 しかしながら、記録媒体保磁力の向上に伴い、より高い
飽和磁束密度を有する磁気ヘッド用磁性膜が必要となっ
てきた。

【０００７】近年、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ膜（特開昭６１−
２３４５０９号公報，特開昭６２−１０４１０８号公報
ほか）、Ｆｅ−Ｃ系多層膜（特開昭６３−６５６０４号
公報，特開昭６３−８０５０９号公報）、Ｃｏ系および
Ｆｅ系組成変調窒化膜（特開昭６２−２１０６０７号公
報，特開昭６３−５７７５８，特開昭６３−２５４７０
８号公報）、Ｃｏ−（Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，
Ｍｏ）−Ｃ膜（特開平２−１２３５０７号公報，「日本
金属学会春季大会１９８９年一般講演概要」講演番号１
２８、「日本金属学会秋季大会１９８９年一般講演概要
」講演番号２５２および２５３）、Ｆｅ−（Ｔｉ，Ｚｒ
，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ）−Ｃ膜（「信学技報」ＭＲ−
８９−１２，Ｐ９（１９８９）、第１３回日本応用磁気
学会学術講演概要集（１９８９），Ｐ４８４〜４８５）
等、高飽和磁束密度を有し、かつ耐熱性にすぐれる磁性
膜の探索がすすめられている。

【０００８】特に、Ｃｏ−Ｍ−Ｃ膜（Ｍ＝Ｔａ，Ｚｒ，
Ｈｆ…）は、耐熱性が高く、飽和磁束密度も１．５Ｔ前
後であり有望であるとされている。「日本金属学会秋季
大会一般講演概要１９８９年」講演番号２５２および２
５３によれば、５５０℃の熱処理後において、Ｂｓ１．
２６〜１．６３Ｔ、Ｈｃ＜１Ｏｅの良好な特性を得てい
る。これらの膜で前述したような良好な軟磁性が得られ
ている組成は、Ｍ（すなわち、Ｈｆ，Ｚｒ，Ｔａ等）の
量が２．８〜１３．７ａｔ％、Ｃ量が７．４〜１３．５
ａｔ％のものであり、この材料においては、熱処理によ
って生成される微細なＭ（Ｈｆ，Ｚｒ，Ｔａ等）の炭化
物の結晶が、Ｃｏの粒成長を抑制するため、高い熱安定
性と良好な軟磁性を示すことが知られている。また、こ
の組成の膜に数ａｔ％のＦｅ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｐｄを添加
することにより磁歪定数をほぼ０とすることもできると
されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｃｏ−
Ｍ−Ｃ（ただし、Ｍは、Ｈｆ，Ｚｒ，Ｔａ他）膜におい
て、良好な軟磁性が得られる組成範囲での耐熱温度は、
「日本金属学会１９８９年春季大会一般講演概要，講演
番号１２８」によれば、６５０℃程度であり、コンポジ
ット型のヘッドへの応用を考えた場合には約５０℃程度
の耐熱性の向上が必要である。本発明の目的は、上述し
た従来技術の欠点を解消し、高飽和磁束密度、高透磁率
、低磁歪定数をもち、７００℃以上の耐熱温度を有する
磁性膜及びそれを用いた磁気ヘッドを提供することであ
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、ＣｏＸＴＹＭ
ＺＣＷ（ただし、Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ｗは各々組成比を原子％
として表わし、ＴはＦｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｐｄよりなる群
から選ばれた少なくとも一種の元素、ＭはＴｉ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗよりなる群から選ばれ
た少なくとも一種の元素、Ｃは炭素を表す）で示される
組成を有し、その組成範囲が、０≦Ｙ≦１０，５≦Ｚ≦
１３，２０＜Ｗ≦２５，Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＋Ｗ＝１００である
ことを特徴とするＣｏ基軟磁性薄膜である。

【００１１】

【作用】Ｃｏ−Ｔ−Ｍ−Ｃ膜をスパッタ法により作製し
た場合、上述した組成範囲においてはａｓ−ｄｅｐｏｓ
ｉｔｅｄ（成膜したままの状態）では、アモルファス状
態である。これを結晶化温度以上で熱処理すると、Ｍ（
＝Ｈｆ，Ｚｒ，Ｔａ他）の炭化物の生成エネルギーが低
いため、すなわちＭとＣの親和力が強いため、Ｃｏ−Ｔ
−Ｍ−Ｃのアモルファスは、Ｔを微量に含んだＣｏと、
Ｍの炭化物（ＨｆＣ，ＺｒＣ，ＴａＣ，Ｔａ２Ｃ等）の
微結晶からなる組織に変化する。

【００１２】一般に、Ｃｏ系のアモルファスの軟磁性膜
は結晶化することにより軟磁性が著しく劣化することが
知られている。しかしながら、本発明によるＣｏ−Ｔ−
Ｍ−Ｃ膜ではＭの炭化物がＣｏ結晶粒の成長を抑えるた
め、Ｃｏの結晶粒径は１００Å程度に保たれる。すなわ
ち、本発明においては、Ｃｏの結晶粒が微細化されるた
め、周囲との交換結合により、異方性の分散が小さくな
り、高透磁率、低保磁力の良好な軟磁気特性が得られる
ものと考えられる。さらに、Ｍの炭化物の微結晶がＣｏ
の結晶粒の成長を抑制するため、ヘッドのガラス溶着時
に加わるような熱処理を施しても軟磁性は劣化しない。 この耐熱温度は、Ｍの炭化物の量と関係し、適量より少
ないと耐熱温度が低い。また、Ｍの炭化物が多すぎると
、Ｃｏの粒界に析出し、Ｃｏの微結晶間の静磁結合が劣
化してしまう。従って、７００℃以上の高い温度での熱
処理後においても軟磁性を得るためには、上述した範囲
のＭとＣの量が望ましい。また、本発明においては、Ｍ
としてＨｆを用いた場合が、最も耐熱性が高く、かつ高
飽和磁束密度で良好な軟磁性が得られる。

【００１３】

【実施例】

【００１４】（実施例１）本発明の磁性膜の形成には、
通常のＲＦマグネトロンスパッタ装置を用いた。Ｃｏ（
純度９９．９９％）のターゲット上にＴ＝Ｆｅ，Ｎｉ，
Ｍｎ，ＰｄとＭ＝Ｈｆ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｍｏ
，Ｗ（純度９９．９％）のペレットを配置した複合ター
ゲットをＡｒ（純度９９．９９９％）とＣＨ４（純度９
９．９％）の混合ガスを用いてスパッタを行なった。Ｔ
，Ｍ，Ｃの量は、Ｔ，Ｍのペレットの数及びＣＨ４ガス
の分圧を変えることにより変化させた。 スパッタ条件は、以下の通りとした。 排気到達真空度　　　　２×１０−６Ｔｏｒｒ以下投入
電力　　　　　　　　　　４．５Ｗ／ｃｍ２　　　　ガ
ス圧（全圧）　　　　４×１０−３Ｔｏｒｒ基板　　　
　　　　　　　　　　　結晶化ガラス基板温度　　　　
　　　　　　加熱なし膜厚　　　　　　　　　　　　　
　２±０．２μｍ

【００１５】以上の条件で作製した磁
性膜の組成は、ＥＰＭＡによって分析した。膜の飽和磁
束密度及び保磁力はＶＳＭ（印加磁場　　５０Ｏｅ）、
透磁率はベクトルインピーダンスメータ、磁歪定数は光
てこ法により測定した。また、この磁性膜の耐熱性はＮ
２雰囲気中で所定の温度に加熱後、室温で透磁率を測定
し、透磁率が１０００以下となる温度の高低によって判
定した。

【００１６】図１に、Ｃｏ−Ｈｆ−Ｃ膜に６００℃の熱
処理を施した場合の透磁率（５ＭＨｚ）と膜組成の関係
を示す。図１より明らかなように、原子比でＨｆ３〜１
３％，Ｃ１０〜３０％及び残部Ｃｏなる広い組成範囲で
μ５ＭＨｚ＞１０００の特性が得られた。さらに望まし
くは、原子比でＨｆ５〜１３％，Ｃ２０〜２５％及び残
部Ｃｏなる組成とすれば、μ５ＭＨｚが２０００〜３０
００とさらに良好な軟磁性が得られる。

【００１７】図２に、Ｃｏ−Ｈｆ−Ｃ膜に７００℃の熱
処理を施した場合のμ５ＭＨｚと膜組成の関係を示す。 上述した組成比でＨｆ５〜１３％，Ｃ２０〜２５％及び
残部Ｃｏなる組成は、耐熱性が良好であり、７００℃の
熱処理後においてもμ５ＭＨｚ＞２０００の軟磁性が得
られる。

【００１８】図３に、Ｃ量が１０％と２２％の場合のＣ
ｏ−Ｈｆ−Ｃ膜の透磁率μ５ＭＨｚの熱処理温度依存性
を示す。図よりわかるように、Ｃ量が１０％，２２％の
場合とも、６００℃までの熱処理においてはμ５ＭＨｚ
＞２０００の特性を示すが、Ｃ２２％の場合は、μ５Ｍ
Ｈｚは温度上昇とともにゆるやかに減少するのに対し、
Ｃ１０％では、μ５ＭＨｚは、急激に減少する。７５０
℃の熱処理後では、Ｃ２２％ではμ５ＭＨｚ＝１５００
℃に対し、Ｃ１０％では、μ５ＭＨｚ＝３００となって
しまう。以上述べたように、Ｃ量が２０〜２５％の組成
領域は、Ｃ量が１０％前後の組成領域に比べて、耐熱性
が高いことがわかる。

【００１９】表１には、Ｃｏ−Ｍ−Ｃの種々の組成の膜
の最適熱処理条件での磁気特性を示す。また、耐熱性と
してはμ５ＭＨｚが１０００以下となる温度を示した。 尚、すべての温度範囲でμ５ＭＨｚが１０００以上にな
らないものについては×印で示した。

【００２０】

【００２１】表１より、Ｍが５〜１３％，Ｃ２０〜２５
％及び残部Ｃｏなる組成のもので、Ｂｓ＝１．３〜１．
５Ｔ，μ５ＭＨｚ＞１０００，Ｈｃ≦１Ｏｅ，λ＝−３
〜−１×１０−６の特性を示し、耐熱温度も７００℃以
上の特性が得られることがわかる。

【００２２】図４に、Ｃｏ６８．４Ｈｆ３．５Ｃ２２．
１（ａｔ％）膜の熱処理によるＣｏ−Ｋα線（波長λ＝
１．７９０２１Å）を用いて測定したＸ線回折パターン
の変化を示す。 熱処理前（ａｓ−ｄｅｐｏ）状態では、アモルファス状
態であるが、熱処理により、ＨｆＣとｆｃｃ−Ｃｏの回
折パターンが見られるようになる。しかしながら、Ｃｏ
のＸ線回折ピークの半値幅より、Ｓｃｈｅｒｒｅｒの式
Ｄ＝０．９４λ／Ｂｃｏｓθ 但し、Ｄは結晶粒径、λはＸ線の波長、Ｂは回折ピーク
の半値幅、 θは回折角 を用いて結晶粒径を求めてみると、１００Å以下である
ことがわかった。また、ＨｆＣの結晶粒は、電子顕微鏡
観察の結果、Ｃｏよりもさらに小さいことがわかった。 このＨｆＣの多くの微結晶が、Ｃｏの結晶粒の成長を抑
えることにより良好な軟磁性膜が得られるものと考えら
れる。

【００２３】図５に、種々の組成のＣｏ−Ｈｆ−Ｃ膜の
７００℃熱処理後のＸ線回折パターンを示す。Ｃ量が２
０〜２５％の最適組成に対し、Ｃ量が少ない場合には、
ｆｃｃ−Ｃｏの鋭いピークが見られ、Ｃｏが粒成長して
いるのがわかる。このときのＣｏの粒径は、Ｓｃｈｅｒ
ｒｅｒの式より粒径を求めると、２００〜３００Åであ
る。Ｃｏは結晶磁気異方性が大きいため、この粒成長に
よって軟磁性は急激に劣化していると考えられる。

【００２４】一方、Ｃ量が多い場合においては、Ｃｏの
ピークが小さいことからＨｆＣが十分にＣｏの粒成長を
抑制しているのがわかる。しかしながら、軟磁性が多少
劣化する原因は、ＨｆＣやＣがＣｏの粒界に析出し、Ｃ
ｏ微結晶間の静磁結合が弱まり、異方性分散が増大する
ためと推察される。Ｈｆが少ない場合は、Ｈｆ−Ｃの生
成が十分行われず、Ｃｏのピークが明瞭に見られ、Ｓｃ
ｈｅｒｒｅｒの式より粒径を求めると、２００Åより大
きくなっている。

【００２５】以上述べたように、Ｃｏ−Ｈｆ−Ｃ膜には
、耐熱性７００℃以上で、μ５ＭＨｚ＞２０００の良好
な特性が得られるＨｆおよびＣの最適量が存在し、その
組成はＨｆ５〜１３％，Ｃ２０〜２５％及び残部Ｃｏの
範囲であることがわかる。また、このときの結晶組織は
、ＣｏとＨｆＣの微結晶より構成されている。

【００２６】（実施例２）表１で示したＣｏ−Ｍ−Ｃ膜
（Ｍ＝Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ…）で良好な軟磁性の得
られる組成領域においては、磁歪定数はすべて負の値（
−３〜−１×１０−６）を示している。しかし、磁気ヘ
ッドを作製する場合、磁性膜には種々の応力が加わると
予想されるので、できれば磁歪定数を０に近づけること
が好ましい。図６は、Ｃｏ−Ｈｆ−Ｃ膜にＴ＝Ｆｅ，Ｎ
ｉ，Ｍｎ，Ｐｄを添加した場合の磁歪定数の変化を示し
ている。７００℃の熱処理後の場合、Ｃｏ−Ｈｆ−Ｃ膜
の磁歪定数は−１．７×１０−６であるが、Ｔを添加す
ることにより正の方向に変化し、１．５〜５ａｔ％の添
加量でほぼ零となることがわかる。なお、Ｔが１０ａｔ
％以下であれば、軟磁気特性が大きく変化することはな
い。

【００２７】表２は、ＣｏをＴ（Ｆｅ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｐ
ｄ）で置換した例を示す。Ｔを加えることにより、、磁
歪定数は正の方向へ変化し、−０．５〜＋０．５×１０
−６という低磁歪定数を有するようになる。Ｔの量は＜
１０ａｔ％以下であるため、Ｂｓ，μ，Ｈｃ等の磁気特
性はほとんど変化していない。

【００２８】

【００２９】（実施例３）次に本発明によるＣｏ−Ｆｅ
−Ｈｆ−Ｃ膜を磁気ヘッドに応用した例を示す。図７は
本発明の磁性膜を適用した磁気ヘッドコアの一例を示す
外観斜視図であり、図８はその記録媒体対向面を示す拡
大平面図である。この磁気ヘッドコアを、図９に示すよ
うなＣａＴｉＯ３のスライダーにガラスで固定し、ジン
バルに取り付けハードディスクドライブ用の磁気ヘッド
として評価した。

【００３０】図１０は、本発明による磁性膜を用いた磁
気ヘッドと、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ膜を用いた磁気ヘッドを
用いて測定した媒体保磁力と限界記録密度、Ｄ５０（Ｋ
ＦＣＩ）の関係を示す。Ｂｓが１．４Ｔと大きいＣｏ−
Ｆｅ−Ｈｆ−Ｃ膜を用いた場合、媒体保磁力が１５００
Ｏｅ以上と大きくなっても磁気コア先端が飽和せずに強
い記録磁界が発生できるため十分に記録が可能であり、
媒体保磁力の増加とともにＤ５０も増加する。一方、Ｆ
ｅ−Ａｌ−Ｓｉ膜を用いた場合は、媒体保磁力が１５０
０Ｏｅ以上となるＤ５０が減少してしまう。

【００３１】したがって、本発明のＣｏ−Ｆｅ−Ｃ系磁
性膜を用いた磁気ヘッドを用いることにより、２０００
Ｏｅの保磁力をもつ媒体にも十分に書き込みが可能であ
ることが確かめられた。また、保磁力１０００Ｏｅの媒
体を用い、再生出力を比較したところ、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｈ
ｆ−Ｃ膜とＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ膜を用いた場合で差は見ら
れなかった。

【００３２】

【発明の効果】以上説明したごとく、本発明によるＣｏ
を主成分とするＣｏ−Ｍ−Ｃ（Ｍ＝Ｈｆ，Ｚｒ，Ｔａ）
膜は、高飽和磁束密度（１．３〜１．５Ｔ）、高透磁率
（１０００以上）、低保磁力（１Ｏｅ以下）、低磁歪定
数（−３×１０−６〜−１×１０−６）、高耐熱性（７
００℃以上）という磁気ヘッド材料に必要な特性を兼ね
備えている。また、この材料にＴ（Ｆｅ，Ｎｉ，Ｍｎ，
Ｐｄ）を添加することにより、磁歪定数がほぼ零の磁性
膜を実現することができる。

【００３３】したがって、この磁性膜を磁気ヘッド磁極
として用いた場合、０．２μｍ程度の薄膜にしても磁気
飽和を起こすことなく、磁極の先端に強い磁界を発生さ
せることができ、超高密度磁気記録を達成することがで
きる。また、本発明の磁性膜は、通常のＲＦマグネトロ
ンスパッタ法で成膜可能であるため、製造方法が簡単で
あり製造コストも安く、かつ高い信頼性も確保できる利
点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明のＣｏ−Ｈｆ−Ｃ膜の組成と透
磁率の関係を６００℃熱処理後の場合について示す特性
図である。

【図２】図２はＣｏ−Ｈｆ−Ｃ膜の組成と透磁率の関係
を７００℃熱処理後の場合について示す特性図である。

【図３】図３はＣ量の異なる２つのＣｏ−Ｈｆ−Ｃ膜の
熱処理温度と透磁率の関係を示す特性図である。

【図４】図４は最適組成のＣｏ−Ｈｆ−Ｃ膜の熱処理に
よりＸ線回折パターンの変化を示す図である。

【図５】図５は種々の組成のＣｏ−Ｈｆ−Ｃ膜の７００
℃熱処理後のＸ線回折パターンを示す図である。

【図６】図６は、Ｃｏ−Ｈｆ−Ｃ膜に添加元素を加えた
場合の磁歪定数の変化を示す特性図である。

【図７】図７は本発明による磁性膜を適用した磁気ヘッ
ドのコアの一例を示す外観斜視図である。

【図８】図８はその磁気記録媒体対向面を示す拡大平面
図である。

【図９】図９は磁気コアを埋め込んだ磁気ヘッドの外観
斜視図である。

【図１０】図１０はＣｏ−Ｆｅ−Ｈｆ−Ｃ膜を用いた磁
気ヘッドを用いて測定した媒体保磁力と限界記録密度の
関係を示す特性図、媒体保磁力と限界記録密度の関係を
示す特性図である。

【図１１】図１１は従来のモノリシックヘッドの外観斜
視図である。

【符号の説明】

１　　磁気コア半体 ２　　磁気コア半体、 ３　　磁性膜、 ４　　磁気ギャップ、 ５　　ガラス（Ａ）、 ６　　磁気コア、 ７　　スライダー、 ８　　ガラス（Ｂ）、 ９　　磁気コア、 １０　　磁気ギャップ、 １１　　スライダー、 １２　　コイル。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ＣｏＸＭＺＣＷ（ただし、Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ｗ
   は各々組成比を原子％として表し、ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｈ
   ｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗよりなる群から選ばれた
   少なくとも一種の元素、Ｃは炭素を表す）で示される組
   成を有し、その組成範囲が、５≦Ｚ≦１３，２０＜Ｗ≦
   ２５，Ｘ＋Ｚ＋Ｗ＝１００であることを特徴とするＣｏ
   基軟磁性薄膜。
2. 【請求項２】ＣｏＸＴＹＭＺＣＷ（ただし、Ｘ、Ｙ、Ｚ
   、Ｗは各々組成比を原子％として表し、ＴはＦｅ、Ｎｉ
   、Ｍｎ、Ｐｄよりなる群から選ばれた少なくとも一種の
   元素、ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、
   Ｗよりなる群から選ばれた少なくとも一種の元素、Ｃは
   炭素を表す）で示される組成を有し、その組成範囲が、
   ０＜Ｙ≦１０，５≦Ｚ≦１３，２０＜Ｗ≦２５，Ｘ＋Ｙ
   ＋Ｚ＋Ｗ＝１００であることを特徴とするＣｏ基軟磁性
   薄膜。
3. 【請求項３】組織が平均粒径２００Å以下の微細な結晶
   粒よりなることを特徴とする請求項１または２に記載の
   Ｃｏ基軟磁性薄膜。
4. 【請求項４】請求項１乃至３に記載のＣｏ基軟磁性薄膜
   を、磁気ギャップ対向面のいずれか一方若しくは双方に
   有することを特徴とする磁気ヘッド。