JPH04252334A - マイクロコンピュータのプログラム変更装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、マイクロコンピュータ
システムに係り、詳しくは、リードオンリメモリの修正
すべきプログラムデータに代えて修正されたプログラム
データを出力するマイクロコンピュータ（以下、マイコ
ンと略記する。）のプログラム変更装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般的に、従来のワンチップマイコンは
、図１０に示すように、プログラムカウンタＰＣ、所定
のプログラムが書込まれたプログラムメモリＰＭおよび
命令デコーダＩＤを有する。このワンチップマイコンの
動作はよく知られているように、システムクロック（図
示せず）によってカウントアップするプログラムカウン
タＰＣによってアドレスが指定されるプログラムメモリ
ＰＭから読出されるデータが命令デコーダＩＤによって
デコードされることによってプログラムが実行される。

【０００３】プログラムメモリＰＭは、一般的にマスク
ＲＯＭ（リードオンリメモリ）が用いられ、このマスク
ＲＯＭはメーカの製造工程でメーカによりプログラムが
書込まれ、ユーザによる書換えは不可能である。

【０００４】また、最近では、ユーザによる書換えが１
回だけ可能なワンタイムＲＯＭと呼ばれるものも販売さ
れている。

【０００５】しかし、ワンチップマイコンの製造後にマ
スクＲＯＭの書込みプログラムにバグなどが発見された
場合やその一部を修正したい場合、再度、ＲＯＭのマス
クパターンを書換えてから集積回路の製造プロセスをや
り直す必要があるので、修正されたワンチップマイコン
を入手するまでの期間が現状では数ヶ月もかかる。

【０００６】しかも、マスクＲＯＭの書込みプログラム
にバグなどが発見されたワンチップマイコンは再利用す
ることができない。また、ワンタイムＲＯＭはマスクＲ
ＯＭに比べて非常に高価であり、ユーザがプログラムを
書込むのに非常に時間がかかり、量産品への採用には不
向きである。

【０００７】そこで、このような課題を解決すべく、本
発明者らは、特願平１−１３１８６１号により、データ
書換え用の電気的に書込み可能な不揮発性メモリ部をワ
ンチップマイコンに内臓することによってプログラムデ
ータを修正する方法を提案した。

【０００８】この方法は、ワンチップマイコン内の電気
的に書込み可能な不揮発性メモリ部に修正したいプログ
ラムアドレスおよび修正プログラムを記憶する場所を指
定し、プログラムカウンタと上記不揮発性メモリ部内の
修正したいプログラムアドレスとが一致した場合に修正
プログラムを実行するものであった。

【０００９】こうすることにより、ワンチップマイコン
の量産後にプログラムのバグが発見された場合やその一
部を修正したい場合でも、再度、マスクＲＯＭを修正す
ることなくプログラムを変更でき、生産工程を止めなく
て済む。

【００１０】しかし、上記したような方法は、比較的簡
単な回路構成で実現可能であるが、通常、ＣＭＯＳ（相
補正絶縁ゲート型）プロセスで製造されるワンチップマ
イコン内に電気的に書込み可能な不揮発性メモリ部を作
り込むプロセスが追加する必要が生じるので、結果的に
、ワンチップマイコンのコストが上昇してしまうという
問題がある。しかも、内蔵した不揮発性メモリ部の容量
の全てを使うとは限らず、むしろ、全部は使わないこと
の方が多いので、容量の無駄が生じる。

【００１１】そこで、このような問題を解決すべく、本
発明者らは、特願平１−３２５８７６号により、マイク
ロコンピュータのプログラム変更装置を提案した。この
装置は、ＲＯＭに記憶されたプログラム命令に従って動
作するワンチップマイコンと、このワンチップマイコン
と信号線で接続されている不揮発性メモリとからなるマ
イコンシステムにおいて、上記不揮発性メモリには、上
記ＲＯＭのプログラム変更用の変更アドレス及び命令コ
ードを記憶させておき、上記ワンチップマイコンでは、
例えば電源投入時のリセット直後の命令で上記不揮発性
メモリから変更アドレス及び命令コードを受信してプロ
グラム変更用ＲＡＭに記憶し、上記変更アドレスとプロ
グラムカウンタの内容とを比較して、両者が一致した場
合、上記命令コードを実行するものである。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記したプロ
グラム変更装置は、比較的簡単な回路構成で実現可能で
あるが、マイコン内のプログラム変更用ＲＡＭの容量は
、ＩＣチップの面積の制約上、あまり多くとれない。 従って、プログラムを修正したい箇所がプログラム変更
用ＲＡＭの容量（変更可能数）よりも多くなってしまっ
た場合は、修正箇所のいずれかを諦めざるを得なかった
。

【００１３】本発明は、このような課題に着目してなさ
れたもので、マイコン内のプログラム変更用ＲＡＭの容
量を増すことなく、プログラム変更用ＲＡＭの容量以上
にプログラム修正を行なえるマイクロコンピュータのプ
ログラム変更装置を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明のマイクロコンピ
ュータのプログラム変更装置は、リードオンリメモリの
プログラム命令を変更するための変更アドレスと変更命
令コードを組み合わせて記憶する変更情報記憶手段を有
する不揮発性メモリと、上記リードオンリメモリに記憶
されたプログラム命令に従って動作するとともに、上記
不揮発性メモリに接続され、接続線を介して受信した上
記変更アドレスと上記変更命令コードをプログラム変更
用ランダムアクセスメモリに記憶し、上記変更アドレス
とマイクロコンピュータのプログラムカウンタの値を比
較手段により比較し、比較の結果一致した場合に上記変
更命令コードを実行するワンチップマイクロコンピュー
タとを有するマイクロコンピュータのプログラム変更装
置において、上記不揮発性メモリの上記変更情報記憶手
段は、上記変更アドレスと変更命令コードの複数の組み
合わせからなる１セットごとに、上記変更アドレスおよ
び上記変更命令コードの入れ替えを実行する上記リード
オンリメモリ上の入れ替えＲＯＭアドレスと、上記不揮
発性メモリ上の入れ替えアドレスを記憶する入れ替え記
憶部を有し、上記マイクロコンピュータは、上記接続線
を介して上記プログラム変更用ランダムアクセスメモリ
に記憶された上記入れ替えＲＯＭアドレスと上記プログ
ラムカウンタの値とが一致した場合に、１セットの上記
変更アドレスと変更命令コードを、上記入れ替えアドレ
スに従って書き替えるデータ入れ替えプログラムと、上
記プログラム変更用ランダムアクセスメモリの書き替え
中は上記比較手段の動作を禁止する禁止手段とを具備し
ている。

【００１５】

【作用】ワンチップマイコン内のＲＯＭプログラムにバ
グなどが発見された場合やその一部を修正したい場合に
、このＲＯＭの修正したいアドレスに対応するアドレス
データと修正されたプログラムデータをマイコンの外部
に設けられた不揮発性メモリに複数記憶させておき、ワ
ンチップマイコンの電源投入時のリセット直後の命令で
不揮発性メモリの複数の記憶データのうち１セットをシ
リアル通信を介してプログラム変更用ＲＡＭに読み込む
。これにより、プログラム変更用ＲＡＭに記憶されたア
ドレスデータとプログラムカウンタの内容とが一致した
時は、ＲＯＭのデータに代えてプログラム変更用ＲＡＭ
に記憶されたデータが命令デコーダに出力され、バグな
どが修正できる。そして、プログラム変更用ＲＡＭの容
量よりも修正したい箇所が多い場合は、上記プログラム
変更用ＲＡＭにプログラム入れ替えサブルーチンを呼び
だす命令コードを任意の入れ替えＲＯＭアドレス（Ｍ，
Ｎ）で入れ替えられるよう設定し、プログラム入れ替え
サブルーチンが実行された場合には、不揮発性メモリに
記憶されたデータの次の１セットを示す入れ替えアドレ
ス（ＮＸＴＡＤｉ）を参照することにより、不揮発性メ
モリに記憶されたアドレスデータとプログラムデータを
ワンチップマイコンのプログラム変更用ＲＡＭにセット
しなおす。又、アドレスデータの書換え中は誤動作を防
止するため、アドレスデータとプログラムカウンタの内
容との比較を禁止する。

【００１６】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。

【００１７】まず、本発明のマイコンのプログラム変更
装置の概念を図１を参照して説明する。図１に示すマイ
コンシステムにおいて、１０はワンチップマイコン、２
０はこのマイコン１０の外部に設けられ、このワンチッ
プマイコン１０にセットすべきデータを記憶している電
気的に書込み可能な不揮発性メモリ、３０は上記マイコ
ン１０と不揮発性メモリ２０とを接続する信号線（例え
ばシリアル通信配線）である。

【００１８】ワンチップマイコン１０において、１はプ
ログラムカウンタ、２はメインプログラムおよびプログ
ラムの入れ替えを行なうための入れ替えサブルーチンな
どが書き込まれたマスクＲＯＭ、３はプログラム変更用
ＲＡＭ、４はセレクタ、５は命令デコーダ、６はシリア
ル通信などで代表される受信回路（不揮発性メモリのデ
ータを受信する）で、信号線３０を介して不揮発性メモ
リ２０に接続されている。７はセレクタを禁止する禁止
回路、８は通常ＲＡＭである。

【００１９】プログラムカウンタ１は、ＲＯＭ２だけで
なく、プログラム変更用ＲＡＭ３にもアドレス値を与え
るように接続されている。

【００２０】プログラム変更用ＲＡＭ３は、ＲＯＭ２の
書き込みプログラムにバグなどが発見された場合や、そ
の一部を修正したい場合に、このＲＯＭ２の修正したい
アドレスに対応するアドレスデータおよび修正するため
のプログラムデータが対応して書込まれる変更アドレス
ＲＡＭ（以下、単にＥＡＲと略称する）３１、およびプ
ログラムＲＡＭ（以下、単にＰＲＲと略称する）３２を
有する。これらのアドレスデータおよびプログラムデー
タは、ワンチップマイコン１０の電源投入（パワオン）
時のリセット直後の命令で不揮発性メモリ２０の記憶デ
ータが受信回路６を介して、プログラム変更用ＲＡＭ３
に書き込まれる様になっており、プログラム変更用ＲＡ
Ｍ３は実質的に不揮発性メモリと同等になる。

【００２１】セレクタ４は、通常はＲＯＭ２の出力デー
タを選択して命令デコーダ５に入力させるが、ＥＡＲ３
１に記憶されたアドレスデータとプログラムカウンタ１
の出力内容とが一致した時にＰＲＲ３２からプログラム
データが出力すると、このＰＲＲ３２の出力データ（修
正されたプログラムデータ）をＲＯＭ２の出力データ（
修正すべきプログラムデータ）に代えて選択して命令デ
コーダ５に入力させるように構成されている。

【００２２】禁止回路７は、セレクタ４の動作を禁止す
るもので、禁止信号を出力している間は、ＥＡＲ３１に
記憶されたアドレスデータとプログラムカウンタ１の出
力内容とが一致しても、通常通り、ＲＯＭ２の内容を命
令デコーダ５に入力させる。

【００２３】禁止回路７、受信回路６、プログラム変更
用ＲＡＭ３はバス９に接続されていて、命令デコーダ５
からの指示でそれぞれの動作ができるようになっている
。

【００２４】不揮発性メモリ２０は、たとえばＥＥＰＲ
ＯＭ、ＥＰＲＯＭなど、電気的に書き込み可能なものが
考えられる。

【００２５】図２は、プログラム変更用ＲＡＭ３および
セレクタ４、禁止回路７の関係をさらに詳細に示したも
のである。ここで、プログラムカウンタ１は１６ビット
で示すが、何ビットでも同じ考え方で対応できる。また
、ＥＡＲ３１およびＰＲＲ３２はそれぞれ８セットとす
る。ＰＲＲ３２は、それぞれ命令コードのビット数のメ
モリを持ち、ここでは８ビットとする。当然、１０ビッ
ト命令長の場合は、１０ビットのメモリを使用すれば良
いことは言うまでもない。ＥＡＲ３１およびＰＲＲ３２
は、バス９に接続されていて、命令デコーダ５で解読さ
れたＲＡＭ書込み命令により、ＥＡＲ３１およびＰＲＲ
３２の内容は書換えることができる。又、書換え中は、
同じく命令デコーダ５で解読された禁止命令により、禁
止回路７から禁止信号をセレクタ４に与えることにより
、ＰＲＲ３２のデータ選択を禁止することができるよう
になっている。

【００２６】禁止回路７は、電源投入時に発生するシス
テムリセット信号（ＳＹＳＲＥＳＥＴ）により禁止信号
を出力し、命令により許可信号に変更するまでは禁止信
号の出力を続ける。

【００２７】ＥＡＲ３１には、それぞれ比較回路（ＣＯ
ＭＰ）４１が接続されており、プログラムカウンタ１の
内容とＥＡＲ３１の内容とが一致した時、それぞれのペ
アとなるＰＲＲ３２のデータが出力されるよう、ＰＲＲ
３２に接続されたゲート４２を開く。同時に、ＥＡＲ３
１のいずれかの値がプログラムカウンタ１の内容と一致
した時は、オア回路４３の出力によりセレクタ４を、禁
止回路７による禁止信号が出ていない場合に限り、ＰＲ
Ｒ３２側のデータを命令デコーダ５に出力するよう切換
えるようになっている。

【００２８】図３は、不揮発性メモリ２０のアドレスマ
ップの一例である。すなわち、不揮発性メモリ２０の予
め決められた番地までを、たとえばカメラシステムにお
けるＡＦ，ＡＥなどのための各種調整データを記憶した
調整データエリア２０Ａとし、それ以降の番地をプログ
ラム変更データエリア２０Ｂと決めておく。プログラム
変更データエリア２０Ｂにおいて、Ｘ〜Ｚは不揮発性メ
モリ２０のアドレスを示す変数で、それぞれ８ビットの
変数であるとする。ＮＸＴＡＤｉ，ａｄｄｊｋ，ｃｏｄ
ｅｊｋ（ｉ，ｊ，ｋは正の整数の引数）は、それぞれａ
ｄｄｉｋ〜ＮＸＴＡＤｊのグループのアドレスを示す変
数名、ＥＡＲ３１およびＰＲＲ３２にセットするデータ
を記憶している不揮発性メモリ２０のアドレスを示す変
数名である。ここでは、ａｄｄｊ１，ｃｏｄｅｊ１〜Ｎ
ＸＴＡＤ１で代表される２５バイトの連続したメモリを
１グループ、つまり１セットとする。たとえば、図３に
おいては、アドレスＸ（太線枠）のａｄｄ１１〜ＮＸＴ
ＡＤ１までを１セットと呼ぶ。

【００２９】プログラムカウンタ１を１６ビットとした
ので、ａｄｄｊｋには、プログラムカウンタ１に対応す
るため上位と下位とに分けて２バイトを使用している。 プログラム命令長は８ビットなので、ｃｏｄｅｊｋは１
バイトで良い。この例では、アドレスＷは変数ＮＸＴＡ
Ｄ０の位置を、Ｘ，Ｙ，Ｚはそれぞれのグループごとの
先頭変数ａｄｄ１１，ａｄｄ２１，…の位置を示してい
る。

【００３０】図４は、ワンチップマイコン１０のプログ
ラム変更用ＲＡＭ３のメモリマップを示す。ＥＡＲ３１
は、プログラムカウンタ１が１６ビットなので２バイト
必要である。１つ目の上位アドレスデータの変数名をＥ
ＡＲ１ｈ、下位アドレスの変数名をＥＡＲ１ｂ、それに
対応したＰＲＲ３２の変数名をＰＲＲ１とし、以下、同
様にＥＡＲ８ｈ，ＥＡＲ８ｂ，ＰＲＲ８まで、変更可能
なアドレス位置は８個あるものとする。

【００３１】変数名ｅＮＸＴＡＤのメモリは、プログラ
ム変更用ＲＡＭ３で変更された命令で、後述する入れ替
えサブルーチンが呼ばれた場合に参照するメモリで、入
れ替えるための次の変更データの１セットにおける先頭
位置の不揮発性メモリ２０のアドレスを記憶しておく通
常ＲＡＭ８の１アドレスである。

【００３２】次に、このような構成において、図５に示
すフローチャートを参照して、電源投入時にプログラム
変更用ＲＡＭ３にデータをセットする動作を説明する。 電源が投入（パワオン）されるとシステムリセットがか
かり、パワオンからプログラムがスタートする。このと
き、システムリセットにより禁止回路７は禁止信号を出
力する。

【００３３】まず、ステップＳ１では、ワンチップマイ
コン１０のポートなどのイニシャライズが行なわれる。 イニシャライズの後、プログラム変更用ＲＡＭ３をセッ
トするためのプログラムが実行される。すなわち、ステ
ップＳ２では、最初のプログラム変更用ＲＡＭ３にセッ
トするための不揮発性メモリ２０のグループのアドレス
を示すＮＸＴＡＤ０の番地Ｗを、マイコン１０内の図示
しないレジスタｒ１にセットし、ステップＳ３に進む。 なお、番地Ｗは、そのシステムにより設計時に決められ
るので、あらかじめＲＯＭ２に書くことができる。

【００３４】ステップＳ３では、不揮発性メモリ２０の
データを読み込むサブルーチン「ＥＥＰＲＤ」を呼びだ
す。ここでは、不揮発性メモリ２０はＥＥＰＲＯＭとし
て説明を続ける。上記サブルーチン「ＥＥＰＲＤ」は、
図６に示すように、まずステップＳ２１で、不揮発性メ
モリ２０のレジスタｒ１の値で示された番地のデータを
受信回路６を介して読み込む。次に、ステップＳ２２で
は、ステップＳ２１における読み込み結果をレジスタｒ
１にセットする。

【００３５】次に、ステップＳ４では、不揮発性メモリ
２０から読み込んだ結果、つまりレジスタｒ１の値（Ｎ
ＸＴＡＤ０の値）を、通常ＲＡＭ８のｅＮＸＴＡＤに記
憶する。

【００３６】次に、プログラム変更用ＲＡＭ３に、後述
する入れ替えサブルーチン「ＣＨＧＳＢ」を呼びだすた
めのコール（ＣＡＬＬ）命令をセットする。入れ替えサ
ブルーチンを実行するアドレスは、プログラム変更用Ｒ
ＡＭ３に上記データをセットした後、実際に修正が必要
なアドレスの前までのいずれかの間であればどこでも良
いが、ここでは、プログラム変更用ＲＡＭ３にデータセ
ット直後の番地Ｌを使用する。ここで、入れ替えサブル
ーチンを呼ぶためのコール文は３バイト命令とし、コー
ルのコード１バイトと、入れ替えサブルーチンを示すア
ドレス２バイトからなるものとする。

【００３７】すなわち、ステップＳ５では、ＥＡＲ３１
のＥＡＲ１ｈにＬ番地の上位の値を、ステップＳ６では
、ＥＡＲ３１のＥＡＲ１ｂにＬ番地の下位の値をセット
し、ステップＳ７では、ＰＲＲ３２のＰＲＲ１にコール
に相当するコードをセットする。次に、ステップＳ８で
は、Ｌ番地の値に「＋１」し、ステップＳ９では、ＥＡ
Ｒ３１のＥＡＲ２ｈにＬ番地の上位の値を、ステップＳ
１０では、ＥＡＲ３１のＥＡＲ２ｂにＬ番地の下位の値
を、ステップＳ１１では、ＰＲＲ３２のＰＲＲ２に入れ
替えサブルーチン「ＣＨＧＳＢ」のアドレスの上位の値
をセットする。次に、ステップＳ１２では、再びＬ番地
の値に「＋１」し、ステップＳ１３では、ＥＡＲ３１の
ＥＡＲ３ｈにＬ番地の上位の値を、ステップＳ１４では
、ＥＡＲ３１のＥＡＲ３ｂにＬ番地の下位の値を、ステ
ップＳ１５では、ＰＲＲ３２のＰＲＲ３に入れ替えサブ
ルーチン「ＣＨＧＳＢ」のアドレスの下位の値をセット
する。

【００３８】その後、ステップＳ１６において、禁止回
路７から許可信号を出力することにより、セレクタ４を
有効にする。従って、その後のＬ番地にプログラムカウ
ンタ１が移行した時、セレクタ４はＰＲＲ３２の値を選
択し、ＲＯＭ２のコードに代えて入れ替えサブルーチン
「ＣＨＧＳＢ」を実行することになる。

【００３９】図７および図８は、入れ替えサブルーチン
「ＣＨＧＳＢ」の一例を示すフローチャートであり、以
下、このフローチャートを参照して動作を説明する。ま
ず、入れ替えサブルーチン「ＣＨＧＳＢ」では、プログ
ラム変更用ＲＡＭ３を実行するために実行できなかった
ＲＯＭ２のプログラムを実行できるように、入れ替えサ
ブルーチン「ＣＨＧＳＢ」の戻し先番地を３バイト分戻
す。これは、通常のマイコンであれば、スタックポイン
タに示される番地にリターン命令実行時に戻るようにな
っているので、スタックポインタの値を読取り、３バイ
ト分戻し、再びスタックポインタに戻すことにより実施
できる。ここに、レジスタｒ１，ｒ２は、それぞれ８ビ
ットのレジスタとする。

【００４０】すなわち、ステップＳ３１，Ｓ３２では、
スタックポインタの値を読取り、それをレジスタｒ１，
ｒ２にセットし、ステップＳ３３に進む。ステップＳ３
３では、レジスタｒ１の値を「−３」し、ステップＳ３
４に進む。ステップＳ３４では、ボローがでたか否かを
判断し、ボローが出た場合はステップＳ３５を、出ない
場合はステップＳ３６を実行する。ステップＳ３５では
、レジスタｒ２の値を「−１」し、ステップＳ３６，Ｓ
３７に進む。ステップＳ３６，Ｓ３７では、レジスタｒ
１，ｒ２の値をスタックポインタに戻し、ステップＳ３
８に進む。

【００４１】ステップＳ３８では、ｅＮＸＴＡＤのデー
タを読取り、レジスタｒ２にセットし、ステップＳ３９
に進む。ステップＳ３９では、レジスタｒ２の値が「０
」であるか否かを判断し、「０」の場合は修正の箇所な
しということで、ステップＳ４０に進む。ステップＳ４
０では、禁止回路７の出力を禁止とし、リターンする。 この場合、スタックポインタはＬ番地に戻っていて、し
かもセレクタ４は禁止となっているので、元のＬ番地の
ＲＯＭ２の命令は実行されることになる。

【００４２】ここで、ｅＮＸＴＡＤ（＝ＮＸＴＡＤ０）
のデータが「０」で修正箇所なしと判定できる理由は、
本システムが図３で示される様にアドレス「０」は調整
データとしてマッピングされているからである。他のシ
ステムの場合は、システム設計時に変更データに使用し
ないアドレスデータ等を使用すれば良いので、その場合
は「０」以外の値を使用しても良い。

【００４３】ステップＳ３９において、レジスタｒ２の
値が「０」でない場合、すなわちｅＮＸＴＡＤ≠０の場
合は、修正箇所ありということになるので、次のステッ
プでプログラム変更用ＲＡＭ３の入れ替え作業を実施す
る。本実施例では、不揮発性メモリ２０のデータ順は、
１セットごとに変更アドレスデータの上位、下位、変更
プログラムデータの順に８グループ及び次の不揮発性メ
モリ２０の次の１セットを示すアドレスの順に決めてあ
るので、レジスタｒ２に代入されたｅＮＸＴＡＤの値で
示される不揮発性メモリ２０のデータからレジスタｒ２
をインクリメントして順次読込み、ＥＡＲ３１のＥＡＲ
ｉｈ，ＥＡＲｉｂおよびＰＲＲ３２のＰＲＲｉにセット
する。

【００４４】すなわち、まず、ステップＳ４１にて、マ
イコン１０内の図示しないレジスタｉの値を「０」にし
、ステップＳ４２に進む。ステップＳ４２では、レジス
タｒ２の値をレジスタｒ１にセットし、ステップＳ４３
に進む。ステップＳ４３では、不揮発性メモリ２０のデ
ータを読み込むサブルーチン「ＥＥＰＲＤ」を呼びだし
て実行し、ステップＳ４４に進む。ステップＳ４４では
、マイコン１０内の図示しないレジスタｒ３にレジスタ
ｒ１の値をセットし、ステップＳ４５に進む。ステップ
Ｓ４５では、レジスタｒ２の値に「＋１」し、ステップ
Ｓ４６に進む。ステップＳ４６では、レジスタｒ１にレ
ジスタｒ２の値をセットし、ステップＳ４７に進む。 ステップＳ４７では、再び不揮発性メモリ２０のデータ
を読込むサブルーチン「ＥＥＰＲＤ」を呼びだして実行
する。ここで、ＥＡＲ３１にデータをセットする場合、
ステップＳ４８にて、禁止回路７の出力を禁止とし、セ
レクタ４の入力をＲＯＭ２側に固定する。これは、ＥＡ
Ｒ３１の書換えは通常８ビットづつしか行なえず、たと
えばＥＡＲｉｈを書換え中、ＥＡＲｉｂとの組合せアド
レスがたまたま入れ替えサブルーチン「ＣＨＧＳＢ」の
アドレスと一致し、誤動作するのを禁止するためである
。

【００４５】次に、ステップＳ４９にて、ＥＡＲ３１の
ＥＡＲｉｈにレジスタｒ３の値を、ステップＳ５０では
、ＥＡＲ３１のＥＡＲｉｂにレジスタｒ１の値をそれぞ
れセットし、ステップＳ５１に進む。ステップＳ５１で
、禁止回路７の出力を許可とし、ステップＳ５２に進む
。ステップＳ５２では、レジスタｒ２の値に「＋１」し
、ステップＳ５３に進む。ステップＳ５３では、レジス
タｒ１にレジスタｒ２の値をセットし、ステップＳ５４
に進む。ステップＳ５４では、再び不揮発性メモリ２０
のデータを読み込むサブルーチン「ＥＥＰＲＤ」を呼び
だして実行し、ステップＳ５５に進む。ステップＳ５５
では、ＰＲＲ３２のＰＲＲｉにレジスタｒ１の値をセッ
トし、ステップＳ５６に進む。ステップＳ５６では、レ
ジスタｒ２の値に「＋１」し、ステップＳ５７に進む。 ステップＳ５７では、レジスタｉの値に「＋１」し、ス
テップＳ５８に進む。ステップＳ５８では、レジスタｉ
の値が「８」になったか否かを判断し、「８」になって
いなければステップＳ４２に戻り、再び上記同様な動作
を繰り返す。

【００４６】ステップＳ５８において、レジスタｉの値
が「８」になると、変更アドレスデータの１セットであ
る８グループを全て書き替えたものと判断し、ステップ
Ｓ５９に進む。ステップＳ５９では、レジスタｒ１にレ
ジスタｒ２の値をセットし、ステップＳ６０に進む。ス
テップＳ６０では、再び不揮発性メモリ２０のデータを
読み込むサブルーチン「ＥＥＰＲＤ」を呼びだして実行
し、ステップＳ６１に進む。ステップＳ６１では、ｅＮ
ＸＴＡＤにレジスタｒ１の値、すなわち、ＮＸＴＡＤｉ
のデータをセットし、リターンする。このリターンの際
、既に今回の入れ替えサブルーチン「ＣＨＧＳＢ」を呼
びだすためのプログラム変更用ＲＡＭ３上の変更アドレ
スデータは、上述した様に他のデータに入れ代わってい
るので、前述した入れ替えサブルーチン「ＣＨＧＳＢ」
を実行するために変更されたＲＯＭデータは、スタック
データを３バイト戻しているのでリターン時に実行する
ことができる。従って、入れ替えサブルーチン「ＣＨＧ
ＳＢ」を実行するためのプログラム変更用ＲＡＭ３にセ
ットする入れ替えＲＯＭアドレス（Ｍ，Ｎ）は任意の場
所に設定することができる。変更箇所が８箇所以内の場
合は、パワオン時、一度入れ替えれば良いので、１セッ
ト８バイトを全てプログラム変更用に使用し、ＮＸＴＡ
Ｄｉには「０」をセットすれば良い。

【００４７】また、変更箇所が８箇所以上の場合は、プ
ログラム変更用ＲＡＭ３の入れ替えが必要となるので、
変更箇所の３バイト分を入れ替えサブルーチン「ＣＨＧ
ＳＢ」を呼びだすためのコール文のために使用すれば良
い。この場合、変更箇所が［８−３＝５］バイトに減少
するが、例えば１０バイトまでの変更箇所なら一度入れ
替えれば良く、二度入れ替えれば１５バイトまで修正可
能となる。

【００４８】ここで、プログラム入れ替えのイメージの
一例を図９を参照して説明する。たとえば、パワオンか
らＭ番地までは初期設定で、この間に不揮発性メモリ２
０のＸ番地の変更が必要だとする。ループ１がメインル
ープで、スイッチ入力などの判断によりループ２に分岐
するとする。ループ１では不揮発性メモリ２０のＹ番地
のグループ、ループ２では不揮発性メモリ２０のＺ番地
のグループの変更が必要だとする。この場合、ＥＡＲ３
１およびＰＲＲ３２、ｅＮＸＴＡＤにセットするための
不揮発性メモリ２０のデータを表１に示す。

【００４９】

【表１】 以上のように、必要な変更アドレスで任意にプログラム
変更用ＲＡＭ３を変更することにより、原理的には不揮
発性メモリ２０の容量の許す限り任意の箇所を変更でき
る。また、変更箇所が１セット全部必要ない場合は、任
意のアドレスを選択し、ＲＯＭ２と同じコードをプログ
ラム変更用ＲＡＭ３に書いておけば、今回のハードのま
ま少ない変更箇所にも対応できる。

【００５０】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、外
部の不揮発性メモリに修正プログラムを複数セット記憶
させておくとともに、マイコンのメインプログラムの中
に上記不揮発性メモリの１セット内容をプログラム変更
用ＲＡＭに移すための入れ替えサブルーチンを設け、修
正プログラムの中にその入れ替えサブルーチンを呼びだ
す命令を入れておくことにより、マイコン内のプログラ
ム変更用ＲＡＭの容量を増すことなく、プログラム変更
用ＲＡＭの容量以上にプログラム修正を行なえるマイク
ロコンピュータのプログラム変更装置を提供することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す構成図。

【図２】プログラム変更用ＲＡＭおよびセレクタ、禁止
回路の関係を詳細に示す構成図。

【図３】不揮発性メモリのアドレスマップを説明するた
めの図。

【図４】ワンチップマイコン内のプログラム変更用ＲＡ
Ｍのメモリマップを説明するための図。

【図５】プログラム変更用ＲＡＭにデータをセットする
動作を説明するフローチャート。

【図６】不揮発性メモリのデータを読み込むサブルーチ
ンの動作を説明するフローチャート。

【図７】プログラム入れ替えサブルーチンの動作を説明
するフローチャート。

【図８】プログラム入れ替えサブルーチンの動作を説明
するフローチャート。

【図９】プログラム入れ替えのイメージの一例を説明す
る図。

【図１０】従来のワンチップマイコンを示すブロック図
。

【符号の説明】

１…プログラムカウンタ、２…ＲＯＭ、３…プログラム
変更用ＲＡＭ、４…セレクタ、５…命令デコーダ、６…
受信回路、７…禁止回路、８…通常ＲＡＭ、１０…ワン
チップマイクロコンピュータ、２０…不揮発性メモリ、
３０…信号線、３１…変更アドレスＲＡＭ（ＥＡＲ）、
３２…プログラムＲＡＭ（ＰＲＲ）、４１…比較回路、
４２…ゲート、４３…オア回路。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　リードオンリメモリのプログラム命令
   を変更するための変更アドレスと変更命令コードを組み
   合わせて記憶する変更情報記憶手段を有する不揮発性メ
   モリと、上記リードオンリメモリに記憶されたプログラ
   ム命令に従って動作するとともに、上記不揮発性メモリ
   に接続され、接続線を介して受信した上記変更アドレス
   と上記変更命令コードをプログラム変更用ランダムアク
   セスメモリに記憶し、上記変更アドレスとマイクロコン
   ピュータのプログラムカウンタの値を比較手段により比
   較し、比較の結果一致した場合に上記変更命令コードを
   実行するワンチップマイクロコンピュータとを有するマ
   イクロコンピュータのプログラム変更装置において、上
   記不揮発性メモリの上記変更情報記憶手段は、上記変更
   アドレスと変更命令コードの複数の組み合わせからなる
   １セットごとに、上記変更アドレスおよび上記変更命令
   コードの入れ替えを実行する上記リードオンリメモリ上
   の入れ替えＲＯＭアドレスと、上記不揮発性メモリ上の
   入れ替えアドレスを記憶する入れ替え記憶部を有し、上
   記マイクロコンピュータは、上記接続線を介して上記プ
   ログラム変更用ランダムアクセスメモリに記憶された上
   記入れ替えＲＯＭアドレスと上記プログラムカウンタの
   値とが一致した場合に、１セットの上記変更アドレスと
   変更命令コードを、上記入れ替えアドレスに従って書き
   替えるデータ入れ替えプログラムと、上記プログラム変
   更用ランダムアクセスメモリの書き替え中は上記比較手
   段の動作を禁止する禁止手段とを具備することを特徴と
   するマイクロコンピュータのプログラム変更装置。