JPH0425252U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0425252U JPH0425252U JP6687990U JP6687990U JPH0425252U JP H0425252 U JPH0425252 U JP H0425252U JP 6687990 U JP6687990 U JP 6687990U JP 6687990 U JP6687990 U JP 6687990U JP H0425252 U JPH0425252 U JP H0425252U
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- JP
- Japan
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- lead
- semiconductor
- electromagnetic wave
- wave absorbing
- absorbing member
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図はＤＩＰタイプの集積回路に対する実施
例の集積回路の内部図を示す。第２図ａ、第３図
ａは電磁波吸収部材の構造を示す斜視図。第２図
ｂ、第３図ｂは一対の電磁波吸収部材の実装状態
を示す斜視図。第４図は従来の実施例を示す正面
図。 １……半導体外装、２……リード、３……電磁
波吸収部材、４……孔、５……溝、６……半導体
チツプ、７……内部リード。
例の集積回路の内部図を示す。第２図ａ、第３図
ａは電磁波吸収部材の構造を示す斜視図。第２図
ｂ、第３図ｂは一対の電磁波吸収部材の実装状態
を示す斜視図。第４図は従来の実施例を示す正面
図。 １……半導体外装、２……リード、３……電磁
波吸収部材、４……孔、５……溝、６……半導体
チツプ、７……内部リード。
Claims (1)
- 電子機器に用いられる外装内部に半導体チツプ
を有し外部と金属リードにより電気的に接続する
半導体において、該リード挿入用の孔を有する電
磁波吸収部材を外装内部に配置し前記リード挿入
用の孔にリードを貫通したことを特徴とする電磁
波吸収部材付き半導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6687990U JPH0425252U (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6687990U JPH0425252U (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0425252U true JPH0425252U (ja) | 1992-02-28 |
Family
ID=31599966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6687990U Pending JPH0425252U (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0425252U (ja) |
-
1990
- 1990-06-25 JP JP6687990U patent/JPH0425252U/ja active Pending
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