JPH04252923A - 光検波回路 - Google Patents

光検波回路

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JPH04252923A
JPH04252923A JP939191A JP939191A JPH04252923A JP H04252923 A JPH04252923 A JP H04252923A JP 939191 A JP939191 A JP 939191A JP 939191 A JP939191 A JP 939191A JP H04252923 A JPH04252923 A JP H04252923A
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JP939191A
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English (en)
Inventor
Maki Ito
真樹 伊藤
Nariyuki Sakura
成之 佐倉
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】[発明の目的]
【0002】
【産業上の利用分野】この発明は、温度特性を補償した
光検波回路に関する。
【0003】
【従来の技術】被検出光を受光し、受光した被検出光を
光電変換して電気信号を得る従来の光検波回路としては
、例えば図3に示すように構成されたものがある。
【0004】図3において、光検波回路は、同一のプロ
セスにより形成されて特性が同等の例えばホトダイオー
ドからなる1対の光検波器1,2を備えている。一方の
光検波器1は、逆バイアスされた状態で被検出光を受光
し、受光した被検出光に応じた光電流を生成する。他方
の光検波器2は、逆バイアスされた状態で外部からの光
が遮光されており、検波器自身の特性で決まる暗電流が
常時流れている。この光検波器2の暗電流は、両光検波
器1,2が同一のプロセスにより形成されているので、
光検波器1の暗電流とほぼ同程度となる。
【0005】光検波器1で得られる電流は、被検出光に
対応した光電流と暗電流との和となり、これらの電流が
増幅器3に与えられて電圧増幅される。一方、光検波器
2の暗電流は増幅器3と同等の増幅能力を有する増幅器
4に与えられて電圧増幅される。
【0006】それぞれの増幅器3,4の増幅出力信号は
、差動増幅器5に与えられて両者の差がとられる。すな
わち、光検波器1における光電流と暗電流の増幅信号か
ら光検波器2における暗電流の増幅信号が差し引かれる
ことになる。これにより、両光検波器1,2の暗電流及
び両増幅器3,4の増幅能力が同等であることから、光
検波器1の出力電流から暗電流を除いた被検出光のみに
対応した出力信号が差動増幅器5の出力として得られる
【0007】したがって、このような構成にあっては、
温度変化とともに変動する光検波器の暗電流を除去して
、被検出光のみに対応した正確な電気信号を得ることが
できるので、使用可能温度範囲の広い光検波回路を実現
している。
【0008】上記構成において、暗電流が小さい場合に
は、図4に示すように、被検出光がない場合の暗電流の
みの増幅出力となるバスアス値は基底レベルよりもわず
かに高く設定されて、光検出器1の最大出力が増幅器3
の飽和レベル以下となるように設定される。
【0009】しかしながら、動作温度の上昇により光検
波器1,2の暗電流が増大すると、光検波器1のバイア
ス値は、図5に示すように、図4に示した値に比して増
加することになる。このため、増幅器3の増幅出力信号
が、図5に示すように飽和レベルに達し、光検波器1の
出力電流を正確に増幅することができなくなり、被検出
光に対応した電気信号を得ることができなくなる。
【0010】このような不具合を招く光検波器の暗電流
は、温度上昇により等比級数的に増大するため、特に広
い温度範囲で使用する場合には、大きな障害となる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
従来の光検波回路にあっては、温度上昇による暗電流の
増加により被検出光を受光する光検波器の出力電流の増
幅出力が飽和してしまい、ダイナミックレンジが狭めら
れていた。また、温度上昇は暗電流を増大させて光検波
器における出力電流の正確な増幅出力を困難にさせるの
で、使用温度範囲が狭められて制約を受けるといった問
題を招いていた。
【0012】そこで、本発明は、上記に鑑みてなされた
ものであり、その目的とするところは、簡単な構成によ
り、ダイナミックレンジを狭めることなく、使用温度範
囲の広い光検波回路を提供することにある。
【0013】[発明の構成]
【0014】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、被検出光を受光し、受光した被検出光を
光電変換して光電流を得る第1の光検波手段と、前記第
1の光検波手段と同程度の暗電流を有する遮光された第
2の光検波手段とが、ともに逆バイアス状態となるよう
に高位電源と低位電源との間に直列接続されて、直列接
続点から光検波出力を得るように構成されてなる。
【0015】
【作用】上記構成において、本発明は、第1の光検波手
段の暗電流を第2の光検波手段の暗電流として第2の光
検波手段に流すことによって、第1の光検波手段の出力
電流から暗電流を除去した被検出光に対応した光電流の
みを光検波出力とするようにしている。
【0016】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。
【0017】図1は本発明に係る光検波回路の一実施例
における構成を示す図である。図1に示す実施例の光検
波回路は、暗電流に対する温度補償を施すようにしたも
のである。
【0018】図1において、光検波回路は、同一のプロ
セスにより形成することによって同等の暗電流特性を有
する1対の例えばホトダイオードからなる光検波器11
,12を備えている。
【0019】光検波器11は被検出光を受光し、受光し
た被検出光に対応した光電流を生成し、この光電流と検
波器自身の暗電流の和が出力される。
【0020】光検波器12は外部からの光が遮光されて
おり、検波器11と同程度の暗電流が常時流れている。
【0021】このような1対の光検波器11,12は、
高位電源と低位電源との間で逆バイアス状態となるよう
に直列接続されている。すなわち、光検波器11のカソ
ード端子は高位電圧源に接続され、アノード端子は光検
波器12のカソード端子に接続されており、光検波器1
2のアノード端子はグランドに接続されている。両光検
波器11,12の直列接続点13は増幅器14の入力端
に接続されている。
【0022】増幅器14は、両光検波器11,12の直
列接続点13から与えられる電流を電圧増幅し、増幅出
力信号を差動増幅器15に与える。
【0023】差動増幅器15は、増幅器14から与えら
れる増幅出力と基準電位とを比較し、増幅出力をデジタ
ル化して出力している。
【0024】このような構成において、被検出光が光検
波器11で受光されると、受光された被検出光に対応し
た光電流が光検波器11で生成される。この光電流は光
検波器11の暗電流とともに光検波器11の出力電流と
なる。すなわち、光検波器11の出力電流は、光電流と
暗電流の和となる。
【0025】このような出力電流のうち暗電流は、直列
接続点13に接続された光検波器12の暗電流として光
検波器12を流れることになる。これにより、光検波器
11の出力電流のうち被検出光に対応した光電流のみが
増幅器14の入力端に与えられることになる。したがっ
て、動作温度が上昇して、被検出光を受光する光検波器
11の暗電流が増大しても、これと同様にして遮光され
た光検波器12の暗電流も増大するため、動作温度が上
昇しても、光検波器11の暗電流はすべて光検波器12
を流れることになる。
【0026】しかるに、被検出光に対応して光検波器1
1で生成された光電流だけが増幅器14に与えられて増
幅される。これにより、増幅器14の増幅出力信号は、
図2に示すようになり、暗電流の大小に関係なくバイア
ス値の変動は抑えられ、増幅器14の増幅出力は飽和レ
ベルに達することはなくなる。
【0027】したがって、温度上昇等により暗電流が増
大しても、被検出光に対応した正確な電気信号が得られ
、ダイナミックレンジが狭められることはなくなり、か
つ使用温度範囲が広がることになる。
【0028】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
被検出光に対応して生成された光電流のみを次段以降の
処理に供するようにしたので、暗電流の大小に依存する
ことなく光検波出力を得ることができるようになる。こ
れにより、簡単な構成により、ダイナミックレンジを狭
めることなく、かつ使用温度範囲の広い光検波回路を提
供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る光検波回路の一実施例における構
成を示す図である。
【図2】図1に示す回路の動作波形を示す図である。
【図3】従来の光検波回路の一構成例を示す図である。
【図4】図3に示す回路の動作波形を示す図である。
【図5】図3における回路の動作波形を示す図である。
【符号の説明】
1,2,11,12  光検波器 3,4,14  増幅器 5,15  差動増幅器 13  直列接続点

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  被検出光を受光し、受光した被検出光
    を光電変換して光電流を得る第1の光検波手段と、前記
    第1の光検波手段と同程度の暗電流を有する遮光された
    第2の光検波手段とが、ともに逆バイアス状態となるよ
    うに高位電源と低位電源との間に直列接続されてなり、
    直列接続点から光検波出力を得ることを特徴とする光検
    波回路。
JP939191A 1991-01-29 1991-01-29 光検波回路 Pending JPH04252923A (ja)

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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007065243A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Sanyo Epson Imaging Devices Corp 表示装置
JP2007163628A (ja) * 2005-12-12 2007-06-28 Epson Imaging Devices Corp 表示装置
JP2007205902A (ja) * 2006-02-02 2007-08-16 Epson Imaging Devices Corp 光検知回路、電気光学装置および電子機器
JP2009163199A (ja) * 2007-12-13 2009-07-23 Toshiba Mobile Display Co Ltd 表示装置及び表示装置の制御方法
JP2010085396A (ja) * 2008-09-04 2010-04-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光検出装置
WO2011052330A1 (ja) * 2009-10-30 2011-05-05 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP2011123503A (ja) * 2005-12-01 2011-06-23 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JP2011199246A (ja) * 2010-03-23 2011-10-06 Samsung Mobile Display Co Ltd 光感知回路およびその駆動方法
JP2018529997A (ja) * 2015-09-18 2018-10-11 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh マイクロメカニカル素子、マイクロミラーに基づくレーザシステム、及び、マイクロミラーに基づくレーザシステムの監視方法
WO2019041814A1 (zh) * 2017-08-31 2019-03-07 京东方科技集团股份有限公司 测光模块、测光电路和电子设备
JP2023061660A (ja) * 2021-10-20 2023-05-02 シャープセミコンダクターイノベーション株式会社 撮像装置

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007065243A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Sanyo Epson Imaging Devices Corp 表示装置
US8379005B2 (en) 2005-08-31 2013-02-19 Sony Corporation Liquid crystal display device utilizing a photosensor
JP2011123503A (ja) * 2005-12-01 2011-06-23 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JP2007163628A (ja) * 2005-12-12 2007-06-28 Epson Imaging Devices Corp 表示装置
JP2007205902A (ja) * 2006-02-02 2007-08-16 Epson Imaging Devices Corp 光検知回路、電気光学装置および電子機器
JP2009163199A (ja) * 2007-12-13 2009-07-23 Toshiba Mobile Display Co Ltd 表示装置及び表示装置の制御方法
JP2010085396A (ja) * 2008-09-04 2010-04-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光検出装置
WO2011052330A1 (ja) * 2009-10-30 2011-05-05 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP2011199246A (ja) * 2010-03-23 2011-10-06 Samsung Mobile Display Co Ltd 光感知回路およびその駆動方法
JP2018529997A (ja) * 2015-09-18 2018-10-11 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh マイクロメカニカル素子、マイクロミラーに基づくレーザシステム、及び、マイクロミラーに基づくレーザシステムの監視方法
WO2019041814A1 (zh) * 2017-08-31 2019-03-07 京东方科技集团股份有限公司 测光模块、测光电路和电子设备
US10935422B2 (en) 2017-08-31 2021-03-02 Boe Technology Group Co., Ltd. Optical measurement module, optical measurement circuit, and electronic device
JP2023061660A (ja) * 2021-10-20 2023-05-02 シャープセミコンダクターイノベーション株式会社 撮像装置

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