JPH04254343A - 半導体装置の実装方法 - Google Patents
半導体装置の実装方法Info
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- JPH04254343A JPH04254343A JP3015189A JP1518991A JPH04254343A JP H04254343 A JPH04254343 A JP H04254343A JP 3015189 A JP3015189 A JP 3015189A JP 1518991 A JP1518991 A JP 1518991A JP H04254343 A JPH04254343 A JP H04254343A
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- resin
- electrode
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の実装方式であ
るＣＯＢ実装に関するものである。
るＣＯＢ実装に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】 近年、半導
体素子は益々大型化、多ピン化、狭ピッチ化の傾向にあ
り、これらの半導体素子を以下に高密度に実装するかが
最重要課題となっている。この高密度化を図る方法のひ
とつとしてＣＯＢ実装方式がある。
体素子は益々大型化、多ピン化、狭ピッチ化の傾向にあ
り、これらの半導体素子を以下に高密度に実装するかが
最重要課題となっている。この高密度化を図る方法のひ
とつとしてＣＯＢ実装方式がある。
【０００３】従来のＣＯＢ実装方式としては、例えばマ
イクロバンプボンディング方式（ＭＢＢ実装）がある。 従来のＭＢＢ実装方式を図３、図４とともに説明する。
イクロバンプボンディング方式（ＭＢＢ実装）がある。 従来のＭＢＢ実装方式を図３、図４とともに説明する。
【０００４】まず接続後の断面を図３（ａ）に示す。Ｍ
ＢＢ実装方式はＬＳＩ電極３０に金属突起３１（以下バ
ンプと呼ぶ。）を有したＬＳＩチップ３２、回路基板３
３、光硬化性絶縁樹脂３５の３つの要素から構成される
。ＬＳＩチップ３２は、光硬化性絶縁樹脂３５によりフ
ェースダウンで回路基板３３に固定され、ＬＳＩチップ
３２のバンプ３１と回路基板の電極３４は光硬化性絶縁
樹脂３５の収縮力により、圧接接合される。図３（ｂ）
に接続原理を示す。ＬＳＩチップ３２と回路基板３３間
のギャップｈは、バンプ３１の厚みで規制されるが、こ
の状態で光硬化性絶縁樹脂３５を硬化すると、Δｈの収
縮量をもった状態で収縮力Ｗが作用する。また、ＬＳＩ
チップ３２と光硬化性絶縁樹脂３５および回路基板３３
と光硬化性絶縁樹脂３５間は各々の密着力α、βが作用
しているためバンプ３１と回路基板の電極３４同士は圧
接・接続される。
ＢＢ実装方式はＬＳＩ電極３０に金属突起３１（以下バ
ンプと呼ぶ。）を有したＬＳＩチップ３２、回路基板３
３、光硬化性絶縁樹脂３５の３つの要素から構成される
。ＬＳＩチップ３２は、光硬化性絶縁樹脂３５によりフ
ェースダウンで回路基板３３に固定され、ＬＳＩチップ
３２のバンプ３１と回路基板の電極３４は光硬化性絶縁
樹脂３５の収縮力により、圧接接合される。図３（ｂ）
に接続原理を示す。ＬＳＩチップ３２と回路基板３３間
のギャップｈは、バンプ３１の厚みで規制されるが、こ
の状態で光硬化性絶縁樹脂３５を硬化すると、Δｈの収
縮量をもった状態で収縮力Ｗが作用する。また、ＬＳＩ
チップ３２と光硬化性絶縁樹脂３５および回路基板３３
と光硬化性絶縁樹脂３５間は各々の密着力α、βが作用
しているためバンプ３１と回路基板の電極３４同士は圧
接・接続される。
【０００５】図４はＭＢＢ実装方式のプロセスを示す。
まず回路基板３３上もしくはＬＳＩチップ３２側に光硬
化性絶縁樹脂３５をディスペンサなどで滴下する（ａ）
。ついで、ＬＳＩチップ３２のバンプ３１と回路基板の
電極３４とを位置合わせする（ｂ）。この位置合わせは
、回路基板３３がガラス板であればガラス板側から行い
、不透明基板であれば２個のカメラでＬＳＩチップ３２
面と回路基板３３面の両方のパターンを認識させ合体さ
せる。位置合わせが終わると、ＬＳＩチップ３２を加圧
する（ｃ）。この加圧により光硬化性絶縁樹脂３５はＬ
ＳＩチップ３２のバンプ３１と回路基板の電極３４の間
から排出され、バンプ３１と回路基板の電極３４は電気
的に接触する。次に紫外光ＵＶ光を照射して光硬化性絶
縁樹脂３５を硬化させる（ｄ）。このとき基板３３がガ
ラス等の透明なものであれば（ｅ）のごとく裏面からＵ
Ｖ光を照射してもよい。硬化が終了してから加圧治具３
６を取り去るとＬＳＩチップ３２と回路基板の電極３４
との接続が完了する（ｆ）。このように、ＬＳＩチップ
３２の回路基板３３への実装が完了する。
化性絶縁樹脂３５をディスペンサなどで滴下する（ａ）
。ついで、ＬＳＩチップ３２のバンプ３１と回路基板の
電極３４とを位置合わせする（ｂ）。この位置合わせは
、回路基板３３がガラス板であればガラス板側から行い
、不透明基板であれば２個のカメラでＬＳＩチップ３２
面と回路基板３３面の両方のパターンを認識させ合体さ
せる。位置合わせが終わると、ＬＳＩチップ３２を加圧
する（ｃ）。この加圧により光硬化性絶縁樹脂３５はＬ
ＳＩチップ３２のバンプ３１と回路基板の電極３４の間
から排出され、バンプ３１と回路基板の電極３４は電気
的に接触する。次に紫外光ＵＶ光を照射して光硬化性絶
縁樹脂３５を硬化させる（ｄ）。このとき基板３３がガ
ラス等の透明なものであれば（ｅ）のごとく裏面からＵ
Ｖ光を照射してもよい。硬化が終了してから加圧治具３
６を取り去るとＬＳＩチップ３２と回路基板の電極３４
との接続が完了する（ｆ）。このように、ＬＳＩチップ
３２の回路基板３３への実装が完了する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来例に
おいては以下のような問題点がある。
おいては以下のような問題点がある。
【０００７】回路基板３３とＬＳＩチップ３２とを加圧
接続するとき加圧治具３６と回路基板３３、ＬＳＩチッ
プ３２との間の平行度を保つのが難しくバンプ３１と回
路基板の電極３４との間に接続不良が起こりやすい。ま
た、光硬化性樹脂３５がＬＳＩチップ３２やまわりの雰
囲気の温度上昇により熱膨張し、そのためにバンプ３１
が回路基板の電極３４から離れ接続不良を起こすという
問題点を有していた。
接続するとき加圧治具３６と回路基板３３、ＬＳＩチッ
プ３２との間の平行度を保つのが難しくバンプ３１と回
路基板の電極３４との間に接続不良が起こりやすい。ま
た、光硬化性樹脂３５がＬＳＩチップ３２やまわりの雰
囲気の温度上昇により熱膨張し、そのためにバンプ３１
が回路基板の電極３４から離れ接続不良を起こすという
問題点を有していた。
【０００８】本発明は上記問題点に鑑み、バンプと回路
基板の電極とを接続不良無く接続する方法を提供するも
のである。
基板の電極とを接続不良無く接続する方法を提供するも
のである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁基板上に
半導体素子の電極に対応した位置に電極配線を形成し、
前記基板の電極配線部に光硬化性絶縁樹脂をを塗布し、
前記光硬化性絶縁樹脂上に前記電極配線以外の部分に熱
収縮性樹脂を載せ、前記熱収縮性樹脂上に更に光硬化性
樹脂を塗布した後、前記電極配線に対応した電極部に金
属突起を有する半導体導体素子の金属突起と前記電極配
線を位置合わせし、前記光硬化性樹脂を硬化させ前記基
板と半導体素子を接合した後、前記半導体素子を接合し
た基板を熱処理し、前記熱収縮性樹脂を収縮させ、前記
熱収縮性樹脂の収縮力により前記半導体素子の金属突起
と前記基板の電極配線をしっかりと接触させる方法を提
供する。前記熱収縮性樹脂には熱収縮性フィルムを用い
るのが望ましい。
半導体素子の電極に対応した位置に電極配線を形成し、
前記基板の電極配線部に光硬化性絶縁樹脂をを塗布し、
前記光硬化性絶縁樹脂上に前記電極配線以外の部分に熱
収縮性樹脂を載せ、前記熱収縮性樹脂上に更に光硬化性
樹脂を塗布した後、前記電極配線に対応した電極部に金
属突起を有する半導体導体素子の金属突起と前記電極配
線を位置合わせし、前記光硬化性樹脂を硬化させ前記基
板と半導体素子を接合した後、前記半導体素子を接合し
た基板を熱処理し、前記熱収縮性樹脂を収縮させ、前記
熱収縮性樹脂の収縮力により前記半導体素子の金属突起
と前記基板の電極配線をしっかりと接触させる方法を提
供する。前記熱収縮性樹脂には熱収縮性フィルムを用い
るのが望ましい。
【００１０】
【作用】本発明のごとく、絶縁性光硬化性樹脂の間に熱
収縮性フィルムを入れ、熱収縮性フィルムの収縮力によ
って電極配線とバンプを接触させることにより、電極配
線とバンプとを接続不良無く容易に接続することができ
る。
収縮性フィルムを入れ、熱収縮性フィルムの収縮力によ
って電極配線とバンプを接触させることにより、電極配
線とバンプとを接続不良無く容易に接続することができ
る。
【００１１】
【実施例】以下本発明の一実施例にかかる方法を図１、
図２とともに説明する。
図２とともに説明する。
【００１２】まず接続後の断面を図１（ａ）に示す。本
発明は、ＬＳＩ電極１にバンプ２を有したＬＳＩチップ
３、回路基板４、光硬化性等の絶縁樹脂６および熱収縮
性フィルム７の４つの要素から構成される。バンプ２は
、例えばＡｕを用い、回路基板の電極５は例えはＴｉ−
Ｐｄ−Ａｕの３層膜を用いる。ＬＳＩチップ３は、光硬
化性絶縁樹脂６によりフェースダウンで回路基板４に固
定され、ＬＳＩチップ３のバンプ２と回路基板の電極５
は光硬化性絶縁樹脂６の収縮力により、接触させられる
。この後、全体を熱処理する事により熱収縮性フィルム
７の収縮力によりＬＳＩチップ３のバンプ２と回路基板
の電極５は更にしっかりと接触させられる。このとき熱
硬化性フィルム７は回路基板の電極５やバンプ２の位置
まで広がらない量とする。図１（ｂ）に接続原理を示す
。ＬＳＩチップ３と回路基板４間のギャップｈは、バン
プ２の厚みで規制されるが、この状態で光硬化性絶縁樹
脂６を硬化すると、Δｈ１の収縮量をもった状態で収縮
力Ｗ１が作用する。また、ＬＳＩチップ３と光硬化性絶
縁樹脂６および回路基板４と光硬化性絶縁樹脂６間は各
々の密着力α、βが作用しているためバンプ２と回路基
板の電極５同士は圧接・接触させられる。次に熱処理を
行うことにより熱収縮性フィルム７が収縮し、更に△ｈ
２の収縮量をもった状態で収縮力Ｗ２が作用し、バンプ
２と回路基板の電極５同士を強く圧接する。この時、収
縮量△ｈ２のおよび収縮力Ｗ２は、光硬化性絶縁樹脂６
の熱膨張力−△ｈ３および膨張量−Ｗ３よりも大きなも
のを用いる。
発明は、ＬＳＩ電極１にバンプ２を有したＬＳＩチップ
３、回路基板４、光硬化性等の絶縁樹脂６および熱収縮
性フィルム７の４つの要素から構成される。バンプ２は
、例えばＡｕを用い、回路基板の電極５は例えはＴｉ−
Ｐｄ−Ａｕの３層膜を用いる。ＬＳＩチップ３は、光硬
化性絶縁樹脂６によりフェースダウンで回路基板４に固
定され、ＬＳＩチップ３のバンプ２と回路基板の電極５
は光硬化性絶縁樹脂６の収縮力により、接触させられる
。この後、全体を熱処理する事により熱収縮性フィルム
７の収縮力によりＬＳＩチップ３のバンプ２と回路基板
の電極５は更にしっかりと接触させられる。このとき熱
硬化性フィルム７は回路基板の電極５やバンプ２の位置
まで広がらない量とする。図１（ｂ）に接続原理を示す
。ＬＳＩチップ３と回路基板４間のギャップｈは、バン
プ２の厚みで規制されるが、この状態で光硬化性絶縁樹
脂６を硬化すると、Δｈ１の収縮量をもった状態で収縮
力Ｗ１が作用する。また、ＬＳＩチップ３と光硬化性絶
縁樹脂６および回路基板４と光硬化性絶縁樹脂６間は各
々の密着力α、βが作用しているためバンプ２と回路基
板の電極５同士は圧接・接触させられる。次に熱処理を
行うことにより熱収縮性フィルム７が収縮し、更に△ｈ
２の収縮量をもった状態で収縮力Ｗ２が作用し、バンプ
２と回路基板の電極５同士を強く圧接する。この時、収
縮量△ｈ２のおよび収縮力Ｗ２は、光硬化性絶縁樹脂６
の熱膨張力−△ｈ３および膨張量−Ｗ３よりも大きなも
のを用いる。
【００１３】図２は本発明における実装方式のプロセス
を示す。まず回路基板４に光硬化性絶縁樹脂６をディス
ペンサなどで滴下する（ａ）。ついで、熱収縮性フィル
ム７を回路基板４上の光硬化性樹脂６の上に載せ、さら
に、熱収縮性フィルム７上に光硬化性絶縁樹脂６を滴下
する。このとき熱収縮性フィルム７はバンプ２や回路基
板の電極５を覆わない量とする（ｂ）。ついで、ＬＳＩ
チップ３のバンプ２と回路基板の電極５とを位置合わせ
する（ｃ）。この位置合わせは、回路基板４がガラス板
であればガラス板側から行い、不透明基板であれば２個
のカメラでＬＳＩチップ３面と回路基板４面の両方のパ
ターンを認識させ合体させる。位置合わせが終わると、
ＬＳＩチップ３を加圧する。この加圧によりバンプ２と
回路基板の電極５は電気的にほぼ接触する。次に光硬化
性絶縁樹脂６を例えば（ｄ）のごとくＵＶ光を照射して
硬化させる。なお、基板４が透明の場合は、（ｅ）のご
とく裏面からＵＶ光を照射してもよい。硬化が終了して
から加圧治具８を取り去るとＬＳＩチップ３と回路基板
４との接続が完了する。このあとＬＳＩチップ３の接合
された回路基板４を熱処理し熱収縮性フィルム７を収縮
させ、さらにしっかりとＬＳＩチップ３のバンプ２と回
路基板の電極５とを接触させ、ＬＳＩチップ３の回路基
板４への実装が完了する（ｆ）。
を示す。まず回路基板４に光硬化性絶縁樹脂６をディス
ペンサなどで滴下する（ａ）。ついで、熱収縮性フィル
ム７を回路基板４上の光硬化性樹脂６の上に載せ、さら
に、熱収縮性フィルム７上に光硬化性絶縁樹脂６を滴下
する。このとき熱収縮性フィルム７はバンプ２や回路基
板の電極５を覆わない量とする（ｂ）。ついで、ＬＳＩ
チップ３のバンプ２と回路基板の電極５とを位置合わせ
する（ｃ）。この位置合わせは、回路基板４がガラス板
であればガラス板側から行い、不透明基板であれば２個
のカメラでＬＳＩチップ３面と回路基板４面の両方のパ
ターンを認識させ合体させる。位置合わせが終わると、
ＬＳＩチップ３を加圧する。この加圧によりバンプ２と
回路基板の電極５は電気的にほぼ接触する。次に光硬化
性絶縁樹脂６を例えば（ｄ）のごとくＵＶ光を照射して
硬化させる。なお、基板４が透明の場合は、（ｅ）のご
とく裏面からＵＶ光を照射してもよい。硬化が終了して
から加圧治具８を取り去るとＬＳＩチップ３と回路基板
４との接続が完了する。このあとＬＳＩチップ３の接合
された回路基板４を熱処理し熱収縮性フィルム７を収縮
させ、さらにしっかりとＬＳＩチップ３のバンプ２と回
路基板の電極５とを接触させ、ＬＳＩチップ３の回路基
板４への実装が完了する（ｆ）。
【００１４】その効果について従来例との比較を（表１
）に示す。
）に示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】以上の方法により、加圧治具７とＬＳＩチ
ップ３、および回路基板４との平行度の不十分さによる
バンプ２と回路基板の電極５との接続不良、および光硬
化性樹脂６がＬＳＩチップ３やまわりの雰囲気の温度上
昇により熱膨張し、そのためにバンプ３１が回路基板の
電極３４から離れ接続不良を起こすという問題を著しく
減少させることができる。
ップ３、および回路基板４との平行度の不十分さによる
バンプ２と回路基板の電極５との接続不良、および光硬
化性樹脂６がＬＳＩチップ３やまわりの雰囲気の温度上
昇により熱膨張し、そのためにバンプ３１が回路基板の
電極３４から離れ接続不良を起こすという問題を著しく
減少させることができる。
【００１７】
【発明の効果】以上のように本発明は、絶縁基板上に半
導体素子の電極に対応した位置に電極配線を形成し、前
記基板の電極配線部に光硬化性絶縁樹脂をを塗布し、前
記光硬化性絶縁樹脂上に前記電極配線以外の部分に熱収
縮性フィルムを載せ、前記熱収縮性フィルム上に更に光
硬化性樹脂を塗布した後、前記電極配線に対応した電極
部に金属突起を有する半導体導体素子の金属突起と前記
電極配線を位置合わせし、前記光硬化性樹脂を硬化させ
前記基板と半導体素子を接合した後、前記半導体素子を
接合した基板を熱処理し、前記熱収縮性フィルムを収縮
させ、前記熱収縮性フィルムの収縮力により前記半導体
素子の金属突起と前記基板の電極配線をしっかりと接触
させる方法を用いることにより、回路基板とＬＳＩチッ
プとを加圧接続するときの加圧治具と回路基板、ＬＳＩ
チップとの間の平行度の不十分さによるバンプと回路基
板の電極との間に接続不良や、光硬化性絶縁樹脂がＬＳ
Ｉチップやまわりの雰囲気の温度上昇により熱膨張し、
そのためにバンプが回路基板の電極から離れ接続不良を
起こすという問題点を著しく減少させることができ、半
導体装置の実装に十分寄与するものである。
導体素子の電極に対応した位置に電極配線を形成し、前
記基板の電極配線部に光硬化性絶縁樹脂をを塗布し、前
記光硬化性絶縁樹脂上に前記電極配線以外の部分に熱収
縮性フィルムを載せ、前記熱収縮性フィルム上に更に光
硬化性樹脂を塗布した後、前記電極配線に対応した電極
部に金属突起を有する半導体導体素子の金属突起と前記
電極配線を位置合わせし、前記光硬化性樹脂を硬化させ
前記基板と半導体素子を接合した後、前記半導体素子を
接合した基板を熱処理し、前記熱収縮性フィルムを収縮
させ、前記熱収縮性フィルムの収縮力により前記半導体
素子の金属突起と前記基板の電極配線をしっかりと接触
させる方法を用いることにより、回路基板とＬＳＩチッ
プとを加圧接続するときの加圧治具と回路基板、ＬＳＩ
チップとの間の平行度の不十分さによるバンプと回路基
板の電極との間に接続不良や、光硬化性絶縁樹脂がＬＳ
Ｉチップやまわりの雰囲気の温度上昇により熱膨張し、
そのためにバンプが回路基板の電極から離れ接続不良を
起こすという問題点を著しく減少させることができ、半
導体装置の実装に十分寄与するものである。
【図１】本発明の一実施例における半導体素子を基板に
実装したときの断面図、および接続原理図である。
実装したときの断面図、および接続原理図である。
【図２】同実施例における実装方式のプロセス工程断面
図である。
図である。
【図３】従来例において半導体素子を実装したときの断
面図、および接続原理図である。
面図、および接続原理図である。
【図４】従来例における実装方式のプロセス工程断面図
である。
である。
１ ＬＳＩ電極
２ バンプ
３ ＬＳＩチップ
４ 回路基板
５ 回路基板の電極
６ 光硬化性絶縁樹脂
７ 熱収縮性フィルム
８ 加圧治具
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁基板上に半導体素子の電極に対応
した位置に電極配線を形成し、前記基板の電極配線部に
光硬化性絶縁樹脂をを塗布し、前記光硬化性絶縁樹脂上
に前記電極配線以外の部分に熱収縮性樹脂を載せ、前記
熱収縮性樹脂上に更に光硬化性樹脂を塗布した後、前記
電極配線に対応した電極部に金属突起を有する半導体導
体素子の金属突起と前記電極配線を位置合わせし、前記
光硬化性樹脂を硬化させ前記基板と半導体素子を接合し
た後、前記半導体素子を接合した基板を熱処理し、前記
熱収縮性樹脂を収縮させ、前記熱収縮性樹脂の収縮力に
より前記半導体素子の金属突起と前記基板の電極配線と
を電気的に接触させることを特徴とする半導体装置の半
導体装置の実装方法。 - 【請求項２】 熱収縮性樹脂が熱収縮性フィルムであ
ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の実装方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3015189A JP2780499B2 (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | 半導体装置の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3015189A JP2780499B2 (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | 半導体装置の実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04254343A true JPH04254343A (ja) | 1992-09-09 |
| JP2780499B2 JP2780499B2 (ja) | 1998-07-30 |
Family
ID=11881901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3015189A Expired - Fee Related JP2780499B2 (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | 半導体装置の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2780499B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10270496A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Hitachi Ltd | 電子装置、情報処理装置、半導体装置並びに半導体チップの実装方法 |
| DE10232636A1 (de) * | 2002-07-18 | 2004-02-12 | Delo Industrieklebstoffe Gmbh & Co. Kg | Verfahren und Klebstoff zur Flip-Chip-Kontaktierung |
| US7257001B2 (en) * | 2004-04-23 | 2007-08-14 | Shmuel Erez | Device and method for fastener-free connection via a heat-shrinkable insert |
| CN112968109A (zh) * | 2020-11-27 | 2021-06-15 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种驱动背板及其制作方法 |
-
1991
- 1991-02-06 JP JP3015189A patent/JP2780499B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10270496A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Hitachi Ltd | 電子装置、情報処理装置、半導体装置並びに半導体チップの実装方法 |
| DE10232636A1 (de) * | 2002-07-18 | 2004-02-12 | Delo Industrieklebstoffe Gmbh & Co. Kg | Verfahren und Klebstoff zur Flip-Chip-Kontaktierung |
| US7257001B2 (en) * | 2004-04-23 | 2007-08-14 | Shmuel Erez | Device and method for fastener-free connection via a heat-shrinkable insert |
| CN112968109A (zh) * | 2020-11-27 | 2021-06-15 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种驱动背板及其制作方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2780499B2 (ja) | 1998-07-30 |
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