JPH02209741A - 半導体装置の実装方法 - Google Patents
半導体装置の実装方法Info
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- JPH02209741A JPH02209741A JP1030561A JP3056189A JPH02209741A JP H02209741 A JPH02209741 A JP H02209741A JP 1030561 A JP1030561 A JP 1030561A JP 3056189 A JP3056189 A JP 3056189A JP H02209741 A JPH02209741 A JP H02209741A
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Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体素子の基板上への実装方法に関する。
従来の技術
近年、半導体集積回路素子の高密度化に伴い、ポンディ
ングパッドの増加及びそのピッチの微小化に鑑み、同素
子を回路基板等に実装するに際し、信頼性が高く、素子
のりベアーが容易で、無加熱接続が可能で、プロセスも
簡便で低コストな方法として、マイクロボンディング方
式が提案された。
ングパッドの増加及びそのピッチの微小化に鑑み、同素
子を回路基板等に実装するに際し、信頼性が高く、素子
のりベアーが容易で、無加熱接続が可能で、プロセスも
簡便で低コストな方法として、マイクロボンディング方
式が提案された。
この方法は、電極にＡｕ等のバンプを有したＬＳＩチッ
プを光硬化性絶縁樹脂で回路基板に固着した状態で同樹
脂を硬化させ、人Ｕバンプと回路基板の配線を同樹脂の
収縮力で圧接させ電気的に接続するものである。そして
同時に、チップも同樹脂にて基板に固着される。
プを光硬化性絶縁樹脂で回路基板に固着した状態で同樹
脂を硬化させ、人Ｕバンプと回路基板の配線を同樹脂の
収縮力で圧接させ電気的に接続するものである。そして
同時に、チップも同樹脂にて基板に固着される。
まず、多数の半導体チップを隣接させて実装する従来の
マイクロボンディング方法を第２図、第３図にて説明す
る。
マイクロボンディング方法を第２図、第３図にて説明す
る。
第２図乙に示す様に、ガラス、エポキシ、アクリル等よ
りなる配線基板３１の導体配線３２３２人、３２Ｂを有
する面の後に半導体チップが搭載される領域に光硬化性
の接続樹脂３３を塗布する。導体配線３３は、ＩＴＯ，
０ｒ−Ａｕ等である。
りなる配線基板３１の導体配線３２３２人、３２Ｂを有
する面の後に半導体チップが搭載される領域に光硬化性
の接続樹脂３３を塗布する。導体配線３３は、ＩＴＯ，
０ｒ−Ａｕ等である。
接続樹脂３３は、アクリル、エポキシ、シリコーン等で
ある。接続樹脂３３の塗布の方法は、ディスペンス、印
刷等を用いる。
ある。接続樹脂３３の塗布の方法は、ディスペンス、印
刷等を用いる。
次に第２図すに示す様に、突起電極３５Ａを有した第１
の半導体チップ３４Ａを、突起電極３６人と導体配線３
２ムが一致する様に配線基板３１に設置し、加圧ツール
３６にて加圧する。
の半導体チップ３４Ａを、突起電極３６人と導体配線３
２ムが一致する様に配線基板３１に設置し、加圧ツール
３６にて加圧する。
半導体チップ３４Ａの加圧時に、導体配線３２人上にあ
った接続樹脂３３は周囲に押し出され、突起電極３６人
と導体配線３２Ａは電気的に接触する。また、第１の半
導体チップ３４Ａの周囲にはみ出した接続樹脂３３Ａは
、後で実装される隣接する半導体チップの搭載領域にま
で達する。
った接続樹脂３３は周囲に押し出され、突起電極３６人
と導体配線３２Ａは電気的に接触する。また、第１の半
導体チップ３４Ａの周囲にはみ出した接続樹脂３３Ａは
、後で実装される隣接する半導体チップの搭載領域にま
で達する。
次に、配線基板３１の半導体チップを設置しない面にマ
スク３７を設置する。これは、第１の半導体チップ３６
人の周囲にはみ出した接続樹脂３３Ａに、後に照射する
光があたらない様なしゃへい部としたものである。こう
したのち、たとえば紫外光３８を照射し、加圧ツール３
６で加圧しながら第１の半導体チップ３４人の接続樹脂
３３を硬化し、第１の半導体チップ３４人を配線基板３
１に固着するとともに第１の半導体チップ３４人の突起
電極３６Ａと導体配線３２人を電気的に接続する。この
時、第１の半導体チップ３４人の周囲にはみ出した接続
樹脂３３Ａは、マスク３７により光を遮閉される為、硬
化されない 次に第２図ｄに示す様に、第２の半導体チップ３４Ｂの
突起型１３５Ｂを、第１の半導体チップ３４人と同様な
方法で、接続樹脂３３′にて配線基板３１の導体配線３
２Ｂと接続する。このとき、さらに、隣接実装する第３
の半導体チップ（図示せず）の方向にはみ出した樹脂３
３ｉを硬化させないために遮閉マスク３７′を設置し、
こうした状態で樹脂３３′を紫外線３８にて光硬化させ
る。そして、この硬化時に、前記未硬化のはみ出した接
続樹脂３３Ａを硬化させる。以後、実装するチップの数
に応じて以上の工程をくり返す。
スク３７を設置する。これは、第１の半導体チップ３６
人の周囲にはみ出した接続樹脂３３Ａに、後に照射する
光があたらない様なしゃへい部としたものである。こう
したのち、たとえば紫外光３８を照射し、加圧ツール３
６で加圧しながら第１の半導体チップ３４人の接続樹脂
３３を硬化し、第１の半導体チップ３４人を配線基板３
１に固着するとともに第１の半導体チップ３４人の突起
電極３６Ａと導体配線３２人を電気的に接続する。この
時、第１の半導体チップ３４人の周囲にはみ出した接続
樹脂３３Ａは、マスク３７により光を遮閉される為、硬
化されない 次に第２図ｄに示す様に、第２の半導体チップ３４Ｂの
突起型１３５Ｂを、第１の半導体チップ３４人と同様な
方法で、接続樹脂３３′にて配線基板３１の導体配線３
２Ｂと接続する。このとき、さらに、隣接実装する第３
の半導体チップ（図示せず）の方向にはみ出した樹脂３
３ｉを硬化させないために遮閉マスク３７′を設置し、
こうした状態で樹脂３３′を紫外線３８にて光硬化させ
る。そして、この硬化時に、前記未硬化のはみ出した接
続樹脂３３Ａを硬化させる。以後、実装するチップの数
に応じて以上の工程をくり返す。
発明が解決しようとする課題
第２図の方法において、配線基板３１が厚くなると、紫
外光３８の一部ｌがマスク３７．３７’の端部をまわり
込んで、半導体チップ３４Ａ、３４Ｂの接続時に硬化し
てはならないチップの周囲にはみ出した樹脂３３Ａ、３
３Ａ’の一部が硬化される。
外光３８の一部ｌがマスク３７．３７’の端部をまわり
込んで、半導体チップ３４Ａ、３４Ｂの接続時に硬化し
てはならないチップの周囲にはみ出した樹脂３３Ａ、３
３Ａ’の一部が硬化される。
たとえば、第１の半導体チップ３４人の接続時に樹脂３
３Ａが硬化してしまうと、次の第２の半導体チップ３４
Ｂの実装時に、第３図に示すごとく、チップ３４Ｂの端
部が硬化している樹脂３３Ａの上に乗ることになり、チ
ップ３４Ｂがもち上がり配線３２Ｂと電１ｍ３６Ｂの接
続が不可能となる。
３Ａが硬化してしまうと、次の第２の半導体チップ３４
Ｂの実装時に、第３図に示すごとく、チップ３４Ｂの端
部が硬化している樹脂３３Ａの上に乗ることになり、チ
ップ３４Ｂがもち上がり配線３２Ｂと電１ｍ３６Ｂの接
続が不可能となる。
この状態は、完全な不良となる。
なお、紫外光のまわり込みを防ぐため、たとえば光遮閉
板となるマスク３７を大きくすると、半導体チップ３４
Ａの端部近傍直下の付近の接続樹脂３３の一部が硬化せ
ず、今度はチップ３４人の電極３６Ａと配線３２人との
接続不良が発生する。
板となるマスク３７を大きくすると、半導体チップ３４
Ａの端部近傍直下の付近の接続樹脂３３の一部が硬化せ
ず、今度はチップ３４人の電極３６Ａと配線３２人との
接続不良が発生する。
以上の問題は、半導体チップを間隔をつめて実装する高
密度実装になるほど顕著なものとなる。
密度実装になるほど顕著なものとなる。
本発明は、以上の問題点を解決するもので、多数の半導
体チップを、マイクロボンディング方式による実装方法
を用いて隣接実装するに際し接続不良の発生することの
ない実装を行うことを目的とする。
体チップを、マイクロボンディング方式による実装方法
を用いて隣接実装するに際し接続不良の発生することの
ない実装を行うことを目的とする。
課題を解決するだめの手段
本発明の方法の主要部は、透明配線基板に光硬化性の第
１の絶縁性樹脂を塗布しその上に第１の半導体素子を設
置して加圧し、第１の半導体素子の電極と配線基板の導
体配線を接触させ、この状態で、次に設置する第２の半
導体素子と隣接する第１の半導体素子側面にはみ出した
樹脂を残して、樹脂を光硬化させる。次に光硬化性の第
２の絶縁性樹脂を塗布してその上に第２の半導体素子を
設置し、第１および第２の半導体素子を同一の加圧治具
にて加圧し、この状態で第１の半導体素子の側面にはみ
出した第１の絶縁性樹脂部分及び第２の絶縁性樹脂を光
硬化させる方法である。
１の絶縁性樹脂を塗布しその上に第１の半導体素子を設
置して加圧し、第１の半導体素子の電極と配線基板の導
体配線を接触させ、この状態で、次に設置する第２の半
導体素子と隣接する第１の半導体素子側面にはみ出した
樹脂を残して、樹脂を光硬化させる。次に光硬化性の第
２の絶縁性樹脂を塗布してその上に第２の半導体素子を
設置し、第１および第２の半導体素子を同一の加圧治具
にて加圧し、この状態で第１の半導体素子の側面にはみ
出した第１の絶縁性樹脂部分及び第２の絶縁性樹脂を光
硬化させる方法である。
また１本発明は、以上の工程を半導体素子の実装する数
に対応してくり返し行う方法である。
に対応してくり返し行う方法である。
すなわち、本発明の方法は、導体配線を有した透明基板
の一方の主面の第１の半導体素子が固着される部分に光
硬化性の第１の絶縁性樹脂を塗布する工程、前記第１の
半導体素子を、前記第１の絶縁性樹脂が塗布された部分
に前記導体配線と前記第１の半導体素子の電極が一致す
るように設置する工程、前記第１の半導体素子を加圧し
、前記基板の他方の主面から前記第１の半導体素子の一
方の端部から前記他方の端部の電極を除く部分に位置す
る前記第１の絶縁性樹脂の一部に選択的に光を照射して
前記第１の絶縁性樹脂の一部を硬化させる工程、前記第
１の半導体素子の他方の端部に隣接して前記基板の一方
の主面上に光硬化性の第２の絶縁性樹脂を塗布し、第２
の半導体素子を前記第２の絶縁性樹脂が塗布された部分
に同素子の電極と前記基板上の導体配線を一致させて設
置する工程、前記第１及び第２の半導体素子を同一の加
圧治具により加圧し、前記基板の他方の主面から前記第
１の絶縁性樹脂の残りの部分及び前記第１と第２の半導
体素子の間及び前記第２の半導体素子の前記第１の半導
体素子と隣接する反対側の端部の電極を除く部分を前記
照射領域と一部重なるように選択的に光照射して、前記
第１の絶縁性樹脂の残りの部分及び前記第２の半導体素
子の前記反対側の端部を除く部分に位置する前記第２の
絶縁性樹脂を硬化させる工程を備えたものである。
の一方の主面の第１の半導体素子が固着される部分に光
硬化性の第１の絶縁性樹脂を塗布する工程、前記第１の
半導体素子を、前記第１の絶縁性樹脂が塗布された部分
に前記導体配線と前記第１の半導体素子の電極が一致す
るように設置する工程、前記第１の半導体素子を加圧し
、前記基板の他方の主面から前記第１の半導体素子の一
方の端部から前記他方の端部の電極を除く部分に位置す
る前記第１の絶縁性樹脂の一部に選択的に光を照射して
前記第１の絶縁性樹脂の一部を硬化させる工程、前記第
１の半導体素子の他方の端部に隣接して前記基板の一方
の主面上に光硬化性の第２の絶縁性樹脂を塗布し、第２
の半導体素子を前記第２の絶縁性樹脂が塗布された部分
に同素子の電極と前記基板上の導体配線を一致させて設
置する工程、前記第１及び第２の半導体素子を同一の加
圧治具により加圧し、前記基板の他方の主面から前記第
１の絶縁性樹脂の残りの部分及び前記第１と第２の半導
体素子の間及び前記第２の半導体素子の前記第１の半導
体素子と隣接する反対側の端部の電極を除く部分を前記
照射領域と一部重なるように選択的に光照射して、前記
第１の絶縁性樹脂の残りの部分及び前記第２の半導体素
子の前記反対側の端部を除く部分に位置する前記第２の
絶縁性樹脂を硬化させる工程を備えたものである。
また、第３の半導体素子の実装を考慮１．、第２の絶縁
性樹脂の硬化に際しては、同素子の次に設置する前記第
３の半導体素子と隣接する側面にはみ出した前記第２の
絶縁性樹脂部分を除いて前記光硬化を行う。このように
して、必要に応じて多数の半導体素子を順次基板上に実
装する。
性樹脂の硬化に際しては、同素子の次に設置する前記第
３の半導体素子と隣接する側面にはみ出した前記第２の
絶縁性樹脂部分を除いて前記光硬化を行う。このように
して、必要に応じて多数の半導体素子を順次基板上に実
装する。
作用
本発明によれば、第１の半導体素子を固着する最初の光
硬化時に、第１の半導体素子の側面近傍の第１の絶縁性
樹脂の硬化が生じる恐れはなく、かつ、第２の半導体素
子を設置した後の第２の光硬化の工程で、第１の半導体
素子の端部及び第１゜第２の半導体素子間及び第２の半
導体素子の端部近傍の絶縁性樹脂を確実に硬化させるこ
とが可能となる。したがって、第２の半導体素子の設置
時に５第１．第２の半導体素子間のはみ出した第１の絶
縁性樹脂が硬化していることがなく、第２の半導体素子
の電極と基板上の配線との接続不良は発生しない。また
、第１の半導体素子も、第１の絶縁性樹脂全体が最終的
に確実に硬化されるため接続不良となることもない。
硬化時に、第１の半導体素子の側面近傍の第１の絶縁性
樹脂の硬化が生じる恐れはなく、かつ、第２の半導体素
子を設置した後の第２の光硬化の工程で、第１の半導体
素子の端部及び第１゜第２の半導体素子間及び第２の半
導体素子の端部近傍の絶縁性樹脂を確実に硬化させるこ
とが可能となる。したがって、第２の半導体素子の設置
時に５第１．第２の半導体素子間のはみ出した第１の絶
縁性樹脂が硬化していることがなく、第２の半導体素子
の電極と基板上の配線との接続不良は発生しない。また
、第１の半導体素子も、第１の絶縁性樹脂全体が最終的
に確実に硬化されるため接続不良となることもない。
実施例
狭ギャップで半導体チップを実装する本発明の一実施例
を第１図とともに説明する。
を第１図とともに説明する。
まず第１図乙に示す様に、ガラスよりなる透明な配線基
板１の導体配線２人、２Ｂを有する面の第１の半導体チ
ップ固着領域に、接続樹脂３を塗布する。導体配線２人
、２Ｂは、Ａｕ 、ｉＴｏ 等であり、接続樹脂３はエ
ポキシ、アクリル、変性アクリル等の光硬化性樹脂を用
いる。次に第１図すに示す様に、Ａｕ突起電極（バンプ
）６を有した。第１の半導体チップ４人を、突起電極６
ムと導体配線２人を位置合わせした後に、樹脂３を介し
て配線基板１上に設置する。次に、半導体チップ２コ分
を加圧できる加圧ツール６にて、第２の半導体チップ４
人を加圧する。この時、導体配線２上にあった接続樹脂
３は周囲に押し広げられて樹脂３人となり、突起電極５
人と導体配線２人は電気的に接触する。次に、光ファイ
バー７より出射した紫外線８を第１の半導体チップ４ム
の約半分程度に照射し、接続樹脂３の約半分を硬化する
。
板１の導体配線２人、２Ｂを有する面の第１の半導体チ
ップ固着領域に、接続樹脂３を塗布する。導体配線２人
、２Ｂは、Ａｕ 、ｉＴｏ 等であり、接続樹脂３はエ
ポキシ、アクリル、変性アクリル等の光硬化性樹脂を用
いる。次に第１図すに示す様に、Ａｕ突起電極（バンプ
）６を有した。第１の半導体チップ４人を、突起電極６
ムと導体配線２人を位置合わせした後に、樹脂３を介し
て配線基板１上に設置する。次に、半導体チップ２コ分
を加圧できる加圧ツール６にて、第２の半導体チップ４
人を加圧する。この時、導体配線２上にあった接続樹脂
３は周囲に押し広げられて樹脂３人となり、突起電極５
人と導体配線２人は電気的に接触する。次に、光ファイ
バー７より出射した紫外線８を第１の半導体チップ４ム
の約半分程度に照射し、接続樹脂３の約半分を硬化する
。
つまり、第１図に示す線０の部分すなわち矢印Ｘより左
の部分を硬化させる紫外線８の照射領域（線Ｏの左側部
分）は、光ファイバー７の先端のレンズ７人のサイズに
より、制御する。紫外線８の主波長はたとえば３６６ｎ
ｍであり、照度はたとえば１ＱＯｏ〜２０００ｍＷ／ｃ
ｒＩ程度である。
の部分を硬化させる紫外線８の照射領域（線Ｏの左側部
分）は、光ファイバー７の先端のレンズ７人のサイズに
より、制御する。紫外線８の主波長はたとえば３６６ｎ
ｍであり、照度はたとえば１ＱＯｏ〜２０００ｍＷ／ｃ
ｒＩ程度である。
ツール６の加圧を解除する。この段階で第１の半導体チ
ップ４人の接続樹脂３が硬化した領域の突起電極５人と
導体配線２人は電気的に接続される。次に、第１図Ｃに
示す様に、樹脂３に隣接して同じ樹脂３′を塗布し、第
２の半導体チップ４Ｂを第１の半導体チップ４人と同様
に設置した後、加圧ツール６にて加圧する。第１の半導
体チップ４Ａと、第２の半導体チップ４Ｂの間隔は６〜
２０μｍの狭ギャップである。次に、紫外光８を光ファ
イバー７により、第１の半導体チップ４人の約半分の領
域とチップ間の樹脂３の未硬化部分及び第２の半導体チ
ップ４Ｂの約半分程度の領域に照射し、接続樹脂３およ
び３′を硬化する。この時、第１の半導体チップ４人へ
の光照射は、すでに硬化している領域へもオーバーラツ
プして照射する。Ｌはオーバーラツプ照射部である。つ
まり、第１図において線３Ｄ〜３Σまでの部分を硬化さ
せる。次に、加圧を解除する。この段階では、第１の半
導体チップ４人の全領域での電極６ムと配線２人の接続
と、第２の半導体チップ４Ｂの約半分の領域について、
電ｉ６Ｂと配線２Ｂの電気的な接続が完了する。このと
き、チップ４Ｂの他の半分及びはみ出した樹脂３人は未
硬化で残される。
ップ４人の接続樹脂３が硬化した領域の突起電極５人と
導体配線２人は電気的に接続される。次に、第１図Ｃに
示す様に、樹脂３に隣接して同じ樹脂３′を塗布し、第
２の半導体チップ４Ｂを第１の半導体チップ４人と同様
に設置した後、加圧ツール６にて加圧する。第１の半導
体チップ４Ａと、第２の半導体チップ４Ｂの間隔は６〜
２０μｍの狭ギャップである。次に、紫外光８を光ファ
イバー７により、第１の半導体チップ４人の約半分の領
域とチップ間の樹脂３の未硬化部分及び第２の半導体チ
ップ４Ｂの約半分程度の領域に照射し、接続樹脂３およ
び３′を硬化する。この時、第１の半導体チップ４人へ
の光照射は、すでに硬化している領域へもオーバーラツ
プして照射する。Ｌはオーバーラツプ照射部である。つ
まり、第１図において線３Ｄ〜３Σまでの部分を硬化さ
せる。次に、加圧を解除する。この段階では、第１の半
導体チップ４人の全領域での電極６ムと配線２人の接続
と、第２の半導体チップ４Ｂの約半分の領域について、
電ｉ６Ｂと配線２Ｂの電気的な接続が完了する。このと
き、チップ４Ｂの他の半分及びはみ出した樹脂３人は未
硬化で残される。
以上の工程を複数回くり返し、必要に応じて多数の半導
体チップを、小間隔で接続するものである。本発明によ
り、ＬＩＣＤプリンターヘッドの試作を行った。ＬＥｒ
）アレーチップの発光ドツトのピッチは、６３．６μｍ
で、Ｉ、ＥＤアレーチップ間のギャップは、１ｏμｍと
小さく、Ａ４サイズの基板上に、ＬＥＤアレーチップ４
Ａ、４Ｂ・・・・・・とじて６４個を１０μｍ間隔で搭
載したもので、良好な結果を得た。
体チップを、小間隔で接続するものである。本発明によ
り、ＬＩＣＤプリンターヘッドの試作を行った。ＬＥｒ
）アレーチップの発光ドツトのピッチは、６３．６μｍ
で、Ｉ、ＥＤアレーチップ間のギャップは、１ｏμｍと
小さく、Ａ４サイズの基板上に、ＬＥＤアレーチップ４
Ａ、４Ｂ・・・・・・とじて６４個を１０μｍ間隔で搭
載したもので、良好な結果を得た。
発明の効果
本発明によれば、接続樹脂の硬化の為の光照射を一つの
半導体チップで２回に分け、かつ照射領域をオーバーラ
ツプさせている事及び二つの半導体チップにまたがる領
域の光照射を同時に行う為、従来の様な接続不良が発生
せず、狭ギャップの素子実装を高歩留りで信頼性も高く
実現することができるものである。
半導体チップで２回に分け、かつ照射領域をオーバーラ
ツプさせている事及び二つの半導体チップにまたがる領
域の光照射を同時に行う為、従来の様な接続不良が発生
せず、狭ギャップの素子実装を高歩留りで信頼性も高く
実現することができるものである。
本発明を用いることにより、非常に狭い間隔で、半導体
チップの接続が可能な為ＬＥＤプリンターヘッド、イメ
ージセンサ等への適用に大きく貢献するものである。
チップの接続が可能な為ＬＥＤプリンターヘッド、イメ
ージセンサ等への適用に大きく貢献するものである。
第１図は本発明の一実施例の実装工程断面図、第２図、
第３図は従来の技術を示す断面図である。 １・・・・・・配線基板、２人、２Ｂ・・・・・・導体
配線、３゜３ Ａ 、 ３Ａ’・・・・・・接続樹脂、
４人、 ４Ｂ・・・・・・半導体チップ、５Ａ 、６Ｂ
・・・・・・突起電極、６・・・・・・加圧ツール ７
・・・・・・光ファイバー％８・・・・・・紫外光。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名派
第３図は従来の技術を示す断面図である。 １・・・・・・配線基板、２人、２Ｂ・・・・・・導体
配線、３゜３ Ａ 、 ３Ａ’・・・・・・接続樹脂、
４人、 ４Ｂ・・・・・・半導体チップ、５Ａ 、６Ｂ
・・・・・・突起電極、６・・・・・・加圧ツール ７
・・・・・・光ファイバー％８・・・・・・紫外光。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名派
Claims (2)
- （１）導体配線を有した透明基板の一方の主面の第１の
半導体素子が固着される部分に光硬化性の第１の絶縁性
樹脂を塗布する工程、前記第１の半導体素子を前記第１
の絶縁性樹脂が塗布された部分に前記導体配線と前記第
１の半導体素子の電極が一致する様に設置する工程、前
記第１の半導体素子を加圧し、前記基板の他方の主面か
ら前記第１の半導体素子の一方の端部から前記第１の半
導体素子の他方の端部の電極を除く部分に位置する前記
第１の絶縁性樹脂の一部に選択的に光を照射して前記第
２の絶縁性樹脂の一部を硬化させる工程、前記第１の半
導体素子の他方の端部に隣接して前記透明基板の一方の
主面上に光硬化性の第２の絶縁性樹脂を塗布し、第２の
半導体素子を、前記第２の絶縁性樹脂が塗布された部分
に同素子の電極と前記基板上の導体配線を一致させて設
置する工程、前記第１及び第２の半導体素子を同一の加
圧治具により加圧し、前記透明基板の他方の主面から前
記第１の絶縁性樹脂の残りの部分及び前記第１と第２の
半導体素子の間及び前記第２の半導体素子の前記第１の
半導体素子と隣接する反対側の端部の電極を除く部分を
前記照射領域と一部重なるように選択的に光照射して、
前記第２の絶縁性樹脂の残りの部分及び前記第２の半導
体素子の前記反対側の端部の電極を除く部分に位置する
第２の絶縁性樹脂を硬化させる工程を備えたことを特徴
とする半導体装置の実装方法。 - （２）第２の絶縁性樹脂の硬化に際し、第２の半導体素
子の次に設置する第３の半導体素子と隣接する側面には
み出した前記第２の絶縁性樹脂部分を除いて前記硬化を
行うことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
体装置の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1030561A JPH0671029B2 (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 半導体装置の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1030561A JPH0671029B2 (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 半導体装置の実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02209741A true JPH02209741A (ja) | 1990-08-21 |
| JPH0671029B2 JPH0671029B2 (ja) | 1994-09-07 |
Family
ID=12307226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1030561A Expired - Fee Related JPH0671029B2 (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 半導体装置の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0671029B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008544532A (ja) * | 2005-06-24 | 2008-12-04 | ミュールバウアー アーゲー | 集積回路の基板への永続的な接続のための方法および装置 |
| JP2015061008A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-30 | パナソニック株式会社 | ボンディング装置 |
-
1989
- 1989-02-09 JP JP1030561A patent/JPH0671029B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008544532A (ja) * | 2005-06-24 | 2008-12-04 | ミュールバウアー アーゲー | 集積回路の基板への永続的な接続のための方法および装置 |
| JP2015061008A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-30 | パナソニック株式会社 | ボンディング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0671029B2 (ja) | 1994-09-07 |
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|---|---|---|---|
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