JPH04254598A - ポ リ イ ミ ド 基 板 の 製 造 方 法 - Google Patents
ポ リ イ ミ ド 基 板 の 製 造 方 法Info
- Publication number
- JPH04254598A JPH04254598A JP3509191A JP3509191A JPH04254598A JP H04254598 A JPH04254598 A JP H04254598A JP 3509191 A JP3509191 A JP 3509191A JP 3509191 A JP3509191 A JP 3509191A JP H04254598 A JPH04254598 A JP H04254598A
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- JP
- Japan
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- substrate
- polyimide
- polyimide film
- manufacturing
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
- H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はポリイミドフィルムの片
面又は両面に導電性被膜を設けたポリイミド基板の製造
方法に関する。
面又は両面に導電性被膜を設けたポリイミド基板の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ポリイミドフィルムは優れた耐熱性を有
し、又機械的、電気的、化学的特性も良好であり、電気
機器等の絶縁材料としてよく用いられている。フレキシ
ブルプリント回路（ＦＰＣ）、テープ自動ボンディング
（ＴＡＢ）テープ等はこのポリイミドフィルム表面に導
電性被膜を形成されたポリイミド基板を用いて形成され
る。
し、又機械的、電気的、化学的特性も良好であり、電気
機器等の絶縁材料としてよく用いられている。フレキシ
ブルプリント回路（ＦＰＣ）、テープ自動ボンディング
（ＴＡＢ）テープ等はこのポリイミドフィルム表面に導
電性被膜を形成されたポリイミド基板を用いて形成され
る。
【０００３】ところで、このポリイミド基板（以下基板
と略す。）をメッキ法により作成すると、ポリイミドフ
ィルム表面を活性化する際に生じる変質層が２００℃以
上の高温下での導電性とポリイミドフィルムとの密着強
度を著しく低下させる。この欠点を解消させる方法とし
て、メッキ法で作成した基板を３５０℃以上で熱処理し
、前記変質層を改質することにより高温時の密着強度を
改良する方法が提案されている。しかし、この方法で基
板を処理すると、該基板に大きなそり（１００／Ｒの絶
対値が４以上）を生じ、ＦＰＣやＴＡＢテープ製造工程
でレジストを均一に塗付できないといった問題を生じる
。
と略す。）をメッキ法により作成すると、ポリイミドフ
ィルム表面を活性化する際に生じる変質層が２００℃以
上の高温下での導電性とポリイミドフィルムとの密着強
度を著しく低下させる。この欠点を解消させる方法とし
て、メッキ法で作成した基板を３５０℃以上で熱処理し
、前記変質層を改質することにより高温時の密着強度を
改良する方法が提案されている。しかし、この方法で基
板を処理すると、該基板に大きなそり（１００／Ｒの絶
対値が４以上）を生じ、ＦＰＣやＴＡＢテープ製造工程
でレジストを均一に塗付できないといった問題を生じる
。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、２０
０℃以上の高温処理にたえ、はんだ付け等の熱衝撃に耐
えうる高温密着強度を有し、且つそりが１００／Ｒの絶
対値が４未満の基板の製造方法の提供にある。
０℃以上の高温処理にたえ、はんだ付け等の熱衝撃に耐
えうる高温密着強度を有し、且つそりが１００／Ｒの絶
対値が４未満の基板の製造方法の提供にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決する本
発明の方法は、ポリイミドフィルム表面に無電解メッキ
を施し、さらに必要に応じ、引続き電解メッキを施して
得たポリイミド基板を不活性雰囲気中、又は真空中で３
５０℃以上に加熱して高温密着強度の大きいポリイミド
基板を得る方法において、熱処理時の昇温速度と冷却速
度とを１０℃／分以下とするものである。
発明の方法は、ポリイミドフィルム表面に無電解メッキ
を施し、さらに必要に応じ、引続き電解メッキを施して
得たポリイミド基板を不活性雰囲気中、又は真空中で３
５０℃以上に加熱して高温密着強度の大きいポリイミド
基板を得る方法において、熱処理時の昇温速度と冷却速
度とを１０℃／分以下とするものである。
【０００６】
【作用】本発明者らは、種々検討した結果、３５０℃以
上で、ポリイミドフィルムが収縮すると共にクリープが
大きくなることを見出した。さらに種々の検討の結果、
基板の反りの大きさが昇温速度や冷却速度に大きく依存
していることを見出した。本発明において昇温速度と冷
却速度とを１０℃／分以下とするのは、ポリイミドフィ
ルムの収縮を導電性被膜の張力によるクリープにより相
殺させるためである。以下図を用いて本発明を説明する
。
上で、ポリイミドフィルムが収縮すると共にクリープが
大きくなることを見出した。さらに種々の検討の結果、
基板の反りの大きさが昇温速度や冷却速度に大きく依存
していることを見出した。本発明において昇温速度と冷
却速度とを１０℃／分以下とするのは、ポリイミドフィ
ルムの収縮を導電性被膜の張力によるクリープにより相
殺させるためである。以下図を用いて本発明を説明する
。
【０００７】本発明において、そりは以下のように評価
される。図１は曲率半径Ｒの求めかたを示した図である
。基板を水平板上に置き、基板と水平板との接点をＯと
し、Ｏよりｌ（ｍｍ）の距離の点Ｐと水平板との成す垂
直距離をｈ（ｍｍ）とし、曲率半径をＲ（ｍｍ）とし、
円弧ＯＰを見込む角度をθとした時、Ｒｃｏｓθ＝Ｒ−
ｈ ■Ｒｓｉｎθ＝ｌ
■の関係がある。そして、両式より となる。そして、■式に従い求めたＲを用いて１００／
Ｒ（ｍｍ−１）を求め、この値をもってそりの大きさを
評価する。なお、便宜的にポリイミドフィルムが内側に
カールした場合にｈを正とし、外側にカールした場合に
ｈを負としている。
される。図１は曲率半径Ｒの求めかたを示した図である
。基板を水平板上に置き、基板と水平板との接点をＯと
し、Ｏよりｌ（ｍｍ）の距離の点Ｐと水平板との成す垂
直距離をｈ（ｍｍ）とし、曲率半径をＲ（ｍｍ）とし、
円弧ＯＰを見込む角度をθとした時、Ｒｃｏｓθ＝Ｒ−
ｈ ■Ｒｓｉｎθ＝ｌ
■の関係がある。そして、両式より となる。そして、■式に従い求めたＲを用いて１００／
Ｒ（ｍｍ−１）を求め、この値をもってそりの大きさを
評価する。なお、便宜的にポリイミドフィルムが内側に
カールした場合にｈを正とし、外側にカールした場合に
ｈを負としている。
【０００８】
【図１】
【０００９】図２は熱処理後の基板のそりの大きさと昇
温、冷却速度との関係を示したものであり、Ａはポリイ
ミドフィルムとしてＫａｐｔｏｎ２００Ｈ（東レ・デュ
ポン社製）を用いて作成した基板の関係を示したもので
あり、ＢはＮＰＩ５０（鐘淵化学社製）を用いて作成し
た基板の関係を示したものである。なお、図２は昇温速
度と冷却速度とを同一にして得た関係図である。
温、冷却速度との関係を示したものであり、Ａはポリイ
ミドフィルムとしてＫａｐｔｏｎ２００Ｈ（東レ・デュ
ポン社製）を用いて作成した基板の関係を示したもので
あり、ＢはＮＰＩ５０（鐘淵化学社製）を用いて作成し
た基板の関係を示したものである。なお、図２は昇温速
度と冷却速度とを同一にして得た関係図である。
【００１０】
【図２】
【００１１】図２より、昇温速度と冷却速度とを１０℃
／分以下にすれば基板のそりを小さくし、１００／Ｒの
絶対値を４未満にすることができることがわかる。以下
実施例を用いてさらに本発明を説明する。
／分以下にすれば基板のそりを小さくし、１００／Ｒの
絶対値を４未満にすることができることがわかる。以下
実施例を用いてさらに本発明を説明する。
【００１２】
【実施例】幅３０ｍｍ、長さ５０ｍｍ、厚さ５０μｍの
東レ・デュポン社製のＫａｐｔｏｎ２００Ｈ型ポリイミ
ドフィルムと鐘淵化学社製ＮＰＩ５０型ポリイミドフィ
ルムとのそれぞれの片面にメッキ法で銅被覆膜を形成し
、銅ポリイミド基板を作成した。その後、それぞれの基
板を表１に示した条件で電気炉を用いて加熱処理をした
。
東レ・デュポン社製のＫａｐｔｏｎ２００Ｈ型ポリイミ
ドフィルムと鐘淵化学社製ＮＰＩ５０型ポリイミドフィ
ルムとのそれぞれの片面にメッキ法で銅被覆膜を形成し
、銅ポリイミド基板を作成した。その後、それぞれの基
板を表１に示した条件で電気炉を用いて加熱処理をした
。
【００１３】
【表１】
【００１４】次いで、得られた基板のそりを測定し、１
０ｍｍ×１００ｍｍの銅被覆膜層を残してエッチングに
より銅被覆膜を除去し、残った銅被覆膜を基板に対して
垂直方向に引き剥がし、密着強度を求めた。得られた結
果を表１に併せ示した。
０ｍｍ×１００ｍｍの銅被覆膜層を残してエッチングに
より銅被覆膜を除去し、残った銅被覆膜を基板に対して
垂直方向に引き剥がし、密着強度を求めた。得られた結
果を表１に併せ示した。
【００１５】表１より、本発明の方法に従った時のみ１
００／Ｒが４未満と小さく、且つ１．０Ｋｇ／ｃｍ以上
という実用可能な密着強度が得られることがわかる。
００／Ｒが４未満と小さく、且つ１．０Ｋｇ／ｃｍ以上
という実用可能な密着強度が得られることがわかる。
【００１６】
【発明の効果】本発明の方法によれば、容易にそりが小
さく、且つ密着強度に優れた基板を得ることが可能であ
り、得られた基板はレジストを均一に塗付できるため高
信頼性のＦＰＣやＴＡＢを製造するのに最適である。
さく、且つ密着強度に優れた基板を得ることが可能であ
り、得られた基板はレジストを均一に塗付できるため高
信頼性のＦＰＣやＴＡＢを製造するのに最適である。
【図１】 曲率半径Ｒを求める方法を示した図で
ある。
ある。
【図２】 熱処理後の基板のそりの大きさと昇温
、冷却速度との関係を示した図である。
、冷却速度との関係を示した図である。
Claims (1)
- 【請求項】 ポリイミドフィルム表面に無電解メ
ッキを施し、さらに必要に応じ、引続き電解メッキを施
して得たポリイミド基板を不活性雰囲気中、又は真空中
で３５０℃以上で加熱処理して高温密着強度の大きいポ
リイミド基板を得る方法において、熱処理時の昇温速度
と冷却速度とを１０℃／分以下とすることを特徴とする
ポリイミド基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3509191A JPH04254598A (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | ポ リ イ ミ ド 基 板 の 製 造 方 法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3509191A JPH04254598A (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | ポ リ イ ミ ド 基 板 の 製 造 方 法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04254598A true JPH04254598A (ja) | 1992-09-09 |
Family
ID=12432289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3509191A Pending JPH04254598A (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | ポ リ イ ミ ド 基 板 の 製 造 方 法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04254598A (ja) |
-
1991
- 1991-02-06 JP JP3509191A patent/JPH04254598A/ja active Pending
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