JPH04254887A - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents
有機ｅｌ表示装置Info
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- JPH04254887A JPH04254887A JP3036746A JP3674691A JPH04254887A JP H04254887 A JPH04254887 A JP H04254887A JP 3036746 A JP3036746 A JP 3036746A JP 3674691 A JP3674691 A JP 3674691A JP H04254887 A JPH04254887 A JP H04254887A
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- JP
- Japan
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- transparent electrode
- electrode
- voltage
- layer
- transparent
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80517—Multilayers, e.g. transparent multilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電界の印加によって発
光するＥＬ層を備えたＥＬ表示装置に関する。
光するＥＬ層を備えたＥＬ表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ディスプレイ等の表示装置におい
ては、装置の薄型化を図るために、熱や電圧を加えると
分子配列が変わって光透過性が変化する性質を有した液
晶（ＬＣＤ）を備える液晶テレビが普及している。また
、電圧や電流を加えることにより、高輝度発光を行うＥ
Ｌ発光素子を備えたＥＬ表示装置も開発されつつある。 ところで、このようなＥＬ発光素子をＥＬ層の材質によ
って分類すると、無機と有機とに分けられる。有機化合
物におけるＥＬは、強い蛍光を有するアントラセン等の
単結晶において、キャリア注入によるＥＬ発光現象の発
見から研究が始まり、薄膜型素子への展開がなされてき
た。
ては、装置の薄型化を図るために、熱や電圧を加えると
分子配列が変わって光透過性が変化する性質を有した液
晶（ＬＣＤ）を備える液晶テレビが普及している。また
、電圧や電流を加えることにより、高輝度発光を行うＥ
Ｌ発光素子を備えたＥＬ表示装置も開発されつつある。 ところで、このようなＥＬ発光素子をＥＬ層の材質によ
って分類すると、無機と有機とに分けられる。有機化合
物におけるＥＬは、強い蛍光を有するアントラセン等の
単結晶において、キャリア注入によるＥＬ発光現象の発
見から研究が始まり、薄膜型素子への展開がなされてき
た。
【０００３】そして最近では、ホール輸送層及び電子輸
送層を発光層と電極との間に挿入した積層型有機薄膜Ｅ
Ｌ素子により、１００００ｃｄ／ｍ２ 以上の高輝度発
光及び駆動電圧１０Ｖ以下での作動が報告されている。 図４は、このような有機薄膜ＥＬ素子を用いたＥＬ表示
装置の構造を示すもので、ガラス基板１の上面には、Ｓ
ｎＯ２ やＩＴＯ等からなる薄膜状の透明電極２，２，
…がストライプ状に形成されている。これら透明電極２
を含んだガラス基板１の上面には、正孔輸送層３ａ及び
有機物ＥＬ層３ｂからなるＥＬ発光素子３が形成されて
いる。ＥＬ発光素子３の上面には、対向電極４，４，…
がストライプ状に且つ上記の各透明電極２とクロスする
ように形成されている。そして、各透明電極２と各対向
電極４とのクロスする部分が画素とされ、そのクロスす
る部分に電圧が印加されると、その部分のＥＬ発光素子
３が発光する。なお、図示しないが、透明電極と対向電
極との間に有機ＥＬ層（蛍光層）及び電子輸送層が積層
された構造や正孔輸送層、有機ＥＬ層、電子輸送層が積
層された構造のものも考えられている。
送層を発光層と電極との間に挿入した積層型有機薄膜Ｅ
Ｌ素子により、１００００ｃｄ／ｍ２ 以上の高輝度発
光及び駆動電圧１０Ｖ以下での作動が報告されている。 図４は、このような有機薄膜ＥＬ素子を用いたＥＬ表示
装置の構造を示すもので、ガラス基板１の上面には、Ｓ
ｎＯ２ やＩＴＯ等からなる薄膜状の透明電極２，２，
…がストライプ状に形成されている。これら透明電極２
を含んだガラス基板１の上面には、正孔輸送層３ａ及び
有機物ＥＬ層３ｂからなるＥＬ発光素子３が形成されて
いる。ＥＬ発光素子３の上面には、対向電極４，４，…
がストライプ状に且つ上記の各透明電極２とクロスする
ように形成されている。そして、各透明電極２と各対向
電極４とのクロスする部分が画素とされ、そのクロスす
る部分に電圧が印加されると、その部分のＥＬ発光素子
３が発光する。なお、図示しないが、透明電極と対向電
極との間に有機ＥＬ層（蛍光層）及び電子輸送層が積層
された構造や正孔輸送層、有機ＥＬ層、電子輸送層が積
層された構造のものも考えられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のＡＣ
形エレクトロルミネセンス素子、液晶表示素子、プラズ
マディスプレイ素子にあっては、上述したＥＬ発光素子
と同様に透明電極を介して駆動電圧が供給されるように
なっている。ところが、これらの素子はＥＬ発光素子に
比べて駆動すべき電流密度を小さくした場合でも十分駆
動可能である。このため、これらの素子を駆動するため
の透明電極による電圧降下が小さくなり、特にＸ−Ｙマ
トリクス形の表示パネルにおける輝度ムラも小さい。し
たがって、このようなＸ−Ｙマトリクス形にあっては、
定電圧駆動で十分である。
形エレクトロルミネセンス素子、液晶表示素子、プラズ
マディスプレイ素子にあっては、上述したＥＬ発光素子
と同様に透明電極を介して駆動電圧が供給されるように
なっている。ところが、これらの素子はＥＬ発光素子に
比べて駆動すべき電流密度を小さくした場合でも十分駆
動可能である。このため、これらの素子を駆動するため
の透明電極による電圧降下が小さくなり、特にＸ−Ｙマ
トリクス形の表示パネルにおける輝度ムラも小さい。し
たがって、このようなＸ−Ｙマトリクス形にあっては、
定電圧駆動で十分である。
【０００５】これに対し、有機ＥＬ素子にあっては、上
記のＡＣ形エレクトロルミネセンス素子、液晶表示素子
、プラズマディスプレイ素子に比べ、必要な電流密度は
一桁大きい値とされている。また、印加電圧にあっては
、１０数ボルトの小さい値とされている。このため、定
電圧駆動による場合、透明電極の有する抵抗のために、
駆動電圧の供給端から遠い位置にある画素にあっては近
い位置にある画素に対して電圧降下が大きくなる。 したがって、その電圧降下により輝度ムラが発生してし
まう。
記のＡＣ形エレクトロルミネセンス素子、液晶表示素子
、プラズマディスプレイ素子に比べ、必要な電流密度は
一桁大きい値とされている。また、印加電圧にあっては
、１０数ボルトの小さい値とされている。このため、定
電圧駆動による場合、透明電極の有する抵抗のために、
駆動電圧の供給端から遠い位置にある画素にあっては近
い位置にある画素に対して電圧降下が大きくなる。 したがって、その電圧降下により輝度ムラが発生してし
まう。
【０００６】また、上述したようなＥＬ表示装置にあっ
ては、たとえば図４に示すように、ガラス基板１の上面
に形成されている各透明電極２の断面が矩形状とされて
いる。更に、これら透明電極２を含んだガラス基板１の
上面に形成されているＥＬ発光素子３における発光に寄
与する領域は、２種の有機層３ａ，３ｂの界面から数百
オングストロームの高さまでとされている。つまり、こ
れ以上の厚みを持たせても、ＥＬ発光素子３は抵抗とし
て作用するため、発光効率が低下してしまう。したがっ
て、ＥＬ発光素子３を形成する場合には、できる限り薄
くすることが望ましい。
ては、たとえば図４に示すように、ガラス基板１の上面
に形成されている各透明電極２の断面が矩形状とされて
いる。更に、これら透明電極２を含んだガラス基板１の
上面に形成されているＥＬ発光素子３における発光に寄
与する領域は、２種の有機層３ａ，３ｂの界面から数百
オングストロームの高さまでとされている。つまり、こ
れ以上の厚みを持たせても、ＥＬ発光素子３は抵抗とし
て作用するため、発光効率が低下してしまう。したがっ
て、ＥＬ発光素子３を形成する場合には、できる限り薄
くすることが望ましい。
【０００７】このように、発光効率を向上させるために
は、透明電極を薄くして段差をなくし、且つＥＬ発光素
子を薄くすることが望ましく、一方輝度ムラを防止する
ためには、透明電極を厚くして抵抗を小さくすることが
望ましい。しかし、透明電極を薄くすると、輝度ムラが
発生し、透明電極を厚くするとその段差によりＥＬ層が
破損し、ショートしやすいといった問題が生ずる。
は、透明電極を薄くして段差をなくし、且つＥＬ発光素
子を薄くすることが望ましく、一方輝度ムラを防止する
ためには、透明電極を厚くして抵抗を小さくすることが
望ましい。しかし、透明電極を薄くすると、輝度ムラが
発生し、透明電極を厚くするとその段差によりＥＬ層が
破損し、ショートしやすいといった問題が生ずる。
【０００８】本発明は、このような事情に対処して成さ
れたもので、歩留まりの向上、信頼性の向上及び高性能
化を図ることのできるＥＬ表示装置を提供することを目
的とする。
れたもので、歩留まりの向上、信頼性の向上及び高性能
化を図ることのできるＥＬ表示装置を提供することを目
的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
ガラス基板の上面に金属層及び透明電極層からなる透明
電極がストライプ状に形成され、これら透明電極を含む
前記ガラス基板の上面にＥＬ発光素子が形成され、この
ＥＬ発光素子の上面にストライプ状に且つ前記透明電極
とクロスさせて対向電極が形成されてなることを特徴と
する。請求項２記載の発明は、ガラス基板の上面に透明
電極がストライプ状に形成され、これら透明電極を含む
前記ガラス基板の上面にＥＬ発光素子が形成され、この
ＥＬ発光素子の上面にストライプ状に且つ前記透明電極
とクロスさせて対向電極が形成されてなるＥＬ表示装置
において、前記透明電極と対向電極とのクロスする部分
の画素に駆動電圧を供給する駆動電圧供給手段と、前記
駆動電圧を供給する際に、前記透明電極の電圧降下分を
考慮し前記駆動電圧の供給端から近い位置にある画素に
対して遠い位置にある画素への供給電圧を高めにし、前
記透明電極と対向電極とのクロスする部分の全ての画素
への駆動電圧が一定となるように制御する駆動電圧制御
手段とを具備したことを特徴とする。
ガラス基板の上面に金属層及び透明電極層からなる透明
電極がストライプ状に形成され、これら透明電極を含む
前記ガラス基板の上面にＥＬ発光素子が形成され、この
ＥＬ発光素子の上面にストライプ状に且つ前記透明電極
とクロスさせて対向電極が形成されてなることを特徴と
する。請求項２記載の発明は、ガラス基板の上面に透明
電極がストライプ状に形成され、これら透明電極を含む
前記ガラス基板の上面にＥＬ発光素子が形成され、この
ＥＬ発光素子の上面にストライプ状に且つ前記透明電極
とクロスさせて対向電極が形成されてなるＥＬ表示装置
において、前記透明電極と対向電極とのクロスする部分
の画素に駆動電圧を供給する駆動電圧供給手段と、前記
駆動電圧を供給する際に、前記透明電極の電圧降下分を
考慮し前記駆動電圧の供給端から近い位置にある画素に
対して遠い位置にある画素への供給電圧を高めにし、前
記透明電極と対向電極とのクロスする部分の全ての画素
への駆動電圧が一定となるように制御する駆動電圧制御
手段とを具備したことを特徴とする。
【００１０】
【作用】請求項１記載の発明では、ガラス基板の上面に
金属層及び透明電極層からなる透明電極をストライプ状
に形成し、これら透明電極を含むガラス基板の上面にＥ
Ｌ発光素子を形成し、このＥＬ発光素子の上面にストラ
イプ状に且つ透明電極とクロスさせて対向電極を形成し
た。したがって、透明電極を構成する金属層を透明電極
層に比べて低抵抗とすることにより、透明電極自体を低
抵抗とすることができる。その結果、透明電極自体を従
来の透明電極に比べて更に薄くすることができる。請求
項２記載の発明では、駆動電圧制御手段が透明電極の電
圧降下分を考慮し駆動電圧の供給端から近い位置にある
画素に対して遠い位置にある画素への供給電圧を高めに
し、透明電極と対向電極とのクロスする部分の全ての画
素への駆動電圧を一定とするように制御する。これによ
り、透明電極と対向電極とのクロスする部分の全ての画
素の輝度が一定とされる。
金属層及び透明電極層からなる透明電極をストライプ状
に形成し、これら透明電極を含むガラス基板の上面にＥ
Ｌ発光素子を形成し、このＥＬ発光素子の上面にストラ
イプ状に且つ透明電極とクロスさせて対向電極を形成し
た。したがって、透明電極を構成する金属層を透明電極
層に比べて低抵抗とすることにより、透明電極自体を低
抵抗とすることができる。その結果、透明電極自体を従
来の透明電極に比べて更に薄くすることができる。請求
項２記載の発明では、駆動電圧制御手段が透明電極の電
圧降下分を考慮し駆動電圧の供給端から近い位置にある
画素に対して遠い位置にある画素への供給電圧を高めに
し、透明電極と対向電極とのクロスする部分の全ての画
素への駆動電圧を一定とするように制御する。これによ
り、透明電極と対向電極とのクロスする部分の全ての画
素の輝度が一定とされる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例の詳細を図面に基づい
て説明する。なお、以下に説明する図において、図４と
共通する部分には同一符号を付し重複する説明を省略す
る。図１は、本発明のＥＬ表示装置の一実施例を示すも
ので、ガラス基板１の上面には、複数の透明電極２Ａが
ストライプ状に形成されている。ここで、各透明電極２
Ａは、Ａｌ等の金属層２ａとＩＴＯ等からなる薄膜状の
透明電極層２ｂとからなる。またここで、金属層２ａの
厚みは５０オングストローム〜２００オングストローム
とされ、透明電極層２ｂの厚みは１００オングストロー
ム〜９００オングストロームとされている。
て説明する。なお、以下に説明する図において、図４と
共通する部分には同一符号を付し重複する説明を省略す
る。図１は、本発明のＥＬ表示装置の一実施例を示すも
ので、ガラス基板１の上面には、複数の透明電極２Ａが
ストライプ状に形成されている。ここで、各透明電極２
Ａは、Ａｌ等の金属層２ａとＩＴＯ等からなる薄膜状の
透明電極層２ｂとからなる。またここで、金属層２ａの
厚みは５０オングストローム〜２００オングストローム
とされ、透明電極層２ｂの厚みは１００オングストロー
ム〜９００オングストロームとされている。
【００１２】透明電極２Ａを含んだガラス基板１の上面
には、正孔輸送層３ａ及び有機物ＥＬ層３ｂからなるＥ
Ｌ発光素子３が形成されている。ＥＬ発光素子３の上面
には、対向電極４，４，…がストライプ状に且つ上記の
各透明電極２Ａとクロスするように形成されている。こ
のような構成のＥＬ表示装置は、次のようにして製造さ
れる。まず、ガラス基板１の上面に蒸着又はスパッタリ
ング等によって、Ａｌ等の金属層２ａやＩＴＯ等の薄膜
状の透明電極２ｂを順次形成し、エッチングによりスト
ライプ状の電極パターンを形成する。
には、正孔輸送層３ａ及び有機物ＥＬ層３ｂからなるＥ
Ｌ発光素子３が形成されている。ＥＬ発光素子３の上面
には、対向電極４，４，…がストライプ状に且つ上記の
各透明電極２Ａとクロスするように形成されている。こ
のような構成のＥＬ表示装置は、次のようにして製造さ
れる。まず、ガラス基板１の上面に蒸着又はスパッタリ
ング等によって、Ａｌ等の金属層２ａやＩＴＯ等の薄膜
状の透明電極２ｂを順次形成し、エッチングによりスト
ライプ状の電極パターンを形成する。
【００１３】このときの各層の厚みは、上述したように
、それぞれ５０オングストローム〜２００オングストロ
ーム，１００オングストローム〜９００オングストロー
ムの範囲内とする。次いで、正孔輸送層３ａ及び有機物
ＥＬ層３ｂを順に積層させてＥＬ発光素子３を形成した
後、エッチング等によりＥＬ発光素子３の上面に各対向
電極４をストライプ状に且つ各透明電極２Ａとクロスす
るように形成する。
、それぞれ５０オングストローム〜２００オングストロ
ーム，１００オングストローム〜９００オングストロー
ムの範囲内とする。次いで、正孔輸送層３ａ及び有機物
ＥＬ層３ｂを順に積層させてＥＬ発光素子３を形成した
後、エッチング等によりＥＬ発光素子３の上面に各対向
電極４をストライプ状に且つ各透明電極２Ａとクロスす
るように形成する。
【００１４】ここで、金属層２ａの厚みをたとえば１０
０オングストロームとした場合、その面積抵抗率は３Ω
／ｃｍ２ であり、５０％程度の可視光の透過率を有す
る。このような特性を有する金属層２ａと透明電極層２
ｂとを組み合わせて透明電極２Ａを形成することにより
、透明電極層２ｂの厚みを薄くした場合であっても、低
抵抗の透明電極２Ａを形成することができる。なお、金
属層２ａ上の透明電極層２ｂは、ＥＬ発光素子３の有機
物ＥＬ層３ｂへの電流注入効率を上げるための必須要素
とされている。また、透明電極２Ａの金属層２ａの材質
としては、抵抗率が１×１０−５Ω・ｃｍ以下であり、
ガラス基板１との密着性のよいものであればよく、単体
の金属に限らず合金であってもよい。したがって、たと
えばＡｌからなる金属層２ａは、その厚みを増すことに
よって更に低抵抗化を図ることは可能ではあるが、これ
に反して光透過率が低下してしまうため、５０オングス
トローム〜２００オングストロームの範囲内に収めるこ
とが好ましい。また、透明電極層２ｂの厚みは従来の透
明電極の厚み１０００オングストロームよりも薄くする
ことが目的であるために、上限を９００オングストロー
ムとし下限を１００オングストロームとする。つまり、
下限の１００オングストロームを下回った場合には、均
一な膜が形成されず、断片的に形成されてしまう可能性
が強いためである。
０オングストロームとした場合、その面積抵抗率は３Ω
／ｃｍ２ であり、５０％程度の可視光の透過率を有す
る。このような特性を有する金属層２ａと透明電極層２
ｂとを組み合わせて透明電極２Ａを形成することにより
、透明電極層２ｂの厚みを薄くした場合であっても、低
抵抗の透明電極２Ａを形成することができる。なお、金
属層２ａ上の透明電極層２ｂは、ＥＬ発光素子３の有機
物ＥＬ層３ｂへの電流注入効率を上げるための必須要素
とされている。また、透明電極２Ａの金属層２ａの材質
としては、抵抗率が１×１０−５Ω・ｃｍ以下であり、
ガラス基板１との密着性のよいものであればよく、単体
の金属に限らず合金であってもよい。したがって、たと
えばＡｌからなる金属層２ａは、その厚みを増すことに
よって更に低抵抗化を図ることは可能ではあるが、これ
に反して光透過率が低下してしまうため、５０オングス
トローム〜２００オングストロームの範囲内に収めるこ
とが好ましい。また、透明電極層２ｂの厚みは従来の透
明電極の厚み１０００オングストロームよりも薄くする
ことが目的であるために、上限を９００オングストロー
ムとし下限を１００オングストロームとする。つまり、
下限の１００オングストロームを下回った場合には、均
一な膜が形成されず、断片的に形成されてしまう可能性
が強いためである。
【００１５】次に、このような金属層２ａと透明電極層
２ｂとからなる透明電極２Ａによる輝度ムラについて考
察する。まず、ある程度の明るさを得るためには、１０
００ｃｄ／ｍ２ 以上の輝度が必要とされ、従来のＥＬ
表示装置にあっては、このときの駆動電圧が約９Ｖであ
り、透明電極の単位面積当り流れる電流が３０ｍＡであ
った。そこで、図２に示すように、表示パネルの一辺を
Ｌとし、透明電極２Ａの幅をｄ、その面積抵抗率をρｓ
とする。また、対向電極４の幅をｄとするとともに、
その面積抵抗率は透明電極２Ａのものに比べて非常に小
さいために無視する。また、透明電極２Ａの電圧供給端
Ａからの距離が略φにある画素■と略Ｌの距離にある画
素■とを駆動する場合を考える。そして、画素■を駆動
させる場合、その部分に直列に付加される抵抗成分は、
略φの距離に比例したものであり、これによりＡ−Ｂａ
間に９Ｖを印加することにより、１０００ｃｄの輝度
が得られる。
２ｂとからなる透明電極２Ａによる輝度ムラについて考
察する。まず、ある程度の明るさを得るためには、１０
００ｃｄ／ｍ２ 以上の輝度が必要とされ、従来のＥＬ
表示装置にあっては、このときの駆動電圧が約９Ｖであ
り、透明電極の単位面積当り流れる電流が３０ｍＡであ
った。そこで、図２に示すように、表示パネルの一辺を
Ｌとし、透明電極２Ａの幅をｄ、その面積抵抗率をρｓ
とする。また、対向電極４の幅をｄとするとともに、
その面積抵抗率は透明電極２Ａのものに比べて非常に小
さいために無視する。また、透明電極２Ａの電圧供給端
Ａからの距離が略φにある画素■と略Ｌの距離にある画
素■とを駆動する場合を考える。そして、画素■を駆動
させる場合、その部分に直列に付加される抵抗成分は、
略φの距離に比例したものであり、これによりＡ−Ｂａ
間に９Ｖを印加することにより、１０００ｃｄの輝度
が得られる。
【００１６】一方、画素■にあっては、その部分に直列
に（Ｌ／ｄ）・ρｓ の抵抗が付加されると考えられる
。 ここで、たとえばＬ＝２００ｍｍ、ｄ＝０．５ｍｍ、ρ
ｓ ＝３０Ω／ｃｍ２ とすると、（Ｌ／ｄ）・ρｓ
＝１２ＫΩとなる。画素■の面積は、０．５×０．５ｍ
ｍ＝１／４００ｍｍとなるため、３０ｍＡ／ｃｍ２ の
電流密度を得るためには、０．０７５ｍＡの電流を透明
電極２Ａの電圧供給端Ａから供給する。このとき、透明
電極２Ａによる電圧降下は、０．０７５ｍＡ×１２Ｋ＝
０．９Ｖとなる。つまり、画素■では画素■に比較して
１０％大きい駆動電圧が必要となるため、画素■と同様
に１０００ｃｄ／ｍ２の輝度を得るためには、９．９Ｖ
の印加電圧が必要とされる。
に（Ｌ／ｄ）・ρｓ の抵抗が付加されると考えられる
。 ここで、たとえばＬ＝２００ｍｍ、ｄ＝０．５ｍｍ、ρ
ｓ ＝３０Ω／ｃｍ２ とすると、（Ｌ／ｄ）・ρｓ
＝１２ＫΩとなる。画素■の面積は、０．５×０．５ｍ
ｍ＝１／４００ｍｍとなるため、３０ｍＡ／ｃｍ２ の
電流密度を得るためには、０．０７５ｍＡの電流を透明
電極２Ａの電圧供給端Ａから供給する。このとき、透明
電極２Ａによる電圧降下は、０．０７５ｍＡ×１２Ｋ＝
０．９Ｖとなる。つまり、画素■では画素■に比較して
１０％大きい駆動電圧が必要となるため、画素■と同様
に１０００ｃｄ／ｍ２の輝度を得るためには、９．９Ｖ
の印加電圧が必要とされる。
【００１７】また、画素■と同じ９Ｖで駆動した場合は
、電流は１０数ｍＡ程度しか流れないため、そのときの
輝度は目標の約１／２の５００ｃｄ／ｍ２ 程度しか得
られず、低コストの駆動方式である定電圧駆動では、パ
ネル面に輝度ムラが生じてしまう。一方、従来からある
無機材料ＥＬ、プラズマディスプレイ等は、駆動に必要
な電圧が１００〜百数十ボルトと高いものの、必要とさ
れる電流密度は数ｍＡ／ｍ２ であり、有機ＥＬよりも
はるかに小さい。ここで、上記と同様な計算を行った場
合、３ｍＡ／ｍ２ の電流密度を仮定し、画素■での印
加電圧を１００Ｖとすると、画素■での必要電圧は１０
０Ｖ＋１２ＫΩ×（１／４００ｃｍ２ ）×３ｍＡ／ｃ
ｍ２ ＝１００．０９Ｖとなり、電圧の増分は僅か１％
である。したがって、これらの素子では透明電極の低抵
抗化に対する要求はそれほど大きくはなかった。
、電流は１０数ｍＡ程度しか流れないため、そのときの
輝度は目標の約１／２の５００ｃｄ／ｍ２ 程度しか得
られず、低コストの駆動方式である定電圧駆動では、パ
ネル面に輝度ムラが生じてしまう。一方、従来からある
無機材料ＥＬ、プラズマディスプレイ等は、駆動に必要
な電圧が１００〜百数十ボルトと高いものの、必要とさ
れる電流密度は数ｍＡ／ｍ２ であり、有機ＥＬよりも
はるかに小さい。ここで、上記と同様な計算を行った場
合、３ｍＡ／ｍ２ の電流密度を仮定し、画素■での印
加電圧を１００Ｖとすると、画素■での必要電圧は１０
０Ｖ＋１２ＫΩ×（１／４００ｃｍ２ ）×３ｍＡ／ｃ
ｍ２ ＝１００．０９Ｖとなり、電圧の増分は僅か１％
である。したがって、これらの素子では透明電極の低抵
抗化に対する要求はそれほど大きくはなかった。
【００１８】図３は、本発明のＥＬ表示装置における駆
動回路の構成を示すものである。同図に示すように、駆
動回路には、透明電極層２ｂに対応するコモン電極Ｃ１
〜Ｃｎ 及び対向電極４に対応するライン電極Ｌ１ 〜
Ｌｎ が備えられている。コモン電極Ｃ１ 〜Ｃｎ に
は、スイッチＳＩ１〜ＳＩｎを介してコントローラ５ａ
、定電圧供給回路Ｅ０ 及び可変電圧供給回路Ｅｃ が
接続されている。ライン電極Ｌ１ 〜Ｌｎ には、スイ
ッチＳＭ１〜ＳＭｎを介してコントローラ５ｂ、可変電
圧供給回路Ｅｃ及び定電圧供給回路Ｅ０ が接続されて
いる。そして、各スイッチＳＩ１〜ＳＩｎ及びスイッチ
ＳＭ１〜ＳＭｎのオン／オフ動作は、それぞれコントロ
ーラ５ａ及びコントローラ５ｂによって制御されている
。また、各スイッチＳＩ１〜ＳＩｎ及びスイッチＳＭ１
〜ＳＭｎを介して供給される駆動電圧は、定電圧供給回
路Ｅ０ からの供給電圧に加え、コントローラ５ｂによ
ってコントロールされる可変電圧供給回路Ｅｃ からの
可変電圧が供給されるようになっている。
動回路の構成を示すものである。同図に示すように、駆
動回路には、透明電極層２ｂに対応するコモン電極Ｃ１
〜Ｃｎ 及び対向電極４に対応するライン電極Ｌ１ 〜
Ｌｎ が備えられている。コモン電極Ｃ１ 〜Ｃｎ に
は、スイッチＳＩ１〜ＳＩｎを介してコントローラ５ａ
、定電圧供給回路Ｅ０ 及び可変電圧供給回路Ｅｃ が
接続されている。ライン電極Ｌ１ 〜Ｌｎ には、スイ
ッチＳＭ１〜ＳＭｎを介してコントローラ５ｂ、可変電
圧供給回路Ｅｃ及び定電圧供給回路Ｅ０ が接続されて
いる。そして、各スイッチＳＩ１〜ＳＩｎ及びスイッチ
ＳＭ１〜ＳＭｎのオン／オフ動作は、それぞれコントロ
ーラ５ａ及びコントローラ５ｂによって制御されている
。また、各スイッチＳＩ１〜ＳＩｎ及びスイッチＳＭ１
〜ＳＭｎを介して供給される駆動電圧は、定電圧供給回
路Ｅ０ からの供給電圧に加え、コントローラ５ｂによ
ってコントロールされる可変電圧供給回路Ｅｃ からの
可変電圧が供給されるようになっている。
【００１９】このような構成の駆動回路は、つぎのよう
な動作を行う。まず、コントローラ５ｂによってスイッ
チＳＭ１がオンとされると、ライン電極Ｌ１ 上の画素
が駆動可能状態とされ、コントローラ５ａによりその画
素を駆動すべきスイッチＳＩ１〜ＳＩｎのいずれかがオ
ンとされることにより、ライン電極Ｌ１とコモン電極Ｃ
１ 〜Ｃｎ との交差点にある画素が発光する。続いて
、スイッチＳＭ１がオフとされた後、スイッチＳＭ２が
オンとされると、ライン電極Ｌ２ 上の画素が駆動可能
状態とされ、コントローラ５ａによりその画素を駆動す
べきスイッチＳＩ１〜ＳＩｎのいずれかがオンとされる
ことにより、ライン電極Ｌ２ とコモン電極Ｃ１ 〜Ｃ
ｎとの交差点にある画素が発光する。このような制御が
順にスイッチＳＭｎまで行われることにより、１画面分
の表示が完了する。そして、新たにスイッチＳＭ１から
スイッチＳＭｎまで上記同様の制御が繰り返されること
により、画面は継続して表示される。なお、通常の飛び
越し走査による場合には、ライン電極Ｌ１ 上の画素が
駆動可能状態とされた後、ライン電極Ｌ３ ，Ｌ５ ，
Ｌ７ …上の画素が駆動可能状態とされる。これが完了
すると、ライン電極Ｌ２ ，Ｌ４ ，Ｌ６ …上の画素
が駆動可能状態とされる。
な動作を行う。まず、コントローラ５ｂによってスイッ
チＳＭ１がオンとされると、ライン電極Ｌ１ 上の画素
が駆動可能状態とされ、コントローラ５ａによりその画
素を駆動すべきスイッチＳＩ１〜ＳＩｎのいずれかがオ
ンとされることにより、ライン電極Ｌ１とコモン電極Ｃ
１ 〜Ｃｎ との交差点にある画素が発光する。続いて
、スイッチＳＭ１がオフとされた後、スイッチＳＭ２が
オンとされると、ライン電極Ｌ２ 上の画素が駆動可能
状態とされ、コントローラ５ａによりその画素を駆動す
べきスイッチＳＩ１〜ＳＩｎのいずれかがオンとされる
ことにより、ライン電極Ｌ２ とコモン電極Ｃ１ 〜Ｃ
ｎとの交差点にある画素が発光する。このような制御が
順にスイッチＳＭｎまで行われることにより、１画面分
の表示が完了する。そして、新たにスイッチＳＭ１から
スイッチＳＭｎまで上記同様の制御が繰り返されること
により、画面は継続して表示される。なお、通常の飛び
越し走査による場合には、ライン電極Ｌ１ 上の画素が
駆動可能状態とされた後、ライン電極Ｌ３ ，Ｌ５ ，
Ｌ７ …上の画素が駆動可能状態とされる。これが完了
すると、ライン電極Ｌ２ ，Ｌ４ ，Ｌ６ …上の画素
が駆動可能状態とされる。
【００２０】このとき、コントローラ５ｂにより、ライ
ン電極Ｌ１ とコモン電極Ｃ１ 〜Ｃｎとの交差点にあ
る画素を発光させる場合には、透明電極の電圧供給端か
らの距離Ｓ１ に相当する透明電極２Ａの電圧降下分を
考慮して駆動されるべき画素への電圧供給が行われる。 つまり、電圧供給端から近い位置にある画素に対して遠
い位置にある画素への供給電圧が高めとされ、各ライン
電極Ｌ１ 〜Ｌｎ 上の画素への駆動電圧が一定となる
ように制御される。これにより、ライン電極Ｌ１ 〜Ｌ
ｎ とコモン電極Ｃ１ 〜Ｃｎ との交差点にある全て
の画素の輝度が一定となる。
ン電極Ｌ１ とコモン電極Ｃ１ 〜Ｃｎとの交差点にあ
る画素を発光させる場合には、透明電極の電圧供給端か
らの距離Ｓ１ に相当する透明電極２Ａの電圧降下分を
考慮して駆動されるべき画素への電圧供給が行われる。 つまり、電圧供給端から近い位置にある画素に対して遠
い位置にある画素への供給電圧が高めとされ、各ライン
電極Ｌ１ 〜Ｌｎ 上の画素への駆動電圧が一定となる
ように制御される。これにより、ライン電極Ｌ１ 〜Ｌ
ｎ とコモン電極Ｃ１ 〜Ｃｎ との交差点にある全て
の画素の輝度が一定となる。
【００２１】このように、本実施例においては、ガラス
基板の上面に金属層及び透明電極層からなる透明電極を
ストライプ状に形成し、これら透明電極を含むガラス基
板の上面にＥＬ発光素子を形成し、このＥＬ発光素子の
上面にストライプ状に且つ透明電極とクロスさせて対向
電極を形成した。したがって、透明電極を構成する金属
層を透明電極層に比べて低抵抗とすることにより、透明
電極自体を低抵抗とすることができる。その結果、透明
電極自体を従来の透明電極に比べて更に薄くすることが
できる。また、本実施例では、透明電極による電圧降下
分を考慮し駆動電圧の供給端から近い位置にある画素に
対して遠い位置にある画素への供給電圧を高めにし、透
明電極と対向電極とのクロスする部分の全ての画素への
駆動電圧を一定とするように制御したので、透明電極と
対向電極とのクロスする部分の全ての画素の輝度が一定
とされる。
基板の上面に金属層及び透明電極層からなる透明電極を
ストライプ状に形成し、これら透明電極を含むガラス基
板の上面にＥＬ発光素子を形成し、このＥＬ発光素子の
上面にストライプ状に且つ透明電極とクロスさせて対向
電極を形成した。したがって、透明電極を構成する金属
層を透明電極層に比べて低抵抗とすることにより、透明
電極自体を低抵抗とすることができる。その結果、透明
電極自体を従来の透明電極に比べて更に薄くすることが
できる。また、本実施例では、透明電極による電圧降下
分を考慮し駆動電圧の供給端から近い位置にある画素に
対して遠い位置にある画素への供給電圧を高めにし、透
明電極と対向電極とのクロスする部分の全ての画素への
駆動電圧を一定とするように制御したので、透明電極と
対向電極とのクロスする部分の全ての画素の輝度が一定
とされる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＥＬ表示
装置によれば、透明電極自体を従来の透明電極に比べて
更に薄くすることができ、これにより従来問題となって
いた透明電極と対向電極とのショートが回避されるので
、製品不良が少なくなり、歩留まりを向上させることが
できるとともに、信頼性を向上させることもできる。 また、透明電極の電圧降下分を考慮し駆動電圧の供給端
から近い位置にある画素に対して遠い位置にある画素へ
の供給電圧を高めにし、透明電極と対向電極とのクロス
する部分の全ての画素への駆動電圧を一定とした制御を
行うようにしたので、透明電極と対向電極とのクロスす
る部分の全ての画素の輝度が一定とされるため、性能の
向上を図ることができる。
装置によれば、透明電極自体を従来の透明電極に比べて
更に薄くすることができ、これにより従来問題となって
いた透明電極と対向電極とのショートが回避されるので
、製品不良が少なくなり、歩留まりを向上させることが
できるとともに、信頼性を向上させることもできる。 また、透明電極の電圧降下分を考慮し駆動電圧の供給端
から近い位置にある画素に対して遠い位置にある画素へ
の供給電圧を高めにし、透明電極と対向電極とのクロス
する部分の全ての画素への駆動電圧を一定とした制御を
行うようにしたので、透明電極と対向電極とのクロスす
る部分の全ての画素の輝度が一定とされるため、性能の
向上を図ることができる。
【図１】本発明のＥＬ表示装置の一実施例に係る表示部
を示すための断面図である。
を示すための断面図である。
【図２】図１の表示部の透明電極による電圧降下を説明
するための図である。
するための図である。
【図３】図１の表示部を駆動させるための駆動回路を示
す図である。
す図である。
【図４】従来のＥＬ表示装置を示す斜視図である。
１ ガラス基板
２ａ 金属層
２ｂ，２Ａ 透明電極層
３ａ 正孔輸送層
３ｂ 有機物ＥＬ層
４ 対向電極
５ａ，５ｂ コントローラ
Claims (3)
- 【請求項１】 ガラス基板の上面に金属層及び透明電
極層からなる透明電極がストライプ状に形成され、これ
ら透明電極を含む前記ガラス基板の上面にＥＬ発光素子
が形成され、このＥＬ発光素子の上面にストライプ状に
且つ前記透明電極とクロスさせて対向電極が形成されて
なることを特徴とするＥＬ表示装置。 - 【請求項２】ガラス基板の上面に透明電極がストライプ
状に形成され、これら透明電極を含む前記ガラス基板の
上面にＥＬ発光素子が形成され、このＥＬ発光素子の上
面にストライプ状に且つ前記透明電極とクロスさせて対
向電極が形成されてなるＥＬ表示装置において、前記透
明電極と対向電極とのクロスする部分の画素に駆動電圧
を供給する駆動電圧供給手段と、前記駆動電圧を供給す
る際に、前記透明電極の電圧降下分を考慮し前記駆動電
圧の供給端から近い位置にある画素に対して遠い位置に
ある画素への供給電圧を高めにし、前記透明電極と対向
電極とのクロスする部分の全ての画素への駆動電圧が一
定となるように制御する駆動電圧制御手段とを具備した
ことを特徴とするＥＬ表示装置。 - 【請求項３】前記透明電極が金属層及び透明電極層から
なることを特徴とするＥＬ表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3036746A JPH04254887A (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | 有機ｅｌ表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3036746A JPH04254887A (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | 有機ｅｌ表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04254887A true JPH04254887A (ja) | 1992-09-10 |
Family
ID=12478297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3036746A Pending JPH04254887A (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | 有機ｅｌ表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04254887A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997046054A1 (en) * | 1996-05-29 | 1997-12-04 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic el device |
| US6456003B1 (en) | 1999-01-28 | 2002-09-24 | Nec Corporation | Organic electroluminescent devices and panels |
| US6501217B2 (en) | 1998-02-02 | 2002-12-31 | International Business Machines Corporation | Anode modification for organic light emitting diodes |
| JP2004111398A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Samsung Nec Mobile Display Co Ltd | 光学共振効果を利用した有機電界発光素子 |
| US6727871B1 (en) | 1999-10-04 | 2004-04-27 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electroluminescence display apparatus |
| JP2005183048A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-07-07 | Nec Corp | 発光素子基板およびそれを用いた発光素子 |
| US7173369B2 (en) | 1994-12-13 | 2007-02-06 | The Trustees Of Princeton University | Transparent contacts for organic devices |
| JP2017083897A (ja) * | 2000-02-03 | 2017-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気器具 |
-
1991
- 1991-02-06 JP JP3036746A patent/JPH04254887A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7173369B2 (en) | 1994-12-13 | 2007-02-06 | The Trustees Of Princeton University | Transparent contacts for organic devices |
| WO1997046054A1 (en) * | 1996-05-29 | 1997-12-04 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic el device |
| US6280861B1 (en) | 1996-05-29 | 2001-08-28 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic EL device |
| US6501217B2 (en) | 1998-02-02 | 2002-12-31 | International Business Machines Corporation | Anode modification for organic light emitting diodes |
| US6456003B1 (en) | 1999-01-28 | 2002-09-24 | Nec Corporation | Organic electroluminescent devices and panels |
| US6727871B1 (en) | 1999-10-04 | 2004-04-27 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electroluminescence display apparatus |
| US7173583B2 (en) | 1999-10-04 | 2007-02-06 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electroluminescence display apparatus |
| JP2017083897A (ja) * | 2000-02-03 | 2017-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気器具 |
| JP2004111398A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Samsung Nec Mobile Display Co Ltd | 光学共振効果を利用した有機電界発光素子 |
| JP2005183048A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-07-07 | Nec Corp | 発光素子基板およびそれを用いた発光素子 |
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