JPH0425533B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0425533B2 JPH0425533B2 JP57073313A JP7331382A JPH0425533B2 JP H0425533 B2 JPH0425533 B2 JP H0425533B2 JP 57073313 A JP57073313 A JP 57073313A JP 7331382 A JP7331382 A JP 7331382A JP H0425533 B2 JPH0425533 B2 JP H0425533B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoreceptor
- charging
- photosensitive layer
- photosensitive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
- G03G5/144—Inert intermediate layers comprising inorganic material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は電子写真感光体の改良に関するもの
である。
である。
従来のアモルフアス・シリコン（以下ａ−Siと
略記する）電子写真感光体につき第１図を参照し
て説明する。第１図において、１はアルミニウム
合金またはガラス基板上にNiCrあるいはインジ
ユムすずオキサイド（ITO）を蒸着して形成され
た導電性の支持体、２はこの支持体１上に形成さ
れたｐ型またはｎ型のａ−Si、窒化シリコン、酸
化シリコン、酸化アルミニウム、ａ−Siカーバイ
トからなる電荷注入阻止層、３はこの電荷注入阻
止層２上に形成されたａ−Siまたはａ−Siにボロ
ンを添加した層からなる感光層である。
略記する）電子写真感光体につき第１図を参照し
て説明する。第１図において、１はアルミニウム
合金またはガラス基板上にNiCrあるいはインジ
ユムすずオキサイド（ITO）を蒸着して形成され
た導電性の支持体、２はこの支持体１上に形成さ
れたｐ型またはｎ型のａ−Si、窒化シリコン、酸
化シリコン、酸化アルミニウム、ａ−Siカーバイ
トからなる電荷注入阻止層、３はこの電荷注入阻
止層２上に形成されたａ−Siまたはａ−Siにボロ
ンを添加した層からなる感光層である。
前述のように構成された電子写真感光体が十分
な帯電能を有するためには、電荷注入阻止層はコ
ロナ帯電および暗減衰時に支持体側からの電荷注
入を十分に阻止し、感光体表面に帯電した電荷が
保持されなければならない。
な帯電能を有するためには、電荷注入阻止層はコ
ロナ帯電および暗減衰時に支持体側からの電荷注
入を十分に阻止し、感光体表面に帯電した電荷が
保持されなければならない。
一方、電荷注入阻止層が十分であつても、上記
感光層３の暗抵抗率が小さいと、感光層３内の熱
励起によるキヤリヤが表面電荷を中和するように
流れ、十分な帯電能が得られない。
感光層３の暗抵抗率が小さいと、感光層３内の熱
励起によるキヤリヤが表面電荷を中和するように
流れ、十分な帯電能が得られない。
上記のａ−Siの場合には、数10ppm程度の少量
のボロンを添加することにより、その暗抵抗率を
1011〜1012Ωcmにすることができるので、第１図
の構造で20〜40V／μｍと十分な帯電能をもつた
電子写真感光体が得られる。
のボロンを添加することにより、その暗抵抗率を
1011〜1012Ωcmにすることができるので、第１図
の構造で20〜40V／μｍと十分な帯電能をもつた
電子写真感光体が得られる。
ここで、上記の電子写真感光体においては、そ
の表面電位はａ−Si層の厚みにほぼ比例して大き
くなる。つまり上記感光層３は、電子写真感光体
の帯電能をきめるという意味で帯電層であると共
に、光照射によりこの層内で光キヤリヤが発生し
表面に帯電された電荷を消去すると言う意味で感
光層でもあり、感光層兼帯電層を云う。
の表面電位はａ−Si層の厚みにほぼ比例して大き
くなる。つまり上記感光層３は、電子写真感光体
の帯電能をきめるという意味で帯電層であると共
に、光照射によりこの層内で光キヤリヤが発生し
表面に帯電された電荷を消去すると言う意味で感
光層でもあり、感光層兼帯電層を云う。
しかし、上述のａ−Siを感光層兼帯電層３とし
た電子写真感光体は、その光感度ピークが630〜
700nmであり、この範囲より長波長側では光感度
が急激に低下する。
た電子写真感光体は、その光感度ピークが630〜
700nmであり、この範囲より長波長側では光感度
が急激に低下する。
近年、半導体レーザを光源としたレーザビーム
プリンタ用の感光体として800nm付近までの長波
長に良好な光感度を有する電子写真感光体が要求
されている。
プリンタ用の感光体として800nm付近までの長波
長に良好な光感度を有する電子写真感光体が要求
されている。
ａ−Siにゲルマニウム（Ge）を添加すると容
易にａ−Siゲルマニウム（ａ−Si1-xGex）が得ら
れ、これの光学的バンドギヤツプはGeの添加量
を増すことで、ａ−Siの1.7eVからGeの1.1eV程
度まで減少させることができる。したがつて、ａ
−Si1-xGex8を感光層兼帯電層３とする電子写真
感光体が実現できれば、光感度の長波長化が可能
である。
易にａ−Siゲルマニウム（ａ−Si1-xGex）が得ら
れ、これの光学的バンドギヤツプはGeの添加量
を増すことで、ａ−Siの1.7eVからGeの1.1eV程
度まで減少させることができる。したがつて、ａ
−Si1-xGex8を感光層兼帯電層３とする電子写真
感光体が実現できれば、光感度の長波長化が可能
である。
しかし、ａ−Si1-xGexを感光層兼帯電層３とす
る第１図に示す構造に電子写真感光体を形成した
場合には次の問題が生じる。
る第１図に示す構造に電子写真感光体を形成した
場合には次の問題が生じる。
一般に、ａ−Si1-xGexの暗抵抗率は、Geの添
加量の増加と共に減少する。このため、熱励起キ
ヤリヤによる表面電荷のち中和が起り易くなり、
Ge量の増加により帯電能が減少する。
加量の増加と共に減少する。このため、熱励起キ
ヤリヤによる表面電荷のち中和が起り易くなり、
Ge量の増加により帯電能が減少する。
また、ａ−Si1-xGexの光導電率もGe量の増加
により減少する。感光体の光感度を決定する重要
な因子として光キヤリヤの走行距離がある。走行
距離ＬはＬ＝μτV／ｄで表わされる。ここで、μ
は光キヤリヤの易動度、τはその寿命、Ｖは感光
層兼帯電層にかかつている電圧、ｄは感光層兼帯
電層の厚さである。前記式Ｌ＞ｄでなければ、良
好な光感度は得られない。ａ−Siを感光層兼帯電
層とする正帯電用感光体の光減衰特性から求めら
れた正孔のμτ値は10-8cm2／Ｖ程度であり、この値
は光導電率から求められたμτ値が10-6cm2／Ｖ程度
であるのに比べて２桁小さい。一方、ａ−Si1-x
GexではGeが50％程度添加されると、ａ−Siに比
べて光導電率が１〜２桁小さくなる。このとき、
正孔のμτ値は10-9〜10-10cm2／Ｖ程度となると考
えられ、Ｖ＝600V，ｄ＝200μｍのときＬは３〜
0.3μｍ程度となる。したがつて、ｘが0.5程度の
ａ−Si1-xGexを感光層兼帯電層とした正帯電用感
光体の場合には、感光層兼帯電層の厚さは数μｍ
以下でなければならず、このため、第１図の構造
では実用的な感光体を実現することはできない。
により減少する。感光体の光感度を決定する重要
な因子として光キヤリヤの走行距離がある。走行
距離ＬはＬ＝μτV／ｄで表わされる。ここで、μ
は光キヤリヤの易動度、τはその寿命、Ｖは感光
層兼帯電層にかかつている電圧、ｄは感光層兼帯
電層の厚さである。前記式Ｌ＞ｄでなければ、良
好な光感度は得られない。ａ−Siを感光層兼帯電
層とする正帯電用感光体の光減衰特性から求めら
れた正孔のμτ値は10-8cm2／Ｖ程度であり、この値
は光導電率から求められたμτ値が10-6cm2／Ｖ程度
であるのに比べて２桁小さい。一方、ａ−Si1-x
GexではGeが50％程度添加されると、ａ−Siに比
べて光導電率が１〜２桁小さくなる。このとき、
正孔のμτ値は10-9〜10-10cm2／Ｖ程度となると考
えられ、Ｖ＝600V，ｄ＝200μｍのときＬは３〜
0.3μｍ程度となる。したがつて、ｘが0.5程度の
ａ−Si1-xGexを感光層兼帯電層とした正帯電用感
光体の場合には、感光層兼帯電層の厚さは数μｍ
以下でなければならず、このため、第１図の構造
では実用的な感光体を実現することはできない。
さらに、感光体として実用的に600V以上の帯
電電圧を得るには、感光層兼帯電層の厚さを20μ
ｍ程度にする必要があるが、この感光層兼帯電層
の形成にはグロー放電法を用いる場合にはGeの
原料ガスであるGeH4はSiの原料ガスであるSiH4
に比べて約60倍の価格であり、ａ−Siを感光層兼
帯電層とする場合に比べてａ−Si1-xGexを感光層
兼帯電層にすると非常に高価になる欠点もある。
電電圧を得るには、感光層兼帯電層の厚さを20μ
ｍ程度にする必要があるが、この感光層兼帯電層
の形成にはグロー放電法を用いる場合にはGeの
原料ガスであるGeH4はSiの原料ガスであるSiH4
に比べて約60倍の価格であり、ａ−Siを感光層兼
帯電層とする場合に比べてａ−Si1-xGexを感光層
兼帯電層にすると非常に高価になる欠点もある。
即ち、これらの従来例では、ａ−Si層を感光層
兼帯電層とする場合には長波長での感度が得られ
ず、ａ−Si1-xGex層を感光層兼帯電層とする場合
には、長波長での感度はえられるものの充分な表
面電位が得られず、また高価なものとなつてしま
うという欠点をもつていた。これらの欠点は、感
光と帯電の２つの機能を１つの層に担わせている
ことに起因して生じている。
兼帯電層とする場合には長波長での感度が得られ
ず、ａ−Si1-xGex層を感光層兼帯電層とする場合
には、長波長での感度はえられるものの充分な表
面電位が得られず、また高価なものとなつてしま
うという欠点をもつていた。これらの欠点は、感
光と帯電の２つの機能を１つの層に担わせている
ことに起因して生じている。
この発明は、かかる従来の欠点を除去しようと
するものであつて、電荷注入阻止層と感光層であ
るａ−Si1-xGexとの間に別の帯電層としてａ−Si
またはボロンを添加したａ−Si層を設けることに
より、耐久性にすぐれ、長波長域まで高感度であ
る電子写真感光体を提供することを目的としてい
る。
するものであつて、電荷注入阻止層と感光層であ
るａ−Si1-xGexとの間に別の帯電層としてａ−Si
またはボロンを添加したａ−Si層を設けることに
より、耐久性にすぐれ、長波長域まで高感度であ
る電子写真感光体を提供することを目的としてい
る。
この構造をとることで帯電能はａ−Siまたはボ
ロンを添加したａ−Si層からなる帯電層によつて
決まり、感光する波長範囲はａ−Si1-xGexからな
る感光層により決まる機能分解型の電子写真感光
体が実現する。
ロンを添加したａ−Si層からなる帯電層によつて
決まり、感光する波長範囲はａ−Si1-xGexからな
る感光層により決まる機能分解型の電子写真感光
体が実現する。
以下、この発明の一実施例を図を参照して説明
する。
する。
第２図はこの発明の一実施例を示す。第２図に
おいて、４はアルミニウム合金からなる支持体、
５は支持体４の表面に形成されたｐ型のａ−Siか
らなる電荷注入阻止層、６は電荷注入層５の表面
に形成されかつボロンを添加したａ−Siからなる
帯電層、７は帯電層６の上に形成されたａ−
Si1-xGexからなる感光層である。
おいて、４はアルミニウム合金からなる支持体、
５は支持体４の表面に形成されたｐ型のａ−Siか
らなる電荷注入阻止層、６は電荷注入層５の表面
に形成されかつボロンを添加したａ−Siからなる
帯電層、７は帯電層６の上に形成されたａ−
Si1-xGexからなる感光層である。
また、第３図は前述した第２図に示す構造の電
子写真感光体を製造するために用いられる装置を
示す。第３図において、８は真空ポンプで、スト
ツプ・バルブ９を介して反応室１０に連通されて
いる。１１は高周波電源で、反応室１０内に設け
たカソード電極１２に接続され、この電極１２と
対向してアノード電極１３が加熱用ヒータ１４と
共に反応室１０内に設けられている。また、反応
室１０はストツプ・バルブ１５を介して３つのガ
ス流量コントローラ１６，１７，１８に連通さ
れ、これらは減圧弁１９，２０，２１を介して
SiH4ガスボンベ２２、GeH4ガスボンベ２３、B2
H6ガスボンベ２４にそれぞれ連通されている。
２５はアノード電極１３上に載置された支持体で
あるアルミニウム基板である。
子写真感光体を製造するために用いられる装置を
示す。第３図において、８は真空ポンプで、スト
ツプ・バルブ９を介して反応室１０に連通されて
いる。１１は高周波電源で、反応室１０内に設け
たカソード電極１２に接続され、この電極１２と
対向してアノード電極１３が加熱用ヒータ１４と
共に反応室１０内に設けられている。また、反応
室１０はストツプ・バルブ１５を介して３つのガ
ス流量コントローラ１６，１７，１８に連通さ
れ、これらは減圧弁１９，２０，２１を介して
SiH4ガスボンベ２２、GeH4ガスボンベ２３、B2
H6ガスボンベ２４にそれぞれ連通されている。
２５はアノード電極１３上に載置された支持体で
あるアルミニウム基板である。
この第３図に示す装置で第２図に示す構造の電
子写真感光体を製造する場合について説明する。
まず、真空ポンプ８で反応室１０内を10-3〜10-6
torrまで排気した後、SiH4とB2H6をこれらのガ
スボンベ２２と２４からB2H6／SiH4の比が数
100ppmとなるようにガスコントローラ１６、
100ppmとなるようにガスコントローラ１６，１
８で調整してガスを反応室１０内に導入する。そ
して、電極１２，１３間に高周波電力を印加し、
そして、電極１２，１３間に高周波電力を印加
し、グロー放電を発生させることにより、予め加
熱ヒータ１４で200〜300℃に加熱された基板２５
上にボロンがドープされたｐ型のａ−Si膜を電荷
注入阻止層として形成する。この膜厚が数1000Å
の所要値になると、一時グロー放電を停止する。
そして、帯電層を形成するために、B2H6／SiH4
の比が数〜数10ppmとなるようにガス流量を調整
した後、グロー放電を再び発生させることによ
り、数〜数10μｍのボロンドープａ−Si膜を帯電
層として形する。次に、SiH4とGeH6をこれらの
流量比が予め決められた値になるように調整して
ａ−Si1-xGexからなる感光層を形成する。
子写真感光体を製造する場合について説明する。
まず、真空ポンプ８で反応室１０内を10-3〜10-6
torrまで排気した後、SiH4とB2H6をこれらのガ
スボンベ２２と２４からB2H6／SiH4の比が数
100ppmとなるようにガスコントローラ１６、
100ppmとなるようにガスコントローラ１６，１
８で調整してガスを反応室１０内に導入する。そ
して、電極１２，１３間に高周波電力を印加し、
そして、電極１２，１３間に高周波電力を印加
し、グロー放電を発生させることにより、予め加
熱ヒータ１４で200〜300℃に加熱された基板２５
上にボロンがドープされたｐ型のａ−Si膜を電荷
注入阻止層として形成する。この膜厚が数1000Å
の所要値になると、一時グロー放電を停止する。
そして、帯電層を形成するために、B2H6／SiH4
の比が数〜数10ppmとなるようにガス流量を調整
した後、グロー放電を再び発生させることによ
り、数〜数10μｍのボロンドープａ−Si膜を帯電
層として形する。次に、SiH4とGeH6をこれらの
流量比が予め決められた値になるように調整して
ａ−Si1-xGexからなる感光層を形成する。
このようにして製造された電子写真感光体の動
作について説明する。この構造の感光体は正帯電
用として用いられる。帯電時には電荷注入阻止層
５と帯電層６で形成される接合が逆バイアス状態
となり、支持体４側からの電荷注入による表面電
荷の中和が阻止される。また、帯電層６であるボ
ロンドープのａ−Siはボロンドープ量を調整する
ことで暗抵抗率を1011〜1013Ωcmと大きくするこ
とができるので、帯電層６の中で熱励起により発
生するキヤリヤによる表面電荷の中和の作用が小
さい。このため、この構造の感光体は20〜40V／
μｍ程度の十分な帯電能をもち、実用上十分に長
い10〜20sec程度の暗減衰半減時間をもつ。
作について説明する。この構造の感光体は正帯電
用として用いられる。帯電時には電荷注入阻止層
５と帯電層６で形成される接合が逆バイアス状態
となり、支持体４側からの電荷注入による表面電
荷の中和が阻止される。また、帯電層６であるボ
ロンドープのａ−Siはボロンドープ量を調整する
ことで暗抵抗率を1011〜1013Ωcmと大きくするこ
とができるので、帯電層６の中で熱励起により発
生するキヤリヤによる表面電荷の中和の作用が小
さい。このため、この構造の感光体は20〜40V／
μｍ程度の十分な帯電能をもち、実用上十分に長
い10〜20sec程度の暗減衰半減時間をもつ。
次に、十分な表面電位に帯電された感光体に光
照射を行なつた場合を考える。感光層７がない場
合でも、この実施例の感光体は約650nmに光感度
ピークをもつ良好な光感度特性をもつている。ａ
−Siの光学的バンドギヤツプは1.8〜1.7eVであ
り、光感度ピークの光のエネルギと光学的バンド
ギヤツプの値が比例する場合にはａ−Si1-xGexを
感光層とし、その光学的バンドギヤツプを1.5eV
とすると光感度のピークは約780nm程度の値とな
り、光感度の大巾な長波長感化がはかれる。そし
て、光学的バンドギヤツプを1.5eVとするために
はGeの添加量を40〜50％にする必要がある。一
般にａ−Si1-xGexではGeの添加量が多くなると、
μτ値が大巾に減少し、光キヤリアとくに正孔の
走行距離は数μｍ以下となる恐れがある。しか
し、この実施例の感光体の構造ではａ−Si1-xGex
からなる感光層を数μｍ以下に抑えることがで
き、光励起された正孔は感光層中を障害なく走行
し、帯電層に注入される。帯電層であるボロンド
ープのａ−Si中での正孔μτ値が十分大きく、注入
された正孔は障害なく走行し支持体に到達する。
したがつて、この実施例の感光体は長波長でも良
好な光感度を示す。
照射を行なつた場合を考える。感光層７がない場
合でも、この実施例の感光体は約650nmに光感度
ピークをもつ良好な光感度特性をもつている。ａ
−Siの光学的バンドギヤツプは1.8〜1.7eVであ
り、光感度ピークの光のエネルギと光学的バンド
ギヤツプの値が比例する場合にはａ−Si1-xGexを
感光層とし、その光学的バンドギヤツプを1.5eV
とすると光感度のピークは約780nm程度の値とな
り、光感度の大巾な長波長感化がはかれる。そし
て、光学的バンドギヤツプを1.5eVとするために
はGeの添加量を40〜50％にする必要がある。一
般にａ−Si1-xGexではGeの添加量が多くなると、
μτ値が大巾に減少し、光キヤリアとくに正孔の
走行距離は数μｍ以下となる恐れがある。しか
し、この実施例の感光体の構造ではａ−Si1-xGex
からなる感光層を数μｍ以下に抑えることがで
き、光励起された正孔は感光層中を障害なく走行
し、帯電層に注入される。帯電層であるボロンド
ープのａ−Si中での正孔μτ値が十分大きく、注入
された正孔は障害なく走行し支持体に到達する。
したがつて、この実施例の感光体は長波長でも良
好な光感度を示す。
この発明によつて第２図に示す構造の感光体を
製造した。支持体はアルミニウム、電荷注入阻止
層はB2H6／SiH4の比を200ppmとして形成した
ａ−Siの厚さ約1000Åの膜、帯電層はB2H6／
SiH4の比を10ppmとして形成したａ−Siの厚さ
5μｍの膜、感光層はSiH4／（GeH4＋Si4）の比
を0.85として形成したａ−Si1-xGex（×約0.5）の
厚さ2μｍの膜とした。この感光体を＋7KVのコ
ロナ電圧により帯電させたところ、帯電能は約
30V／μｍ、光減衰における半減露光量は450〜
750nmの光に対して約0.5μW／cm2であり、800nm
の光に対しても0.8μW／cm2の良好な光感度を示し
た。
製造した。支持体はアルミニウム、電荷注入阻止
層はB2H6／SiH4の比を200ppmとして形成した
ａ−Siの厚さ約1000Åの膜、帯電層はB2H6／
SiH4の比を10ppmとして形成したａ−Siの厚さ
5μｍの膜、感光層はSiH4／（GeH4＋Si4）の比
を0.85として形成したａ−Si1-xGex（×約0.5）の
厚さ2μｍの膜とした。この感光体を＋7KVのコ
ロナ電圧により帯電させたところ、帯電能は約
30V／μｍ、光減衰における半減露光量は450〜
750nmの光に対して約0.5μW／cm2であり、800nm
の光に対しても0.8μW／cm2の良好な光感度を示し
た。
以上説明したように、この実施例では、感光層
と帯電層を分離し、帯電層としてμτ値が大きく、
また暗抵抗率が高いボロンドープのａ−Siを用
い、感光層として光学的エネルギギヤツプの小さ
なａ−Si1-xGexを用いた構造であるために、帯電
能と感光波長域を独立に制御でき、帯電能が大き
くまた長波長域に光感度が良好な感光帯特性を有
する電子写真感光体を実現できるという利点があ
る。
と帯電層を分離し、帯電層としてμτ値が大きく、
また暗抵抗率が高いボロンドープのａ−Siを用
い、感光層として光学的エネルギギヤツプの小さ
なａ−Si1-xGexを用いた構造であるために、帯電
能と感光波長域を独立に制御でき、帯電能が大き
くまた長波長域に光感度が良好な感光帯特性を有
する電子写真感光体を実現できるという利点があ
る。
この発明において、前述の実施例では電荷注入
阻止層としてｐ型のａ−Siを用いたが、これに代
えてｎ型のａ−Siを用いれば負帯電用の感光体が
実現でき、またシリコン窒化膜、シリコン酸化
膜、アルミニウム酸化膜、あるいはａ−Siカーバ
イト膜を用しれば正または負帯電用感光体が実現
でき、前述の実施例と同様の効果が得られる。
阻止層としてｐ型のａ−Siを用いたが、これに代
えてｎ型のａ−Siを用いれば負帯電用の感光体が
実現でき、またシリコン窒化膜、シリコン酸化
膜、アルミニウム酸化膜、あるいはａ−Siカーバ
イト膜を用しれば正または負帯電用感光体が実現
でき、前述の実施例と同様の効果が得られる。
また、この発明において帯電層はａ−Si膜にし
てもよい。
てもよい。
そして、この発明は、前述した実施例の構造の
感光体表面にａ−Siまたはボロンドープのａ−Si
を形成してもよい。この構造の感光体について以
下に説明する。
感光体表面にａ−Siまたはボロンドープのａ−Si
を形成してもよい。この構造の感光体について以
下に説明する。
前述した実施例では、ａ−Si1-xGexからなる感
光層が数μｍと薄いため、感光体を繰返使用した
場合、摩耗により感光層の厚さが減少し、感光感
度の減少が生じる恐れがある。そこで、感光層表
面にａ−Siまたはボロンドープのａ−Siを表面保
護層として形成することで、感光体の長寿命化が
はかれる。ａ−Siはこれ自身700nm以下の短波長
で良好な光感度をもち、光励起された電子、正孔
の走行を阻害しないので、表面保護層の厚さを
10μｍ程度に厚くしても、感光体の光感度に問題
が生じない。また、この実施例で、電荷注入阻止
層をｎ型ａ−Si、シリコン窒化膜、シリコン酸化
膜、アルミニウム酸化膜、ａ−Siカーバイトとし
た場合にも同様の効果が得られる。
光層が数μｍと薄いため、感光体を繰返使用した
場合、摩耗により感光層の厚さが減少し、感光感
度の減少が生じる恐れがある。そこで、感光層表
面にａ−Siまたはボロンドープのａ−Siを表面保
護層として形成することで、感光体の長寿命化が
はかれる。ａ−Siはこれ自身700nm以下の短波長
で良好な光感度をもち、光励起された電子、正孔
の走行を阻害しないので、表面保護層の厚さを
10μｍ程度に厚くしても、感光体の光感度に問題
が生じない。また、この実施例で、電荷注入阻止
層をｎ型ａ−Si、シリコン窒化膜、シリコン酸化
膜、アルミニウム酸化膜、ａ−Siカーバイトとし
た場合にも同様の効果が得られる。
さらに、この発明は、前述した表面保護層の表
面にａ−Siカーバイト層を設けると、ａ−Siカー
バイトはａ−Siに比べて機械的摩耗に強いため
に、より長寿命の感光体を実現できる。
面にａ−Siカーバイト層を設けると、ａ−Siカー
バイトはａ−Siに比べて機械的摩耗に強いため
に、より長寿命の感光体を実現できる。
前述したように、この発明の電子写真感光体
は、感光層と帯電層を分離し、感光層として長波
長に光感度のあるａ−Si1-xGexを用いたので、長
寿命で大きな帯電能をもち、長波長で高い光感度
を有するという効果があり、半導体レーザを用い
たレーザ・プリンタ用感光体に利用できる。
は、感光層と帯電層を分離し、感光層として長波
長に光感度のあるａ−Si1-xGexを用いたので、長
寿命で大きな帯電能をもち、長波長で高い光感度
を有するという効果があり、半導体レーザを用い
たレーザ・プリンタ用感光体に利用できる。
第１図は従来の電子写真感光体の断面図、第２
図はこの発明の一実施例による電子写真感光体の
断面図、第３図はこの発明の一実施例による電子
写真感光体の製造装置を示す概略構成説明図であ
る。 １……支持体、２……電荷注入阻止層、３……
感光層兼帯電層、４……支持体、５……ｐ型のａ
−Si導電層、６……ボロンドープａ−Si層、７…
…ａ−Si1-xGexからなる感光層。
図はこの発明の一実施例による電子写真感光体の
断面図、第３図はこの発明の一実施例による電子
写真感光体の製造装置を示す概略構成説明図であ
る。 １……支持体、２……電荷注入阻止層、３……
感光層兼帯電層、４……支持体、５……ｐ型のａ
−Si導電層、６……ボロンドープａ−Si層、７…
…ａ−Si1-xGexからなる感光層。
Claims (1)
- １ 支持体と、この支持体の表面に形成されたｎ
型またはｐ型のアモルフアス・シリコン、アモル
フアス・シリコンカーバイト、シリコン窒化膜、
シリコン酸化膜、あるいはアルミニウム酸化膜か
らなる電荷注入阻止層と、この電荷注入阻止層の
表面に形成されたアモルフアス・シリコンまたは
ボロンを添加したアモルフアス・シリコンからな
る暗抵抗率1011Ωcm以上の帯電層と、この層の上
に形成されたアモルフアスシリコンゲルマニウム
からなるａ−Si1-xGex（0.4＜Ｘ）感光層とを備え
たことを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57073313A JPS58190955A (ja) | 1982-05-04 | 1982-05-04 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57073313A JPS58190955A (ja) | 1982-05-04 | 1982-05-04 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58190955A JPS58190955A (ja) | 1983-11-08 |
| JPH0425533B2 true JPH0425533B2 (ja) | 1992-05-01 |
Family
ID=13514554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57073313A Granted JPS58190955A (ja) | 1982-05-04 | 1982-05-04 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58190955A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0754800B2 (ja) * | 1985-03-14 | 1995-06-07 | 三井東圧化学株式会社 | 半導体薄膜の製造方法 |
-
1982
- 1982-05-04 JP JP57073313A patent/JPS58190955A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58190955A (ja) | 1983-11-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4495262A (en) | Photosensitive member for electrophotography comprises inorganic layers | |
| US4329699A (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JPH0115866B2 (ja) | ||
| JPS5888753A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS6161383B2 (ja) | ||
| JPS639219B2 (ja) | ||
| JPS62115456A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0425533B2 (ja) | ||
| JPH0310940B2 (ja) | ||
| US6322942B1 (en) | Xerographic photoreceptor primarily formed by the hydrogenated amorphous silicon material and the method for manufacturing the same | |
| US4704343A (en) | Electrophotographic photosensitive member containing amorphous silicon and doped microcrystalline silicon layers | |
| EP0300807A2 (en) | Electrophotographic photosensitive member | |
| JP3449208B2 (ja) | アモルファス窒化炭素組成物及びその製造方法 | |
| JPH0616178B2 (ja) | 光導電部材 | |
| JP2528283B2 (ja) | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 | |
| JPH0760271B2 (ja) | 光導電部材 | |
| JPS6280664A (ja) | 光導電体 | |
| JPH07116605B2 (ja) | 水素化アモルファスゲルマニウム膜、その膜の製造方法及びその膜を使用した電子デバイス又は電子装置 | |
| JPH0572780A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS6299759A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH038115B2 (ja) | ||
| JPS6273275A (ja) | 光導電体 | |
| JPH0743543B2 (ja) | 光導電部材 | |
| JPS6343159A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0576194B2 (ja) |