JPH04256204A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH04256204A JPH04256204A JP3017867A JP1786791A JPH04256204A JP H04256204 A JPH04256204 A JP H04256204A JP 3017867 A JP3017867 A JP 3017867A JP 1786791 A JP1786791 A JP 1786791A JP H04256204 A JPH04256204 A JP H04256204A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- spacer
- cap
- semiconductor chip
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/117—Shapes of semiconductor bodies
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
にマイクロ波周波数帯域で動作させるＧａＡｓ電界効果
トランジスタ（以下ＧａＡｓＭＥＳ ＦＥＴと記す）
を有する半導体装置に関する。
にマイクロ波周波数帯域で動作させるＧａＡｓ電界効果
トランジスタ（以下ＧａＡｓＭＥＳ ＦＥＴと記す）
を有する半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＧａＡｓＭＥＳ ＦＥＴを有す
る半導体装置は、図２（ａ）に示すように、パッケージ
３の側壁上面に、セラミックもしくは、金属の板状のキ
ャップ２をＡｕＳｉ等のソルダーで封止する構成となっ
ていた。このパッケージを導波管（周波数が高くなると
、中空の導体管の中を電磁波が通る様になる）と考えて
パッケージの寸法を設計するが、パッケージ内部には、
マイクロ波周波数帯域における５０Ω整合が得られる様
にストリップ線路５や、チップコンデンサ６などの誘電
体が搭載される為、中空の比誘電率が短縮され、パッケ
ージの実用周波数が低下してしまう。
る半導体装置は、図２（ａ）に示すように、パッケージ
３の側壁上面に、セラミックもしくは、金属の板状のキ
ャップ２をＡｕＳｉ等のソルダーで封止する構成となっ
ていた。このパッケージを導波管（周波数が高くなると
、中空の導体管の中を電磁波が通る様になる）と考えて
パッケージの寸法を設計するが、パッケージ内部には、
マイクロ波周波数帯域における５０Ω整合が得られる様
にストリップ線路５や、チップコンデンサ６などの誘電
体が搭載される為、中空の比誘電率が短縮され、パッケ
ージの実用周波数が低下してしまう。
【０００３】図３はパッケージの実用周波数特性の一例
を示す図である。このパッケージの実用周波数は、アイ
ソレーションロスが４０ｄＢ取れるような周波数を目安
としている。
を示す図である。このパッケージの実用周波数は、アイ
ソレーションロスが４０ｄＢ取れるような周波数を目安
としている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
は、パッケージの実用周波数限界近傍で５０Ω内部整合
回路を構成する場合、パッケージ自体のアイソレーショ
ンが不十分となり、内部の入出力間のミスマッチを生じ
、特性の低下をきたすという欠点がある。
は、パッケージの実用周波数限界近傍で５０Ω内部整合
回路を構成する場合、パッケージ自体のアイソレーショ
ンが不十分となり、内部の入出力間のミスマッチを生じ
、特性の低下をきたすという欠点がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
パッケージの内側底部に搭載した半導体チップと、前記
パッケージを封止するキャップとを備えてマイクロ波周
波数帯域の電気的整合を行う５０Ω内部整合ＧａＡｓ電
界効果トランジスタを有する半導体装置において、前記
パッケージとキャップとの間に設けたスペーサを有する
。
パッケージの内側底部に搭載した半導体チップと、前記
パッケージを封止するキャップとを備えてマイクロ波周
波数帯域の電気的整合を行う５０Ω内部整合ＧａＡｓ電
界効果トランジスタを有する半導体装置において、前記
パッケージとキャップとの間に設けたスペーサを有する
。
【０００６】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００７】図１（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例を
示す一部切欠斜視図及びスペーサの斜視図である。
示す一部切欠斜視図及びスペーサの斜視図である。
【０００８】図１（ａ），（ｂ）に示すように、パッケ
ージ３の内側底部に搭載した半導体チップ７と、半導体
チップ７の入力側と出力側に設けて半導体チップ７と接
続したチップコンデンサ６と、チップコンデンサ６の入
力側と出力側に設けたストリップ線路５と、ストリップ
線路５の夫々に接続してパッケージ３の側壁９を貫通し
て外部に導出したリード４と、パッケージ３の側壁上面
に設けた枠状の無酸素銅からなり表面に金めっき層を有
するスペーサ１と、スペーサ１の上に設けてパッケージ
３を封止するキャップ２とを備えて構成される。
ージ３の内側底部に搭載した半導体チップ７と、半導体
チップ７の入力側と出力側に設けて半導体チップ７と接
続したチップコンデンサ６と、チップコンデンサ６の入
力側と出力側に設けたストリップ線路５と、ストリップ
線路５の夫々に接続してパッケージ３の側壁９を貫通し
て外部に導出したリード４と、パッケージ３の側壁上面
に設けた枠状の無酸素銅からなり表面に金めっき層を有
するスペーサ１と、スペーサ１の上に設けてパッケージ
３を封止するキャップ２とを備えて構成される。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、パッケ
ージの側壁上面とキャップとの間にスペーサを設けるこ
とにより、パッケージの実用周波数を整合して入出力回
路相互のアイソレーションを十分に確保し、これにより
、特に、パッケージの実用周波数限界近傍でマイクロ波
周波数帯域の内部整合回路を構成する際の入出力間のミ
スマッチを防ぎ、ロスの少ない、安定した５０Ω内部整
合ＧａＡｓＭＥＳ ＦＥＴを実現できるという効果を
有する。
ージの側壁上面とキャップとの間にスペーサを設けるこ
とにより、パッケージの実用周波数を整合して入出力回
路相互のアイソレーションを十分に確保し、これにより
、特に、パッケージの実用周波数限界近傍でマイクロ波
周波数帯域の内部整合回路を構成する際の入出力間のミ
スマッチを防ぎ、ロスの少ない、安定した５０Ω内部整
合ＧａＡｓＭＥＳ ＦＥＴを実現できるという効果を
有する。
【図１】本発明の一実施例を示す一部切欠斜視図及びス
ペーサの斜視図である。
ペーサの斜視図である。
【図２】従来の半導体装置の一例を示す一部切欠斜視図
である。
である。
【図３】パッケージの実用周波数特性の一例を示す図で
ある。
ある。
１ スペーサ
２ キャップ
３ パッケージ
４ リード
５ ストリップ線路
６ チップコンデンサ
７ 半導体チップ
９ 側壁
Claims (1)
- 【請求項１】 パッケージの内側底部に搭載した半導
体チップと、前記パッケージを封止するキャップとを備
えてマイクロ波周波数帯域の電気的整合を行う５０Ω内
部整合ＧａＡｓ電界効果トランジスタを有する半導体装
置において、前記パッケージとキャップとの間に設けた
スペーサを有することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3017867A JP2609767B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3017867A JP2609767B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04256204A true JPH04256204A (ja) | 1992-09-10 |
| JP2609767B2 JP2609767B2 (ja) | 1997-05-14 |
Family
ID=11955620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3017867A Expired - Fee Related JP2609767B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2609767B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02100344A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-12 | Toshiba Corp | マイクロ波用半導体装置 |
| JPH0480101U (ja) * | 1990-11-26 | 1992-07-13 |
-
1991
- 1991-02-08 JP JP3017867A patent/JP2609767B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02100344A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-12 | Toshiba Corp | マイクロ波用半導体装置 |
| JPH0480101U (ja) * | 1990-11-26 | 1992-07-13 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2609767B2 (ja) | 1997-05-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19961217 |
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