JPH0195602A - チップ化モジュール - Google Patents
チップ化モジュールInfo
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- JPH0195602A JPH0195602A JP62255876A JP25587687A JPH0195602A JP H0195602 A JPH0195602 A JP H0195602A JP 62255876 A JP62255876 A JP 62255876A JP 25587687 A JP25587687 A JP 25587687A JP H0195602 A JPH0195602 A JP H0195602A
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- Waveguides (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はチップ化モジエールに関し、特にモノリシック
マイクロ波集積回路（以下ＭＭＩＣと記す）チップを用
いたチップ化モジ為−ルに関する。
マイクロ波集積回路（以下ＭＭＩＣと記す）チップを用
いたチップ化モジ為−ルに関する。
最近、増幅器や周波数変換器等のマイクロ波デバイスを
数鵬角のＧａＡｓ４ｓ３ｉチツプ上に同一プロセスで構
成するＭＭＩＣの開発が進み、回路の大幅な小型化が図
られている。
数鵬角のＧａＡｓ４ｓ３ｉチツプ上に同一プロセスで構
成するＭＭＩＣの開発が進み、回路の大幅な小型化が図
られている。
従来、このような回路の実装方法としては、チップ、入
出力ストリップ線路やバイアス用薄膜抵抗をアルミナセ
ラミック基板上に蒸着したＭＩＣ基板、パイｔ ＸＩス
チップコンデンサ等をパッケージ内に平面的に実装した
上、チップ保護のため番で本パッケージを気密封止する
構造が採られる。
出力ストリップ線路やバイアス用薄膜抵抗をアルミナセ
ラミック基板上に蒸着したＭＩＣ基板、パイｔ ＸＩス
チップコンデンサ等をパッケージ内に平面的に実装した
上、チップ保護のため番で本パッケージを気密封止する
構造が採られる。
第３図（ａ） 、（ｂ）、（Ｃ）、（ｂ）は従来のチッ
プ化モジ一ルの一例を示す増幅器の平面透視図、側面図
２回路図、チップキャリア実装図である。第３図におイ
ーｔ−１１はＧａＡｓＦＥＴチップ、２，３は直流カッ
ト用のチップコンデンサ、４，５はゲート及びドレイン
の電源バイパスコンデンサ、６，７は薄膜抵抗である。
プ化モジ一ルの一例を示す増幅器の平面透視図、側面図
２回路図、チップキャリア実装図である。第３図におイ
ーｔ−１１はＧａＡｓＦＥＴチップ、２，３は直流カッ
ト用のチップコンデンサ、４，５はゲート及びドレイン
の電源バイパスコンデンサ、６，７は薄膜抵抗である。
８，９はセラミック基板で、入出力ストリップライン、
薄膜抵抗が蒸着される。１０．１１はゲート、ドレイン
への電源電圧供給コネクタビン、１２’、１３’は高周
波入出力ビンコネクタ、１４′はパッケージケース、１
５はカバーである。１６は入出力ピンコネ、クタ１２’
、 １３’を気密封止するためのガラス封止であり、パ
ッケージケース１４．カバー１５はレーザミールによ抄
気密封止される。１７は取付用ねじ穴である。熱伝導度
が良いチップキャリア１８上にＧａＡｓ Ｆ Ｂ Ｔチ
ップｌが実装され両者の線膨張率は等価である。
薄膜抵抗が蒸着される。１０．１１はゲート、ドレイン
への電源電圧供給コネクタビン、１２’、１３’は高周
波入出力ビンコネクタ、１４′はパッケージケース、１
５はカバーである。１６は入出力ピンコネ、クタ１２’
、 １３’を気密封止するためのガラス封止であり、パ
ッケージケース１４．カバー１５はレーザミールによ抄
気密封止される。１７は取付用ねじ穴である。熱伝導度
が良いチップキャリア１８上にＧａＡｓ Ｆ Ｂ Ｔチ
ップｌが実装され両者の線膨張率は等価である。
上述した従来のチップ化モジュールでは、機能素子のチ
ップ化による大幅な集積化が行われているが、入出力接
続用のＭＭＣ基板や直流カット用のチップコンデンサ等
の周辺回路があるため、チップ化モジエールとしての小
形化には限界があり、パッケージでの共振、入出力ガラ
ス封止ビンコネクタ部での高周波特性の劣化、アイソレ
ージ璽ンの不充分等の問題点がある。
ップ化による大幅な集積化が行われているが、入出力接
続用のＭＭＣ基板や直流カット用のチップコンデンサ等
の周辺回路があるため、チップ化モジエールとしての小
形化には限界があり、パッケージでの共振、入出力ガラ
ス封止ビンコネクタ部での高周波特性の劣化、アイソレ
ージ璽ンの不充分等の問題点がある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のチップ化モジエールは、チップ部品を用いたマ
イクロ波モジュールにおいて、ｉ＃誘電体基板上入出力
ス） ＩＪツブ線路を蒸着し、この人出カス） ＩＪツ
ブ線路と結合するスロット線路及び前記チップ部品を前
記誘電体基板裏面の接地導体面上に構成して、前記入出
力ストリップ線路と前記チップ部品との接続をストリッ
プ・スロット変換を介してなし、さらにチップ実装部を
ハーメチックシールしたことを特徴とする。
イクロ波モジュールにおいて、ｉ＃誘電体基板上入出力
ス） ＩＪツブ線路を蒸着し、この人出カス） ＩＪツ
ブ線路と結合するスロット線路及び前記チップ部品を前
記誘電体基板裏面の接地導体面上に構成して、前記入出
力ストリップ線路と前記チップ部品との接続をストリッ
プ・スロット変換を介してなし、さらにチップ実装部を
ハーメチックシールしたことを特徴とする。
次に、本発明について第１図、第２図を参照して説明す
る。
る。
第１図体） 、（ｂ） 、（Ｃ）は本発明のチップ化モ
ジー−ルの一実施例を示す平面透視図、側面図、上面図
、第２図（ａ）、 （ｂ） 、（Ｃ）は本発明の一使用
例を示すチップ化モジエール増幅器のブロック図、平面
実装図。
ジー−ルの一実施例を示す平面透視図、側面図、上面図
、第２図（ａ）、 （ｂ） 、（Ｃ）は本発明の一使用
例を示すチップ化モジエール増幅器のブロック図、平面
実装図。
部分断面を含む側面図である。
第１図におイテ、ＧａＡｓＰＥＴｆｙプ１．電源バイパ
スコンデンサ４，５．薄膜抵抗６，７のハーメチックシ
ールを必要とするチップ部品は誘電体基板１９の接地導
体面側に実装される。本実施例の電気的な等何回路は第
３図（Ｃ）に示したものと同じであり、チップ部品の入
出力は誘電体基板１９上のスロット線路２０と磁界的に
結合している。またＧａＡｓＦＥＴチップｌのゲート、
ドレインへは電源電圧供給用コネクタビン１０．１１か
ら電源が供給される。誘電体基板１９上に蒸着された人
、出力ストリップ線路１２．１３はストリップ・スロッ
ト線路変換により裏面のスロット線路２０に接続される
。セラミック又は金属材料からなるハーメチックシール
用のシールドケース１４は誘電体基板１９に接着され、
カバー１５により封止される。
スコンデンサ４，５．薄膜抵抗６，７のハーメチックシ
ールを必要とするチップ部品は誘電体基板１９の接地導
体面側に実装される。本実施例の電気的な等何回路は第
３図（Ｃ）に示したものと同じであり、チップ部品の入
出力は誘電体基板１９上のスロット線路２０と磁界的に
結合している。またＧａＡｓＦＥＴチップｌのゲート、
ドレインへは電源電圧供給用コネクタビン１０．１１か
ら電源が供給される。誘電体基板１９上に蒸着された人
、出力ストリップ線路１２．１３はストリップ・スロッ
ト線路変換により裏面のスロット線路２０に接続される
。セラミック又は金属材料からなるハーメチックシール
用のシールドケース１４は誘電体基板１９に接着され、
カバー１５により封止される。
次に第２図に示す本発明の一使用例は２個のアイソレー
タ２１と、２個のチップ化モジュール増幅器２２と、パ
ワーモニタ２３とを備え、チップ化モジュール増幅器２
２は電源回路２４から電源を供給され、アイソレータ２
１．チップ化モジエール増幅器２２．パワーモニタ２３
間の信号線路は金リボン２５によって接続される。第２
図（Ｃ）に示すように、ハーメチックシールされたチッ
プ化モジエール増幅器２２は個体底面下部に実装され、
ハーメチックシールが不要なアイソレータ２１゜パワー
モニタ２３は個体底面上部に実装される。
タ２１と、２個のチップ化モジュール増幅器２２と、パ
ワーモニタ２３とを備え、チップ化モジュール増幅器２
２は電源回路２４から電源を供給され、アイソレータ２
１．チップ化モジエール増幅器２２．パワーモニタ２３
間の信号線路は金リボン２５によって接続される。第２
図（Ｃ）に示すように、ハーメチックシールされたチッ
プ化モジエール増幅器２２は個体底面下部に実装され、
ハーメチックシールが不要なアイソレータ２１゜パワー
モニタ２３は個体底面上部に実装される。
チップ化モジエール増幅器２２と他のモジエールの接続
はスロット線路・ストリップ線路変換で接続される。
はスロット線路・ストリップ線路変換で接続される。
このような構造の使用例ではモジュールの縦続接続が容
易であり、第３図で説明した従来例におけるハーメチッ
クシール用のビンコネクタ接続部による特性の劣化が生
じない。また、本使用例ではチップ部品等最少限必要な
回路部品のみをハーメチックシールするので、全体とし
て小形化が可能である。
易であり、第３図で説明した従来例におけるハーメチッ
クシール用のビンコネクタ接続部による特性の劣化が生
じない。また、本使用例ではチップ部品等最少限必要な
回路部品のみをハーメチックシールするので、全体とし
て小形化が可能である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、入出力ストリップ線路を
誘電体基板上く形成し、ＰＥＴチップ等のチップ部品を
接地導体側に実装して、入出力ストリップ線路とをスト
リップ線路・スロット線路変換で接続することＫより、
入出力接続線路側とット用チップコンデンサおよび入出
力接続ビン並びにハーメチックシール用ガラス封止が不
要である。また、チップ部品等のみをハーメチックシー
ルする構造となっているため、シールドケースの大きさ
はチップ部品相轟の寸法であればよく、大幅な小形化が
図れるので、ケースの共振周波数を使用周波数に比べて
充分罠高くすることができ、小形化、軽量化が可能であ
る。さらに、他のチップ化モジュール、誘電体基板との
縦続接続が容易であり、かつチップ搭載部は入出力部に
スロット線路を使用している九め電界はスロット部に集
中し、漏洩電磁界はほとんど零であるので、入出力アイ
ソレーン１ンは良好である。また、周波数特性は叔来例
におけるような高周波での劣化がないので、ミリ波帯に
おいても使用できるなど多くの効果がある。
誘電体基板上く形成し、ＰＥＴチップ等のチップ部品を
接地導体側に実装して、入出力ストリップ線路とをスト
リップ線路・スロット線路変換で接続することＫより、
入出力接続線路側とット用チップコンデンサおよび入出
力接続ビン並びにハーメチックシール用ガラス封止が不
要である。また、チップ部品等のみをハーメチックシー
ルする構造となっているため、シールドケースの大きさ
はチップ部品相轟の寸法であればよく、大幅な小形化が
図れるので、ケースの共振周波数を使用周波数に比べて
充分罠高くすることができ、小形化、軽量化が可能であ
る。さらに、他のチップ化モジュール、誘電体基板との
縦続接続が容易であり、かつチップ搭載部は入出力部に
スロット線路を使用している九め電界はスロット部に集
中し、漏洩電磁界はほとんど零であるので、入出力アイ
ソレーン１ンは良好である。また、周波数特性は叔来例
におけるような高周波での劣化がないので、ミリ波帯に
おいても使用できるなど多くの効果がある。
第１図（ａ）、 （ｂ）、 （Ｃ）は本発明のチップ化
モジエールの一実施例を示す平面透視図、側面図、上面
図、第２図（ａ）、 （ｂ）、 （Ｃ）は本発明の一使
用例を示すチップ化モジエール増幅器のブロック図、平
面実装図。 部分断面を含む側面図、第３図（ａ） 、 （ｂ） 、
（Ｃ）、 （ｄ）は従来のチップ化モジエールの一例
を示す平面透視図。 側面図１回路図、チップキャリア実装図である。 １−−− ・・−ＧａＡｓＦＥＴチップ、４．５−−−
−−−電源バイパスコンデンサ、６，７・・・・−・薄
膜抵抗、１０．１１−・・・・電源電圧供給用コネクタ
ピン、１２．１３・・・・・・人。 出力ストリップ線路、１４−・・・・・シールドケース
、１５・・・・・・カバー、１９・・・・・・誘電体基
板、２ｏ・旧・・スロット線路、２１・・・・・・アイ
ル−タ、２２・・・・・・チップ化モジエール増幅器、
２３・・・・・・パワーモニタ、２４・・・・・・電源
回路、２５・・・・・・金リボン。 代理人 弁理士 内 原 音 拾１図 （１２） （ｂ） （ｃ） 第２図 （ｂ）
モジエールの一実施例を示す平面透視図、側面図、上面
図、第２図（ａ）、 （ｂ）、 （Ｃ）は本発明の一使
用例を示すチップ化モジエール増幅器のブロック図、平
面実装図。 部分断面を含む側面図、第３図（ａ） 、 （ｂ） 、
（Ｃ）、 （ｄ）は従来のチップ化モジエールの一例
を示す平面透視図。 側面図１回路図、チップキャリア実装図である。 １−−− ・・−ＧａＡｓＦＥＴチップ、４．５−−−
−−−電源バイパスコンデンサ、６，７・・・・−・薄
膜抵抗、１０．１１−・・・・電源電圧供給用コネクタ
ピン、１２．１３・・・・・・人。 出力ストリップ線路、１４−・・・・・シールドケース
、１５・・・・・・カバー、１９・・・・・・誘電体基
板、２ｏ・旧・・スロット線路、２１・・・・・・アイ
ル−タ、２２・・・・・・チップ化モジエール増幅器、
２３・・・・・・パワーモニタ、２４・・・・・・電源
回路、２５・・・・・・金リボン。 代理人 弁理士 内 原 音 拾１図 （１２） （ｂ） （ｃ） 第２図 （ｂ）
Claims (1)
- チップ部品を用いたマイクロ波モジュールにおいて、
誘電体基板上に入出力ストリップ線路を蒸着し、この入
出力ストリップ線路と結合するスロット線路及び前記チ
ップ部品を前記誘電体基板裏面の接地導体面上に構成し
て、前記入出力ストリップ線路と前記チップ部品との接
続をストリップ・スロット変換を介してなし、さらにチ
ップ実装部をハーメチックシールしたことを特徴とする
チップ化モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62255876A JP2609634B2 (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | チップ化モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62255876A JP2609634B2 (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | チップ化モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0195602A true JPH0195602A (ja) | 1989-04-13 |
| JP2609634B2 JP2609634B2 (ja) | 1997-05-14 |
Family
ID=17284794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62255876A Expired - Lifetime JP2609634B2 (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | チップ化モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2609634B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02303206A (ja) * | 1989-05-17 | 1990-12-17 | Nec Corp | 高周波電力増幅器 |
| US5404265A (en) * | 1992-08-28 | 1995-04-04 | Fujitsu Limited | Interconnect capacitors |
| US5880669A (en) * | 1996-02-29 | 1999-03-09 | Aisin Seiki Kabushiki Kaisha | Variable resistance device |
| US5912614A (en) * | 1996-10-30 | 1999-06-15 | Aisin Seiki Kabushiki Kaisha | Variable resister |
| WO2005055418A1 (ja) * | 2003-12-05 | 2005-06-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 高周波増幅器及び高周波無線通信装置 |
| WO2005101651A1 (ja) * | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 高周波能動装置 |
| WO2008047864A1 (en) | 2006-10-18 | 2008-04-24 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Process for producing monopersulfuric acid and monopersulfuric acid continuous production apparatus |
| AT514345A1 (de) * | 2013-05-22 | 2014-12-15 | Bernecker & Rainer Ind Elektronik Gmbh | Sicherheitsüberwachung einer seriellen Kinematik |
| WO2018009314A1 (en) * | 2016-07-05 | 2018-01-11 | Raytheon Company | Microwave monolithic integrated circuit (mmic) amplified having de-q'ing section with resistive via |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55128901A (en) * | 1979-03-28 | 1980-10-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | High frequency circuit device |
-
1987
- 1987-10-08 JP JP62255876A patent/JP2609634B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55128901A (en) * | 1979-03-28 | 1980-10-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | High frequency circuit device |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2005055418A1 (ja) * | 2003-12-05 | 2005-06-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 高周波増幅器及び高周波無線通信装置 |
| GB2423417A (en) * | 2003-12-05 | 2006-08-23 | Murata Manufacturing Co | High-Frequency Amplifier And High-Frequency Radio Communication Device |
| GB2423417B (en) * | 2003-12-05 | 2007-10-10 | Murata Manufacturing Co | High-Frequency Amplifier And High-Frequency Radio Communication Device |
| WO2005101651A1 (ja) * | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 高周波能動装置 |
| WO2008047864A1 (en) | 2006-10-18 | 2008-04-24 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Process for producing monopersulfuric acid and monopersulfuric acid continuous production apparatus |
| AT514345A1 (de) * | 2013-05-22 | 2014-12-15 | Bernecker & Rainer Ind Elektronik Gmbh | Sicherheitsüberwachung einer seriellen Kinematik |
| AT514345B1 (de) * | 2013-05-22 | 2015-02-15 | Bernecker & Rainer Ind Elektronik Gmbh | Sicherheitsüberwachung einer seriellen Kinematik |
| WO2018009314A1 (en) * | 2016-07-05 | 2018-01-11 | Raytheon Company | Microwave monolithic integrated circuit (mmic) amplified having de-q'ing section with resistive via |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2609634B2 (ja) | 1997-05-14 |
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