JPH04256308A - ウェーハステッパー - Google Patents

ウェーハステッパー

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Publication number
JPH04256308A
JPH04256308A JP3017814A JP1781491A JPH04256308A JP H04256308 A JPH04256308 A JP H04256308A JP 3017814 A JP3017814 A JP 3017814A JP 1781491 A JP1781491 A JP 1781491A JP H04256308 A JPH04256308 A JP H04256308A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
stage
optical system
cleaning
wafer stage
Prior art date
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Pending
Application number
JP3017814A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Ishii
博行 石井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Yamagata Ltd
Original Assignee
NEC Yamagata Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Yamagata Ltd filed Critical NEC Yamagata Ltd
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Publication of JPH04256308A publication Critical patent/JPH04256308A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はウェーハステッパーに関
し、特にウェーハステージ上の異物除去手段を備えたウ
ェーハステッパーに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のウェーハステッパーは、図３の構
成図に示すように、光源ランプ１から出た光２が照明光
学系３を通りレチクル４に照射される。この投影像は縮
小光学系５を通してウェーハステージ６上のウェーハ７
に照射され、ウェーハ７上に微細なパターンを形成する
ようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来のウェーハス
テッパーでは、ウェーハ裏面や周囲に付着していたフォ
トレジストがウェーハステージに残り、それが残ったま
ま次のウェーハが真空吸着によりウェーハステージに固
定されると、図４の断面図の様に、ウェーハ７がフォト
レジスト等の有機物１３によって局部的に隆起する。そ
の部分は他より高くなるため、ウェーハステッパーの投
影レンズの焦点深度からはずれてパターンの結像不良を
起こす一因となっていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明のウェーハステッ
パーは、露光済みウェーハをウェーハステージ上から移
動させた後、このウェーハステージ上に付着した有機物
を除去するための短波長の強力な紫外線をウェーハステ
ージ上に照射する光学系を備えている。
【０００５】
【作用】ウェーハ上のフォトレジストを除去する方法の
一つに紫外線・オゾンによる灰化法が知られており、本
発明はこの作用をステッパーに適用したものである。す
なわち、極短波長の光（紫外線）と酸素との反応による
Ｏ３　（オゾン）発生と、短波長の光のもつ化学結合解
離効果でウェーハステージ上の有機物が除去される（Ｕ
Ｖ／Ｏ３　クリーニング）。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１は本発明の実施例１の構成図である。
【０００７】光源ランプ１より出た光２は照明光学系３
を通り、レチクル４に照射される。レチクル４のパター
ンは縮小光学系５によりウェーハステージ６上のウェー
ハ７に照射される。露光終了後、ウェーハステージ６を
ウェーハを載せない状態にして、紫外線を発するクリー
ニング８の下に移動させ、強力な紫外線９をステージ上
に照射する。すると、前述した
【作用】に基づいてステージ上の有機物質のＵＶ／Ｏ３
　クリーニングが実施される。
【０００８】図２は本発明の実施例２の構成図である。 実施例１に用いた光源ランプ１と紫外線ランプを組み合
わせた光源・クリーニングランプ１０を使用し、このラ
ンプ１０から出た光２は露光光源として照明光学系１１
を通り、ミラー１２により照明光学系３，レチクル４，
縮小光学系５を通りウェーハステージ６上のウェーハに
照射される。又、この光源・クリーニング１０から出た
紫外線９は直接ウェーハステージ６を照射し、ウェーハ
ステージ６上のＵＶ／Ｏ３　クリーニングを行う。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ステッパ
ーのウェーハステージ上の強力な紫外光を照射するよう
にしたので、ウェーハステージ上に付着しているフォト
レジストや有機物を除去でき、ウェーハの盛り上りによ
るプリンタの結像不良をなくす効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１の構成図である。
【図２】本発明の実施例２の構成図である。
【図３】従来のステッパーの構成図である。
【図４】従来の結像不良を説明する断面図である。
【符号の説明】
１　　　　光源ランプ ２　　　　光 ３　　　　照明光学系 ４　　　　レチクル ５　　　　縮小光学系 ６　　　　ウェーハステージ ７　　　　ウェーハ ８　　　　クリーニングランプ ９　　　　紫外線 １０　　　　光源・クリーニングランプ１１　　　　照
明光学系 １２　　　　ミラー １３　　　　有機物

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　露光済みウェーハをウェーハステージ
    上から移動させた後、このウェーハステージ上に付着し
    た有機物を除去するための紫外線を照射する光学系を有
    することを特徴とするウェーハステッパー。
JP3017814A 1991-02-08 1991-02-08 ウェーハステッパー Pending JPH04256308A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007071933A (ja) * 2005-09-05 2007-03-22 Adtec Engineeng Co Ltd 露光装置
JP2011151058A (ja) * 2010-01-19 2011-08-04 Nikon Corp 洗浄方法、露光装置、及びデバイスの製造方法

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JPH02125415A (ja) * 1988-11-02 1990-05-14 Nec Corp 縮小投影型露光装置

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A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19970819