JPH01181519A - 縮小投影露光装置 - Google Patents

縮小投影露光装置

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Publication number
JPH01181519A
JPH01181519A JP63004108A JP410888A JPH01181519A JP H01181519 A JPH01181519 A JP H01181519A JP 63004108 A JP63004108 A JP 63004108A JP 410888 A JP410888 A JP 410888A JP H01181519 A JPH01181519 A JP H01181519A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor substrate
dust
stand
reduction projection
dirt
Prior art date
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Pending
Application number
JP63004108A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisashi Takahashi
久 高橋
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体製造工程のフォトリソグラフィ工程に用
いる縮小投影露光装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、縮小投影露光装置では半導体基板を半導体基板保
持台に保持し露光マスクおよび縮小投影レンズを通して
露光しているが、半導体基板を半導体基板保持台に保持
した際に、半導体基板と半導体基板保持台のあいだに塵
埃がはさまれると、その部分に露光した際局部的に焦点
がずれて半導体素子に不良を与えてしまう。これを避け
るために保持台に凹部を設は半導体基板との接触面積を
なるべく少なくするように工夫している。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の方法では、半導体基板裏面の塵埃の影響
は確率的に低くなるが、塵埃が半導体基板保持台につい
てしまえば半導体基板を保持した際、相互間に塵埃がは
さまれるので、局部的に焦点ずれを起こしてしまう。ま
た、塵埃′が最初がらついていた半導体基板の裏面から
はがれて半導体基板保持台に残ってしまうと、次に装着
される半導体基板が焦点ずれを起こしてしまう。さらに
、焦点ずれは起さなくても同じ半導体基板保持台を長期
間使っていると小さな塵埃が付着し、この塵埃が半導体
基板裏面を汚染し、汚染された半導体基板が他の装置を
汚染するという悪循環を起こすという問題もある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、従来の縮小投影露光装置に、露光ステージ上
の半導体基板保持台を密閉するドームと、密閉した状態
で高圧空気を噴出して半導体基板上の塵埃を吹きとばす
吹出口と吹きとばされた塵埃を排出するための排気口と
を有する洗浄装置を設けたことを特徴とする。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の縮小投影露光装置の模式図である。図
において、１は半導体基板保持台で露光ステージ２の上
に設置されている。半導体基板保持台１に半導体基板を
セットし露光位置に露光ステージ２によって移動させ縮
小投影レンズ４および露光マスク５を介して露光する。
３は保持台洗浄装置である。半導体基板が露光されたあ
と、その半導体基板は半導体基板保持台ｌからはずされ
る。このあと半導体基板保持台１は自動的に半導体基板
保持台洗浄装置３の位置に移動し洗浄が行なわれる。そ
の後次の半導体基板が半導体基板保持台１に運ばれる。
洗浄装置３は第２図に示すように、半導体基板保持台１
を密閉するドーム６と、高圧空気吹出ロアと、高圧空気
に吹きとばされた塵埃を排出する排気口８とを有する。
半導体基板保持台１上の塵埃を高圧空気で吹きとばし周
辺部の排気口から浮遊した塵埃を排出する。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、半導体基板保持台
を半導体基板露光終了ごとに高圧空気で塵埃を吹きとば
し排出することにより半導体基板保持台上の塵埃により
半導体基板の露光時の焦点ずれがなくなり、また半導体
基板裏面についていた塵埃が半導体基板保持台に移され
、それ以降流れてくる半導体基板に影響を与えることが
なくなる。これにより製品の良品率が飛躍的に向上し縮
小投影露光装置の利用効率も飛躍的に向上せしめること
が可能になる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の模式図、第２図はその洗浄
装置部分の断面図である。 １・・・半導体基板保持台、２・・・露光ステージ、３
・・・保持台洗浄装置、４・・・縮小投影レンズ、５・
・・露光マスク、６・・・ドーム、７・・・高圧空気吹
出口、８・・・排気口。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　露光マスクと半導体基板とを位置合せして露光を施こ
    す縮小投影露光装置において、半導体基板を交換する度
    に半導体基板保持台の塵埃を除去する洗浄装置を設けた
    ことを特徴とする縮小投影露光装置。
JP63004108A 1988-01-11 1988-01-11 縮小投影露光装置 Pending JPH01181519A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04256308A (ja) * 1991-02-08 1992-09-11 Nec Yamagata Ltd ウェーハステッパー
US5913721A (en) * 1998-04-06 1999-06-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Ventilation hood with enhanced particle control and method of using
JP2007071933A (ja) * 2005-09-05 2007-03-22 Adtec Engineeng Co Ltd 露光装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04256308A (ja) * 1991-02-08 1992-09-11 Nec Yamagata Ltd ウェーハステッパー
US5913721A (en) * 1998-04-06 1999-06-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Ventilation hood with enhanced particle control and method of using
JP2007071933A (ja) * 2005-09-05 2007-03-22 Adtec Engineeng Co Ltd 露光装置

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