JPH04256313A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04256313A JPH04256313A JP1797791A JP1797791A JPH04256313A JP H04256313 A JPH04256313 A JP H04256313A JP 1797791 A JP1797791 A JP 1797791A JP 1797791 A JP1797791 A JP 1797791A JP H04256313 A JPH04256313 A JP H04256313A
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- Japan
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- forming
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】［発明の目的］
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に係り、特に、配線の形成に関する。
に係り、特に、配線の形成に関する。
【０００３】
【従来の技術】従来、半導体装置の配線には加工が容易
で配線抵抗が小さいことからアルミニウムが広く用いら
れてきている。
で配線抵抗が小さいことからアルミニウムが広く用いら
れてきている。
【０００４】しかしながら近年、半導体装置の高集積化
に伴い、回路の微細化は進む一方であり、配線において
も微細化および多層化が急速に進められており、これに
伴い配線の信頼性が問題となっている。
に伴い、回路の微細化は進む一方であり、配線において
も微細化および多層化が急速に進められており、これに
伴い配線の信頼性が問題となっている。
【０００５】配線の信頼性低下の原因としてアルミニウ
ムの拡散によるエレクトロマイグレーションやストレス
マイグレーションがある。この問題を防ぐために胴等を
添加したアルミニウム合金配線が検討されている。この
方法は添加金属とアルミニウムとの化合物を粒界に析出
させることによりアルミニウムに拡散を抑制する方法で
あるが、添加金属による配線抵抗の増加や配線加工性の
低下等の問題がある。一方、チタンナイトライド（Ｔｉ
Ｎ）膜をアルミニウム膜の下地に用いた積層構造の配線
方法も提案されている。アルミニウムのような面心立方
格子の場合、表面エネルギ−は｛１１１｝面が最も小さ
く、配線の信頼性向上のためには横方向へのマイグレー
ションを防止することのできる（１１１）配向を強くす
る必要がある。一方下地として用いられるＴｉＮ膜の配
向性がアルミニウム膜の配向性に影響を与えることが知
られており、ＴｉＮが（１１１）配向の場合、アルミニ
ウムは（１１１）配向になり、ＴｉＮが（２００）配向
の場合、アルミニウムは（２００）配向になる。従って
（１１１）配向のアルミニウム膜を得るためには（１１
１）配向のＴｉＮを形成すれば良い。この（１１１）配
向のＴｉＮを形成する方法としてはアルゴン（Ａｒ）と
窒素雰囲気中での無バイアススパッタ法により形成する
方法がある。
ムの拡散によるエレクトロマイグレーションやストレス
マイグレーションがある。この問題を防ぐために胴等を
添加したアルミニウム合金配線が検討されている。この
方法は添加金属とアルミニウムとの化合物を粒界に析出
させることによりアルミニウムに拡散を抑制する方法で
あるが、添加金属による配線抵抗の増加や配線加工性の
低下等の問題がある。一方、チタンナイトライド（Ｔｉ
Ｎ）膜をアルミニウム膜の下地に用いた積層構造の配線
方法も提案されている。アルミニウムのような面心立方
格子の場合、表面エネルギ−は｛１１１｝面が最も小さ
く、配線の信頼性向上のためには横方向へのマイグレー
ションを防止することのできる（１１１）配向を強くす
る必要がある。一方下地として用いられるＴｉＮ膜の配
向性がアルミニウム膜の配向性に影響を与えることが知
られており、ＴｉＮが（１１１）配向の場合、アルミニ
ウムは（１１１）配向になり、ＴｉＮが（２００）配向
の場合、アルミニウムは（２００）配向になる。従って
（１１１）配向のアルミニウム膜を得るためには（１１
１）配向のＴｉＮを形成すれば良い。この（１１１）配
向のＴｉＮを形成する方法としてはアルゴン（Ａｒ）と
窒素雰囲気中での無バイアススパッタ法により形成する
方法がある。
【０００６】しかしながら従来の無バイアススパッタ法
では、（１１１）配向以外に（２００）配向も含まれ（
図４参照）、完全な（１１１）配向のＴｉＮを形成する
ことはできないという問題があった。
では、（１１１）配向以外に（２００）配向も含まれ（
図４参照）、完全な（１１１）配向のＴｉＮを形成する
ことはできないという問題があった。
【０００７】また、配向性を向上するために基板温度を
上げるという方法があるが、本発明者らの実験により、
ＴｉＮ膜の場合、温度を上げると、（１１１）配向のＴ
ｉＮも（２００）配向のＴｉＮに逆転してしまうことが
判明した。従って（１００）配向のＴｉＮを良好な状態
で得ることは極めて困難であった。
上げるという方法があるが、本発明者らの実験により、
ＴｉＮ膜の場合、温度を上げると、（１１１）配向のＴ
ｉＮも（２００）配向のＴｉＮに逆転してしまうことが
判明した。従って（１００）配向のＴｉＮを良好な状態
で得ることは極めて困難であった。
【０００８】さらにまた、以上のような問題はＮａＣｌ
型の結晶構造のタングステンナイトライド（ＴａＮ）膜
を（１１１）配向で形成する場合についても同様であっ
た。
型の結晶構造のタングステンナイトライド（ＴａＮ）膜
を（１１１）配向で形成する場合についても同様であっ
た。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の、無
バイアススパッタ法では、完全な（１１１）配向のＴｉ
ＮやＴａＮを形成することはできないという問題があっ
た。
バイアススパッタ法では、完全な（１１１）配向のＴｉ
ＮやＴａＮを形成することはできないという問題があっ
た。
【００１０】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、完全な（１１１）配向のＴｉＮやＴａＮを形成する
方法を提供することを目的とする。
で、完全な（１１１）配向のＴｉＮやＴａＮを形成する
方法を提供することを目的とする。
【００１１】［発明の構成］
【００１２】
【課題を解決するための手段】そこで本発明の第１では
、スパッタリングによるＴｉＮまたはＴａＮ薄膜形成に
際し、不活性ガスなどの正に帯電しやすいガスと窒素と
の混合ガス雰囲気中でスパッタリングを行う場合には、
基板に正バイアスを印加するようにし、またハロゲンガ
スなどの負に帯電しやすいガスと窒素との混合ガス雰囲
気中でスパッタリングを行う場合には、基板に負バイア
スを印加しつつ、スパッタリングを行うようにしている
。
、スパッタリングによるＴｉＮまたはＴａＮ薄膜形成に
際し、不活性ガスなどの正に帯電しやすいガスと窒素と
の混合ガス雰囲気中でスパッタリングを行う場合には、
基板に正バイアスを印加するようにし、またハロゲンガ
スなどの負に帯電しやすいガスと窒素との混合ガス雰囲
気中でスパッタリングを行う場合には、基板に負バイア
スを印加しつつ、スパッタリングを行うようにしている
。
【００１３】また、本発明の第２では、チタンナイトラ
イドまたはタンタルナイトライドなどのバリアメタル層
の構成元素を含むターゲットを用い、正または負のいず
れに帯電しやすいガス雰囲気中で、スパッタリングを行
うかに応じて上述したスパッタリングのバイアス制御を
行うようにしている。
イドまたはタンタルナイトライドなどのバリアメタル層
の構成元素を含むターゲットを用い、正または負のいず
れに帯電しやすいガス雰囲気中で、スパッタリングを行
うかに応じて上述したスパッタリングのバイアス制御を
行うようにしている。
【００１４】
【作用】ＴｉＮは、面心立方格子構造を有し、Ｔｉ＋ｑ
−Ｎ−ｑというように帯電しやすい構造であるため、基
板表面に垂直にわずかな電界をかけることによりＴｉＮ
が配向性をもつように規則的に配列されやすくなる。本
発明はこの点に着目してなされたもので、ガスが正に帯
電しやすいものである場合は、ターゲット側を負にし基
板側を正にし、ガスがターゲットをスパッタするのを助
成しやすいように電界をかけ、逆にガスが負に帯電しや
すいものである場合は、ターゲット側を正にし基板側を
負にし、ガスがターゲットをスパッタするのを助成しや
すいように電界をかけている。
−Ｎ−ｑというように帯電しやすい構造であるため、基
板表面に垂直にわずかな電界をかけることによりＴｉＮ
が配向性をもつように規則的に配列されやすくなる。本
発明はこの点に着目してなされたもので、ガスが正に帯
電しやすいものである場合は、ターゲット側を負にし基
板側を正にし、ガスがターゲットをスパッタするのを助
成しやすいように電界をかけ、逆にガスが負に帯電しや
すいものである場合は、ターゲット側を正にし基板側を
負にし、ガスがターゲットをスパッタするのを助成しや
すいように電界をかけている。
【００１５】そしてこの電界により、ＴｉＮを、エネル
ギ−を揃えた状態で、配向性よく基板上に付着するよう
にしている。例えば基板側が正であるばあいは、Ｎが基
板側となるようにＴｉＮは順次付着し、逆に基板側が負
であるばあいは、Ｔｉが基板側となるようにＴｉＮは順
次付着する。これにより、配向性が制御されて、完全な
（１１１）配向のＴｉＮを形成することができる。
ギ−を揃えた状態で、配向性よく基板上に付着するよう
にしている。例えば基板側が正であるばあいは、Ｎが基
板側となるようにＴｉＮは順次付着し、逆に基板側が負
であるばあいは、Ｔｉが基板側となるようにＴｉＮは順
次付着する。これにより、配向性が制御されて、完全な
（１１１）配向のＴｉＮを形成することができる。
【００１６】なお、例えば、キャリアガスとして不活性
ガスを用いた場合にはガスが正に帯電するので正バイア
スをかけ、一方ハロゲンガスを用いた場合にはガスが負
に帯電するので負バイアスをかける。
ガスを用いた場合にはガスが正に帯電するので正バイア
スをかけ、一方ハロゲンガスを用いた場合にはガスが負
に帯電するので負バイアスをかける。
【００１７】また、基板側に負バイアスを印加すること
により、窒化膜の表面側における窒素の密度が高まり、
膜中への酸素の混入が防止される、このため膜質が向上
する。 以上述べたことは、ＮａＣｌ型の結晶構造の
ＴａＮについてもいえることである。
により、窒化膜の表面側における窒素の密度が高まり、
膜中への酸素の混入が防止される、このため膜質が向上
する。 以上述べたことは、ＮａＣｌ型の結晶構造の
ＴａＮについてもいえることである。
【００１８】（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ詳細に
説明する。
説明する。
【００１９】図１は本発明の第１の実施例のＴｉＮ膜の
形成方法を示す説明図である。
形成方法を示す説明図である。
【００２０】この方法では真空度１×１０−８Ｔｏｒｒ
にしたのち、ＡｒとＮ２ とを等流量で導入し、１×１
０−３Ｔｏｒｒとし、Ｔｉターゲット１に−１５０Ｖ、
シリコン基板２に５０Ｖのバイアスをかけ１００ｎｍの
ＴｉＮをスパッタ法によって堆積するようにしたことを
特徴とするものである。
にしたのち、ＡｒとＮ２ とを等流量で導入し、１×１
０−３Ｔｏｒｒとし、Ｔｉターゲット１に−１５０Ｖ、
シリコン基板２に５０Ｖのバイアスをかけ１００ｎｍの
ＴｉＮをスパッタ法によって堆積するようにしたことを
特徴とするものである。
【００２１】次にこれを用いた半導体装置の製造工程に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００２２】まず、図２（ａ） に示すように面方位（
１００）、比抵抗４〜５Ωｃｍのｎ型シリコン基板２１
に対して水素燃焼酸化を行い、膜厚２μｍ の酸化シリ
コン膜２２を形成し、これをフォトリソグラフィ法によ
り形成したレジストパターンをマスクとしてＣＨＦ３
を用いた反応性イオンエッチングを用いて酸化シリコン
膜２２をパターニングし、直径１．２μｍのコンタクト
ホール２３を形成する。
１００）、比抵抗４〜５Ωｃｍのｎ型シリコン基板２１
に対して水素燃焼酸化を行い、膜厚２μｍ の酸化シリ
コン膜２２を形成し、これをフォトリソグラフィ法によ
り形成したレジストパターンをマスクとしてＣＨＦ３
を用いた反応性イオンエッチングを用いて酸化シリコン
膜２２をパターニングし、直径１．２μｍのコンタクト
ホール２３を形成する。
【００２３】続いて、図１に示したバイアススパッタ装
置に前記基板を設置し、容器内を真空度１×１０−８Ｔ
ｏｒｒにしたのち、ＡｒとＮ２ とを等流量で導入し、
１×１０−３Ｔｏｒｒとし、Ｔｉターゲット１に−１５
０Ｖ、シリコン基板２に５０Ｖのバイアスをかけ基板表
面全体に膜厚１００ｎｍのＴｉＮ２４を堆積する。ここ
でＡｒは正に帯電しやすく、Ｔｉターゲットの方向に運
動を起こし、これに衝突する。この様にして得られたＴ
ｉＮ膜は図４にＸ線回折結果を示すように完全な（１１
１）配向を有している（図２（ｂ） ）。
置に前記基板を設置し、容器内を真空度１×１０−８Ｔ
ｏｒｒにしたのち、ＡｒとＮ２ とを等流量で導入し、
１×１０−３Ｔｏｒｒとし、Ｔｉターゲット１に−１５
０Ｖ、シリコン基板２に５０Ｖのバイアスをかけ基板表
面全体に膜厚１００ｎｍのＴｉＮ２４を堆積する。ここ
でＡｒは正に帯電しやすく、Ｔｉターゲットの方向に運
動を起こし、これに衝突する。この様にして得られたＴ
ｉＮ膜は図４にＸ線回折結果を示すように完全な（１１
１）配向を有している（図２（ｂ） ）。
【００２４】次いで、ターゲットをアルミニウムに代え
、スパッタリングによりこの上層にアルミニウム膜を形
成する。ここでも完全な（１１１）配向を有するアルミ
ニウム膜を得ることができる（図２（ｃ） ）。
、スパッタリングによりこの上層にアルミニウム膜を形
成する。ここでも完全な（１１１）配向を有するアルミ
ニウム膜を得ることができる（図２（ｃ） ）。
【００２５】この後、図２（ｄ） に示すごとく、これ
らのＴｉＮ膜およびアルミニウム膜をパターニングし電
極が得られる。これは例えばＦＥＴのソース・ドレイン
領域表面の張り付け電極として働く。
らのＴｉＮ膜およびアルミニウム膜をパターニングし電
極が得られる。これは例えばＦＥＴのソース・ドレイン
領域表面の張り付け電極として働く。
【００２６】なお、前記実施例では、ｎ型シリコン基板
を用いるようにしたが、ｐ型シリコン基板を用いても良
いことはいうまでもない。
を用いるようにしたが、ｐ型シリコン基板を用いても良
いことはいうまでもない。
【００２７】実施例２
前記実施例ではＡｒガスと窒素ガスの混合ガスを用いた
ＴｉＮのスパッタリング方法について説明したが、ここ
ではＡｒガスに代えて弗素（Ｆ２ ）ガスを用いた場合
について説明する。
ＴｉＮのスパッタリング方法について説明したが、ここ
ではＡｒガスに代えて弗素（Ｆ２ ）ガスを用いた場合
について説明する。
【００２８】この方法で実施例１と異なるのは図３に示
すように導入ガスとしてＦ２ ：Ｎ２ ＝２：１の割合
で混合した混合ガスを用い、Ｔｉターゲット１に２００
Ｖ、シリコン基板２に−５０Ｖのバイアスをかける点で
ある。
すように導入ガスとしてＦ２ ：Ｎ２ ＝２：１の割合
で混合した混合ガスを用い、Ｔｉターゲット１に２００
Ｖ、シリコン基板２に−５０Ｖのバイアスをかける点で
ある。
【００２９】すなわちこの方法でも容器内の真空度１×
１０−８Ｔｏｒｒにしたのち、Ｆ２ ：Ｎ２ ＝２：１
の割合で混合した混合ガスを導入し、１×１０−３Ｔｏ
ｒｒとし、Ｔｉターゲット１に２００Ｖ、シリコン基板
２に−５０Ｖのバイアスをかけ１００ｎｍのＴｉＮをス
パッタ法によって堆積するものである。ここで、弗素は
負に帯電しやすく、Ｔｉターゲット１の方向に力を受け
、該ターゲットに対して衝突を起こす。このようにして
得られたＴｉＮ膜も図４にＸ線回折結果を示すように完
全に（１１１）配向を形成している。
１０−８Ｔｏｒｒにしたのち、Ｆ２ ：Ｎ２ ＝２：１
の割合で混合した混合ガスを導入し、１×１０−３Ｔｏ
ｒｒとし、Ｔｉターゲット１に２００Ｖ、シリコン基板
２に−５０Ｖのバイアスをかけ１００ｎｍのＴｉＮをス
パッタ法によって堆積するものである。ここで、弗素は
負に帯電しやすく、Ｔｉターゲット１の方向に力を受け
、該ターゲットに対して衝突を起こす。このようにして
得られたＴｉＮ膜も図４にＸ線回折結果を示すように完
全に（１１１）配向を形成している。
【００３０】なお、以上の実施例では、Ｓｉ基板上にコ
ンタクトホールを形成する場合について説明したが、多
結晶シリコンや金属シリサイドの配線上に絶縁膜を介し
て二層目の配線を形成する場合にこれらのも配線をつな
ぐビアホール等にも全く同様に適用できる。
ンタクトホールを形成する場合について説明したが、多
結晶シリコンや金属シリサイドの配線上に絶縁膜を介し
て二層目の配線を形成する場合にこれらのも配線をつな
ぐビアホール等にも全く同様に適用できる。
【００３１】また、前記実施例ではＴｉＮ膜上にアルミ
ニウム膜を形成するようにしたが、アルミニウム膜に代
えてアルミニウム合金、銅あるいは銅合金を用いても同
様に実施することができる。さらにガスの種類も上記実
施例に限定されることなく適宜選択可能であり、ガスの
帯電上京に応じてバイアスを印加するようにすればよい
。
ニウム膜を形成するようにしたが、アルミニウム膜に代
えてアルミニウム合金、銅あるいは銅合金を用いても同
様に実施することができる。さらにガスの種類も上記実
施例に限定されることなく適宜選択可能であり、ガスの
帯電上京に応じてバイアスを印加するようにすればよい
。
【００３２】さらに、前記実施例ではＴｉＮ膜について
のみ説明したが、ＮａＣｌ型の面心立方格子構造を有す
る膜、例えばＴａＮなど他の膜についても適用可能であ
る。また、スパッタリングのターゲットとしてＴｉＮを
用いてもよく、この場合窒素ガスの導入は不要である。 またターゲットの構成材料の割合は、形成しようとする
膜の組成比とほぼ等しくするようにするとよい。
のみ説明したが、ＮａＣｌ型の面心立方格子構造を有す
る膜、例えばＴａＮなど他の膜についても適用可能であ
る。また、スパッタリングのターゲットとしてＴｉＮを
用いてもよく、この場合窒素ガスの導入は不要である。 またターゲットの構成材料の割合は、形成しようとする
膜の組成比とほぼ等しくするようにするとよい。
【００３３】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、用いるガスの種類に応じて基板に印加するバイアス
を選択しバイアススパッタリングによってＴｉＮ膜を形
成するようにしているため完全な（１１１）配向のＴｉ
Ｎ膜を形成することができ、この膜上に形成される配線
も完全な（１１１）配向とすることができ、信頼性の高
い配線を得ることが可能となる。
ば、用いるガスの種類に応じて基板に印加するバイアス
を選択しバイアススパッタリングによってＴｉＮ膜を形
成するようにしているため完全な（１１１）配向のＴｉ
Ｎ膜を形成することができ、この膜上に形成される配線
も完全な（１１１）配向とすることができ、信頼性の高
い配線を得ることが可能となる。
【図１】本発明の第１の実施例のスパッタ法を示す説明
図。
図。
【図２】本発明の第１の実施例の方法を用いた半導体装
置の製造工程を示す説明図。
置の製造工程を示す説明図。
【図３】本発明の第２の実施例のスパッタ法を示す説明
図。
図。
【図４】本発明の方法と従来例の方法とで形成されたＴ
ｉＮ膜のＸ線回折結果を示す図。
ｉＮ膜のＸ線回折結果を示す図。
１ Ｔｉターゲット
２ 基板
２１ シリコン基板
２２ 酸化シリコン膜
２３ コンタクトホール
２４ ＴｉＮ膜
２５ アルミニウム膜
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板内に素子領域を形成する工
程と、前記半導体基板上にバリアメタルとしてのチタン
ナイトライド薄膜またはタンタルナイトライド薄膜を形
成するバリアメタル層形成工程と、前記バリアメタル層
上に配線層を形成する配線層形成工程とを含む半導体装
置の製造方法において、前記バリアメタル層形成工程が
、正または負に帯電し易いガスと窒素ガスとの混合ガス
雰囲気中で、前記半導体基板側に、前記ガスが正に帯電
し易い場合は正の、負に帯電し易い場合は負のバイアス
を印加しつつスパッタリングを行うスパッタリング工程
であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 半導体基板内に素子領域を形成する工
程と、前記半導体基板上にバリアメタル層としてのチタ
ンナイトライド薄膜またはタンタルナイトライド薄膜を
形成するバリアメタル層形成工程と、前記バリアメタル
層上に配線層を形成する配線層形成工程とを含む半導体
装置の製造方法において、前記バリアメタル層形成工程
が、前記バリアメタル層の構成元素を含むターゲットを
用い、正または負に帯電し易いガス雰囲気中で、前記半
導体基板に前記ガスが正に帯電し易い場合は正の、負に
帯電し易い場合は負のバイアスを印加しつつスパッタリ
ングを行うスパッタリング工程であることを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1797791A JPH04256313A (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1797791A JPH04256313A (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04256313A true JPH04256313A (ja) | 1992-09-11 |
Family
ID=11958786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1797791A Pending JPH04256313A (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04256313A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1548146A1 (en) * | 2003-12-22 | 2005-06-29 | Seco Tools Ab | Method of coating a cutting tool |
| JP2012199520A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-18 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2013172083A (ja) * | 2012-02-22 | 2013-09-02 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| WO2017010263A1 (ja) * | 2015-07-10 | 2017-01-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、製造方法、および電子機器 |
| JP2017168684A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-02-08 JP JP1797791A patent/JPH04256313A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1548146A1 (en) * | 2003-12-22 | 2005-06-29 | Seco Tools Ab | Method of coating a cutting tool |
| JP2012199520A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-18 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2013172083A (ja) * | 2012-02-22 | 2013-09-02 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| WO2017010263A1 (ja) * | 2015-07-10 | 2017-01-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、製造方法、および電子機器 |
| US10453887B2 (en) | 2015-07-10 | 2019-10-22 | Sony Corporation | Solid-state image sensing device, manufacturing method, and electronic apparatus |
| JP2017168684A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
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