JPH04256861A - 半導体ガス流路の製造方法 - Google Patents
半導体ガス流路の製造方法Info
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- JPH04256861A JPH04256861A JP10225091A JP10225091A JPH04256861A JP H04256861 A JPH04256861 A JP H04256861A JP 10225091 A JP10225091 A JP 10225091A JP 10225091 A JP10225091 A JP 10225091A JP H04256861 A JPH04256861 A JP H04256861A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基体に形成され
たノズル孔からガスを噴出してガス通路にガス流を生じ
させる半導体ガス流路の製造方法に関する。
たノズル孔からガスを噴出してガス通路にガス流を生じ
させる半導体ガス流路の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種の半導体ガス流路として
は、例えば、小型化されたガス式角速度検出器における
ガス流路に用いられている。
は、例えば、小型化されたガス式角速度検出器における
ガス流路に用いられている。
【０００３】ガス式角速度検出器は、第１８図に示すよ
うに、密閉したケーシング８内で、ノズル孔９からガス
通路１０内に一対のフローセンサ１１に向かってガス流
を噴出させておき、第１９図に示すように、検出器本体
に横方向の角速度ωが加わってガス流が中心線Ｏ−Ｏか
らずれεを生じて一方に偏向したときに、フローセンサ
１１における抵抗温度係数の大きなタングステンなどか
らなる一対のヒートワイヤ１１１，１１２に生ずる感温
出力の差をとり出して、そのときの検出器本体に作用す
る角速度ωの向きおよび大きさを検出すろようにしてい
る。
うに、密閉したケーシング８内で、ノズル孔９からガス
通路１０内に一対のフローセンサ１１に向かってガス流
を噴出させておき、第１９図に示すように、検出器本体
に横方向の角速度ωが加わってガス流が中心線Ｏ−Ｏか
らずれεを生じて一方に偏向したときに、フローセンサ
１１における抵抗温度係数の大きなタングステンなどか
らなる一対のヒートワイヤ１１１，１１２に生ずる感温
出力の差をとり出して、そのときの検出器本体に作用す
る角速度ωの向きおよび大きさを検出すろようにしてい
る。
【０００４】図中、１２はダイアフラム式のポンプであ
り、ケーシング８内にとじ込められたガスを流路１３を
通してノズル孔９およびガス通路１０に循環させながら
送っている。また、８はノズル孔９からガス通路１０内
に噴出されるガスを整流する整流孔であり、１５はフロ
ーセンサ１１における一対のヒートワイヤ１１１，１１
２に生ずる感温出力の差をとり出して検出器本体に作用
する角速度ωの向きおよび大きさを検出するための電気
回路が実装される回路基板である。
り、ケーシング８内にとじ込められたガスを流路１３を
通してノズル孔９およびガス通路１０に循環させながら
送っている。また、８はノズル孔９からガス通路１０内
に噴出されるガスを整流する整流孔であり、１５はフロ
ーセンサ１１における一対のヒートワイヤ１１１，１１
２に生ずる感温出力の差をとり出して検出器本体に作用
する角速度ωの向きおよび大きさを検出するための電気
回路が実装される回路基板である。
【０００５】しかしてこのようなガス式角速度検出器に
あっては、検出器本体に角速度ωが何ら作用しないとき
、ノズル孔９からガス通路１０内に噴出されるガス流が
ノズル孔９およびガス通路１０の中心線Ｏ−Ｏに沿って
まっすぐに流れるようにノズル孔９およびガス通路１０
を形成する必要があり、その加工精度が検出精度にその
ままつながるものとなっている。
あっては、検出器本体に角速度ωが何ら作用しないとき
、ノズル孔９からガス通路１０内に噴出されるガス流が
ノズル孔９およびガス通路１０の中心線Ｏ−Ｏに沿って
まっすぐに流れるようにノズル孔９およびガス通路１０
を形成する必要があり、その加工精度が検出精度にその
ままつながるものとなっている。
【０００６】そのため従来では、マスクパターンを用い
た半導体基体のエッチングによるマイクロマシニング加
工の技術を用いて、第６図ないし第９図に示すように、
それぞれノズル孔の半孔３１およびガス通路の半溝４１
がエッチングによって形成された下側半導体基体１と上
側半導体基本２とをつき合せることにより、ノズル孔３
およびガス通路４からなる半導体ガス流路を加工精度良
く製造するとともに、それにより検出器の小形化を図る
ようにしている（特願平１−１６５７６２号参照）。
た半導体基体のエッチングによるマイクロマシニング加
工の技術を用いて、第６図ないし第９図に示すように、
それぞれノズル孔の半孔３１およびガス通路の半溝４１
がエッチングによって形成された下側半導体基体１と上
側半導体基本２とをつき合せることにより、ノズル孔３
およびガス通路４からなる半導体ガス流路を加工精度良
く製造するとともに、それにより検出器の小形化を図る
ようにしている（特願平１−１６５７６２号参照）。
【０００７】なお、ここでは、ガス通路４の一部をなす
下側の半導体基体１をエッチングしてガス通路４にかか
るブリッジ部６が形成され、そのブリッヂ部６の上面に
一対のヒートワイヤ５１，５２が金属蒸着などの手段に
よってパターン形成されている。ブリッジ部６は、ガス
通路４の高さのほぼ中間位置にくるように設けられてい
る。また、ブリッジ部６の両端側の半導体基体１上には
、各ヒートワイヤ５１，５２にそれぞれつながる電極部
７が金属蒸着などの手段によってパターン形成されてい
る。さらに、ガス通路４内のヒートワイヤ５１，５２の
下流側の奥方における下側半導体基体１の部分に、ピエ
ゾ素子を駆動源とするマイクロポンプ１６が集積化して
形成されている。
下側の半導体基体１をエッチングしてガス通路４にかか
るブリッジ部６が形成され、そのブリッヂ部６の上面に
一対のヒートワイヤ５１，５２が金属蒸着などの手段に
よってパターン形成されている。ブリッジ部６は、ガス
通路４の高さのほぼ中間位置にくるように設けられてい
る。また、ブリッジ部６の両端側の半導体基体１上には
、各ヒートワイヤ５１，５２にそれぞれつながる電極部
７が金属蒸着などの手段によってパターン形成されてい
る。さらに、ガス通路４内のヒートワイヤ５１，５２の
下流側の奥方における下側半導体基体１の部分に、ピエ
ゾ素子を駆動源とするマイクロポンプ１６が集積化して
形成されている。
【０００８】普通、ＫＯＨなどのアルカリ性水溶液を用
いたシリコン半導体基体の異方性エッチングにあっては
、それによればシリコン半導体基体における（００１）
面と（１１１）面とのエッチングの速度差が大幅に異な
って、第１０図および第１１図に示すように、半導体基
体１の表面の（００１）面に形成されたＳｉＮ層による
マスクパターン１７に応じて半導体基体１に溝１８また
は凹部１９を容易に形成することができるため、半導体
基体のマイクロマシニング加工に広く採用されている。 図中、ａは半導体基体１の（００１）面、ｂはその（１
１１）面を示している。
いたシリコン半導体基体の異方性エッチングにあっては
、それによればシリコン半導体基体における（００１）
面と（１１１）面とのエッチングの速度差が大幅に異な
って、第１０図および第１１図に示すように、半導体基
体１の表面の（００１）面に形成されたＳｉＮ層による
マスクパターン１７に応じて半導体基体１に溝１８また
は凹部１９を容易に形成することができるため、半導体
基体のマイクロマシニング加工に広く採用されている。 図中、ａは半導体基体１の（００１）面、ｂはその（１
１１）面を示している。
【０００９】しかし、その異方性エッチングによれば、
第１４図および第１５図に示すように、マスクパターン
１７の外角の部分２０において、（２２１）面、（５１
１）面などの高次のサイドエッチング面ｃが現われてオ
ーバエッチング状態になってしまうという問題がある。 図中、２１はオーバエッチング領域を示している。
第１４図および第１５図に示すように、マスクパターン
１７の外角の部分２０において、（２２１）面、（５１
１）面などの高次のサイドエッチング面ｃが現われてオ
ーバエッチング状態になってしまうという問題がある。 図中、２１はオーバエッチング領域を示している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】そのため、第１６図に
示すような形状のマスクパターン１７を用いて、第６図
および第７図に示すような半導体基体１にノズル孔の半
孔３１およびガス通路の半溝４１を形成させるべくエッ
チングを行わせると、第１７図に示すように、マスクパ
ターン１７の外角の部分２０においてオーバーエッチン
グ領域２１が生じて、それによりノズル孔の半孔３１に
おける実質上の長さｌ２が短くなってしまい、ガス通路
４内にガス流を送り込むノズル孔３の長さが不充分とな
って乱流を生じさせるなど、ガス流路設計上の制約にな
っている。
示すような形状のマスクパターン１７を用いて、第６図
および第７図に示すような半導体基体１にノズル孔の半
孔３１およびガス通路の半溝４１を形成させるべくエッ
チングを行わせると、第１７図に示すように、マスクパ
ターン１７の外角の部分２０においてオーバーエッチン
グ領域２１が生じて、それによりノズル孔の半孔３１に
おける実質上の長さｌ２が短くなってしまい、ガス通路
４内にガス流を送り込むノズル孔３の長さが不充分とな
って乱流を生じさせるなど、ガス流路設計上の制約にな
っている。
【００１１】例えば、幅ｗ＝０．４ｍｍ、長さｌ＝１ｍ
ｍ、深さｄ＝０．２ｍｍのノズル孔を想定した場合、ノ
ズル孔の実質上の長さｌ２は、その両端のオーバエッチ
ング部分の長さｌ１がほぼエッチング深さｄの２倍にな
るので、ｌ２＝０．２ｍｍ程度になってしまう。
ｍ、深さｄ＝０．２ｍｍのノズル孔を想定した場合、ノ
ズル孔の実質上の長さｌ２は、その両端のオーバエッチ
ング部分の長さｌ１がほぼエッチング深さｄの２倍にな
るので、ｌ２＝０．２ｍｍ程度になってしまう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基体を
マスクパターンにしたがってエッチングすることによっ
てその基体にノズル孔の半孔およびガス通路の半溝を形
成する際、マスクパターンのノズル孔の半孔を形成する
ための部分における外角部分に、そのノズル孔形成領域
を遮ることなくガス通路のガス流方向に突出する突出部
を設けた特殊なマスクパターンを用いるようにしている
。
マスクパターンにしたがってエッチングすることによっ
てその基体にノズル孔の半孔およびガス通路の半溝を形
成する際、マスクパターンのノズル孔の半孔を形成する
ための部分における外角部分に、そのノズル孔形成領域
を遮ることなくガス通路のガス流方向に突出する突出部
を設けた特殊なマスクパターンを用いるようにしている
。
【００１３】
【作用】本発明によれば、半導体基体のエッチング時に
、マスクパターンのノズル孔の半孔を形成するための部
分における外角部分に、前述のように突出して設けられ
た突出部に対応した箇所がオーバエッチングされて、オ
ーバエッチングがノズル孔形成領域に入り込んでなされ
ないようにして、エッチングによって形成されるノズル
孔の長さが短くなることを防止する。
、マスクパターンのノズル孔の半孔を形成するための部
分における外角部分に、前述のように突出して設けられ
た突出部に対応した箇所がオーバエッチングされて、オ
ーバエッチングがノズル孔形成領域に入り込んでなされ
ないようにして、エッチングによって形成されるノズル
孔の長さが短くなることを防止する。
【００１４】
【実施例】第１図は本発明に用いられるマスクパターン
２２の一例を示すもので、ノズル孔の半孔を形成するた
めの部分における外角部分２０１，２０２に、そのノズ
ル孔形成領域２３を遮ることなくガス通路のガス流方向
に突出する突出部２５１，２５２が設けられている。図
中、２４はガス通路形成領域を示している。
２２の一例を示すもので、ノズル孔の半孔を形成するた
めの部分における外角部分２０１，２０２に、そのノズ
ル孔形成領域２３を遮ることなくガス通路のガス流方向
に突出する突出部２５１，２５２が設けられている。図
中、２４はガス通路形成領域を示している。
【００１５】具体的には、例えばシリコン半導体基体の
（００１）面にマスクパターン２２を載置してエッチン
グを行わせる場合、突出部２５１，２５２をその半導体
基体の＜１１０＞方向（ノズル孔の形成方向）に沿って
設けるようにする。
（００１）面にマスクパターン２２を載置してエッチン
グを行わせる場合、突出部２５１，２５２をその半導体
基体の＜１１０＞方向（ノズル孔の形成方向）に沿って
設けるようにする。
【００１６】その突出部２５１，２５２としては、その
長さｌ３がエッチング深さｄのほぼ２倍となるように設
定されている。また、その突出部２５１，２５２の幅は
、それが極力細くなるように設定されている（通常は数
μｍで充分である）。
長さｌ３がエッチング深さｄのほぼ２倍となるように設
定されている。また、その突出部２５１，２５２の幅は
、それが極力細くなるように設定されている（通常は数
μｍで充分である）。
【００１７】このようなマスクパターン２２を用いて半
導体基体にノズル孔の半孔およびガス通路の半溝を形成
するべくエッチングを行わせると、マスクパターン２２
の突出部２５１，２５２に対応した箇所がオーバエッチ
ングされるが、そのときの半導体基体に生ずるエッチン
グ探さに応じたオーバエッチング部分の長さがほぼ突出
部２５１，２５２の長さｌ３と等しくなって、オーバエ
ッチングがノズル孔形成領域に入り込むようなことがな
い。
導体基体にノズル孔の半孔およびガス通路の半溝を形成
するべくエッチングを行わせると、マスクパターン２２
の突出部２５１，２５２に対応した箇所がオーバエッチ
ングされるが、そのときの半導体基体に生ずるエッチン
グ探さに応じたオーバエッチング部分の長さがほぼ突出
部２５１，２５２の長さｌ３と等しくなって、オーバエ
ッチングがノズル孔形成領域に入り込むようなことがな
い。
【００１８】そして、半導体基体に対して所定の深さｄ
のエッチングがなされると、その突出部２５１，２５２
に対応した半導体基体の部分がオーバエッチングによっ
て全て除去されて末エッチング部分が残らない。
のエッチングがなされると、その突出部２５１，２５２
に対応した半導体基体の部分がオーバエッチングによっ
て全て除去されて末エッチング部分が残らない。
【００１９】したがって、マスクパターン２２に突出部
２５１，２５２を設けて半導体基体のエッチングを行わ
せても、ガス通路の半溝の形成には何ら支障をきたすこ
とがない。
２５１，２５２を設けて半導体基体のエッチングを行わ
せても、ガス通路の半溝の形成には何ら支障をきたすこ
とがない。
【００２０】また、本発明では、マスクパターン２２を
用いてノズル孔の半孔およびガス通路の半溝を形成する
べく半導体基体のエッチングを行わせる際、マスクパタ
ーン２２に設けられた突出部２５１，２５２に対応した
箇所における半導体基体のエッチング状態を監視して、
その突出部２５１，２５２に対応した半導体基体の部分
がオーバエッチングによって全て除去されたことをもっ
てエッチングの終了を検知するようにしている。
用いてノズル孔の半孔およびガス通路の半溝を形成する
べく半導体基体のエッチングを行わせる際、マスクパタ
ーン２２に設けられた突出部２５１，２５２に対応した
箇所における半導体基体のエッチング状態を監視して、
その突出部２５１，２５２に対応した半導体基体の部分
がオーバエッチングによって全て除去されたことをもっ
てエッチングの終了を検知するようにしている。
【００２１】第２図および第３図に、マスクパターン２
２に設けられる突出部２５１，２５２の他の形状例をそ
れぞれ示している。
２に設けられる突出部２５１，２５２の他の形状例をそ
れぞれ示している。
【００２２】ここでは、突出部２５１，２５２の形状に
工夫をこらして、オーバエッチングがノズル孔形成領域
に入り込むようなことをより確実に防止するとともに、
突出部２５１，２５２に対応した半導体基体の部分がオ
ーバエッチングによって全て除去されて末エッチング部
分がより残りにくくなるようにしている。
工夫をこらして、オーバエッチングがノズル孔形成領域
に入り込むようなことをより確実に防止するとともに、
突出部２５１，２５２に対応した半導体基体の部分がオ
ーバエッチングによって全て除去されて末エッチング部
分がより残りにくくなるようにしている。
【００２３】第４図に、突出部２５１，２５２が設けら
れたマスクパターン２２を用いてエッチングされた半導
体基体のガス通路側におけるノズル孔の半孔の部分の形
状を示している。図中、斜線部分は半導体基体のエッチ
ングされた側面を示している。
れたマスクパターン２２を用いてエッチングされた半導
体基体のガス通路側におけるノズル孔の半孔の部分の形
状を示している。図中、斜線部分は半導体基体のエッチ
ングされた側面を示している。
【００２４】第５図に、従来のマスクパターンを用いて
エッチングされた半導体基体のガス通路側におけるノズ
ル孔の半孔の部分の形状を示している。
エッチングされた半導体基体のガス通路側におけるノズ
ル孔の半孔の部分の形状を示している。
【００２５】なお、ノズル孔３の両側に、特に図示しな
いが、必要に応じて、ガス通路４内に噴出されるガス流
を整流する整流孔（第１８図参照）を、下側半導体基体
１と上側半導体基体２とに整流孔の半孔を、ノズル孔３
の半孔を形成する場合と同様に、それぞれエッチングす
ることによって形成することが可能である。
いが、必要に応じて、ガス通路４内に噴出されるガス流
を整流する整流孔（第１８図参照）を、下側半導体基体
１と上側半導体基体２とに整流孔の半孔を、ノズル孔３
の半孔を形成する場合と同様に、それぞれエッチングす
ることによって形成することが可能である。
【発明の効果】以上、本発明による半導体ガス通路の製
造方法にあっては、半導体基体をマスクパターンを用い
てエッチングすることにより、それぞれノズル孔の半孔
およびガス通路の半溝が形成された上側半導体基体と下
側半導体基体とをつき合せて、ガスをノズル孔から噴出
してガス通路にガス流を生じさせる半導体ガス流路を製
造する際、マスクパターンのノズル孔の半孔を形成する
ための部分における外角部分に、ノズル孔形成領域を遮
ることなくガス通路のガス流方向に突出する突出部が設
けられたマスクパターンを用いて半導体基体のエッチン
グを行わせるようにしているので、オーバエッチングが
ノズル孔形成領域に入り込んでなされることがなく、半
導体基体のエッチングを制御性良く行わせて、設計上の
制約を受けることなくノズル孔およびガス通路を精度良
く形成することができるという優れた利点を有している
。
造方法にあっては、半導体基体をマスクパターンを用い
てエッチングすることにより、それぞれノズル孔の半孔
およびガス通路の半溝が形成された上側半導体基体と下
側半導体基体とをつき合せて、ガスをノズル孔から噴出
してガス通路にガス流を生じさせる半導体ガス流路を製
造する際、マスクパターンのノズル孔の半孔を形成する
ための部分における外角部分に、ノズル孔形成領域を遮
ることなくガス通路のガス流方向に突出する突出部が設
けられたマスクパターンを用いて半導体基体のエッチン
グを行わせるようにしているので、オーバエッチングが
ノズル孔形成領域に入り込んでなされることがなく、半
導体基体のエッチングを制御性良く行わせて、設計上の
制約を受けることなくノズル孔およびガス通路を精度良
く形成することができるという優れた利点を有している
。
【図１】本発明に用いられるマスクパターンの一例を示
す図である。
す図である。
【図２】本発明に用いられるマスクパターンの他の例を
示す図である。
示す図である。
【図３】本発明に用いられるマスクパターンのさらに他
の例を示す図である。
の例を示す図である。
【図４】本発明によるマスクパターンを用いてエッチン
グされた半導体基体のガス通路側におけるノズル孔の半
孔の部分の形状を示す平面図である。
グされた半導体基体のガス通路側におけるノズル孔の半
孔の部分の形状を示す平面図である。
【図５】従来のマスクパターンを用いてエッチングされ
た半導体基体のガス通路側におけるノズル孔の半孔の部
分の形状を示す平面図である。
た半導体基体のガス通路側におけるノズル孔の半孔の部
分の形状を示す平面図である。
【図６】ノズル孔の半孔およびガス通路の半溝がエッチ
ングによって成形された半導体基体を示す平面図である
。
ングによって成形された半導体基体を示す平面図である
。
【図７】ノズル孔の半孔およびガス通路の半溝がエッチ
ングによって成形された半導体基体を示す斜視図である
。
ングによって成形された半導体基体を示す斜視図である
。
【図８】ノズル孔の半孔およびガス通路の半溝がエッチ
ングによって成形された下側半導体基体と上側半導体基
体とをつき合せることによって構成された半導体ガス流
路を示す斜視図である。
ングによって成形された下側半導体基体と上側半導体基
体とをつき合せることによって構成された半導体ガス流
路を示す斜視図である。
【図９】図８のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図１０】半導体基体に溝を成形するときのマスクパタ
ーンおよび半導体基体の部分的な平面図である。
ーンおよび半導体基体の部分的な平面図である。
【図１１】図１０のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図１２】半導体基体に凹部を成形するときのマスクパ
ターンおよび半導体基体の部分的な平面図である。
ターンおよび半導体基体の部分的な平面図である。
【図１３】図１２のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図１４】外角をもったマスクパターンにおける半導体
基体のエッチング状態を示す平面図である。
基体のエッチング状態を示す平面図である。
【図１５】図１４のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図１６】従来のマスクパターンを示す図である。
【図１７】従来のマスクパターンを用いたときのノズル
孔の半孔の部分に生ずるオーバエッチングの状態を示す
平面図である。
孔の半孔の部分に生ずるオーバエッチングの状態を示す
平面図である。
【図１８】ガス式角速度検出器の一般的な構成を示す平
断面図である。
断面図である。
【図１９】ガス式角速度検出器に角速度が加わったとき
のガス流の偏向状態を示す図である。
のガス流の偏向状態を示す図である。
１…下側半導体基体
２…上側半導体基体
３…ノズル孔
３１…ノズル孔の半孔
４…ガス通路
４１…ガス通路の半溝
１７…マスクパターン
２０，２０１，２０２…外角部分
２１…オーバエッチング領域
２５１，２５２…突出部
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基体をマスクパターンを用いて
エッチングすることにより、それぞれノズル孔の半孔お
よびガス通路の半溝が形成された上側半導体基体と下側
半導体基体とをつき合せて、ガスをノズル孔から噴出し
てガス通路にガス流を生じさせる半導体ガス流路を製造
する際、マスクパターンのノズル孔の半孔を形成するた
めの部分における外角部分に、ノズル孔形成領域を遮る
ことなくガス通路のガス流方向に突出する突出部が設け
られたマスクパターンを用いて、半導体基体にノズル孔
の半孔およびガス通路の半溝を形成するようにしたこと
を特徴とする半導体ガス流路の製造方法。 - 【請求項２】 マスクパターンの突出部の長さが、ノ
ズル孔の半孔のエッチング深さのほぼ２倍であることを
特徴とする前記第１項の記載による半導体ガス流路の製
造方法。 - 【請求項３】 半導体基体の（００１）面にマスクパ
ターンを載置して、ノズル孔およびマスクパターンの突
出部を前記半導体基体の＜１１０＞方向に沿って形成し
たことを特徴とする前記第１項の記載による半導体ガス
流路の製造方法。 - 【請求項４】 マスクパターンの突出部に対応した箇
所における半導体基体のエッチング状態にしたがってエ
ッチング終了を検知するようにしたことを特徴とする前
記第１項の記載による半導体ガス流路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10225091A JP2599316B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 半導体ガス流路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10225091A JP2599316B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 半導体ガス流路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04256861A true JPH04256861A (ja) | 1992-09-11 |
| JP2599316B2 JP2599316B2 (ja) | 1997-04-09 |
Family
ID=14322359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10225091A Expired - Fee Related JP2599316B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 半導体ガス流路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2599316B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0672907A3 (en) * | 1994-03-18 | 1997-03-19 | Honda Motor Co Ltd | Gas-operated speed sensor in semiconductor technology. |
| CN115555480A (zh) * | 2022-10-24 | 2023-01-03 | 苏州安洁科技股份有限公司 | 一种五金模脱料板入块结构及其对应的加工工艺 |
-
1991
- 1991-02-08 JP JP10225091A patent/JP2599316B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0672907A3 (en) * | 1994-03-18 | 1997-03-19 | Honda Motor Co Ltd | Gas-operated speed sensor in semiconductor technology. |
| CN115555480A (zh) * | 2022-10-24 | 2023-01-03 | 苏州安洁科技股份有限公司 | 一种五金模脱料板入块结构及其对应的加工工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2599316B2 (ja) | 1997-04-09 |
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