JPH04257110A - 積層チップｌ型フィルタ - Google Patents
積層チップｌ型フィルタInfo
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- JPH04257110A JPH04257110A JP6088891A JP6088891A JPH04257110A JP H04257110 A JPH04257110 A JP H04257110A JP 6088891 A JP6088891 A JP 6088891A JP 6088891 A JP6088891 A JP 6088891A JP H04257110 A JPH04257110 A JP H04257110A
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- Japan
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- multilayer chip
- laminated
- capacitor
- type filter
- inductor
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Links
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Landscapes
- Filters And Equalizers (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＥＭＩフィルタとして
用いられるインダクタとコンデンサから構成された積層
チップＬ型フィルタ、特にＥＭＩを除去するとともにサ
ージ吸収能力を備えた積層チップＬ型フィルタに関する
。
用いられるインダクタとコンデンサから構成された積層
チップＬ型フィルタ、特にＥＭＩを除去するとともにサ
ージ吸収能力を備えた積層チップＬ型フィルタに関する
。
【０００２】
【従来の技術】従来から、それぞれ単独の積層チップイ
ンダクタ及び積層チップバリスタは知られている。また
積層チップ部品のＥＭＩ除去用Ｌ型フィルタとして、■
積層チップコイル１素子と積層チップコンデンサ１素子
とを積層してワンチップに搭載し、同時焼成して一体化
したもの、■チップインダクタ１素子と積層コンデンサ
１素子とを組み合わせて接着又は埋め込んでワンチップ
に搭載し、一体化したもの等があった。これらの積層チ
ップＬ型フィルタは、チップインダクタ１素子と積層コ
ンデンサ１素子とを組み合わせてＬ型等価回路を構成し
、ＥＭＩ除去用フィルタとして使用されている。
ンダクタ及び積層チップバリスタは知られている。また
積層チップ部品のＥＭＩ除去用Ｌ型フィルタとして、■
積層チップコイル１素子と積層チップコンデンサ１素子
とを積層してワンチップに搭載し、同時焼成して一体化
したもの、■チップインダクタ１素子と積層コンデンサ
１素子とを組み合わせて接着又は埋め込んでワンチップ
に搭載し、一体化したもの等があった。これらの積層チ
ップＬ型フィルタは、チップインダクタ１素子と積層コ
ンデンサ１素子とを組み合わせてＬ型等価回路を構成し
、ＥＭＩ除去用フィルタとして使用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の積層チップＬ型フィルタは、いずれの場合もチッ
プインダクタ１素子と積層コンデンサ１素子とを組み合
わせたものであり、サージ吸収効果がない。そのため、
上記の従来の積層チップＬ型フィルタを使用したワープ
ロ、パソコン等の電子機器においてキーボード等からデ
ータを入力する場合には、人体からでる静電気が入るの
を阻止できず、ＩＣ，ＬＳＩ等を損傷するおそれがあっ
た。
従来の積層チップＬ型フィルタは、いずれの場合もチッ
プインダクタ１素子と積層コンデンサ１素子とを組み合
わせたものであり、サージ吸収効果がない。そのため、
上記の従来の積層チップＬ型フィルタを使用したワープ
ロ、パソコン等の電子機器においてキーボード等からデ
ータを入力する場合には、人体からでる静電気が入るの
を阻止できず、ＩＣ，ＬＳＩ等を損傷するおそれがあっ
た。
【０００４】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであり、小型であって、ＥＭＩをよく除去すると
ともにサージ吸収能力を備えた積層チップＬ型フィルタ
を提供することを目的としている。
たものであり、小型であって、ＥＭＩをよく除去すると
ともにサージ吸収能力を備えた積層チップＬ型フィルタ
を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る積層チップ
Ｌ型フィルタは、帯状導体線路が形成されたフェライト
シートが積層されてなる積層チップインダクタ１素子と
、対向電極を有するバリスタシートが積層されてなる積
層チップコンデンサ１素子とからなり、この積層チップ
コンデンサに対向する前記積層チップインダクタの面に
は帯状導体線路が形成されていないフェライトシートが
介在して前記積層チップインダクタと前記積層チップコ
ンデンサとは積層されて一体化されていることを特徴と
する。また、前記積層チップコンデンサに対向する前記
積層チップインダクタの面には対向電極が形成されてい
ないバリスタシートが介在していることを特徴とする。
Ｌ型フィルタは、帯状導体線路が形成されたフェライト
シートが積層されてなる積層チップインダクタ１素子と
、対向電極を有するバリスタシートが積層されてなる積
層チップコンデンサ１素子とからなり、この積層チップ
コンデンサに対向する前記積層チップインダクタの面に
は帯状導体線路が形成されていないフェライトシートが
介在して前記積層チップインダクタと前記積層チップコ
ンデンサとは積層されて一体化されていることを特徴と
する。また、前記積層チップコンデンサに対向する前記
積層チップインダクタの面には対向電極が形成されてい
ないバリスタシートが介在していることを特徴とする。
【０００６】
【作用】上記のように構成された本発明に係る積層チッ
プＬ型フィルタは、インダクタは帯状導体線路のターン
数、フェライトシートの材質等を変えることによりイン
ダクタンス値を変更できるので、所望の値のものを容易
に選択できるとともに、小型にできる。コンデンサにつ
いてもバリスタシートの材質、厚み、対向して形成され
た電極の面積を変えることにより、容量を変更できるの
で所望のものを容易に選択できるとともに、小型にでき
る。また、帯状導体線路が形成されていないフェライト
シート又はバリスタシートがインダクタとコンデンサ間
に介在している等により、層の密着性をよくして磁束の
もれを減らすのでインダクタンスを増加させ小型化が図
れるとともに、実装密度も高めることができ、寄生イン
ダクタンスや浮遊容量等による影響が少なくなり、減衰
特性のバラツキが少ない周波数特性のよい信頼性の高い
フィルタとなる。また、サージ電圧が発生した場合は、
コンデンサとしてのバリスタ素子により吸収され、高電
圧によりＩＣ，ＬＳＩ等が損傷するおそれがなくなる。
プＬ型フィルタは、インダクタは帯状導体線路のターン
数、フェライトシートの材質等を変えることによりイン
ダクタンス値を変更できるので、所望の値のものを容易
に選択できるとともに、小型にできる。コンデンサにつ
いてもバリスタシートの材質、厚み、対向して形成され
た電極の面積を変えることにより、容量を変更できるの
で所望のものを容易に選択できるとともに、小型にでき
る。また、帯状導体線路が形成されていないフェライト
シート又はバリスタシートがインダクタとコンデンサ間
に介在している等により、層の密着性をよくして磁束の
もれを減らすのでインダクタンスを増加させ小型化が図
れるとともに、実装密度も高めることができ、寄生イン
ダクタンスや浮遊容量等による影響が少なくなり、減衰
特性のバラツキが少ない周波数特性のよい信頼性の高い
フィルタとなる。また、サージ電圧が発生した場合は、
コンデンサとしてのバリスタ素子により吸収され、高電
圧によりＩＣ，ＬＳＩ等が損傷するおそれがなくなる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図において、１は積層チップＬ型フィルタで、積
層チップインダクタ２と積層チップコンデンサ３とが積
層され一体化され、外形が直方体に形成され、電極が表
面に形成されている。積層チップインダクタ２は、図３
に示すように、帯状導体線路４ａ，４ｂがそれぞれ形成
されたフェライトシート２ｄ，２ｅ及びフェライトシー
ト２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｆが積層されて一体化されて形
成されている。積層チップコンデンサ３は、それぞれ対
向第１及び第２電極７ａ，７ｂが形成されたバリスタシ
ート３ａ，３ｂ及びバリスタシート３ｃ〜３ｅが積層さ
れて一体化されて形成されている。積層チップインダク
タ２はその積層チップコンデンサ３に対向する面の電極
がないフェライトシート２ｆを介して積層チップコンデ
ンサ３と積層されて一体化されている。
する。図において、１は積層チップＬ型フィルタで、積
層チップインダクタ２と積層チップコンデンサ３とが積
層され一体化され、外形が直方体に形成され、電極が表
面に形成されている。積層チップインダクタ２は、図３
に示すように、帯状導体線路４ａ，４ｂがそれぞれ形成
されたフェライトシート２ｄ，２ｅ及びフェライトシー
ト２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｆが積層されて一体化されて形
成されている。積層チップコンデンサ３は、それぞれ対
向第１及び第２電極７ａ，７ｂが形成されたバリスタシ
ート３ａ，３ｂ及びバリスタシート３ｃ〜３ｅが積層さ
れて一体化されて形成されている。積層チップインダク
タ２はその積層チップコンデンサ３に対向する面の電極
がないフェライトシート２ｆを介して積層チップコンデ
ンサ３と積層されて一体化されている。
【０００８】フェライトシート２ａ〜２ｆは、Ｍｎ−Ｚ
ｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト等の磁性体の
粉末から成形される。フェライトシート２ａ，２ｂ，２
ｃと帯状導体線路４ａ，４ｂが形成されたフェライトシ
ート２ｄ，２ｅと、このフェライトシート２ｅとバリス
タシート３ａの間に介在するフェライトシート２ｆとが
積層されて一体化されて積層チップインダクタ１素子を
形成している。帯状導体線路４ａはフェライトシート２
ｄの表面に概略コの字状にこのシート２ｄの３辺に沿っ
て屈曲されてインダクタに形成され、その一方の端は図
３上で左側の端縁に沿って形成された引出し電極６ａに
接続され、やや短く形成された他方の端にはスルーホー
ル５が設けられている。フェライトシート２ｄと隣接す
るフェライトシート２ｅには、帯状導体線路４ｂが帯状
導体線路４ａと同様にして屈曲して形成されている。こ
の帯状導体線路４ｂは、スルーホール５に対向する位置
の近辺に一端が位置し、他方の端は図３上で右側の端縁
に沿って形成された引出し電極６ｂに接続されている。 帯状導体線路４ａ，４ｂが形成されたフェライトシート
２ｄ，２ｅ・・・を順次重ね合わせて帯状導体線路４ａ
，４ｂ，・・・を順次接続すると、巻き数の多い所望の
インダクタンスのインダクタを形成することができる。 帯状導体線路も引出し電極も形成されていないフェライ
トシート２ｆを介して積層チップコンデンサ３を積層す
る。この電極の形成されていないフェライトシート又は
バリスタシートの層は密着性を高めるとともに磁束のも
れを減らすため、複数枚であっても差し支えない。
ｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト等の磁性体の
粉末から成形される。フェライトシート２ａ，２ｂ，２
ｃと帯状導体線路４ａ，４ｂが形成されたフェライトシ
ート２ｄ，２ｅと、このフェライトシート２ｅとバリス
タシート３ａの間に介在するフェライトシート２ｆとが
積層されて一体化されて積層チップインダクタ１素子を
形成している。帯状導体線路４ａはフェライトシート２
ｄの表面に概略コの字状にこのシート２ｄの３辺に沿っ
て屈曲されてインダクタに形成され、その一方の端は図
３上で左側の端縁に沿って形成された引出し電極６ａに
接続され、やや短く形成された他方の端にはスルーホー
ル５が設けられている。フェライトシート２ｄと隣接す
るフェライトシート２ｅには、帯状導体線路４ｂが帯状
導体線路４ａと同様にして屈曲して形成されている。こ
の帯状導体線路４ｂは、スルーホール５に対向する位置
の近辺に一端が位置し、他方の端は図３上で右側の端縁
に沿って形成された引出し電極６ｂに接続されている。 帯状導体線路４ａ，４ｂが形成されたフェライトシート
２ｄ，２ｅ・・・を順次重ね合わせて帯状導体線路４ａ
，４ｂ，・・・を順次接続すると、巻き数の多い所望の
インダクタンスのインダクタを形成することができる。 帯状導体線路も引出し電極も形成されていないフェライ
トシート２ｆを介して積層チップコンデンサ３を積層す
る。この電極の形成されていないフェライトシート又は
バリスタシートの層は密着性を高めるとともに磁束のも
れを減らすため、複数枚であっても差し支えない。
【０００９】積層チップコンデンサ３は、図３に示すよ
うに、バリスタシート３ａ〜３ｅが順次積層一体化され
て積層チップインダクタ１素子が形成されている。バリ
スタシート３ａ，３ｂにはそれぞれ対向第１及び第２電
極７ａ，７ｂが形成されている。バリスタシート３ａの
対向第１電極７ａに接続して引出し電極８ａが１辺の端
縁に沿って形成され、バリスタシート３ｂの対向第２電
極７ｂから引出し電極９ａ，９ｂが２箇所引出し電極８
ａと離れた位置の端部に延びて形成されている。
うに、バリスタシート３ａ〜３ｅが順次積層一体化され
て積層チップインダクタ１素子が形成されている。バリ
スタシート３ａ，３ｂにはそれぞれ対向第１及び第２電
極７ａ，７ｂが形成されている。バリスタシート３ａの
対向第１電極７ａに接続して引出し電極８ａが１辺の端
縁に沿って形成され、バリスタシート３ｂの対向第２電
極７ｂから引出し電極９ａ，９ｂが２箇所引出し電極８
ａと離れた位置の端部に延びて形成されている。
【００１０】バリスタシート３ａ〜３ｅは、非直線性抵
抗性を有した酸化亜鉛（ＺｎＯ）系、酸化錫（ＳｎＯ２
）系、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３ ）系、チタ
ン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３ ）系等の各種の粉
末材料から成形される。積層チップインダクタ２と積層
チップコンデンサ３のそれぞれの１素子が、積層一体化
された直方体のブロックとされ、外部電極１０ａ，１０
ｂ及び１１が、図１に示すようにして形成される。この
ようにして図２に示す等価回路の積層チップＬ型フィル
タが得られる。シートの成形は、特に制限されず、粉末
プレス法、押出法、流し込み法、シート法等の任意の成
形方法で行われる。電極の形成は、特に制限されず、塗
布、印刷、メッキ、スパッタリング等の任意の方法で行
われる。
抗性を有した酸化亜鉛（ＺｎＯ）系、酸化錫（ＳｎＯ２
）系、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３ ）系、チタ
ン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３ ）系等の各種の粉
末材料から成形される。積層チップインダクタ２と積層
チップコンデンサ３のそれぞれの１素子が、積層一体化
された直方体のブロックとされ、外部電極１０ａ，１０
ｂ及び１１が、図１に示すようにして形成される。この
ようにして図２に示す等価回路の積層チップＬ型フィル
タが得られる。シートの成形は、特に制限されず、粉末
プレス法、押出法、流し込み法、シート法等の任意の成
形方法で行われる。電極の形成は、特に制限されず、塗
布、印刷、メッキ、スパッタリング等の任意の方法で行
われる。
【００１１】この積層チップＬ型フィルタのインダクタ
２は、帯状導体線路４ａ，４ｂと所望の値のインダクタ
を形成するように複数本接続すればよい。このように帯
状導体線路の形成されたフェライトシートを順次スルー
ホールを介して接続して導通することにより所望の値の
ものを得ることができるとともに、小型にすることがで
きる。また、コンデンサ３もバリスタシートの材質、厚
み及び対向電極面積等を変えて積層することにより所望
の容量のものを得ることができるとともに、小型にする
ことができる。この積層チップＬ型フィルタはインダク
タ１素子とコンデンサ１素子とから構成され、ＥＭＩを
良く除去するとともにコンデンサをバリスタで構成して
いるのでサージ電圧等の異常な電圧が負荷しても、バリ
スタの非直線性抵抗によりコンデンサの抵抗が急激に減
少し，接続されたアースに電流を流してＩＣ，ＬＳＩ等
に異常な電圧がかからないようにできる。
２は、帯状導体線路４ａ，４ｂと所望の値のインダクタ
を形成するように複数本接続すればよい。このように帯
状導体線路の形成されたフェライトシートを順次スルー
ホールを介して接続して導通することにより所望の値の
ものを得ることができるとともに、小型にすることがで
きる。また、コンデンサ３もバリスタシートの材質、厚
み及び対向電極面積等を変えて積層することにより所望
の容量のものを得ることができるとともに、小型にする
ことができる。この積層チップＬ型フィルタはインダク
タ１素子とコンデンサ１素子とから構成され、ＥＭＩを
良く除去するとともにコンデンサをバリスタで構成して
いるのでサージ電圧等の異常な電圧が負荷しても、バリ
スタの非直線性抵抗によりコンデンサの抵抗が急激に減
少し，接続されたアースに電流を流してＩＣ，ＬＳＩ等
に異常な電圧がかからないようにできる。
【００１２】図４は、外部電極の他の形成例を示す斜視
図であり、図３の引出し電極９ａ，９ｂに接続した帯状
の外部電極１１ａが積層チップＬ型フィルタの周囲に巻
かれて角環形に形成されている。このようにすることに
より、寄生インダクタンス等の影響を少なくする。図５
は、図３の引出し電極８ａを右側に形成した場合の等価
回路を示した回路図である。出力インピーダンスが高い
場合には、このような等価回路のフィルタに形成して使
用する。
図であり、図３の引出し電極９ａ，９ｂに接続した帯状
の外部電極１１ａが積層チップＬ型フィルタの周囲に巻
かれて角環形に形成されている。このようにすることに
より、寄生インダクタンス等の影響を少なくする。図５
は、図３の引出し電極８ａを右側に形成した場合の等価
回路を示した回路図である。出力インピーダンスが高い
場合には、このような等価回路のフィルタに形成して使
用する。
【００１３】以上のように、積層チップインダクタ１素
子と積層チップコンデンサ１素子とからなる本発明に係
る積層チップＬ型フィルタは、寄生インダクタンスや分
布容量等による影響が少なくなり、減衰特性のバラツキ
が少ない周波数特性のよい信頼性の高いＥＭＩフィルタ
となる。また、サージ電圧が発生した場合は、バリスタ
により吸収される。従って、本発明に係る積層チップＬ
型フィルタは、ＥＭＩをよく除去するとともに、サージ
電圧が流れてもよく吸収して高電圧によりＩＣ，ＬＳＩ
等が損傷するおそれがなくなる。
子と積層チップコンデンサ１素子とからなる本発明に係
る積層チップＬ型フィルタは、寄生インダクタンスや分
布容量等による影響が少なくなり、減衰特性のバラツキ
が少ない周波数特性のよい信頼性の高いＥＭＩフィルタ
となる。また、サージ電圧が発生した場合は、バリスタ
により吸収される。従って、本発明に係る積層チップＬ
型フィルタは、ＥＭＩをよく除去するとともに、サージ
電圧が流れてもよく吸収して高電圧によりＩＣ，ＬＳＩ
等が損傷するおそれがなくなる。
【００１４】なお、上記実施例において積層チップイン
ダクタのコンデンサに対向する面に電極のないシートを
介在している例について説明したが、積層チップコンデ
ンサのインダクタに対向する面としてもよい。また、電
極のないフェライトシートとバリスタシートをそれぞれ
インダクタ側とコンデンサ側に介在させるようにしても
よい。また、フェライトシート、バリスタシートは粉末
から成形するものについて説明したが、粉末から成形す
るものに限られず、厚膜や薄膜を形成したものを用いて
もよい。その他、本発明は上記実施例に限定されず要旨
を逸脱しない範囲において種々の変更、修正実施が可能
である。
ダクタのコンデンサに対向する面に電極のないシートを
介在している例について説明したが、積層チップコンデ
ンサのインダクタに対向する面としてもよい。また、電
極のないフェライトシートとバリスタシートをそれぞれ
インダクタ側とコンデンサ側に介在させるようにしても
よい。また、フェライトシート、バリスタシートは粉末
から成形するものについて説明したが、粉末から成形す
るものに限られず、厚膜や薄膜を形成したものを用いて
もよい。その他、本発明は上記実施例に限定されず要旨
を逸脱しない範囲において種々の変更、修正実施が可能
である。
【００１５】
【発明の効果】本発明に係る積層チップＬ型フィルタは
、インダクタとコンデンサの選択もそれぞれ比較的容易
にでき、種々の組合わせが可能であり、小型で面実装タ
イプであり、寄生インダクタンスや浮遊容量等による影
響が少なくなり、減衰特性のバラツキの少ない高性能ノ
イズ除去能力とサージ吸収能力とを有する。
、インダクタとコンデンサの選択もそれぞれ比較的容易
にでき、種々の組合わせが可能であり、小型で面実装タ
イプであり、寄生インダクタンスや浮遊容量等による影
響が少なくなり、減衰特性のバラツキの少ない高性能ノ
イズ除去能力とサージ吸収能力とを有する。
【００１６】
【図１】 本発明に係る積層チップＬ型フィルタの斜
視図である。
視図である。
【図２】 その等価回路図である。
【図３】 その一部の構成を示す分解斜視図である。
【図４】 本発明の外部電極の他の実施例を示す斜視
図である
図である
【図５】 本発明の他の実施例の等価回路図である。
１ 積層チップＬ型フィルタ。
２ 積層チップインダクタ。
２ａ〜２ｆ フェライトシート。
３ 積層チップコンデンサ。
３ａ〜３ｅ バリスタシート。
４ａ，４ｂ 帯状導体線路。
７ａ 対向第１電極。
７ｂ 対向第２電極。
Claims (2)
- 【請求項１】 帯状導体線路が形成されたフェライト
シートが積層されてなる積層チップインダクタ１素子と
、対向電極が形成されたバリスタシートが積層されてな
る積層チップコンデンサ１素子とからなり、この積層チ
ップコンデンサに対向する前記積層チップインダクタの
面には帯状導体線路が形成されていないフェライトシー
トが介在して前記積層チップインダクタと前記積層チッ
プコンデンサとは積層されて一体化されていることを特
徴とする積層チップＬ型フィルタ。 - 【請求項２】 前記積層チップコンデンサに対向する
前記積層チップインダクタの面には対向電極が形成され
ていないバリスタシートが介在していることを特徴とす
る請求項１の積層チップＬ型フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6088891A JPH04257110A (ja) | 1991-02-09 | 1991-02-09 | 積層チップｌ型フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6088891A JPH04257110A (ja) | 1991-02-09 | 1991-02-09 | 積層チップｌ型フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04257110A true JPH04257110A (ja) | 1992-09-11 |
Family
ID=13155351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6088891A Pending JPH04257110A (ja) | 1991-02-09 | 1991-02-09 | 積層チップｌ型フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04257110A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006216636A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Tdk Corp | 複合積層型電子部品 |
| JP2006245258A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Tdk Corp | 複合積層型電子部品 |
-
1991
- 1991-02-09 JP JP6088891A patent/JPH04257110A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006216636A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Tdk Corp | 複合積層型電子部品 |
| JP2006245258A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Tdk Corp | 複合積層型電子部品 |
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