JPH0514103A - ノイズフイルタ - Google Patents
ノイズフイルタInfo
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- JPH0514103A JPH0514103A JP3183826A JP18382691A JPH0514103A JP H0514103 A JPH0514103 A JP H0514103A JP 3183826 A JP3183826 A JP 3183826A JP 18382691 A JP18382691 A JP 18382691A JP H0514103 A JPH0514103 A JP H0514103A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電圧非直線特性を利用して高電圧パルスを吸
収する場合の、電圧抑制能力を向上して半導体部品の破
壊，誤動作を確実に防止できるノイズフィルタを提供す
る。 【構成】 電圧非直線特性を有する焼結体２の両端面２
ａ，２ｂに端面電極３，３を形成するとともに、両側面
２ｃ，２ｄの中央部に側面電極４を形成する。上記焼結
体２の内部に内部電極５を配設するとともに、該内部電
極５の一端面５ａを上記一方の端面電極３に接続し、上
記焼結体２の内部に上記内部電極５と異なる平面上で交
差する共通電極６を配設し、該共通電極６の両端面６
ａ，６ｂを上記側面電極６に接続する。そして上記焼結
体２の表面に上記両端面電極６に接続される抵抗膜８を
形成する。
収する場合の、電圧抑制能力を向上して半導体部品の破
壊，誤動作を確実に防止できるノイズフィルタを提供す
る。 【構成】 電圧非直線特性を有する焼結体２の両端面２
ａ，２ｂに端面電極３，３を形成するとともに、両側面
２ｃ，２ｄの中央部に側面電極４を形成する。上記焼結
体２の内部に内部電極５を配設するとともに、該内部電
極５の一端面５ａを上記一方の端面電極３に接続し、上
記焼結体２の内部に上記内部電極５と異なる平面上で交
差する共通電極６を配設し、該共通電極６の両端面６
ａ，６ｂを上記側面電極６に接続する。そして上記焼結
体２の表面に上記両端面電極６に接続される抵抗膜８を
形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電圧非直線特性を利用
して高電圧パルスを吸収するようにしたノイズフィルタ
に関し、特に該ノイズフィルタの電圧抑制能力を向上し
て高電圧パルスによる半導体部品の破壊，誤動作を確実
に防止できるようにした構造に関する。
して高電圧パルスを吸収するようにしたノイズフィルタ
に関し、特に該ノイズフィルタの電圧抑制能力を向上し
て高電圧パルスによる半導体部品の破壊，誤動作を確実
に防止できるようにした構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報関連機器における高速化，省
電力化が要求されるなかで、ＩＣ，ＬＳＩをはじめとす
る半導体部品では高速処理，高速駆動，低消費電力化が
急速に進んでいる。また上記情報関連機器においては、
静電気サージ等の高電圧パルスの侵入によってデジタル
ＩＣ，ＬＳＩの誤動作，破壊が生じるおそれがある。こ
のような高電圧パルスの侵入経路は電源部分，あるいは
信号ライン部分が多いことから、この電源部，信号ライ
ンの入出力部にノイズフィルタを接続して上記高電圧パ
ルスを吸収するようにしている。このようなノイズフィ
ルタとして、従来、コンデンサ素子，インダクタ素子，
コンデンサとインダクタとの複合素子，あるいはバリス
タ素子の４系統の種類が用いられている。例えば、信号
ライン用ノイズフィルタとして、数ｐＦ〜数100 ｐＦの
コンデンサチップやコンデンサを複数個備えたコンデン
サアレイが用いられている。しかし、このようなコンデ
ンサを用いたノイズフィルタでは、静電気サージのよう
な高電圧パルスを吸収することは困難であり、機器の誤
動作や破壊を確実に防止することができない。これはイ
ンダクタ型ノイズフィルタについても同様のことがいえ
る。ここで、上記信号ラインにはツェナーダイオードが
一般に用いられているが、このツェナーダイオードは方
向性を有していることから１ライン当たりに２個必要で
あり、しかも動作後の回復のロスタイムに問題がある。
このような信号ラインに用いるノイズフィルタには、静
電容量が数100pF 以下であること、また応答速度能力を
含めた電圧抑制能力に優れていることが重要であり、こ
のようなノイズフィルタとして、電圧非直線特性を有す
るＺｎＯ系バリスタが採用されている。このバリスタは
低電圧，低容量であることから、上記高電圧パルスを吸
収するノイズフィルタとして適している。
電力化が要求されるなかで、ＩＣ，ＬＳＩをはじめとす
る半導体部品では高速処理，高速駆動，低消費電力化が
急速に進んでいる。また上記情報関連機器においては、
静電気サージ等の高電圧パルスの侵入によってデジタル
ＩＣ，ＬＳＩの誤動作，破壊が生じるおそれがある。こ
のような高電圧パルスの侵入経路は電源部分，あるいは
信号ライン部分が多いことから、この電源部，信号ライ
ンの入出力部にノイズフィルタを接続して上記高電圧パ
ルスを吸収するようにしている。このようなノイズフィ
ルタとして、従来、コンデンサ素子，インダクタ素子，
コンデンサとインダクタとの複合素子，あるいはバリス
タ素子の４系統の種類が用いられている。例えば、信号
ライン用ノイズフィルタとして、数ｐＦ〜数100 ｐＦの
コンデンサチップやコンデンサを複数個備えたコンデン
サアレイが用いられている。しかし、このようなコンデ
ンサを用いたノイズフィルタでは、静電気サージのよう
な高電圧パルスを吸収することは困難であり、機器の誤
動作や破壊を確実に防止することができない。これはイ
ンダクタ型ノイズフィルタについても同様のことがいえ
る。ここで、上記信号ラインにはツェナーダイオードが
一般に用いられているが、このツェナーダイオードは方
向性を有していることから１ライン当たりに２個必要で
あり、しかも動作後の回復のロスタイムに問題がある。
このような信号ラインに用いるノイズフィルタには、静
電容量が数100pF 以下であること、また応答速度能力を
含めた電圧抑制能力に優れていることが重要であり、こ
のようなノイズフィルタとして、電圧非直線特性を有す
るＺｎＯ系バリスタが採用されている。このバリスタは
低電圧，低容量であることから、上記高電圧パルスを吸
収するノイズフィルタとして適している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の電圧非直線特性を有するバリスタを用いたノイズフ
ィルタでは、コンデンサやインダクタに比べて電気耐量
に優れているものの、該ノイズフィルタ単独では高電圧
パルスからＩＣ，ＬＳＩの半導体部品を保護しきれない
場合がある。これは半導体部品の破壊電圧がバリスタの
サージ吸収電圧よりも小さい場合があることから、この
電圧抑制能力の向上が要請されている。本発明は上記従
来の状況に鑑みてなされたもので、電圧抑制能力を向上
して高電圧パルスによる半導体部品の破壊，誤動作を確
実に防止できるノイズフィルタを提供することを目的と
している。
来の電圧非直線特性を有するバリスタを用いたノイズフ
ィルタでは、コンデンサやインダクタに比べて電気耐量
に優れているものの、該ノイズフィルタ単独では高電圧
パルスからＩＣ，ＬＳＩの半導体部品を保護しきれない
場合がある。これは半導体部品の破壊電圧がバリスタの
サージ吸収電圧よりも小さい場合があることから、この
電圧抑制能力の向上が要請されている。本発明は上記従
来の状況に鑑みてなされたもので、電圧抑制能力を向上
して高電圧パルスによる半導体部品の破壊，誤動作を確
実に防止できるノイズフィルタを提供することを目的と
している。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、電圧
非直線特性を有する焼結体の両端面に端面電極を形成す
るとともに、両側面の中央部に側面電極を形成し、上記
焼結体の内部に少なくとも１つの内部電極を配設すると
ともに、該内部電極の一端面を上記一方の端面電極に接
続し、上記焼結体の内部に上記内部電極と異なる平面上
で交差する共通電極を配設し、該共通電極の両端面を上
記側面電極に接続し、さらに上記焼結体の表面に上記両
端面電極に接続される抵抗膜を形成したことを特徴とす
るノイズフィルタである。また請求項２の発明は、上記
焼結体の端面電極，側面電極を除く外表面にガラス膜を
形成したことを特徴としている。
非直線特性を有する焼結体の両端面に端面電極を形成す
るとともに、両側面の中央部に側面電極を形成し、上記
焼結体の内部に少なくとも１つの内部電極を配設すると
ともに、該内部電極の一端面を上記一方の端面電極に接
続し、上記焼結体の内部に上記内部電極と異なる平面上
で交差する共通電極を配設し、該共通電極の両端面を上
記側面電極に接続し、さらに上記焼結体の表面に上記両
端面電極に接続される抵抗膜を形成したことを特徴とす
るノイズフィルタである。また請求項２の発明は、上記
焼結体の端面電極，側面電極を除く外表面にガラス膜を
形成したことを特徴としている。
【０００５】
【作用】本発明に係るノイズフィルタによれば、焼結体
の内部にそれぞれ異なる平面上で交差する内部電極，共
通電極を配設し、上記焼結体の表面に両端面電極に接続
される抵抗膜を付加したので、信号ラインに侵入した高
電圧パルスは上記内部電極と共通電極とで挟まれたバリ
スタ部で吸収される。この時のサージ吸収電圧が半導体
部品の破壊電圧より大きい場合は上記抵抗膜により抑制
されることとなる。即ち、半導体部品の破壊電圧より大
きなサージ電圧が印加されても抵抗膜によって破壊電流
以下に抑制でき、その結果半導体部品の誤動作や破壊を
確実に防止することができる。また請求項２の発明で
は、焼結体の外表面にガラス膜を形成したので耐湿性を
向上できるとともに、漏れ電流を低減できる。
の内部にそれぞれ異なる平面上で交差する内部電極，共
通電極を配設し、上記焼結体の表面に両端面電極に接続
される抵抗膜を付加したので、信号ラインに侵入した高
電圧パルスは上記内部電極と共通電極とで挟まれたバリ
スタ部で吸収される。この時のサージ吸収電圧が半導体
部品の破壊電圧より大きい場合は上記抵抗膜により抑制
されることとなる。即ち、半導体部品の破壊電圧より大
きなサージ電圧が印加されても抵抗膜によって破壊電流
以下に抑制でき、その結果半導体部品の誤動作や破壊を
確実に防止することができる。また請求項２の発明で
は、焼結体の外表面にガラス膜を形成したので耐湿性を
向上できるとともに、漏れ電流を低減できる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図について説明す
る。図１ないし図４は本発明の一実施例によるノイズフ
ィルタを説明するための図である。図において、１は本
実施例の電圧非直線特性を有するノイズフィルタであ
る。このノイズフィルタ１は、ＺｎＯを主成分とする直
方体状のセラミックス焼結体２の左, 右端面２ａ，２ｂ
にＡｇ−Ｐｄ合金からなる端面電極３，３を形成すると
ともに、両側面２ｃ，２ｄの中央部に側面電極４，４を
形成して構成されている。また、上記焼結体２の内部に
は該焼結体２の右側の端面２ａから中央部に帯状に延び
る一対の内部電極５，５が埋設されている。この各内部
電極５の一端面５ａは上記焼結体２の左側端面２ａに露
出して端面電極３に接続されており、各内部電極５の他
端面５ｂは焼結体２の中央部に位置している。
る。図１ないし図４は本発明の一実施例によるノイズフ
ィルタを説明するための図である。図において、１は本
実施例の電圧非直線特性を有するノイズフィルタであ
る。このノイズフィルタ１は、ＺｎＯを主成分とする直
方体状のセラミックス焼結体２の左, 右端面２ａ，２ｂ
にＡｇ−Ｐｄ合金からなる端面電極３，３を形成すると
ともに、両側面２ｃ，２ｄの中央部に側面電極４，４を
形成して構成されている。また、上記焼結体２の内部に
は該焼結体２の右側の端面２ａから中央部に帯状に延び
る一対の内部電極５，５が埋設されている。この各内部
電極５の一端面５ａは上記焼結体２の左側端面２ａに露
出して端面電極３に接続されており、各内部電極５の他
端面５ｂは焼結体２の中央部に位置している。
【０００７】また、上記焼結体２の内部電極５の先端部
の上部，下部には、該内部電極５と異なる平面上で、つ
まり間隔をあけて交差する共通電極６，６が埋設されて
おり、該各共通電極６両端面６ａ，６ｂは上記焼結体２
の両側面２ｃ，２ｄに露出して上記側面電極４に接続さ
れている。また上記各共通電極６と内部電極３とに挟ま
れた部分が電圧非直線特性を発現するバリスタ部Ｚとな
っている。さらに上記焼結体２の端面電極３，側面電極
４を除く外表面にはガラス膜７が被覆形成されている。
の上部，下部には、該内部電極５と異なる平面上で、つ
まり間隔をあけて交差する共通電極６，６が埋設されて
おり、該各共通電極６両端面６ａ，６ｂは上記焼結体２
の両側面２ｃ，２ｄに露出して上記側面電極４に接続さ
れている。また上記各共通電極６と内部電極３とに挟ま
れた部分が電圧非直線特性を発現するバリスタ部Ｚとな
っている。さらに上記焼結体２の端面電極３，側面電極
４を除く外表面にはガラス膜７が被覆形成されている。
【０００８】そして、上記焼結体２の上面には該焼結体
２の両端面２ａ，２ｂ方向に延びる帯状の抵抗膜８が形
成されており、該抵抗膜８の両端は上記端面電極３に接
続されている。上記抵抗膜８はカーボンペーストを塗布
した後、焼き付けて形成されものであり、該抵抗膜８は
これの厚さ，幅を選定することにより高電圧パルスに応
じた抵抗値に設定されている。
２の両端面２ａ，２ｂ方向に延びる帯状の抵抗膜８が形
成されており、該抵抗膜８の両端は上記端面電極３に接
続されている。上記抵抗膜８はカーボンペーストを塗布
した後、焼き付けて形成されものであり、該抵抗膜８は
これの厚さ，幅を選定することにより高電圧パルスに応
じた抵抗値に設定されている。
【０００９】次に本実施例のノイズフィルタ１の製造方
法について説明する。まず、ＺｎＯ(97.8 mol ％) を主
成分とし、これにＢｉ2 Ｏ3(0.5mol％),ＭｎＯ(0.5mol
％),Ｃｏ2 Ｏ3(0.5 mol ％),Ｓｂ2 Ｏ3(0.7 mol ％) を
混合してセラミックス材料を形成し、これに有機バイン
ダーとアルコールを混合してスラリーを形成する。この
スラリーから所定厚さのグリーンシートを形成し、この
グリーンシートを所定寸法の矩形状に切断して、図４に
示すような多数のセラミックスシート９を形成する。次
に、上記２枚のセラミックスシート９の上面にＡｇ−Ｐ
ｄからなるペーストを印刷して内部電極５を形成する。
この場合、該内部電極５の一端面５ａがセラミックスシ
ート９の一端縁に位置し、他端面５ｂが該シート９の中
央部に位置するよう形成する。また、上記他の２枚のセ
ラミックスシート９の上面にＡｇ−Ｐｄからなるペース
トを印刷して共通電極６を形成する。この場合は、共通
電極６の両端面６ａ，６ｂが該シート９の両端縁に位置
するよう形成する。次に、図３に示すように、上記内部
電極５同士がセラミックスシート９を挟んで対向するよ
う重ね、これの上面，下面に共通電極６が形成されたセ
ラミックスシート９を重ねる。この場合、共通電極６と
内部電極５とが交差するように重ねる。そしてこれの上
面，下面にダミーとしてのセラミックスシート９を重
ね、これをプレスで圧着して積層体を形成する。次い
で、この積層体を高温で焼成して焼結体２を得る。次
に、上記焼結体２の両端面２ａ，２ｂ及び両側面２ｃ，
２ｄの中央部にＡｇ−Ｐｄからなるペーストを塗布した
後、焼き付けて端面電極３，側面電極４を形成する。こ
れにより上記端面電極３に内部電極の一端面５ａが接続
されるとともに、側面電極４に共通電極６の両端面６
ａ，６ｂが接続される。次いで、上記焼結体２の上面の
左, 右端面２ａ，２ｂ間にカーボンペーストを塗布した
後、低温で焼き付けて抵抗膜８を形成し、該抵抗膜８の
両端を端面電極３に接続する。最後に、上記焼結体２の
各端面電極３，側面電極４を除く外表面にガラスペース
トを塗布してガラス膜７を形成する。これにより本実施
例のノイズフィルタ１が製造される。
法について説明する。まず、ＺｎＯ(97.8 mol ％) を主
成分とし、これにＢｉ2 Ｏ3(0.5mol％),ＭｎＯ(0.5mol
％),Ｃｏ2 Ｏ3(0.5 mol ％),Ｓｂ2 Ｏ3(0.7 mol ％) を
混合してセラミックス材料を形成し、これに有機バイン
ダーとアルコールを混合してスラリーを形成する。この
スラリーから所定厚さのグリーンシートを形成し、この
グリーンシートを所定寸法の矩形状に切断して、図４に
示すような多数のセラミックスシート９を形成する。次
に、上記２枚のセラミックスシート９の上面にＡｇ−Ｐ
ｄからなるペーストを印刷して内部電極５を形成する。
この場合、該内部電極５の一端面５ａがセラミックスシ
ート９の一端縁に位置し、他端面５ｂが該シート９の中
央部に位置するよう形成する。また、上記他の２枚のセ
ラミックスシート９の上面にＡｇ−Ｐｄからなるペース
トを印刷して共通電極６を形成する。この場合は、共通
電極６の両端面６ａ，６ｂが該シート９の両端縁に位置
するよう形成する。次に、図３に示すように、上記内部
電極５同士がセラミックスシート９を挟んで対向するよ
う重ね、これの上面，下面に共通電極６が形成されたセ
ラミックスシート９を重ねる。この場合、共通電極６と
内部電極５とが交差するように重ねる。そしてこれの上
面，下面にダミーとしてのセラミックスシート９を重
ね、これをプレスで圧着して積層体を形成する。次い
で、この積層体を高温で焼成して焼結体２を得る。次
に、上記焼結体２の両端面２ａ，２ｂ及び両側面２ｃ，
２ｄの中央部にＡｇ−Ｐｄからなるペーストを塗布した
後、焼き付けて端面電極３，側面電極４を形成する。こ
れにより上記端面電極３に内部電極の一端面５ａが接続
されるとともに、側面電極４に共通電極６の両端面６
ａ，６ｂが接続される。次いで、上記焼結体２の上面の
左, 右端面２ａ，２ｂ間にカーボンペーストを塗布した
後、低温で焼き付けて抵抗膜８を形成し、該抵抗膜８の
両端を端面電極３に接続する。最後に、上記焼結体２の
各端面電極３，側面電極４を除く外表面にガラスペース
トを塗布してガラス膜７を形成する。これにより本実施
例のノイズフィルタ１が製造される。
【００１０】次に本実施例の作用効果について説明す
る。本実施例のノイズフィルタ１は、情報関連機器にお
ける電源部，信号ラインから侵入する高電圧パルスを吸
収する機能を有している。即ち、図４に示すように、上
記ノイズフィルタ１の入力側の端面電極３から侵入した
高電圧パルスＡは、バリスタ部Ｚによりエネルギーが吸
収されるとともに側面電極４から放出される。この場
合、バリスタ部Ｚの電圧抑制分の電圧が残留するが、こ
の時の出力側の端面電極３の電位は、該端面電極３に接
続された回路インピーダンス及び上記抵抗膜８によって
分圧されることとなり、バリスタ部Ｚの抑制電圧より小
さくなる。ここで、上記ノイズフィルタ１を信号ライン
に用いる場合，上記抵抗膜８は信号損失，入出力インピ
ーダンスを考慮した上で決定することとなる。
る。本実施例のノイズフィルタ１は、情報関連機器にお
ける電源部，信号ラインから侵入する高電圧パルスを吸
収する機能を有している。即ち、図４に示すように、上
記ノイズフィルタ１の入力側の端面電極３から侵入した
高電圧パルスＡは、バリスタ部Ｚによりエネルギーが吸
収されるとともに側面電極４から放出される。この場
合、バリスタ部Ｚの電圧抑制分の電圧が残留するが、こ
の時の出力側の端面電極３の電位は、該端面電極３に接
続された回路インピーダンス及び上記抵抗膜８によって
分圧されることとなり、バリスタ部Ｚの抑制電圧より小
さくなる。ここで、上記ノイズフィルタ１を信号ライン
に用いる場合，上記抵抗膜８は信号損失，入出力インピ
ーダンスを考慮した上で決定することとなる。
【００１１】このように本実施例によれば、焼結体２の
内部に内部電極５を埋設するとともに、該内部電極５と
異なる平面上で交差する共通電極６を形成し、上記焼結
体２の表面に抵抗膜８を形成するとともに、該抵抗膜８
の両端を端面電極３に接続したので、上述のように半導
体部品の破壊電圧より大きいサージ電圧が印加されても
抵抗膜８で抑制することができ、その結果ＩＣ，ＬＳＩ
等の半導体部品の誤動作や破壊を確実に回避できる。ま
た焼結体２の外表面にガラス膜７を形成したので、耐湿
性を向上できるとともに、漏れ電流を低減できる。ま
た、本実施例では、抵抗膜８の厚さ，幅等を変えること
により、ＥＳＤサーシに応じた抵抗値を容易に，かつ正
確に設定することができ、それだけコストの上昇を抑制
できる。さらに、本実施例では、バリスタ部Ｚと抵抗膜
８とを一体に内蔵した複合素子として用いることがで
き、小型化に対応できる。なお、上記実施例では、抵抗
膜８にカーボンペーストを採用した場合を例にとって説
明したが、本発明はこれに限られるものではない。
内部に内部電極５を埋設するとともに、該内部電極５と
異なる平面上で交差する共通電極６を形成し、上記焼結
体２の表面に抵抗膜８を形成するとともに、該抵抗膜８
の両端を端面電極３に接続したので、上述のように半導
体部品の破壊電圧より大きいサージ電圧が印加されても
抵抗膜８で抑制することができ、その結果ＩＣ，ＬＳＩ
等の半導体部品の誤動作や破壊を確実に回避できる。ま
た焼結体２の外表面にガラス膜７を形成したので、耐湿
性を向上できるとともに、漏れ電流を低減できる。ま
た、本実施例では、抵抗膜８の厚さ，幅等を変えること
により、ＥＳＤサーシに応じた抵抗値を容易に，かつ正
確に設定することができ、それだけコストの上昇を抑制
できる。さらに、本実施例では、バリスタ部Ｚと抵抗膜
８とを一体に内蔵した複合素子として用いることがで
き、小型化に対応できる。なお、上記実施例では、抵抗
膜８にカーボンペーストを採用した場合を例にとって説
明したが、本発明はこれに限られるものではない。
【００１２】図５及び図６は上記実施例の変形例を示す
図であり、図中、図１と同一符号はと同一又は相当部分
を示す。このノイズフィルタ１０は、焼結体２の内部に
一対の内部電極５を間をあけて２組埋設し、各内部電極
５の一端面５ａを一方の端面電極３に接続するととも
に、各内部電極５の上部，下部に共通電極６を配設して
構成されている。また、上記焼結体２の上面には抵抗膜
８が形成されており、該抵抗膜の両端は上記両端面電極
３に接続されている。このノイズフィルタ１０において
も、２組のバリスタ部Ｚと出力側の端面電極３との間に
抵抗膜８を配設したので、半導体部品の誤動作や破壊を
確実に回避でき、上記実施例と同様の効果が得られる。
図であり、図中、図１と同一符号はと同一又は相当部分
を示す。このノイズフィルタ１０は、焼結体２の内部に
一対の内部電極５を間をあけて２組埋設し、各内部電極
５の一端面５ａを一方の端面電極３に接続するととも
に、各内部電極５の上部，下部に共通電極６を配設して
構成されている。また、上記焼結体２の上面には抵抗膜
８が形成されており、該抵抗膜の両端は上記両端面電極
３に接続されている。このノイズフィルタ１０において
も、２組のバリスタ部Ｚと出力側の端面電極３との間に
抵抗膜８を配設したので、半導体部品の誤動作や破壊を
確実に回避でき、上記実施例と同様の効果が得られる。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明に係るノイズフィル
タによれば、焼結体の内部に少なくとも１つの内部電極
を配設するとともに、該内部電極と異なる平面上で交差
する共通電極を配設し、上記焼結体の表面に両端面電極
に接続される抵抗膜を付加したので、電源部，信号ライ
ンから侵入した高電圧パルスを吸収でき、半導体部品の
誤動作や破壊を確実に回避できる効果がある。
タによれば、焼結体の内部に少なくとも１つの内部電極
を配設するとともに、該内部電極と異なる平面上で交差
する共通電極を配設し、上記焼結体の表面に両端面電極
に接続される抵抗膜を付加したので、電源部，信号ライ
ンから侵入した高電圧パルスを吸収でき、半導体部品の
誤動作や破壊を確実に回避できる効果がある。
【図１】本発明の一実施例によるノイズフィルタを説明
する断面図である。
する断面図である。
【図２】上記実施例のノイズフィルタを示す斜視図であ
る。
る。
【図３】上記実施例のノイズフィルタの分解斜視図であ
る。
る。
【図４】上記実施例のノイズフィルタの等価回路図であ
る。
る。
【図５】上記実施例のノイズフィルタの変形例を示す断
面図である。
面図である。
【図６】上記変形例の平面図である。
１，１０ ノイズフィルタ
２ 焼結体
２ａ，２ｂ 焼結体の両端面
２ｃ，２ｄ 焼結体の両側面
３ 端面電極
４ 側面電極
５ 内部電極
５ａ 一端面
６ 共通電極
６ａ，６ｂ 両端面
８ 抵抗膜
Claims (2)
- 【請求項１】 電圧非直線特性を有する焼結体の両端面
に端面電極を形成するとともに、両側面の中央部に側面
電極を形成し、上記焼結体の内部に少なくとも１つの内
部電極を配設するとともに、該内部電極の一端面を上記
一方の端面電極に接続し、上記焼結体の内部に上記内部
電極と異なる平面上で交差する共通電極を配設し、該共
通電極の両端面を上記側面電極に接続し、さらに上記焼
結体の表面に上記両端面電極に接続される抵抗膜を形成
したことを特徴とするノイズフィルタ。 - 【請求項２】 請求項１において、電圧非直線特性を有
する焼結体の表面に、端面電極，側面電極が形成されて
いる部分を除いてガラス膜が形成されていることを特徴
とするノイズフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3183826A JPH0514103A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | ノイズフイルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3183826A JPH0514103A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | ノイズフイルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0514103A true JPH0514103A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=16142526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3183826A Pending JPH0514103A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | ノイズフイルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0514103A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100456040B1 (ko) * | 2001-10-01 | 2004-11-08 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층형 전자 부품 |
| WO2005013367A1 (en) * | 2003-07-30 | 2005-02-10 | Innochips Technology Co., Ltd. | Complex laminated chip element |
| WO2006085492A1 (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 静電気保護機能付きチップ部品 |
| KR100638802B1 (ko) * | 2003-07-30 | 2006-10-25 | 주식회사 이노칩테크놀로지 | 다양한 커패시턴스 값을 갖는 적층 칩 소자 |
| KR100733816B1 (ko) * | 2005-10-28 | 2007-07-02 | 주식회사 아모텍 | 적층형 칩소자 |
| JP2011521515A (ja) * | 2008-04-16 | 2011-07-21 | エプコス アーゲー | 多層コンポーネント |
| JP2013222965A (ja) * | 2012-04-17 | 2013-10-28 | Innochip S Technology Co Ltd | 回路保護素子 |
| CN110070970A (zh) * | 2013-04-04 | 2019-07-30 | 罗姆股份有限公司 | 芯片构件、电路组件及电子设备 |
-
1991
- 1991-06-27 JP JP3183826A patent/JPH0514103A/ja active Pending
Cited By (9)
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| US8717120B2 (en) | 2008-04-16 | 2014-05-06 | Epcos Ag | Multi-layered component |
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| CN110070970A (zh) * | 2013-04-04 | 2019-07-30 | 罗姆股份有限公司 | 芯片构件、电路组件及电子设备 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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