JPH0425718B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0425718B2 JPH0425718B2 JP57224639A JP22463982A JPH0425718B2 JP H0425718 B2 JPH0425718 B2 JP H0425718B2 JP 57224639 A JP57224639 A JP 57224639A JP 22463982 A JP22463982 A JP 22463982A JP H0425718 B2 JPH0425718 B2 JP H0425718B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- indium
- antimony
- thin film
- deposited
- zinc
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
本発明はインジウム−アンチモン系複合結晶半
導体及びその薄膜の製造方法、さらに詳しくいえ
ば、薄膜状にしたときにホール素子や磁気抵抗効
果素子として好適な特性を示す、移動度及びホー
ル係数が大きなインジウム−アンチモン系複合結
晶半導体及びその薄膜の製造方法に関するもので
ある。 従来、インジウム−アンチモン化合物の薄膜は
極めて高い移動度を有するため、ホール素子や磁
気抵抗素子の素材として好適であることが知られ
ており、特に、最近ダイレクトドライブモーター
用の位置検出装置として、あるいはVTRや音響
機器などの部品として注目を浴びるようになつて
きた。 一方、近年、これらの部品の使用電力の低減化
の要請から、素材に対して抵抗の高いものの要求
が強まつている。しかしながら、この要求を従来
の素材を用いて満たすためには、素子部の長さを
長くする必要があり、このことは一方の時代的要
請である小型化に対して相反する。したがつて、
素材自体の高抵抗化が必要となり、そのため移動
度を低下することなく、ホール係数を高めた、抵
抗の高い薄膜の出現が要望されていた。 本発明者は先に、ホール素子や磁気抵抗効果素
子などの素材として優れた特性を有するインジウ
ム−アンチモン系複合結晶半導体、及びその薄膜
の製造方法を提案した〔特願昭56−46962号（特
開昭57−162378号）、同56−50294号、（特開昭57
−166026号）、同56−177394号（特開昭58−78418
号）など〕。しかしながら、この方法では、高い
移動度の薄膜にすればするほど、ホール係数は高
くならず、その結果として、次の式（）に示さ
れるように、抵抗が小さくなるという問題があつ
た。 Ri∝RH／μH ……（） （式中のRiは抵抗、RHはホール係数、μHは移動
度である） 本発明者らは、さらにインジウム−アンチモン
系複合結晶半導体について鋭意研究を続けた結
果、インジウムが極めて過剰の状態でインジウム
−アンチモン複合結晶薄膜を形成したのち、亜鉛
及びカドミウムの中から選ばれた少なくとも１種
の元素を蒸着させることによつて、驚くべきこと
にこのインジウム−アンチモン複合結晶のような
バンドギヤツプの小さなものに対して、極めて容
易に膜抵抗が上り、かつ移動度は高いまま保たれ
るという効果が得られることを見出し、この知見
に基づいて本発明を完成するに至つた。 すなわち、本発明は、インジウム−アンチモン
化合物の結晶と単体インジウム結晶との複合結晶
から成り、全インジウムのアンチモンに対する原
子比が1.1〜1.7の範囲にあり、かつ亜鉛及びカド
ミウムの中から選ばれた少なくとも１種の元素
を、原子数で1.1×1016cm-3以下含有することを特
徴とするインジウム−アンチモン系複合結晶半導
体、及びインジウムとアンチモンを、アンチモン
に対するインジウムの原子比が1.1〜1.7の範囲に
なるように基板上に蒸着し、次いで亜鉛及びカド
ミウムの中から選ばれた少なくとも１種の元素
を、蒸着したアンチモンに対し、原子の量に基づ
き20％以下の量で蒸着させることを特徴とする実
質的にインジウム−アンチモン化合物の結晶と単
体インジウム結晶から成るインジウム−アンチモ
ン系複合結晶半導体薄膜の製造方法を提供するも
のである。 本発明においては、複合結晶中の全インジウム
すなわちインジウム−アンチモン化合物中のイン
ジウムと単体インジウムとの合計のアンチモンに
対する原子比を1.1〜1.7の範囲にすることが必要
である。これはこの範囲のものが、範囲外のもの
に比べて高い移動度を示し、実用的な薄膜を形成
しうるためである。さらに前記の原子比が1.1未
満の場合は、薄膜に加工した際もろくなる上にノ
イズレベルが高くなるし、また1.7を超えると工
業的生産性の低下をもたらす。特に好ましい範囲
は1.2〜1.6であつて、この範囲内では薄膜の結晶
性が良く、かつ高移動度である上に、ノイズレベ
ルが低く均一性の良いものとなる。 本発明の複合結晶半導体は、前記のようにイン
ジウムが極めて過剰のインジウム−アンチモン複
合結晶に、亜鉛又はカドミウム若しくはその両方
の元素が、原子数1.1×1016cm-3以下の量で含有さ
れている。原子数がこの量を超えると、先に形成
されたインジウム−アンチモン複合結晶の結晶性
劣化によつて、本来の移動度が著しく減少する。 本発明において前記の量の亜鉛又はカドミウム
若しくはその両方の元素を含有させるためには、
先に形成されたインジウム単体を含むインジウム
−アンチモン化合物の複合結晶の薄膜に、そのア
ンチモンに対して原子の量基準で20％以下、好ま
しくは２〜10％の量の亜鉛又はカドミウム若しく
はその両方の元素を蒸着させればよい。 一般に、この種の元素を成長した結晶の薄膜に
導入することは、その付着係数が小さいためにか
なり困難であるが、本発明の薄膜においては過剰
の溶融インジウムが存在していることにより、前
記の元素は蒸着量にほぼ比例した量で導入され
る。すなわち、本発明においては、インジウムと
アンチモンとの原子比が1.1：１ないし1.7：１の
範囲のインジウム−アンチモン複合結晶薄膜を形
成させることが重要なポイントとなる。 このようなインジウム−アンチモン複合結晶薄
膜は、本発明者らの先に提案した方法（特願昭56
−46962号、同56−50294号、同56−177394号な
ど）に基づき、蒸着手段を用いてインジウムとア
ンチモンの飛量のコンロールにより容易に形成さ
せることができる。またこの結晶薄膜は蒸着条
件、特に基板温度により高度に成長した結晶薄膜
として形成されうる。なかでも高い移動度を有す
る薄膜を得るためには、基板温度の上昇などの手
段が特に有用である。 本発明においては、まずインジウムとアンチモ
ンとを、アンチモンに対するインジウムの原子比
が1.1〜1.7の範囲になるように、通常300〜520℃
の温度範囲に保たれた基板上に、好ましくは1.0
〜10Å／secの範囲の蒸着速度でもつて蒸着を行
い、次いで適当な基板温度のもとで、亜鉛又はカ
ドミウム若しくはその両方の元素を、蒸着したア
ンチモンに対し、原子の量に基づき20％以下の量
で蒸着させる。これらの元素の薄膜中の含有量
は、基板温度とそれらの元素の蒸気圧によつてか
なり影響を受ける。例えば400℃のような高い基
板温度では前記元素は薄膜中にほとんど入つてい
かず、一方200℃のような低い基板温度では、薄
膜中の前記元素の含有量は飛量に比例した量とな
る。一方前記したようにインジウムの溶融状態を
保つことが必要であることから、基板温度はイン
ジウムの融点157℃以上であることが必要となる。
また、亜鉛とカドミウムの両方の元素を蒸着させ
る場合は、それぞれ別々に蒸着させてもよいし、
あるいは同時に蒸着させてもよい。 このようにして得られたインジウム−アンチモ
ン系複合結晶半導体には、亜鉛又はカドミウム若
しくはその両方の元素が原子数1.1×1016cm-3以下
の量で含有されることが必要であり、この量を超
えて含有されると、前記したように先に形成され
たインジウム−アンチモン複合結晶薄膜の結晶性
が破壊されて移動度が低下する。 このインジウム−アンチモン系複合結晶半導体
は、これを高感度のホール素子や磁気抵抗効果素
子として用いる場合には、薄膜にするのが好まし
い。したがつて、本発明の半導体をホール素子又
は磁気抵抗効果素子として用いるためには、膜厚
5000Å〜10μｍ、好ましくは0.8〜5.0μｍの範囲内
に薄膜状にするのが望ましい。この膜厚は薄いほ
ど出力電圧は大きくなるが、あまり薄くなると移
動度が低下する。 本発明のインジウム−アンチモン系複合結晶半
導体は、通常絶縁基板好ましくは結晶性基板上に
担持させた形で製品化される。このような基板と
しては、例えば石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、
ナトリウムガラス、サフアイア、フツ化カルシウ
ム、塩化ナトリウム、雲母、ガリウムヒ素などが
用いられる。 このようにして得られた本発明の複合結晶半導
体薄膜は、そのままで、あるいはフエライトなど
の別の基板へ貼付又は転写し、パターニング、電
極付けすることによつて、ホール素子や磁気抵抗
効果素子などの半導体装置に加工することができ
る。また、本発明の薄膜は、例えば移動度50000
cm2／v.sec、ホール係数900cm3／Ｃという極めて優
れたものであり、この薄膜を使用した装置は極め
て微弱な電流で非常に高い感度を示す。 次に実施例によつて本発明をさらに詳細に説明
する。 実施例 １ ６枚のウエーハーが同心円上に設置でき、回転
する基板ホルダーを有する真空蒸着装置を使用し
て蒸着を行つた。基板温度はウエーハー上10mmの
個所に設けられた白金−パラジウムサーモカツプ
ルで検知され、また別のサーモカツプルを制御用
に設けた。 基板としては雲母を用いた。原料のインジウム
とアンチモンはいずれもフルウチ化学社製６−Ｎ
のものを用いた。 蒸着に当つては、最初に真空度を７×10-5torr
にし、基板温度を430℃に設定し、蒸着時間は30
分間で最終温度を510℃にした。そしてその間の
基板温度上昇速度を蒸着開始後０〜10分、12〜20
分、22〜30分は１〜２℃／min、10〜12分は12〜
14℃／min、20〜22分は６〜７℃／minとした。
さらに最初の６分間は、アンチモンの方がインジ
ウムより多く基板に到達するようにし、アンチモ
ンを1.2ｇ、インジウムを1.9ｇ蒸着した。 次いで基板温度を210℃にさげ、亜鉛を４分間
で0.046ｇ蒸着した。 得られた膜の移動度μHは53000cm2／v.sec、ホー
ル係数RHは880cm3／Ｃであつた。 これらの膜３枚のウエハーを原子吸光分析した
ところ、インジウムとアンチモンの原子組成比
FIo／FSbは1.30±0.03であつた。 なお亜鉛を蒸着しない場合は、RHは380cm3／Ｃ
であつた。 実施例 ２〜４ 蒸着法を変え、実施例１と同様にして蒸着を行
つた。その結果を第１表にする。
導体及びその薄膜の製造方法、さらに詳しくいえ
ば、薄膜状にしたときにホール素子や磁気抵抗効
果素子として好適な特性を示す、移動度及びホー
ル係数が大きなインジウム−アンチモン系複合結
晶半導体及びその薄膜の製造方法に関するもので
ある。 従来、インジウム−アンチモン化合物の薄膜は
極めて高い移動度を有するため、ホール素子や磁
気抵抗素子の素材として好適であることが知られ
ており、特に、最近ダイレクトドライブモーター
用の位置検出装置として、あるいはVTRや音響
機器などの部品として注目を浴びるようになつて
きた。 一方、近年、これらの部品の使用電力の低減化
の要請から、素材に対して抵抗の高いものの要求
が強まつている。しかしながら、この要求を従来
の素材を用いて満たすためには、素子部の長さを
長くする必要があり、このことは一方の時代的要
請である小型化に対して相反する。したがつて、
素材自体の高抵抗化が必要となり、そのため移動
度を低下することなく、ホール係数を高めた、抵
抗の高い薄膜の出現が要望されていた。 本発明者は先に、ホール素子や磁気抵抗効果素
子などの素材として優れた特性を有するインジウ
ム−アンチモン系複合結晶半導体、及びその薄膜
の製造方法を提案した〔特願昭56−46962号（特
開昭57−162378号）、同56−50294号、（特開昭57
−166026号）、同56−177394号（特開昭58−78418
号）など〕。しかしながら、この方法では、高い
移動度の薄膜にすればするほど、ホール係数は高
くならず、その結果として、次の式（）に示さ
れるように、抵抗が小さくなるという問題があつ
た。 Ri∝RH／μH ……（） （式中のRiは抵抗、RHはホール係数、μHは移動
度である） 本発明者らは、さらにインジウム−アンチモン
系複合結晶半導体について鋭意研究を続けた結
果、インジウムが極めて過剰の状態でインジウム
−アンチモン複合結晶薄膜を形成したのち、亜鉛
及びカドミウムの中から選ばれた少なくとも１種
の元素を蒸着させることによつて、驚くべきこと
にこのインジウム−アンチモン複合結晶のような
バンドギヤツプの小さなものに対して、極めて容
易に膜抵抗が上り、かつ移動度は高いまま保たれ
るという効果が得られることを見出し、この知見
に基づいて本発明を完成するに至つた。 すなわち、本発明は、インジウム−アンチモン
化合物の結晶と単体インジウム結晶との複合結晶
から成り、全インジウムのアンチモンに対する原
子比が1.1〜1.7の範囲にあり、かつ亜鉛及びカド
ミウムの中から選ばれた少なくとも１種の元素
を、原子数で1.1×1016cm-3以下含有することを特
徴とするインジウム−アンチモン系複合結晶半導
体、及びインジウムとアンチモンを、アンチモン
に対するインジウムの原子比が1.1〜1.7の範囲に
なるように基板上に蒸着し、次いで亜鉛及びカド
ミウムの中から選ばれた少なくとも１種の元素
を、蒸着したアンチモンに対し、原子の量に基づ
き20％以下の量で蒸着させることを特徴とする実
質的にインジウム−アンチモン化合物の結晶と単
体インジウム結晶から成るインジウム−アンチモ
ン系複合結晶半導体薄膜の製造方法を提供するも
のである。 本発明においては、複合結晶中の全インジウム
すなわちインジウム−アンチモン化合物中のイン
ジウムと単体インジウムとの合計のアンチモンに
対する原子比を1.1〜1.7の範囲にすることが必要
である。これはこの範囲のものが、範囲外のもの
に比べて高い移動度を示し、実用的な薄膜を形成
しうるためである。さらに前記の原子比が1.1未
満の場合は、薄膜に加工した際もろくなる上にノ
イズレベルが高くなるし、また1.7を超えると工
業的生産性の低下をもたらす。特に好ましい範囲
は1.2〜1.6であつて、この範囲内では薄膜の結晶
性が良く、かつ高移動度である上に、ノイズレベ
ルが低く均一性の良いものとなる。 本発明の複合結晶半導体は、前記のようにイン
ジウムが極めて過剰のインジウム−アンチモン複
合結晶に、亜鉛又はカドミウム若しくはその両方
の元素が、原子数1.1×1016cm-3以下の量で含有さ
れている。原子数がこの量を超えると、先に形成
されたインジウム−アンチモン複合結晶の結晶性
劣化によつて、本来の移動度が著しく減少する。 本発明において前記の量の亜鉛又はカドミウム
若しくはその両方の元素を含有させるためには、
先に形成されたインジウム単体を含むインジウム
−アンチモン化合物の複合結晶の薄膜に、そのア
ンチモンに対して原子の量基準で20％以下、好ま
しくは２〜10％の量の亜鉛又はカドミウム若しく
はその両方の元素を蒸着させればよい。 一般に、この種の元素を成長した結晶の薄膜に
導入することは、その付着係数が小さいためにか
なり困難であるが、本発明の薄膜においては過剰
の溶融インジウムが存在していることにより、前
記の元素は蒸着量にほぼ比例した量で導入され
る。すなわち、本発明においては、インジウムと
アンチモンとの原子比が1.1：１ないし1.7：１の
範囲のインジウム−アンチモン複合結晶薄膜を形
成させることが重要なポイントとなる。 このようなインジウム−アンチモン複合結晶薄
膜は、本発明者らの先に提案した方法（特願昭56
−46962号、同56−50294号、同56−177394号な
ど）に基づき、蒸着手段を用いてインジウムとア
ンチモンの飛量のコンロールにより容易に形成さ
せることができる。またこの結晶薄膜は蒸着条
件、特に基板温度により高度に成長した結晶薄膜
として形成されうる。なかでも高い移動度を有す
る薄膜を得るためには、基板温度の上昇などの手
段が特に有用である。 本発明においては、まずインジウムとアンチモ
ンとを、アンチモンに対するインジウムの原子比
が1.1〜1.7の範囲になるように、通常300〜520℃
の温度範囲に保たれた基板上に、好ましくは1.0
〜10Å／secの範囲の蒸着速度でもつて蒸着を行
い、次いで適当な基板温度のもとで、亜鉛又はカ
ドミウム若しくはその両方の元素を、蒸着したア
ンチモンに対し、原子の量に基づき20％以下の量
で蒸着させる。これらの元素の薄膜中の含有量
は、基板温度とそれらの元素の蒸気圧によつてか
なり影響を受ける。例えば400℃のような高い基
板温度では前記元素は薄膜中にほとんど入つてい
かず、一方200℃のような低い基板温度では、薄
膜中の前記元素の含有量は飛量に比例した量とな
る。一方前記したようにインジウムの溶融状態を
保つことが必要であることから、基板温度はイン
ジウムの融点157℃以上であることが必要となる。
また、亜鉛とカドミウムの両方の元素を蒸着させ
る場合は、それぞれ別々に蒸着させてもよいし、
あるいは同時に蒸着させてもよい。 このようにして得られたインジウム−アンチモ
ン系複合結晶半導体には、亜鉛又はカドミウム若
しくはその両方の元素が原子数1.1×1016cm-3以下
の量で含有されることが必要であり、この量を超
えて含有されると、前記したように先に形成され
たインジウム−アンチモン複合結晶薄膜の結晶性
が破壊されて移動度が低下する。 このインジウム−アンチモン系複合結晶半導体
は、これを高感度のホール素子や磁気抵抗効果素
子として用いる場合には、薄膜にするのが好まし
い。したがつて、本発明の半導体をホール素子又
は磁気抵抗効果素子として用いるためには、膜厚
5000Å〜10μｍ、好ましくは0.8〜5.0μｍの範囲内
に薄膜状にするのが望ましい。この膜厚は薄いほ
ど出力電圧は大きくなるが、あまり薄くなると移
動度が低下する。 本発明のインジウム−アンチモン系複合結晶半
導体は、通常絶縁基板好ましくは結晶性基板上に
担持させた形で製品化される。このような基板と
しては、例えば石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、
ナトリウムガラス、サフアイア、フツ化カルシウ
ム、塩化ナトリウム、雲母、ガリウムヒ素などが
用いられる。 このようにして得られた本発明の複合結晶半導
体薄膜は、そのままで、あるいはフエライトなど
の別の基板へ貼付又は転写し、パターニング、電
極付けすることによつて、ホール素子や磁気抵抗
効果素子などの半導体装置に加工することができ
る。また、本発明の薄膜は、例えば移動度50000
cm2／v.sec、ホール係数900cm3／Ｃという極めて優
れたものであり、この薄膜を使用した装置は極め
て微弱な電流で非常に高い感度を示す。 次に実施例によつて本発明をさらに詳細に説明
する。 実施例 １ ６枚のウエーハーが同心円上に設置でき、回転
する基板ホルダーを有する真空蒸着装置を使用し
て蒸着を行つた。基板温度はウエーハー上10mmの
個所に設けられた白金−パラジウムサーモカツプ
ルで検知され、また別のサーモカツプルを制御用
に設けた。 基板としては雲母を用いた。原料のインジウム
とアンチモンはいずれもフルウチ化学社製６−Ｎ
のものを用いた。 蒸着に当つては、最初に真空度を７×10-5torr
にし、基板温度を430℃に設定し、蒸着時間は30
分間で最終温度を510℃にした。そしてその間の
基板温度上昇速度を蒸着開始後０〜10分、12〜20
分、22〜30分は１〜２℃／min、10〜12分は12〜
14℃／min、20〜22分は６〜７℃／minとした。
さらに最初の６分間は、アンチモンの方がインジ
ウムより多く基板に到達するようにし、アンチモ
ンを1.2ｇ、インジウムを1.9ｇ蒸着した。 次いで基板温度を210℃にさげ、亜鉛を４分間
で0.046ｇ蒸着した。 得られた膜の移動度μHは53000cm2／v.sec、ホー
ル係数RHは880cm3／Ｃであつた。 これらの膜３枚のウエハーを原子吸光分析した
ところ、インジウムとアンチモンの原子組成比
FIo／FSbは1.30±0.03であつた。 なお亜鉛を蒸着しない場合は、RHは380cm3／Ｃ
であつた。 実施例 ２〜４ 蒸着法を変え、実施例１と同様にして蒸着を行
つた。その結果を第１表にする。
【表】
実施例 ５
実施例１における亜鉛の代りにカドミウムを用
いて同様にして蒸着した。 この際の蒸着量は、それぞれインジウム1.82
ｇ、アンチモン1.23ｇ、カドミウム0.051ｇであ
つた。得られた膜のμHは34000cm2／V.sec、RHは
650cm3／Ｃであつた。 比較例 蒸着量をインジウム1.9ｇ、アンチモン1.9ｇ、
亜鉛0.035ｇとして実施例１と同様に蒸着した。
得られた膜のμHは3500cm2／Ｖ・sec、RHは230
cm3／Ｃ、FIo／FSbは1.0であつた。 実施例 ６ 実施例１において亜鉛の蒸着の際の基準温度を
300℃に代える以外は、実施例１とほぼ同様にし
て行つた。この際のインジウム、アンチモン及び
亜鉛の蒸着量はそれぞれ1.85ｇ、1.3ｇ、0.036ｇ
であつた。 得られた膜の特性はμH51000cm2／Ｖ・sec、RH
495cm3／Ｃであり、FIo／FSbは1.18であつた。 なお、亜鉛を蒸着しない場合のRHは350cm3／Ｃ
であつた。 実施例 ７ 実施例６において、亜鉛の蒸着時の基板温度を
400℃にしたときには、RHは360cm3／Ｃであつた。
いて同様にして蒸着した。 この際の蒸着量は、それぞれインジウム1.82
ｇ、アンチモン1.23ｇ、カドミウム0.051ｇであ
つた。得られた膜のμHは34000cm2／V.sec、RHは
650cm3／Ｃであつた。 比較例 蒸着量をインジウム1.9ｇ、アンチモン1.9ｇ、
亜鉛0.035ｇとして実施例１と同様に蒸着した。
得られた膜のμHは3500cm2／Ｖ・sec、RHは230
cm3／Ｃ、FIo／FSbは1.0であつた。 実施例 ６ 実施例１において亜鉛の蒸着の際の基準温度を
300℃に代える以外は、実施例１とほぼ同様にし
て行つた。この際のインジウム、アンチモン及び
亜鉛の蒸着量はそれぞれ1.85ｇ、1.3ｇ、0.036ｇ
であつた。 得られた膜の特性はμH51000cm2／Ｖ・sec、RH
495cm3／Ｃであり、FIo／FSbは1.18であつた。 なお、亜鉛を蒸着しない場合のRHは350cm3／Ｃ
であつた。 実施例 ７ 実施例６において、亜鉛の蒸着時の基板温度を
400℃にしたときには、RHは360cm3／Ｃであつた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ インジウム−アンチモン化合物の結晶と単体
インジウム結晶との複合結晶から成り、全インジ
ウムのアンチモンに対する原子比が1.1〜1.7の範
囲にあり、かつ亜鉛及びカドミウムの中から選ば
れた少なくとも１種の元素を、原子数で1.1×
1016cm-3以下含有することを特徴とするインジウ
ム−アンチモン系複合結晶半導体。 ２ 薄膜状である特許請求の範囲第１項記載の半
導体。 ３ インジウムとアンチモンとを、アンチモンに
対するインジウムの原子比が1.1〜1.7の範囲にな
るように基板上に蒸着し、次いで亜鉛及びカドミ
ウムの中から選ばれた少なくとも１種の元素を、
蒸着したアンチモンに対し、原子の量に基づき20
％以下の量で蒸着させることを特徴とする実質的
にインジウム−アンチモン化合物の結晶と単体イ
ンジウム結晶から成るインジウム−アンチモン系
複合結晶半導体薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57224639A JPS59114882A (ja) | 1982-12-21 | 1982-12-21 | インジウム−アンチモン系複合結晶半導体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57224639A JPS59114882A (ja) | 1982-12-21 | 1982-12-21 | インジウム−アンチモン系複合結晶半導体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59114882A JPS59114882A (ja) | 1984-07-03 |
| JPH0425718B2 true JPH0425718B2 (ja) | 1992-05-01 |
Family
ID=16816859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57224639A Granted JPS59114882A (ja) | 1982-12-21 | 1982-12-21 | インジウム−アンチモン系複合結晶半導体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59114882A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06105802B2 (ja) * | 1984-07-09 | 1994-12-21 | 旭化成工業株式会社 | 磁電変換素子 |
| US4719868A (en) * | 1985-02-28 | 1988-01-19 | Tokyo Juki Industrial Co., Ltd. | Sewing machine |
| JP6622106B2 (ja) * | 2016-02-10 | 2019-12-18 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 化合物半導体基板の製造方法及び化合物半導体基板、半導体装置 |
-
1982
- 1982-12-21 JP JP57224639A patent/JPS59114882A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59114882A (ja) | 1984-07-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4392477B2 (ja) | 多結晶半導体部材およびその作成方法 | |
| Zilko et al. | Growth and phase stability of epitaxial metastable InSb1− x Bi x films on GaAs. I. Crystal growth | |
| US20060102870A1 (en) | Infrared detection material and method of production | |
| US4141778A (en) | Method of preparing crystalline compounds AIVA BVIA | |
| EP0538797B1 (en) | Carbon cluster film having electrical conductivity and method of preparing the same | |
| US3065112A (en) | Process for the production of large semiconductor crystals | |
| JPH0425718B2 (ja) | ||
| Mahmoud et al. | Processing parameters and transport properties of vacuum evaporated CdSe thin films | |
| Dhere et al. | The structure and semiconducting properties of cadmium selenide films | |
| JPH02163363A (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
| JPH0726195B2 (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
| JPH0851001A (ja) | セラミック抵抗体 | |
| JP3273110B2 (ja) | セラミック抵抗体 | |
| Sanyal et al. | A comparative study of CdTe films prepared by different techniques | |
| JPS5878418A (ja) | インジウム−アンチモン系複合結晶薄膜の製造法 | |
| JPH0247850B2 (ja) | ||
| US3480484A (en) | Method for preparing high mobility indium antimonide thin films | |
| KR860000161B1 (ko) | 인듐 안티몬계 복합 결정반도체 및 그 제조방법 | |
| JPS59202674A (ja) | インジウム−アンチモン系薄膜の製造方法 | |
| JPH0359572B2 (ja) | ||
| JPH0359570B2 (ja) | ||
| JPH0140512B2 (ja) | ||
| Burvenich | Influence of substrate temperature on the electrical properties of thin InSb films flash-evaporated onto glass | |
| JP2514091B2 (ja) | 磁電変換素子 | |
| JP2650635B2 (ja) | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体薄膜の製法 |