JPH0425800Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は多空胴クライストロン、特にその同調
機構に関する。

〔従来の技術〕

多空胴クライストロンは、電子ビームを形成す
る電子銃部、この電子ビームと相互作用を行なう
高周波回路部、電子ビームを捕集するコレクタ部
および電子ビームを集束する集束装置より成り立
つている。又、高周波回路部には、高周波電力を
管球内部に入力する入力部および高周波電力を取
り出す出力部が取り付けられている。

第２図に示す様に、高周波回路部１は複数個の
空胴共振器２で形成されており、それぞれの空胴
共振器には、共振周波数を変化させるための同調
機構が設けられている。この同調機構は真空内部
のチユーナ３と、これを真空外部から動かすため
の外部同調機構５とから形成されており、外部同
調機構は、数本の支柱６で高周波回路部に固定さ
れている。従来、この支柱として黄銅（真ちゆ
う）が使われていた。なお、チユーナ３は外部同
調機構５とチユーナシヤフト４によつて連結され
ている。

〔考案が解決しようとする問題点〕

多空胴クライストロンの電気的特性の一つに周
波数帯域特性がある。この周波数帯域特性は、各
空胴共振器をスタガー同調して得られる。各空胴
共振器の共振周波数は真空内部のチユーナの位置
で決まる。しかし、クライストロンを動作させ出
力を出すと高周波回路部で発生する熱のため各空
胴共振器の共振周波数が変化し周波数帯域特性が
ずれてしまう。このためこの帯域特性のずれを少
しでも小さくするため、従来いろいろな手段が採
用されてきた。しかし、準ミリ波帯等の高い周波
数帯が使用される様になると、従来問題とならな
かつた部分の熱膨張が問題となつてきた。すなわ
ち、外部同調機構を支えている支柱の熱膨張によ
る伸びである。

準ミリ波帯になると数10μmの膨張による伸び
が問題となる。従来、外部同調機構を支えている
支柱の材料として黄銅（真ちゆう）が使われてい
た。黄銅の熱膨張率は18〜19×10^-6／℃であり、
アルミニウムより小さく、又、ステンレスより多
少大きい程度である。しかし、熱伝動率が
1.21W／cm／℃と比較的大きいため高周波回路部
の熱が支柱に伝わりやすく支柱の温度が高くなり
熱膨張による伸びが問題となつてくる。

〔問題点を解決するための手段〕

本考案は複数個の空胴共振器からなる高周波回
路部を有し、空胴共振器はチユーナおよびチユー
ナに接続された外部同調機構を備えている多空胴
クライストロンにおいて、外部同調機構を高周波
回路部に固定する支柱が、高周波回路部および支
柱より小さな熱伝導率を有する材料で作られたア
ダプタを介して高周波回路部に固定されたことを
特徴とする。

〔実施例〕

次に図面を参照して本考案について詳細に説明
する。

第１図は本考案の一実施例を示す図である。高
周波回路部１を形成する空胴共振器２には共振周
波数を変化させるためのチユーナ３が設けられて
おり、チユーナ３に接続されたチユーナシャフト
４の先端は外部同調機構５に接続されている。外
部同調機構５は支柱６によつてアダプタ７を介し
て高周波回路部１に固定されている。このアダプ
タ７は、高周波回路部１や支柱６に比べ熱伝導率
の悪い材料、例えばモネルで作られており、高周
波回路部１にろう付やねじ等で固定されている。

〔考案の効果〕

以上説明した様に本考案においては、外部同調
機構を高周波回路部に支柱で固定する際に熱伝導
率の悪い材料で使られたアダプタを介して行なう
ことにより、高周波回路部の熱が支柱に伝わるの
を抑えることができ、支柱の熱膨張による周波数
帯域特性のずれを使用上問題ない程度に抑えるこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の一実施例を示す図、第２図は
従来の高周波回路部および外部同調機構の構造を
示す図である。 １……高周波回路部、２……空胴共振器、３…
…チユーナ、４……チユーナシヤフト、５……外
部同調機構、６……支柱、７……アダプタ。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 複数個の空胴共振器からなる高周波回路部を有
   し、空胴共振器はチユーナおよびチユーナに接続
   された外部同調機構を具備する多空胴クライスト
   ロンにおいて、前記外部同調機構を高周波回路部
   に固定する支柱が、前記高周波回路部および支柱
   を形成する材料より小さな熱伝動率を有する材料
   で形成されたアダプタを介して高周波回路部に固
   定されたことを特徴とする多空洞クライストロ
   ン。