JPS625538A - 多空胴クライストロン - Google Patents
多空胴クライストロンInfo
- Publication number
- JPS625538A JPS625538A JP14501985A JP14501985A JPS625538A JP S625538 A JPS625538 A JP S625538A JP 14501985 A JP14501985 A JP 14501985A JP 14501985 A JP14501985 A JP 14501985A JP S625538 A JPS625538 A JP S625538A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cavity
- high frequency
- frequency circuit
- external tuning
- thermal expansion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 12
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は多空胴クライストロン、特にその同調機構に関
する０ 〔従来の技術〕 多空胴クライストロンは、電子ビームを形成する電子銃
部、この電子ビームと相互作用を行なう高周波回路部、
電子ビームを捕集するコレクタ部および電子ビームを集
束する集束装置より成り立りている０又、４周波回路部
には高周波電力を管球内部に入力する入力部および高周
波電力を取り出す出力部が付属している。高周波回路部
は複数個の空胴共振器で形成されておシ、それぞれの空
胴共振器には、共振周波数を変化させるための同調機構
は真空内部のテ瓢−すとこれを真空外部から動かすため
の外部同調機構とから形成されており、外部同調機構は
、数本の支柱で高周波回路部〔発明が解決しようとする
問題点〕 多空胴クライストロンの電気的特性の一つに周波数帯域
特性がある。この周波数帯域特性は、各空胴共振器をス
タガー同調して得られる。各空胴共振器の共振周波数は
真空内部のテエーナの位置で決まる。しかし、クライス
トロンが動作し出力を出すと高周波回路部で発生する熱
のため各空胴共振器の共振周波数が変化して周波数帯域
特性がずれてしまう。このためこの帯域特性のずれを少
しでも小ざくするためいろいろな手段が採用されてきた
。しかし、準ミリ波帯等の高い周波数帯が使用される様
になると、従来問題とならなかった部分の熱膨張が問題
となってきた。すなわち、外部同調機構を支えている支
柱の熱膨張による伸びである。準ミリ波帯になると数ｌ
Ｏμｍの膨張による伸びが問題となる。従来外部同調機
構を支えている支柱の材料として黄銅（真ちゅう）が使
われていた。黄銅の熱膨張率は１８〜１９ＸｌＯ−”７
℃であシ、アルミニウムより小さく、又、ステンレスよ
り多少大きい程駁であるｏしかし、熱伝導率が１．２１
Ｗ／ｃｍ／”Ｏと比較的大きいため高周波回路部の熱
が支柱に伝わりやすく支柱の温度が高くな）熱膨張によ
る伸びが問題となってくる０〔問題点を解決するための
手段〕 本発明は、複数個の空胴共振器からなる高周波回路部を
有し、空胴共振器はテエーナおよびデエーナに接続され
た外部同調機構を具備する多空胴クライストロンにおい
て、外部同調機構は熱膨張率が１７ＸＩ Ｏ’／ ’Ｏ
以下で熱伝導率が０．３ Ｗ／ ｃｘ ／ ”Ｏ以下の
金属材料からなる支柱で高周波回路部に固定されたこと
を特徴とする０ 〔実施例〕 次に図面を参照して本発明を説明する０図は本発明の一
実施例を示す図である。高周波回路部１を形成する空胴
共振器２には共振周波数を変化させるだめのチェーナ３
が設けられており、チューナ３に接続されたチューナシ
ャフト４の先端は外部同調機構５に接続されている。又
、外部同調機構５は支柱６によって高周波回路部１に固
定されている。本実施例では、支柱６の材料としてステ
ンレスを採用している。ステンレスは、熱膨張率は１６
．４ ＸＩ Ｏ’／”Ｏで黄銅よシ少し小さいだけであ
るが、熱伝導率は０．２ ｏ ９ Ｗ／ａｎ／ ’０で
あり黄銅の１／６である。従りて、支柱の熱膨張による
伸びは小さくなる。ステンレスの他。
する０ 〔従来の技術〕 多空胴クライストロンは、電子ビームを形成する電子銃
部、この電子ビームと相互作用を行なう高周波回路部、
電子ビームを捕集するコレクタ部および電子ビームを集
束する集束装置より成り立りている０又、４周波回路部
には高周波電力を管球内部に入力する入力部および高周
波電力を取り出す出力部が付属している。高周波回路部
は複数個の空胴共振器で形成されておシ、それぞれの空
胴共振器には、共振周波数を変化させるための同調機構
は真空内部のテ瓢−すとこれを真空外部から動かすため
の外部同調機構とから形成されており、外部同調機構は
、数本の支柱で高周波回路部〔発明が解決しようとする
問題点〕 多空胴クライストロンの電気的特性の一つに周波数帯域
特性がある。この周波数帯域特性は、各空胴共振器をス
タガー同調して得られる。各空胴共振器の共振周波数は
真空内部のテエーナの位置で決まる。しかし、クライス
トロンが動作し出力を出すと高周波回路部で発生する熱
のため各空胴共振器の共振周波数が変化して周波数帯域
特性がずれてしまう。このためこの帯域特性のずれを少
しでも小ざくするためいろいろな手段が採用されてきた
。しかし、準ミリ波帯等の高い周波数帯が使用される様
になると、従来問題とならなかった部分の熱膨張が問題
となってきた。すなわち、外部同調機構を支えている支
柱の熱膨張による伸びである。準ミリ波帯になると数ｌ
Ｏμｍの膨張による伸びが問題となる。従来外部同調機
構を支えている支柱の材料として黄銅（真ちゅう）が使
われていた。黄銅の熱膨張率は１８〜１９ＸｌＯ−”７
℃であシ、アルミニウムより小さく、又、ステンレスよ
り多少大きい程駁であるｏしかし、熱伝導率が１．２１
Ｗ／ｃｍ／”Ｏと比較的大きいため高周波回路部の熱
が支柱に伝わりやすく支柱の温度が高くな）熱膨張によ
る伸びが問題となってくる０〔問題点を解決するための
手段〕 本発明は、複数個の空胴共振器からなる高周波回路部を
有し、空胴共振器はテエーナおよびデエーナに接続され
た外部同調機構を具備する多空胴クライストロンにおい
て、外部同調機構は熱膨張率が１７ＸＩ Ｏ’／ ’Ｏ
以下で熱伝導率が０．３ Ｗ／ ｃｘ ／ ”Ｏ以下の
金属材料からなる支柱で高周波回路部に固定されたこと
を特徴とする０ 〔実施例〕 次に図面を参照して本発明を説明する０図は本発明の一
実施例を示す図である。高周波回路部１を形成する空胴
共振器２には共振周波数を変化させるだめのチェーナ３
が設けられており、チューナ３に接続されたチューナシ
ャフト４の先端は外部同調機構５に接続されている。又
、外部同調機構５は支柱６によって高周波回路部１に固
定されている。本実施例では、支柱６の材料としてステ
ンレスを採用している。ステンレスは、熱膨張率は１６
．４ ＸＩ Ｏ’／”Ｏで黄銅よシ少し小さいだけであ
るが、熱伝導率は０．２ ｏ ９ Ｗ／ａｎ／ ’０で
あり黄銅の１／６である。従りて、支柱の熱膨張による
伸びは小さくなる。ステンレスの他。
１００℃以下の温間範囲で、熱膨張率が１７×ｔｏ−’
／”Ｏ以下で、かつ熱伝導率が０．３Ｗ／ｃｍ／℃以下
の材料であれば十分使用することができる０ 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、外部同調機構を高周波回
路部に固定している支柱の材料として熱膨張率が小さく
かつ熱伝導率の小さな材料、具体的には、熱膨張率が１
７Ｘ１０−８ ／”Ｏ以下（１００υ以下で）熱伝導率
が０．３ Ｗ／α／℃以下の材料を用いることによシ、
周波数帯域特性のずれを使用上問題ない程度におさえる
ことができる０
／”Ｏ以下で、かつ熱伝導率が０．３Ｗ／ｃｍ／℃以下
の材料であれば十分使用することができる０ 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、外部同調機構を高周波回
路部に固定している支柱の材料として熱膨張率が小さく
かつ熱伝導率の小さな材料、具体的には、熱膨張率が１
７Ｘ１０−８ ／”Ｏ以下（１００υ以下で）熱伝導率
が０．３ Ｗ／α／℃以下の材料を用いることによシ、
周波数帯域特性のずれを使用上問題ない程度におさえる
ことができる０
図は本発明の一実施例を示す高周波回路部の横断面図で
おる０
おる０
Claims (1)
- 複数個の空胴共振器からなる高周波回路部を有し、空胴
共振器はチューナおよびチューナに接続された外部同調
機構を具備する多空胴クライストロンにおいて、前記外
部同調機構は熱膨張率が１７×１０＾−＾６／℃以下で
、熱伝導率が０．３Ｗ／ｃｍ／℃以下の金属材料から成
る支柱で高周波回路部に固定されたことを特徴とする多
空胴クライストロン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14501985A JPS625538A (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | 多空胴クライストロン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14501985A JPS625538A (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | 多空胴クライストロン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS625538A true JPS625538A (ja) | 1987-01-12 |
Family
ID=15375550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14501985A Pending JPS625538A (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | 多空胴クライストロン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS625538A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5425661A (en) * | 1977-07-28 | 1979-02-26 | Nec Corp | Tuning mechanism for large power klystron |
-
1985
- 1985-07-01 JP JP14501985A patent/JPS625538A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5425661A (en) * | 1977-07-28 | 1979-02-26 | Nec Corp | Tuning mechanism for large power klystron |
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