JPH04258018A - Amplitude conversion circuit - Google Patents
Amplitude conversion circuitInfo
- Publication number
- JPH04258018A JPH04258018A JP3019594A JP1959491A JPH04258018A JP H04258018 A JPH04258018 A JP H04258018A JP 3019594 A JP3019594 A JP 3019594A JP 1959491 A JP1959491 A JP 1959491A JP H04258018 A JPH04258018 A JP H04258018A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- conversion circuit
- channel mos
- amplitude conversion
- trs
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 23
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】本発明は振幅変換回路に関し、特
にCMOS論理回路の論理信号の振幅をECL論理回路
の論理信号の振幅に変換する振幅変換回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an amplitude conversion circuit, and more particularly to an amplitude conversion circuit that converts the amplitude of a logic signal of a CMOS logic circuit to the amplitude of a logic signal of an ECL logic circuit.
【0002】0002
【従来の技術】従来の振幅変換回路は、図3に示すよう
に、トランジスタQ1,Q2と正補の負荷抵抗であるR
1,R2とからなる差動回路1と、抵抗R3〜R5から
なる減衰回路7と、抵抗R6,R7からなるバイアス回
路8と、差動回路1の動作電流を供給する定電流源I1
とから構成され、CMOS論理回路6の論理信号の振幅
を低減することによりECL論理回路の論理信号の振幅
に変換していた。2. Description of the Related Art A conventional amplitude conversion circuit, as shown in FIG.
1 and R2, an attenuation circuit 7 including resistors R3 to R5, a bias circuit 8 including resistors R6 and R7, and a constant current source I1 that supplies the operating current of the differential circuit 1.
By reducing the amplitude of the logic signal of the CMOS logic circuit 6, it is converted into the amplitude of the logic signal of the ECL logic circuit.
【0003】次に、従来の振幅変換回路の動作について
説明する。Next, the operation of the conventional amplitude conversion circuit will be explained.
【0004】減衰回路7は、CMOS論理回路6の出力
信号の振幅を低減する作用をする。差動回路1と負荷の
抵抗R1,R2と定電流源I1とにより、ECL論理回
路に対するバッファを構成している。端子TO,TOI
は、それぞれ正相出力端子と補相出力端子であり、EC
L論理回路に対して適当な振幅の信号に変換された信号
が出力される。バイアス回路8は、差動回路1のトラン
ジスタQ2に直流バイアスを供給するためのものである
。The attenuation circuit 7 functions to reduce the amplitude of the output signal of the CMOS logic circuit 6. The differential circuit 1, load resistors R1 and R2, and constant current source I1 constitute a buffer for the ECL logic circuit. Terminal TO, TOI
are the positive phase output terminal and complementary phase output terminal, respectively, and EC
A signal converted into a signal with an appropriate amplitude is output to the L logic circuit. The bias circuit 8 is for supplying a DC bias to the transistor Q2 of the differential circuit 1.
【0005】まず、電源V1の電圧をV1、CMOS論
理回路6の出力回路の出力抵抗、すなわち、出力トラン
ジスタのオン抵抗をrとする。抵抗R3〜R5からなる
減衰回路7に印加されるCMOS論理回路6の出力がハ
イレベルである場合の等価回路を図3(a)に示す。こ
の場合の差動回路1のトランジスタQ1のベース電位V
AHは次式で示される。First, it is assumed that the voltage of the power supply V1 is V1, and the output resistance of the output circuit of the CMOS logic circuit 6, that is, the on-resistance of the output transistor is r. FIG. 3(a) shows an equivalent circuit when the output of the CMOS logic circuit 6 applied to the attenuation circuit 7 consisting of resistors R3 to R5 is at a high level. Base potential V of transistor Q1 of differential circuit 1 in this case
AH is expressed by the following formula.
【0006】[0006]
【0007】次に、減衰回路7に印加されるCMOS論
理回路6の出力がローレベルである場合の等価回路を図
3(b)に示す。この場合の差動回路1のトランジスタ
Q1のベース電位VALは次式で示される。Next, FIG. 3(b) shows an equivalent circuit when the output of the CMOS logic circuit 6 applied to the attenuation circuit 7 is at a low level. The base potential VAL of the transistor Q1 of the differential circuit 1 in this case is expressed by the following equation.
【0008】[0008]
【0009】具体的な数値例として、V1=5V,r=
3KΩ,R4=R5=20KΩ,R3=40KΩとする
と、VAH=2.94V,VAL=2.06Vとなり、
2.5Vを中心に約1Vの信号振幅が得られることにな
る。したがって、バイアス回路8の抵抗R6,R7を、
たとえば、
R4/R5=R6/R7………………………………
………………………(3)のように選ぶことにより、差
動回路1のトランジスタQ1,Q2が交互に導通および
遮断の動作を行ない、定電流源I1の電流値と、負荷抵
抗である抵抗R1,R2で決定される信号振幅を正補の
出力端子TO,TOIから出力するというものであった
。As a concrete numerical example, V1=5V, r=
3KΩ, R4=R5=20KΩ, R3=40KΩ, VAH=2.94V, VAL=2.06V,
A signal amplitude of about 1V centered around 2.5V will be obtained. Therefore, the resistances R6 and R7 of the bias circuit 8 are
For example, R4/R5=R6/R7………………………………
By selecting as in (3), the transistors Q1 and Q2 of the differential circuit 1 conduct conduction and cutoff operations alternately, and the current value of the constant current source I1 and the load resistance The signal amplitude determined by the resistors R1 and R2 is outputted from the correction output terminals TO and TOI.
【0010】0010
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の振幅変
換回路は、抵抗回路網からなる減衰回路による差動回路
の入力端子における入力インピーダンスが高いため、僅
かの浮遊容量の存在でも著しい遅延を発生し動作速度を
低下させるという欠点があった。[Problems to be Solved by the Invention] In the conventional amplitude conversion circuit described above, the input impedance at the input terminal of the differential circuit is high due to the attenuation circuit consisting of a resistor network, so even the presence of a small amount of stray capacitance causes a significant delay. However, it has the disadvantage of reducing the operating speed.
【0011】上述の数値例では、この入力インピーダン
スは8.1KΩとなり、1pF程度の浮遊容量でも約8
nSの遅延を発生する。この入力インピーダンスを低減
するためには、減衰回路を構成する抵抗の抵抗値を低減
すればよいが、そうすると、消費電流が増加するという
動作速度と消費電流とが二率背反の関係にあるという問
題点があった。In the above numerical example, this input impedance is 8.1KΩ, and even with a stray capacitance of about 1pF, the input impedance is about 8.1KΩ.
Generates a delay of nS. In order to reduce this input impedance, it is possible to reduce the resistance value of the resistor that makes up the attenuation circuit, but this results in an increase in current consumption, which is a trade-off between operating speed and current consumption. There was a point.
【0012】0012
【課題を解決するための手段】第1の発明の振幅変換回
路は、差動回路を構成し正補それぞれの出力信号を出力
する第一および第二のトランジスタと、前記差動回路の
動作電流を供給する定電流源と、前記定電流源と前記第
一および第二のトランジスタのそれぞれのエミッタとの
間にそれぞれ接続され、インピーダンス素子を並列に接
続した第一および第二のアナログスイッチ回路と、前記
第一および第二のアナログスイッチ回路を相補的に導通
または遮断状態にそれぞれ制御するスイッチ制御回路と
を備えて構成されている。[Means for Solving the Problems] The amplitude conversion circuit of the first invention comprises first and second transistors forming a differential circuit and outputting respective output signals of correction and correction, and an operating current of the differential circuit. and first and second analog switch circuits connected between the constant current source and the emitters of each of the first and second transistors, each having an impedance element connected in parallel; , and a switch control circuit that complementarily controls the first and second analog switch circuits to conduct or cut off, respectively.
【0013】[0013]
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。Embodiments Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0014】図1は本発明の振幅変換回路の一実施例を
示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the amplitude conversion circuit of the present invention.
【0015】本実施例の振幅変換回路は、図1に示すよ
うに、トランジスタQ1,Q2と正補の負荷抵抗である
R1,R2とからなる差動回路1と、トランスミッショ
ンゲート1,2と、インバータ回路4,5と、差動回路
1の動作電流を供給する定電流源I1と、電源V1と、
トランジスタQ1,Q2のバイアス電源V2とから構成
されている。図1には、さらに、説明のため従来例と同
様入力信号源であるCMOS論理回路6が示されている
。As shown in FIG. 1, the amplitude conversion circuit of this embodiment includes a differential circuit 1 consisting of transistors Q1 and Q2 and corrective load resistances R1 and R2, transmission gates 1 and 2, Inverter circuits 4 and 5, a constant current source I1 that supplies the operating current of the differential circuit 1, and a power supply V1,
It consists of a bias power supply V2 for transistors Q1 and Q2. FIG. 1 further shows a CMOS logic circuit 6, which is an input signal source, as in the conventional example, for the sake of explanation.
【0016】トランスミッションゲートは、周知のよう
に、PチャンネルMOSトランジスタとNチャンネルM
OSトランジスタのそれぞれのドレンインとソースをそ
れぞれ共通接続し、それぞれのゲートを相補極性のパル
スにより導通または遮断状態にそれぞれ制御するアナロ
グスイッチである。As is well known, the transmission gate is composed of a P-channel MOS transistor and an N-channel MOS transistor.
This is an analog switch in which the drain-in and source of each OS transistor are connected in common, and each gate is controlled to be conductive or cut-off by pulses of complementary polarity.
【0017】トランスミッションゲート1は、Pチャン
ネルMOSトランジスタP1とNチャンネルMOSトラ
ンジスタN1とで構成され、差動回路1のトランジスタ
Q1のエミッタと定電流源I1との間に接続され、さら
に、インピーダンス素子Z1を並列接続している。The transmission gate 1 is composed of a P-channel MOS transistor P1 and an N-channel MOS transistor N1, and is connected between the emitter of the transistor Q1 of the differential circuit 1 and a constant current source I1, and further includes an impedance element Z1. are connected in parallel.
【0018】トランスミッションゲート2は、Pチャン
ネルMOSトランジスタP2とNチャンネルMOSトラ
ンジスタN2とで構成され、差動回路1のトランジスタ
Q2のエミッタと定電流源I1との間に接続され、さら
に、インピーダンス素子Z2を並列接続している。The transmission gate 2 is composed of a P-channel MOS transistor P2 and an N-channel MOS transistor N2, and is connected between the emitter of the transistor Q2 of the differential circuit 1 and the constant current source I1, and further includes an impedance element Z2. are connected in parallel.
【0019】インピーダンス素子Z1,Z2は、たとえ
ば、トランスミッションゲート1,2の導通抵抗に比し
十分大きい値の抵抗である。Impedance elements Z1 and Z2 are, for example, resistances that are sufficiently larger than the conduction resistance of transmission gates 1 and 2.
【0020】インバータ回路4は、PチャンネルMOS
トランジスタP3,NチャンネルMOSトランジスタN
3からなり、CMOS論理回路6からの入力信号を反転
してインバータ回路5に入力するとともに、トランスミ
ッションゲート1,2の一方の極正の駆動信号としてこ
れを駆動する。The inverter circuit 4 is a P-channel MOS
Transistor P3, N channel MOS transistor N
3, it inverts the input signal from the CMOS logic circuit 6 and inputs it to the inverter circuit 5, and also drives this as a positive drive signal for one of the transmission gates 1 and 2.
【0021】インバータ回路5は、PチャンネルMOS
トランジスタP4,NチャンネルMOSトランジスタN
4からなり、インバータ回路4からの信号をさらに反転
してトランスミッションゲート1,2の他方の極正の駆
動信号としてこれを駆動する。The inverter circuit 5 is a P-channel MOS
Transistor P4, N channel MOS transistor N
4, the signal from the inverter circuit 4 is further inverted and used as the other positive drive signal for the transmission gates 1 and 2.
【0022】次に、本実施例の動作について説明する。Next, the operation of this embodiment will be explained.
【0023】まず、トランスミッションゲート1のNチ
ャンネルMOSトランジスタN1とトランスミッション
ゲート2のPチャンネルMOSトランジスタP2のそれ
ぞれのゲートには、インバータ回路4からの駆動信号が
印加されている。同時に、トランスミッションゲート1
のPチャンネルMOSトランジスタP1とトランスミッ
ションゲート2のNチャンネルMOSトランジスタN2
のそれぞれのゲートには、インバータ回路5からの駆動
信号が印加されている。インバータ回路4,5の出力の
極性は、前述のように、相互に反転しているので、トラ
ンスミッションゲート1,2は、一方が導通していると
きは他方が必然的に遮断状態となる。First, a drive signal from the inverter circuit 4 is applied to the gates of the N-channel MOS transistor N1 of the transmission gate 1 and the P-channel MOS transistor P2 of the transmission gate 2. At the same time, transmission gate 1
P-channel MOS transistor P1 of the transmission gate 2 and N-channel MOS transistor N2 of the transmission gate 2
A drive signal from the inverter circuit 5 is applied to each gate. As described above, the polarities of the outputs of the inverter circuits 4 and 5 are mutually inverted, so when one of the transmission gates 1 and 2 is conductive, the other is necessarily cut off.
【0024】従来例と同様に、数式により動作を説明す
る。As in the conventional example, the operation will be explained using mathematical formulas.
【0025】ここで、インピーダンス素子Z1,Z2を
同一値の抵抗であるとし、その値をREとする。また、
PチャンネルMOSトランジスタおよびNチャンネルM
OSトランジスタのそれぞれの導通抵抗をrとすると、
トランスミッションゲート1,2のそれぞれの導通抵抗
は1/2rとなる。さらに、REはrに比し非常に大き
い値であるとする。[0025] Here, it is assumed that impedance elements Z1 and Z2 are resistors of the same value, and that value is set as RE. Also,
P-channel MOS transistor and N-channel M
If the conduction resistance of each OS transistor is r,
The conduction resistance of each of transmission gates 1 and 2 is 1/2r. Furthermore, it is assumed that RE is a much larger value than r.
【0026】まず、インバータ回路4の出力がハイレベ
ルであり、インバータ回路5の出力がローレべルの場合
は、トランスミッションゲート1が導通状態となり、ト
ランスミッションゲート2が遮断状態となる。したがっ
て、インピーダンス素子Z1は、r/2で短絡された状
態となる。故に、差動回路1のトランジスタQ1のエミ
ッタにはおよそr/2の抵抗が挿入されることになる。First, when the output of the inverter circuit 4 is high level and the output of the inverter circuit 5 is low level, the transmission gate 1 becomes conductive and the transmission gate 2 becomes cut off. Therefore, impedance element Z1 is short-circuited at r/2. Therefore, a resistor of approximately r/2 is inserted into the emitter of the transistor Q1 of the differential circuit 1.
【0027】このときの、トランジスタQ1のコレクタ
電流をIC1、トランジスタQ2のコレクタ電流をIC
2とし、定電流源I1の電流をI1とすると、これらの
電流の間には、次式に示す関係がある。At this time, the collector current of transistor Q1 is IC1, and the collector current of transistor Q2 is IC1.
2 and the current of the constant current source I1 is I1, there is a relationship between these currents as shown in the following equation.
【0028】
IC1+IC2=I1…………………………………
………………………(4)IC1+IC2=I1……………………………………
………………………(4)
【0029】[0029]
【0030】ここで、RE=60KΩ,r=3KΩ,I
1=200μAとすると、(4),(5)式より、
IC1・r/2−(I1−IC1)・RE=0…………
…………………(6)となり、これより、IC1=19
5μA,IC2=5μAとなる。Here, RE=60KΩ, r=3KΩ, I
If 1=200μA, from equations (4) and (5),
IC1・r/2−(I1−IC1)・RE=0……
………………………(6) From this, IC1=19
5μA, IC2=5μA.
【0031】負荷抵抗の抵抗R1,R2の値を、R5=
R6=2KΩとすると、端子TOの電位は電源電圧V1
の電位に対し、V1−390mV、また、端子TOIの
電位は、V1−10mVとなる。次に、インバータ回路
5の出力がハイレベルであり、インバータ回路4の出力
がローレべルの場合は、トランスミッションゲート2が
導通状態となり、トランスミッションゲート1が遮断状
態となる。この場合は、前述の場合とは逆に、端子TO
Iの電位は電源電圧V1の電位に対し、V1−390m
V、また、端子TOの電位は、V1−10mVとなる。
以上の結果として、信号振幅380mVP−Pを平衡出
力で得られることになる。これは、ECL論理回路の駆
動信号としては充分な値である。[0031] The values of resistances R1 and R2 of the load resistance are R5=
If R6 = 2KΩ, the potential of the terminal TO is the power supply voltage V1
The potential of the terminal TOI is V1-390 mV, and the potential of the terminal TOI is V1-10 mV. Next, when the output of the inverter circuit 5 is high level and the output of the inverter circuit 4 is low level, the transmission gate 2 becomes conductive and the transmission gate 1 becomes cut off. In this case, contrary to the previous case, the terminal TO
The potential of I is V1-390m with respect to the potential of power supply voltage V1.
V, and the potential of the terminal TO is V1-10 mV. As a result of the above, a signal amplitude of 380 mVP-P can be obtained with a balanced output. This is a sufficient value as a drive signal for an ECL logic circuit.
【0032】以上、本発明の実施例を説明したが、本発
明は上記実施例に限られることなく種種の変形が可能で
ある。Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments and can be modified in various ways.
【0033】たとえば、インピーダンス素子Z1,Z2
を同一値の抵抗であるとしたが、これらをトランジスタ
のエミッタ電流に対し、順方向に接続されたダイオード
としてもよい。この場合は、ダイオードの順方向電圧の
ため、遮断状態のトランスミッションゲートに接続され
た方のトランジスタが、ICの典型的な値としては約6
pA程度とほぼ完全に遮断状態となる。For example, impedance elements Z1, Z2
are assumed to be resistors of the same value, but these may be diodes connected in the forward direction with respect to the emitter current of the transistor. In this case, due to the forward voltage of the diode, the transistor connected to the cut-off transmission gate has a typical value of about 6
pA level and almost completely blocked.
【0034】以上述べたように、本発明においては、差
動回路を構成する2個のトランジスタは、言わば、ベー
ス接地増幅器として動作する。抵抗やダイオード等のイ
ンピーダンス素子がエミッタに直列に接続されているの
でこれらの素子の有する浮遊容量もエミッタに接続され
ることになる。しかし、エミッタは、本実施例では約2
60Ωと本質的に低インピーダンスであり、また、エミ
ッタの電位は、信号レベルによって殆ど変化しないので
、これらの影響は無視することができる。As described above, in the present invention, the two transistors forming the differential circuit operate as a common base amplifier. Since impedance elements such as resistors and diodes are connected in series with the emitter, stray capacitances of these elements are also connected to the emitter. However, the emitter is approximately 2
Since the impedance is essentially low at 60Ω, and the emitter potential hardly changes depending on the signal level, these effects can be ignored.
【0035】また、CMOS論理回路側から見ると、従
来例が高抵抗の減衰回路と浮遊容量を負荷として駆動し
ていたのに対し、本発明では、2個のMOSトランジス
タのゲートを駆動するだけでよいので、減衰回路による
遅延は全く存在しないことになる。Furthermore, from the perspective of the CMOS logic circuit, whereas the conventional example drives a high-resistance attenuation circuit and stray capacitance as loads, the present invention only drives the gates of two MOS transistors. Therefore, there is no delay due to the attenuation circuit.
【0036】たとえば、従来例と同様の1pF程度の浮
遊容量では遅延は約0.26nSとなり、非常に改善さ
れるということができる。For example, with a stray capacitance of about 1 pF as in the conventional example, the delay is about 0.26 nS, which can be said to be a significant improvement.
【0037】[0037]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の振幅変換
回路は、差動回路を構成するトランジスタの本質的に低
インピーダンスであるエミッタ端子に挿入されたイピー
ダンス素子をアナログスイッチで短絡することにより、
浮遊容量による遅延の発生を無視し得る程度に低減でき
、したがって、消費電流の増大をすることなく回路の動
作を高速化できるという効果がある。[Effects of the Invention] As explained above, the amplitude conversion circuit of the present invention is achieved by short-circuiting the impedance element inserted into the essentially low-impedance emitter terminal of the transistor constituting the differential circuit using an analog switch. ,
This has the effect of reducing the delay caused by stray capacitance to a negligible extent, and therefore speeding up the operation of the circuit without increasing current consumption.
【図1】本発明の振幅変換回路の一実施例を示す回路図
である。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of an amplitude conversion circuit of the present invention.
【図2】従来の振幅変換回路の一例を示す回路図である
。FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a conventional amplitude conversion circuit.
【図3】図2に示す減衰回路の等価回路を示す回路図で
ある。FIG. 3 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the attenuation circuit shown in FIG. 2;
1 差動回路
2,3 トランスミッションゲート4,5
インバータ回路
6 CMOS論理回路
7 減衰回路
8 バイアス回路
N1〜N4 NチャンネルMOSトランジスタP
1〜P4 PチャンネルMOSトランジスタQ1
,Q2 トランジスタ
R1〜R7 抵抗1 Differential circuit 2, 3 Transmission gate 4, 5
Inverter circuit 6 CMOS logic circuit 7 Attenuation circuit 8 Bias circuits N1 to N4 N-channel MOS transistor P
1 to P4 P-channel MOS transistor Q1
,Q2 Transistor R1~R7 Resistor
Claims (4)
を出力する第一および第二のトランジスタと、前記差動
回路の動作電流を供給する定電流源と、前記定電流源と
前記第一および第二のトランジスタのそれぞれのエミッ
タとの間にそれぞれ接続され、インピーダンス素子を並
列に接続した第一および第二のアナログスイッチ回路と
、前記第一および第二のアナログスイッチ回路を相補的
に導通または遮断状態にそれぞれ制御するスイッチ制御
回路とを備えることを特徴とする振幅変換回路。1. First and second transistors forming a differential circuit and outputting correction and correction output signals, a constant current source supplying an operating current of the differential circuit, the constant current source and the Complementary first and second analog switch circuits are connected between respective emitters of the first and second transistors, and have impedance elements connected in parallel. 1. An amplitude conversion circuit comprising: a switch control circuit that controls the conduction state or the cutoff state.
MOSトランジスタとNチャンネルMOSトランジスタ
のそれぞれのドレンインとソースをそれぞれ共通接続し
、それぞれのゲートを相補極性のパルスにより前記導通
または前記遮断状態にそれぞれ制御するトランスミッシ
ョンゲート回路であることを特徴とする請求項1記載の
振幅変換回路。2. The analog switch circuit connects the respective drains and sources of the P-channel MOS transistor and the N-channel MOS transistor in common, and controls the respective gates to be in the conduction state or the cutoff state by pulses of complementary polarity. 2. The amplitude conversion circuit according to claim 1, wherein the amplitude conversion circuit is a transmission gate circuit.
イッチ回路の導通抵抗に比し十分大きい値の抵抗である
ことを特徴とする請求項1記載の振幅変換回路。3. The amplitude conversion circuit according to claim 1, wherein the impedance element is a resistance having a sufficiently larger value than the conduction resistance of the analog switch circuit.
ら前記定電流源に流れる電流に対し順方向に接続したダ
イオードであることを特徴とする請求項1記載の振幅変
換回路。4. The amplitude conversion circuit according to claim 1, wherein the impedance element is a diode connected in a forward direction with respect to a current flowing from the emitter to the constant current source.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3019594A JPH04258018A (en) | 1991-02-13 | 1991-02-13 | Amplitude conversion circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3019594A JPH04258018A (en) | 1991-02-13 | 1991-02-13 | Amplitude conversion circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04258018A true JPH04258018A (en) | 1992-09-14 |
Family
ID=12003571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3019594A Pending JPH04258018A (en) | 1991-02-13 | 1991-02-13 | Amplitude conversion circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04258018A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0606061A3 (en) * | 1993-01-05 | 1995-11-02 | Nec Corp | Analog circuit producing a non-linear luminance / control voltage characteristic for liquid crystal display devices. |
-
1991
- 1991-02-13 JP JP3019594A patent/JPH04258018A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0606061A3 (en) * | 1993-01-05 | 1995-11-02 | Nec Corp | Analog circuit producing a non-linear luminance / control voltage characteristic for liquid crystal display devices. |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5432476A (en) | Differential to single-ended converter | |
| JPH11274934A (en) | Differential switching circuit and digital-to-analog converter | |
| JP2665025B2 (en) | Amplifier circuit | |
| TW200935752A (en) | Current steering DAC and voltage booster for current steering DAC | |
| US5235218A (en) | Switching constant current source circuit | |
| US4808944A (en) | High accuracy differential output stage | |
| JP2765346B2 (en) | Bimos amplification device | |
| JPH0399516A (en) | Level converting circuit | |
| US4626713A (en) | Trip-point clamping circuit for a semiconductor device | |
| JPS60817B2 (en) | Complementary emitter follower circuit | |
| JPH04258018A (en) | Amplitude conversion circuit | |
| JP2987971B2 (en) | Level conversion circuit | |
| JPH03214808A (en) | Voltage comparing circuit | |
| JPH0226815B2 (en) | ||
| JP2540928B2 (en) | Logic circuit | |
| JPH0612856B2 (en) | Amplifier circuit | |
| US7592794B2 (en) | Integrated low power received signal strength indicator (RSSI) with linear characteristic | |
| JP2871902B2 (en) | Current cell circuit | |
| JPH0740651B2 (en) | Amplifier circuit | |
| JPH04306915A (en) | Level conversion circuit | |
| US20040145389A1 (en) | High speed current mode NOR logic circuit | |
| JPH0472913A (en) | Output buffer circuit | |
| JPH0347012B2 (en) | ||
| JPH0497616A (en) | Level shifter circuit | |
| SU581569A1 (en) | Differential amplifier stage |