JPH04259220A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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上出　幸洋
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新吾 門村
Tetsuya Tatsumi
哲也 辰巳
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、更に詳しくは、アルミニウム系金属のエッチン
グ後のコロージョン対策に係わる。
【０００２】
【従来の技術】従来、アルミニウム系金属のドライエッ
チングは、塩素（Ｃｌ）を含む気体（塩素系ガス）を用
いて行なわれている。斯るドライエッチングを行なった
場合、ウエハにＣｌが残留し大気中の水分と反応してＨ
Ｃｌが生成され、これによって腐食する現象（アフター
コロージョン）が生ずる問題があった。このようなアフ
ターコロージョンを防ぐ方法として以下に説明するよう
なものがある。
【０００３】ａ）アルミニウム系金属を塩素系ガスにて
エッチングを行なった後、四フッ化炭素（ＣＦ４）等の
フッ素系ガスのプラズマを用いてＣｌをＦに置換する。
【０００４】ｂ）アルミニウムの系金属を塩素系ガスに
てエッチングを行なった後、インラインアッシングを行
なって大気に晒す前にＣｌを多く含んだレジストを除去
する。
【０００５】ｃ）上記インラインアッシングを行なった
後、ＣＨＦ３等のプラズマ分解でＡｌ上に炭素（Ｃ）系
のパッシベーション膜を被着し、水分の侵入を防止する
。
【０００６】ｄ）上記インラインアッシングを行なった
後、真空中でベークを行ない、残留Ｃｌを排気する。
【０００７】しかしながら上記従来方法においては以下
に説明する問題点がある。
【０００８】即ち、ａ）にあっては、レジスト内に残っ
たＣｌやＣｌを含む反応生成物を除去できない問題点が
ある。
【０００９】ｂ）にあっては、Ｃｌを含む反応生成物を
除去できない問題点がある。
【００１０】ｃ）にあっては、Ａｌ上に被着させた炭素
系のパッシベーション膜（ポリマー）が水分の侵入を完
全に防げない問題点がある。
【００１１】ｄ）にあっては、残留塩素（Ｃｌ）を完全
に除去できない問題点がある。
【００１２】特に、塩素は、Ｃｌの形で残留しているだ
けでなく反応生成物であるＡｌＯｘＣｌｙの形で存在し
ているものであり、これを分解・排気することも必要で
ある。
【００１３】そこで、エッチング後のインラインアッシ
ング時にメチルアルコール（ＣＨ３ＯＨ）を添加し、Ａ
ｌＯｘＣｌｙを下記の式に示すように分解する方法が実
施されている。
【００１４】
【化１】
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たＣＨ３ＯＨを添加する方法にあっては、単なるインラ
インアッシングよりは効果的であるが、Ａｌ（−ＯＣＨ
３）３の沸点が２４０℃と高く反応生成物（ＡｌＯｘＣ
ｌｙ）の分解が起りにくく、十分なアフターコロージョ
ンの抑制を長時間発揮するものではなく、残留ＡｌＯｘ
Ｃｌｙの除去効率，除去能の向上が求められている。
【００１６】本発明は、このような従来例に着目して創
案されたものであって、アルミニウム系金属のアフター
コロージョンを防止し、信頼性の高い半導体装置を得ん
とするものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は、アル
ミニウム系金属を塩素（Ｃｌ）を含む気体を用いてエッ
チングした後、イソプロピルアルコールを含むガス系に
よるアッシングを行なう工程を有することを、その解決
方法としている。
【００１８】
【作用】アルミニウムの系金属のエッチングにより、Ｃ
ｌの反応生成物であるＡｌＯｘＣｌｙがレジスト内など
に残留するが、次工程でイソプロピルアルコール（ＣＨ
３）２ＣＨＯＨを含むガス系によるレジストのアッシン
グを行なうことにより、
【００１９】
【化２】
【００２０】の反応が起こり、アフターコロージョンの
原因となる塩素がＨＣｌの形で除去される。また、同時
に生成されるトリイソプロポキシアルミニウムＡｌ（ｉ
−ＯＣ３Ｈ７）３は、その沸点が１３０℃と低く、気化
し易いため、上記反応が進み易い。従って、アッシング
に際し、イソプロピルアルコール（ＣＨ３）ＣＨＯＨを
添加することにより、エッチング時の反応生成物である
ＡｌＯｘＣｌｙの除去能が高くなり、防食性が向上する
。
【００２１】
【実施例】以下、本発明に係る半導体装置の製造方法を
適用した実施例を説明する。
【００２２】先ず、本実施例においては、図１に示すよ
うに、シリコン基板１上にＳｉＯ２絶縁膜２を形成する
。次に、図２に示すように、アルミニウム膜３を全面に
形成し、レジスト４を塗布した後パターニングを行なう
。次に、図３に示すように、パターニングされたレジス
ト４をマスクとして、アルミニウム膜３を塩素ガス（Ｃ
ｌ２）及び窒素ガス（Ｎ２）を用いてＳｉＯ２絶縁膜２
が露出するまでドライエッチングを行なう。
【００２３】次に、図４に示すように、レジスト４のア
ッシングをμ波ダウンフロー型のアッシング装置を用い
てｉｎ−ｓｉｔｕで行なう。そのアッシング条件は、酸
素（Ｏ２）を２００ＳＣＣＭ及びイソプロピルアルコー
ル（（ＣＨ３）２ＣＨＯＨ）を４０ＳＣＣＭで導入し、
圧力を１．２Ｔｏｒｒ、μ波Ｈ．Ｖ．を４００ｍＡに限
定して行なった。
【００２４】（比較例）上記実施例と同様にドライエッ
チングを施した後、以下の条件でｉｎ−ｓｉｔｕでアッ
シングを行なった。
【００２５】○導入ガス及びその流量 酸素（Ｏ２）…２００ＳＣＣＭ メチルアルコール（ＣＨ３ＯＨ）…４０ＳＣＣＭ○圧力
…１．２Ｔｏｒｒ ○μ波Ｈ．Ｖ．…４００ｍＡ この比較例においては、アッシング後に時間経過ととも
にコロージョンが生じたが、上記実施例においては、コ
ロージョンが生じなかった。
【００２６】以上、実施例について説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、構成の要旨に付随す
る各種の設計変更が可能である。
【００２７】例えば、上記実施例においては、アッシン
グに酸素（Ｏ２）及びイソプロピルアルコール（ＣＨ３
）２ＣＨＯＨを用いたが、これにフッ素系ガスを加え、
ウエハを載置するステージを加熱すれば更に防食性を高
めることが可能となる。
【００２８】また、上記実施例においては、アルミニウ
ム系金属としてアルミニウム膜を適用したが、アルミニ
ウム合金（例えば、Ａｌ−Ｓｉ，Ａｌ−Ｃｕ）を適用し
ても勿論よく、その場合、フッ素系ガスを添加してドラ
イエッチングを行なってもよい。
【００２９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、アルミニウム系金属のエッチング後の防食性
を高めて信頼性の高い配線を備えた半導体装置が得られ
る効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】　　本発明の実施例の工程図。
【図２】　　本発明の実施例の工程図。
【図３】　　本発明の実施例の工程図。
【図４】　　本発明の実施例の工程図。
【符号の説明】
３…アルミニウム膜、４…レジスト。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　アルミニウム系金属を塩素（Ｃｌ）を
    含む気体を用いてエッチングした後、イソプロピルアル
    コールを含むガス系によるアッシングを行なう工程を有
    することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07230993A (ja) * 1994-02-15 1995-08-29 Nec Corp 半導体装置の配線の形成方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3084910B2 (ja) * 1992-03-18 2000-09-04 ヤマハ株式会社 配線形成法
JP3129144B2 (ja) * 1995-04-21 2001-01-29 日本電気株式会社 アッシング方法
JPH08306668A (ja) * 1995-05-09 1996-11-22 Sony Corp アッシング方法
US5824604A (en) * 1996-01-23 1998-10-20 Mattson Technology, Inc. Hydrocarbon-enhanced dry stripping of photoresist
US6025268A (en) * 1996-06-26 2000-02-15 Advanced Micro Devices, Inc. Method of etching conductive lines through an etch resistant photoresist mask
US6379576B2 (en) 1997-11-17 2002-04-30 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for variable mode plasma enhanced processing of semiconductor wafers
US20050022839A1 (en) * 1999-10-20 2005-02-03 Savas Stephen E. Systems and methods for photoresist strip and residue treatment in integrated circuit manufacturing
US6805139B1 (en) 1999-10-20 2004-10-19 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for photoresist strip and residue treatment in integrated circuit manufacturing
US20070186953A1 (en) * 2004-07-12 2007-08-16 Savas Stephen E Systems and Methods for Photoresist Strip and Residue Treatment in Integrated Circuit Manufacturing
WO2007106785A2 (en) 2006-03-10 2007-09-20 Vantagescore Solutions, Llc Methods and systems for segmentation using multiple dependent variables

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3988256A (en) * 1974-04-03 1976-10-26 Allied Chemical Corporation Photoresist stripper rinse
US4078102A (en) * 1976-10-29 1978-03-07 International Business Machines Corporation Process for stripping resist layers from substrates
JPS57176723A (en) * 1981-04-23 1982-10-30 Fujitsu Ltd Selectively forming method for pattern
JPS58171006A (ja) * 1982-03-31 1983-10-07 Canon Inc 着色パタ−ンの製造方法
JPS6354896A (ja) * 1986-08-26 1988-03-09 Fuji Electric Co Ltd 計測監視制御装置
DE3821231A1 (de) * 1987-06-25 1989-01-05 Siemens Ag Entschichterloesung fuer gehaertete positivlacke
US4992108A (en) * 1990-01-18 1991-02-12 Ward Irl E Photoresist stripping compositions

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07230993A (ja) * 1994-02-15 1995-08-29 Nec Corp 半導体装置の配線の形成方法

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