JPH04259904A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH04259904A JPH04259904A JP2093891A JP2093891A JPH04259904A JP H04259904 A JPH04259904 A JP H04259904A JP 2093891 A JP2093891 A JP 2093891A JP 2093891 A JP2093891 A JP 2093891A JP H04259904 A JPH04259904 A JP H04259904A
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- interlayer insulating
- insulating layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置、或い
は磁気テープ装置等に用いられる薄膜磁気ヘッドの製造
方法に係り、特に第1磁極層上に感光性樹脂膜からなる
層間絶縁層をパターン形成する方法に関するものである
。
は磁気テープ装置等に用いられる薄膜磁気ヘッドの製造
方法に係り、特に第1磁極層上に感光性樹脂膜からなる
層間絶縁層をパターン形成する方法に関するものである
。
【0002】磁気ディスク装置においては高密度記録化
に伴って信頼性の高い薄膜磁気ヘッドが要求され、その
薄膜磁気ヘッドの製造において第1磁極層と第2磁極層
との間に薄膜コイルを形成する際に介在する層間絶縁層
の形成に感光性樹脂膜を用いると、該層間絶縁層のパタ
ーン精度を高めることが困難となる傾向にある。このた
め、そのような感光性樹脂膜を用いた層間絶縁層を高精
度にパターン形成する方法が必要とされている。
に伴って信頼性の高い薄膜磁気ヘッドが要求され、その
薄膜磁気ヘッドの製造において第1磁極層と第2磁極層
との間に薄膜コイルを形成する際に介在する層間絶縁層
の形成に感光性樹脂膜を用いると、該層間絶縁層のパタ
ーン精度を高めることが困難となる傾向にある。このた
め、そのような感光性樹脂膜を用いた層間絶縁層を高精
度にパターン形成する方法が必要とされている。
【0003】
【従来の技術】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法として
は、図7(a) の要部平面図及び該図7(a) に示
すA−A’切断線に沿った図7(b) の断面図で示す
ように、スライダとなるセラミック等からなる基板11
上に Ni−Fe膜等からなる第1磁極層12を所定パ
ターン形状に形成した後、その第1磁極層12上を含む
前記基板11上にSiO2からなるギャップ層13を介
してフォトレジスト等からなる感光性樹脂材を塗布し、
かかる感光性樹脂膜を露光・現像工程によりパターニン
グして所定パターン形状の感光性樹脂膜14を形成する
。
は、図7(a) の要部平面図及び該図7(a) に示
すA−A’切断線に沿った図7(b) の断面図で示す
ように、スライダとなるセラミック等からなる基板11
上に Ni−Fe膜等からなる第1磁極層12を所定パ
ターン形状に形成した後、その第1磁極層12上を含む
前記基板11上にSiO2からなるギャップ層13を介
してフォトレジスト等からなる感光性樹脂材を塗布し、
かかる感光性樹脂膜を露光・現像工程によりパターニン
グして所定パターン形状の感光性樹脂膜14を形成する
。
【0004】その後、図8(a) の要部平面図及び該
図8(a) に示すA−A’切断線に沿った図8(b)
の断面図で示すように、そのパターニングした所定パ
ターン形状の感光性樹脂膜14を熱処理して急峻な段差
を滑らかにすると共に、硬化させた下部層間絶縁層15
を形成する。
図8(a) に示すA−A’切断線に沿った図8(b)
の断面図で示すように、そのパターニングした所定パ
ターン形状の感光性樹脂膜14を熱処理して急峻な段差
を滑らかにすると共に、硬化させた下部層間絶縁層15
を形成する。
【0005】次に、図9(a) の要部平面図及び該図
9(a) に示すA−A’切断線に沿った図9(b)
の断面図で示すように、前記下部層間絶縁層15上に薄
膜コイル16を形成した後、かかる薄膜コイル16上を
含む下部層間絶縁層15上に、該下部層間絶縁層15と
同様な形成方法によってフォトレジスト等の感光性樹脂
膜からなる上部層間絶縁層17を形成し、それらの表面
に Ni−Fe膜等からなる第2磁極層18を、その先
端部は前記第1磁極層12の先端部上に前記ギャップ層
13を介して対向し、かつ後端部は前記第1磁極層12
の後端部に接続した状態に形成し、その上面にAl2O
3 等からなる絶縁保護膜19を更に被着形成すると共
に、前記第1、第2磁極層12, 18の先端部を所定
ギャップ深さを確保するようにその露出面を切断、研摩
仕上げを行って媒体対向面20を形成している。
9(a) に示すA−A’切断線に沿った図9(b)
の断面図で示すように、前記下部層間絶縁層15上に薄
膜コイル16を形成した後、かかる薄膜コイル16上を
含む下部層間絶縁層15上に、該下部層間絶縁層15と
同様な形成方法によってフォトレジスト等の感光性樹脂
膜からなる上部層間絶縁層17を形成し、それらの表面
に Ni−Fe膜等からなる第2磁極層18を、その先
端部は前記第1磁極層12の先端部上に前記ギャップ層
13を介して対向し、かつ後端部は前記第1磁極層12
の後端部に接続した状態に形成し、その上面にAl2O
3 等からなる絶縁保護膜19を更に被着形成すると共
に、前記第1、第2磁極層12, 18の先端部を所定
ギャップ深さを確保するようにその露出面を切断、研摩
仕上げを行って媒体対向面20を形成している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記したよ
うな従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程において、例えば
前記第1磁極層12上を含む前記基板11上にSiO2
からなるギャップ層13を介して所定パターン形状の感
光性樹脂膜14を形成した後、熱処理して下部層間絶縁
層15を形成すると、図8(a) の要部平面図及び図
8(b) の側面図で示すように該下部層間絶縁層15
は周囲に流動して拡がった状態 (だれた状態) とな
り、該第1磁極層12上の先端部側での下部層間絶縁層
15の拡がり状態に対してその周囲での下部層間絶縁層
15の拡がり状態が過剰に生じて精度のよい下部層間絶
縁層15をパターン形成することが難しいといった問題
があった。このような現象は前記薄膜コイル16上を含
む下部層間絶縁層15上に、該下部層間絶縁層15と同
様な形成方法によりフォトレジスト等の感光性樹脂膜か
らかなる上部層間絶縁層17を形成した場合にも発生す
る。
うな従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程において、例えば
前記第1磁極層12上を含む前記基板11上にSiO2
からなるギャップ層13を介して所定パターン形状の感
光性樹脂膜14を形成した後、熱処理して下部層間絶縁
層15を形成すると、図8(a) の要部平面図及び図
8(b) の側面図で示すように該下部層間絶縁層15
は周囲に流動して拡がった状態 (だれた状態) とな
り、該第1磁極層12上の先端部側での下部層間絶縁層
15の拡がり状態に対してその周囲での下部層間絶縁層
15の拡がり状態が過剰に生じて精度のよい下部層間絶
縁層15をパターン形成することが難しいといった問題
があった。このような現象は前記薄膜コイル16上を含
む下部層間絶縁層15上に、該下部層間絶縁層15と同
様な形成方法によりフォトレジスト等の感光性樹脂膜か
らかなる上部層間絶縁層17を形成した場合にも発生す
る。
【0007】従って、このような拡がり状態 (だれた
状態) のある下部及び上部層間絶縁層15, 17を
有するヘッド構成において記録・再生効率を高めるため
に、前記第1、第2磁極層12, 18の先端部でのギ
ャップ深さを小さくした場合、該第1、第2磁極層12
, 18の先端部周囲に流動して拡がった状態の下部及
び上部層間絶縁層15, 17部分が、媒体対向面に前
記第1、第2磁極層12, 18の先端部と共に露出し
、その媒体対向面を形成する際に、露呈する各材質の硬
度差に起因して媒体対向面に微小段差が生じると共に、
耐摩耗性が低下するといった問題があり、信頼性が低下
する欠点があった。
状態) のある下部及び上部層間絶縁層15, 17を
有するヘッド構成において記録・再生効率を高めるため
に、前記第1、第2磁極層12, 18の先端部でのギ
ャップ深さを小さくした場合、該第1、第2磁極層12
, 18の先端部周囲に流動して拡がった状態の下部及
び上部層間絶縁層15, 17部分が、媒体対向面に前
記第1、第2磁極層12, 18の先端部と共に露出し
、その媒体対向面を形成する際に、露呈する各材質の硬
度差に起因して媒体対向面に微小段差が生じると共に、
耐摩耗性が低下するといった問題があり、信頼性が低下
する欠点があった。
【0008】本発明は上記した従来の問題点に鑑み、薄
膜磁気ヘッドの製造工程における第1磁極層上のギャッ
プ層の表面、或いは薄膜コイル上に、感光性樹脂膜を用
いた層間絶縁層を高精度にパターン形成することを可能
とした新規な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供すること
を目的とするものである。
膜磁気ヘッドの製造工程における第1磁極層上のギャッ
プ層の表面、或いは薄膜コイル上に、感光性樹脂膜を用
いた層間絶縁層を高精度にパターン形成することを可能
とした新規な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供すること
を目的とするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基板上に第1磁極層とギャップ層と下部
層間絶縁層と薄膜コイルと上部層間絶縁層と第2磁極層
とを順に積層してなる薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
て、前記下部層間絶縁層及び上部層間絶縁層は、感光性
樹脂膜を所定パターン形状にパターニングし、熱処理を
施した後、所定パターンのエッチングマスクを用いて酸
素プラズマによる反応性イオンエッチング法等によりエ
ッチング処理を施して形成する構成とする。
達成するため、基板上に第1磁極層とギャップ層と下部
層間絶縁層と薄膜コイルと上部層間絶縁層と第2磁極層
とを順に積層してなる薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
て、前記下部層間絶縁層及び上部層間絶縁層は、感光性
樹脂膜を所定パターン形状にパターニングし、熱処理を
施した後、所定パターンのエッチングマスクを用いて酸
素プラズマによる反応性イオンエッチング法等によりエ
ッチング処理を施して形成する構成とする。
【0010】また、基板上に第1磁極層とギャップ層と
下部層間絶縁層と薄膜コイルと上部層間絶縁層と第2磁
極層とを順に積層してなる薄膜磁気ヘッドの製造方法に
おいて、前記下部層間絶縁層及び上部層間絶縁層は、感
光性樹脂膜を前記第1磁極層先端部上のギャップ深さ位
置に他の部分よりも突出した部分を有する所定パターン
のフォトマスクを用いてパターニングし、更に熱処理を
施して形成する構成とする。
下部層間絶縁層と薄膜コイルと上部層間絶縁層と第2磁
極層とを順に積層してなる薄膜磁気ヘッドの製造方法に
おいて、前記下部層間絶縁層及び上部層間絶縁層は、感
光性樹脂膜を前記第1磁極層先端部上のギャップ深さ位
置に他の部分よりも突出した部分を有する所定パターン
のフォトマスクを用いてパターニングし、更に熱処理を
施して形成する構成とする。
【0011】
【作用】本発明の製造方法では、前記ギャップ層上及び
薄膜コイル上にそれぞれ感光性樹脂膜からなる下部層間
絶縁層及び上部層間絶縁層を形成した後、熱処理により
第1磁極層先端部上の所定ギャップ深さ位置及び該第1
磁極層先端部の周辺より余分に拡がった下部層間絶縁層
部分及び上部層間絶縁層部分を、所定エッチングマスク
と酸素プラズマによる反応性イオンエッチング法等を用
いてエッチング除去することにより、該下部層間絶縁層
及び上部層間絶縁層のパターン精度が向上する。
薄膜コイル上にそれぞれ感光性樹脂膜からなる下部層間
絶縁層及び上部層間絶縁層を形成した後、熱処理により
第1磁極層先端部上の所定ギャップ深さ位置及び該第1
磁極層先端部の周辺より余分に拡がった下部層間絶縁層
部分及び上部層間絶縁層部分を、所定エッチングマスク
と酸素プラズマによる反応性イオンエッチング法等を用
いてエッチング除去することにより、該下部層間絶縁層
及び上部層間絶縁層のパターン精度が向上する。
【0012】また、前記ギャップ層上及び薄膜コイル上
に、それぞれ感光性樹脂膜からなる下部層間絶縁層及び
上部層間絶縁層を形成するために塗布した感光性樹脂膜
をパターニングする際に、前記第1磁極層先端部上のギ
ャップ深さ位置に突出した部分を有し、その他の部分は
その後の熱処理により余分に拡がる幅部分だけ縮小した
パターンのフォトマスクを用いてパターニングした後、
熱処理を施すことによって下部層間絶縁層及び上部層間
絶縁層を精度良く形成することができる。その結果、所
定のギャップ深さが確保でき、該ギャップ深さを短くし
て当該薄膜磁気ヘッドの記録・再生効率を高めることも
容易となる。
に、それぞれ感光性樹脂膜からなる下部層間絶縁層及び
上部層間絶縁層を形成するために塗布した感光性樹脂膜
をパターニングする際に、前記第1磁極層先端部上のギ
ャップ深さ位置に突出した部分を有し、その他の部分は
その後の熱処理により余分に拡がる幅部分だけ縮小した
パターンのフォトマスクを用いてパターニングした後、
熱処理を施すことによって下部層間絶縁層及び上部層間
絶縁層を精度良く形成することができる。その結果、所
定のギャップ深さが確保でき、該ギャップ深さを短くし
て当該薄膜磁気ヘッドの記録・再生効率を高めることも
容易となる。
【0013】
【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例について詳
細に説明する。図1〜図4は本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法の一実施例を順に示す図である。
細に説明する。図1〜図4は本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法の一実施例を順に示す図である。
【0014】先ず図1(a) の要部平面図及び該図1
(a) に示すA−A’切断線に沿った図1(b) の
断面図で示すように、スライダとなるセラミック等から
なる基板11上にNi−Fe 膜等からなる第1磁極層
12を所定パターン形状に形成し、その第1磁極層12
上を含む前記基板11上にSiO2からなるギャップ層
13を形成した後、該ギャップ層13の表面にフォトレ
ジスト等からなる感光性樹脂材を塗布し、該感光性樹脂
膜を露光・現像工程により所定パターン形状にパターニ
ングし、更に該感光性樹脂膜を熱処理して硬化した耐熱
性、耐溶剤性の良い下部層間絶縁層15を形成する。
(a) に示すA−A’切断線に沿った図1(b) の
断面図で示すように、スライダとなるセラミック等から
なる基板11上にNi−Fe 膜等からなる第1磁極層
12を所定パターン形状に形成し、その第1磁極層12
上を含む前記基板11上にSiO2からなるギャップ層
13を形成した後、該ギャップ層13の表面にフォトレ
ジスト等からなる感光性樹脂材を塗布し、該感光性樹脂
膜を露光・現像工程により所定パターン形状にパターニ
ングし、更に該感光性樹脂膜を熱処理して硬化した耐熱
性、耐溶剤性の良い下部層間絶縁層15を形成する。
【0015】次に図2(a) の要部平面図及び該図2
(a) に示すA−A’切断線に沿った図2(b) の
断面図で示すように、前記下部層間絶縁層15の表面に
所定パターン形状のレジスト膜からなるエッチングマス
ク21を形成し、このエッチングマスク21を介して該
下部層間絶縁層15における第1磁極層12の先端部上
の所定ギャップ深さ位置及び該第1磁極層12の先端部
周辺より余分に拡がった部分を酸素(O2)プラズマに
よる反応性イオンエッチング法によって除去し、その後
該エッチングマスク21も除去することにより、図3(
a) の要部平面図及び該図3(a) に示すA−A’
切断線に沿った図3(b) の断面図で示すように、パ
ターン精度の良い下部層間絶縁層15a を得ることが
できる。
(a) に示すA−A’切断線に沿った図2(b) の
断面図で示すように、前記下部層間絶縁層15の表面に
所定パターン形状のレジスト膜からなるエッチングマス
ク21を形成し、このエッチングマスク21を介して該
下部層間絶縁層15における第1磁極層12の先端部上
の所定ギャップ深さ位置及び該第1磁極層12の先端部
周辺より余分に拡がった部分を酸素(O2)プラズマに
よる反応性イオンエッチング法によって除去し、その後
該エッチングマスク21も除去することにより、図3(
a) の要部平面図及び該図3(a) に示すA−A’
切断線に沿った図3(b) の断面図で示すように、パ
ターン精度の良い下部層間絶縁層15a を得ることが
できる。
【0016】以下、従来と同様に図4(a) の要部平
面図及び該図4(a) に示すA−A’切断線に沿った
図4(b) の断面図で示すように、前記下部層間絶縁
層15a 上に渦巻き状の薄膜コイル16とその表面に
前記下部層間絶縁層15a と同様な形成方法により感
光性樹脂膜からなる上部層間絶縁層17a を形成し、
該上部層間絶縁層17a を含むギャップ層13の表面
に Ni−Fe膜等からなる第2磁極層18を、その先
端部は前記第1磁極層12の先端部上に前記ギャップ層
13を介して対向し、かつ後端部は前記第1磁極層12
の後端部に接続した状態に形成する。
面図及び該図4(a) に示すA−A’切断線に沿った
図4(b) の断面図で示すように、前記下部層間絶縁
層15a 上に渦巻き状の薄膜コイル16とその表面に
前記下部層間絶縁層15a と同様な形成方法により感
光性樹脂膜からなる上部層間絶縁層17a を形成し、
該上部層間絶縁層17a を含むギャップ層13の表面
に Ni−Fe膜等からなる第2磁極層18を、その先
端部は前記第1磁極層12の先端部上に前記ギャップ層
13を介して対向し、かつ後端部は前記第1磁極層12
の後端部に接続した状態に形成する。
【0017】その後、それらの上面に更にAl2O3
等からなる絶縁保護膜19を被着形成すると共に、前記
第1、第2磁極層12,18の先端部を所定ギャップ深
さを確保するようにその露出面を切断、研摩仕上げを行
って媒体対向面20を形成することにより、前記下部層
間絶縁層15a 及び上部層間絶縁層17a における
第1磁極層12の先端部上の部分とその先端部周辺部に
延在した部分との位置を一致させることができ、従来の
ような媒体対向面20側へ下部層間絶縁層15a 及び
上部層間絶縁層17a の一部が露出するようなことも
なくなる等、パターン精度が向上し、所定のギャップ深
さを容易に確保することができる。
等からなる絶縁保護膜19を被着形成すると共に、前記
第1、第2磁極層12,18の先端部を所定ギャップ深
さを確保するようにその露出面を切断、研摩仕上げを行
って媒体対向面20を形成することにより、前記下部層
間絶縁層15a 及び上部層間絶縁層17a における
第1磁極層12の先端部上の部分とその先端部周辺部に
延在した部分との位置を一致させることができ、従来の
ような媒体対向面20側へ下部層間絶縁層15a 及び
上部層間絶縁層17a の一部が露出するようなことも
なくなる等、パターン精度が向上し、所定のギャップ深
さを容易に確保することができる。
【0018】なお、以上の実施例では熱処理後の下部層
間絶縁層15及び上部層間絶縁層の表面にそれぞれ所定
パターン形状のレジスト膜からなるエッチングマスク2
1を形成し、このエッチングマスク21を介して該下部
層間絶縁層15及び上部層間絶縁層における第1磁極層
12の先端部上の所定ギャップ深さ位置及び該第1磁極
層12の先端部周辺より余分に拡がった部分を酸素(O
2)プラズマによる反応性イオンエッチング法によって
除去した場合の例で説明しているが、例えば熱処理後の
下部層間絶縁層上に薄膜コイルを形成し、該薄膜コイル
を含む下部層間絶縁層上に膜厚の厚い上部層間絶縁層を
形成して熱処理した後、該上部層間絶縁層の表面に所定
パターン形状のエッチングマスクを形成し、このエッチ
ングマスクを介して前記上部層間絶縁層と該下部層間絶
縁層における第1磁極層の先端部上の所定ギャップ深さ
位置及び該第1磁極層の先端部周辺より余分に拡がった
部分を連続して酸素(O2)プラズマによる反応性イオ
ンエッチング法により同時に除去するようにしてもよい
。
間絶縁層15及び上部層間絶縁層の表面にそれぞれ所定
パターン形状のレジスト膜からなるエッチングマスク2
1を形成し、このエッチングマスク21を介して該下部
層間絶縁層15及び上部層間絶縁層における第1磁極層
12の先端部上の所定ギャップ深さ位置及び該第1磁極
層12の先端部周辺より余分に拡がった部分を酸素(O
2)プラズマによる反応性イオンエッチング法によって
除去した場合の例で説明しているが、例えば熱処理後の
下部層間絶縁層上に薄膜コイルを形成し、該薄膜コイル
を含む下部層間絶縁層上に膜厚の厚い上部層間絶縁層を
形成して熱処理した後、該上部層間絶縁層の表面に所定
パターン形状のエッチングマスクを形成し、このエッチ
ングマスクを介して前記上部層間絶縁層と該下部層間絶
縁層における第1磁極層の先端部上の所定ギャップ深さ
位置及び該第1磁極層の先端部周辺より余分に拡がった
部分を連続して酸素(O2)プラズマによる反応性イオ
ンエッチング法により同時に除去するようにしてもよい
。
【0019】図5〜図6は本発明に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法の他の実施例を順に示す図であり、図1と同
等部分には同一符号を付している。本実施例では図5(
a) の要部平面図及び該図5(a) に示すA−A’
切断線に沿った図5(b) の断面図で示すようにスラ
イダとなるセラミック等からなる基板11上に Ni−
Fe膜等からなる第1磁極層12と、その第1磁極層1
2上を含む前記基板11上にSiO2からなるギャップ
層13を形成した後、該ギャップ層13の表面にフォト
レジスト等からなる感光性樹脂材を塗布し、その感光性
樹脂膜を前記第1磁極層12の先端部上の所定ギャップ
深さ位置に突出した部分を有し、かつその他の部分はそ
の後の熱処理により余分に拡がる幅部分だけ縮小したパ
ターン形状のフォトマスク (図示せず) を用いて露
光・現像によりパターニングする。
の製造方法の他の実施例を順に示す図であり、図1と同
等部分には同一符号を付している。本実施例では図5(
a) の要部平面図及び該図5(a) に示すA−A’
切断線に沿った図5(b) の断面図で示すようにスラ
イダとなるセラミック等からなる基板11上に Ni−
Fe膜等からなる第1磁極層12と、その第1磁極層1
2上を含む前記基板11上にSiO2からなるギャップ
層13を形成した後、該ギャップ層13の表面にフォト
レジスト等からなる感光性樹脂材を塗布し、その感光性
樹脂膜を前記第1磁極層12の先端部上の所定ギャップ
深さ位置に突出した部分を有し、かつその他の部分はそ
の後の熱処理により余分に拡がる幅部分だけ縮小したパ
ターン形状のフォトマスク (図示せず) を用いて露
光・現像によりパターニングする。
【0020】その後、パターニングした感光性樹脂膜3
1を熱処理して硬化した下部層間絶縁層32を形成する
ことにより図6(a) の要部平面図及び該図6(a)
に示すA−A’切断線に沿った図6(b) の断面図
で示すように、該下部層間絶縁層32における第1磁極
層12の先端部上の部分とその先端部周辺部への延在部
分との位置が一致して配置され、媒体対向面側へ位置ず
れすることもなくなる。
1を熱処理して硬化した下部層間絶縁層32を形成する
ことにより図6(a) の要部平面図及び該図6(a)
に示すA−A’切断線に沿った図6(b) の断面図
で示すように、該下部層間絶縁層32における第1磁極
層12の先端部上の部分とその先端部周辺部への延在部
分との位置が一致して配置され、媒体対向面側へ位置ず
れすることもなくなる。
【0021】従って、その後前記下部層間絶縁層32上
に図4の実施例と同様に渦巻き状の薄膜コイルとその表
面に前記下部層間絶縁層32と同様な形成方法により感
光性樹脂膜からなる上部層間絶縁層を形成し、該上部層
間絶縁層を含むギャップ層13の表面に第2磁極層を、
その先端部は前記第1磁極層12の先端部上に前記ギャ
ップ層13を介して対向し、かつ後端部は前記第1磁極
層12の後端部に接続した状態に形成し、それらの上面
に更にAl2O3 等からなる絶縁保護膜を被着形成す
ると共に、前記第1磁極層12及び第2磁極層の先端部
を所定ギャップ深さを確保するようにその露出面を切断
、研摩仕上げを行って媒体対向面を形成することにより
、前記下部層間絶縁層32に対して上部層間絶縁層にお
ける第1磁極層12の先端部上の部分とその先端部周辺
に延在した部分との位置も一致させることができ、媒体
対向面側へ位置ずれすることなくパターン精度も向上し
、所定のギャップ深さを容易に確保することができる。
に図4の実施例と同様に渦巻き状の薄膜コイルとその表
面に前記下部層間絶縁層32と同様な形成方法により感
光性樹脂膜からなる上部層間絶縁層を形成し、該上部層
間絶縁層を含むギャップ層13の表面に第2磁極層を、
その先端部は前記第1磁極層12の先端部上に前記ギャ
ップ層13を介して対向し、かつ後端部は前記第1磁極
層12の後端部に接続した状態に形成し、それらの上面
に更にAl2O3 等からなる絶縁保護膜を被着形成す
ると共に、前記第1磁極層12及び第2磁極層の先端部
を所定ギャップ深さを確保するようにその露出面を切断
、研摩仕上げを行って媒体対向面を形成することにより
、前記下部層間絶縁層32に対して上部層間絶縁層にお
ける第1磁極層12の先端部上の部分とその先端部周辺
に延在した部分との位置も一致させることができ、媒体
対向面側へ位置ずれすることなくパターン精度も向上し
、所定のギャップ深さを容易に確保することができる。
【0022】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第1磁極層
及び第2磁極層と薄膜コイル間にそれぞれ介在させる感
光性樹脂膜からなる層間絶縁層を媒体対向面側へ位置ず
れさせることなく精度良く形成することが可能となるの
で、所定のギャップ深さが確保でき、該ギャップ深さを
短くして当該薄膜磁気ヘッドの記録・再生効率を容易に
高めることができる。
に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第1磁極層
及び第2磁極層と薄膜コイル間にそれぞれ介在させる感
光性樹脂膜からなる層間絶縁層を媒体対向面側へ位置ず
れさせることなく精度良く形成することが可能となるの
で、所定のギャップ深さが確保でき、該ギャップ深さを
短くして当該薄膜磁気ヘッドの記録・再生効率を容易に
高めることができる。
【図1】 本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実
施例を順に示す要部平面図とそのA−A’断面図である
。
施例を順に示す要部平面図とそのA−A’断面図である
。
【図2】 本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実
施例を順に示す要部平面図とそのA−A’断面図である
。
施例を順に示す要部平面図とそのA−A’断面図である
。
【図3】 本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実
施例を順に示す要部平面図とそのA−A’断面図である
。
施例を順に示す要部平面図とそのA−A’断面図である
。
【図4】 本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実
施例を順に示す要部平面図とそのA−A’断面図である
。
施例を順に示す要部平面図とそのA−A’断面図である
。
【図5】 本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の他の
実施例を順に示す要部平面図とそのA−A’断面図であ
る。
実施例を順に示す要部平面図とそのA−A’断面図であ
る。
【図6】 本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の他の
実施例を順に示す要部平面図とそのA−A’断面図であ
る。
実施例を順に示す要部平面図とそのA−A’断面図であ
る。
【図7】 従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を順に示
す要部平面図とそのA−A’断面図である。
す要部平面図とそのA−A’断面図である。
【図8】 従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を順に示
す要部平面図とそのA−A’断面図である。
す要部平面図とそのA−A’断面図である。
【図9】 従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を順に示
す要部平面図とそのA−A’断面図である。
す要部平面図とそのA−A’断面図である。
11 基板
12 第1磁極層13 ギ
ャップ層 14,
31 感光性樹脂膜 15, 15a, 32 下部層間絶縁層
16 薄膜コイル17, 17a 上部
層間絶縁層 19 絶縁保護
層20 媒体対向面
21 エッチングマスク
12 第1磁極層13 ギ
ャップ層 14,
31 感光性樹脂膜 15, 15a, 32 下部層間絶縁層
16 薄膜コイル17, 17a 上部
層間絶縁層 19 絶縁保護
層20 媒体対向面
21 エッチングマスク
Claims (3)
- 【請求項1】 基板(11)上に第1磁極層(12)
とギャップ層(13)と下部層間絶縁層(15)と薄膜
コイル(16)と上部層間絶縁層(17)と第2磁極層
(18)とを順に積層してなる薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、前記下部層間絶縁層(15)及び上部層間
絶縁層(17)は、感光性樹脂膜を所定パターン形状に
パターニングし、熱処理を施した後、所定パターンのエ
ッチングマスク(21)を用いてエッチング処理を施し
て形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法
。 - 【請求項2】 前記エッチング処理を酸素プラズマに
よる反応性イオンエッチング法により行うことを特徴と
する請求項2の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項3】 基板(11)上に第1磁極層(12)
とギャップ層(13)と下部層間絶縁層(15)と薄膜
コイル(16)と上部層間絶縁層(17)と第2磁極層
(18)とを順に積層してなる薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、前記下部層間絶縁層(15)及び上部層間
絶縁層(17)は、感光性樹脂膜を前記第1磁極層先端
部上のギャップ深さ位置に他の部分よりも突出した部分
を有する所定パターンのフォトマスクを用いてパターニ
ングし、更に熱処理を施して形成することを特徴とする
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2093891A JPH04259904A (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2093891A JPH04259904A (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04259904A true JPH04259904A (ja) | 1992-09-16 |
Family
ID=12041151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2093891A Withdrawn JPH04259904A (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04259904A (ja) |
-
1991
- 1991-02-14 JP JP2093891A patent/JPH04259904A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |