JPH04260700A - 半導体用縦型熱処理炉 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

［発明の目的］

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェハーの縦型熱
処理炉の回転台に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウェハー製造用の縦型熱処理炉に
は、半導体ウェハー表面の処理膜厚を均一にするため、
前記ウェハーを付けた治具を回転させ、処理ガスをウェ
ハーに均等に吹付けるための回転台が設けられている。 図３に示す従来例により縦型熱処理炉内のウェハーの回
転台を説明する。

【０００３】縦型熱処理炉は、縦型の炉ヒータ１の内部
に石英チューブ２があり、石英チューブ２内の回転台３
の上に治具４を載せ、下部の駆動部により駆動する構造
となつている。石英チューブの底部は金属キャップ８の
上に石英キャップを重ねて構成し、中心を回転軸が貫い
ている。さらに、前記底部にブロックを付け、これにモ
ーターと歯車、回転軸などの回転駆動機構を組込む。

【０００４】即ち、モータブラケット５に支持されたモ
ータ６が水平方向にブロック７に固定され、ブロック７
中央に、上、下部のベアリング１０、１１に保持された
回転軸１２を設け、これをチューブ内の回転台と連結す
る。

【０００５】石英キャップ９と回転軸１２とのすき間に
はシール１３が取付けられ、モータ６と回転軸とは２個
の傘歯車を介して連結し、治具を載せる回転台３を駆動
している。シール１３は炉ヒータ１内の処理ガスの漏洩
を防止している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このような縦型熱処理
炉における処理温度は高温であり、又処理に使用するガ
スは腐蝕性ガス（Ｈｃｌ．Ｐｏｃｌ３　等）であるため
、回転軸の焼け、或いは腐蝕による発塵が炉室内を汚染
させている。

【０００７】ウェハーを付けた治具を載せる回転台と炉
底部の石英キャップのすき間に取付けたシールは、石英
間の取付けであるため、加工精度が粗くシールがうまく
出来ず、ベアリング側にガス漏れ、腐蝕を引起こして回
転へ悪影響を及ぼし、回転部、更には熱処理装置の寿命
、信頼性を低下させている。

【０００８】本発明は、縦型熱処理炉を、炉内の高熱及
びガスの回転部への影響を低減、防止する構造とし、且
炉内の発塵等による汚染を排除する高信頼性の回転機構
の提供を目的とする。 ［発明の構成］

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的達成のため本発
明は、縦型熱処理炉の回転駆動部へ炉ヒータからの高温
の伝達を防ぐため、回転台の基部内に石英ガラスウール
を充填し、更に炉底部に付けた回転部用ブロックと金属
キヤップに冷却用の水を流す溝を設ける。

【００１０】又、回転部への腐蝕ガス侵入防止のシール
の取付けを加工精度の良好なブロック部位に取付け、更
にブロック鍔部にガス注入口を設け、底部の固定側とチ
ューブの回転側とのすき間にガスを注入する。

【００１１】

【作用】上記の構成により、炉ヒータからの輻射による
の熱伝達は回転台基部内の石英ガラスウールにより防ぎ
、回転軸の焼けを防止する。又、底部の内部を流れる冷
却水がブロック内と金属キャップ内を冷却する。

【００１２】ブロックと回転軸間は、加工精度の良いの
でシールで腐蝕ガスの流入を低減させ、更に、クリーン
ガスの注入により回転部のすき間を常に正圧状態にして
腐蝕ガスの流入を防止する。

【００１３】

【実施例】図１及び図２に示す実施例に基いて、本発明
による縦型熱処理炉の回転駆動部を説明する。

【００１４】炉ヒータ１内の石英チューブ２を石英キヤ
ップ９上に据付け、石英チューブ２内のウェハーを付け
た治具４を治具乗せ台（回転台）３に載せる。治具乗せ
台（回転台）３の基部内に石英ガラスウール１４を充填
する。金属キヤップ８及びブロック７には夫々冷却用の
水を流す溝１６を設ける。又ブロック７の鍔部下面より
石英キヤップ９にガス注入口１５を設ける。

【００１５】回転軸１２をブロック７内の上、下部のベ
アリング１０、１１で保持して治具乗せ台（回転台）３
の底部に取付ける。横方向に設置したモータ６は傘歯車
を介して回転軸１２に連結する。

【００１６】上記の構成において、治具乗せ台（回転台
）３の基部に石英ガラスウール１４を充填したことによ
り、炉ヒータ１内高温処理の輻射熱が治具乗せ台（回転
台）３に及ぼす影響を防ぎ、高熱による回転軸１２の焼
けを防止する。又、金属キヤップ８とブロック７内の溝
１６に流す水により、炉ヒータ１よりの高熱の伝達を低
減させる。

【００１７】ブロック７の鍔部に取付けたガス注入口１
５にパイプを連結し、クリーンガスを注入してすき間１
７を正圧に保持し、炉ヒータ１内の処理用の腐蝕性ガス
（Ｈｃｌ，Ｐｏｃｌ３　等）　の回転機構部の流入を防
ぎ、回転軸１２の腐蝕を防止する。又、ブロック７と回
転軸１２上部のシール１３は炉ヒータ１より回転機構部
への腐蝕性ガスの流入を防止する。

【００１８】このような構成により、半導体ウェハー表
面の処理被膜の均一化のため、ウェハの炉ヒータ１内の
処理用の高熱、腐蝕性ガスの下部回転機構部への伝達、
流入を抑制、防止することができる。

【００１９】

【発明の効果】本発明により、熱処理炉より下部の回転
機構部への高熱及び処理ガスの伝達、流入を防止して回
転機構部の劣化を防止し、石英チューブ内の発塵、汚染
を排除して信頼性、耐久性の高い半導体用縦形熱処理炉
を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による熱処理炉の構成断面図である。

【図２】図１の部分詳細断面図である。

【図３】従来の熱処理炉の部分断面図である。

【符号の説明】

２…石英チューブ　　　　　　　　　　　　　　３…回
転台（治具載せ台） ８…金属キヤップ　　　　　　　　　　　　　　９…石
英キヤップ１２…回転軸　　　　　　　　　　　　　　
　　　　１４…石英ガラスウール １５…ガス注入口

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　密閉チューブ内の回転台上のウェハー
   を前記チューブ外からの駆動機構により回転させて熱処
   理する半導体用縦型熱処理炉において、ウェハーを載せ
   る前記回転台の基部に石英ガラスウールを充填し、前記
   チューブの底部に冷却水用溝を設け、更に、前記回転台
   と前記チューブ底部とのすき間にガス注入口を設けたこ
   とを特徴とする半導体用縦型熱処理炉。