JPH0426236B2 - - Google Patents
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- JPH0426236B2 JPH0426236B2 JP59158684A JP15868484A JPH0426236B2 JP H0426236 B2 JPH0426236 B2 JP H0426236B2 JP 59158684 A JP59158684 A JP 59158684A JP 15868484 A JP15868484 A JP 15868484A JP H0426236 B2 JPH0426236 B2 JP H0426236B2
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- semiconductor laser
- sub
- layer
- crystal wafer
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、分布帰還（distributed feedback：
DFB）型半導体レーザを製造するのに好適な方
法に関する。
DFB）型半導体レーザを製造するのに好適な方
法に関する。
この種の半導体レーザとして第４図に見られる
構造のものが知られている。
構造のものが知られている。
図は要部切断斜面図であり、１はｎ型InP基
板、２はコルゲーシヨン・グレーテイング
（corrugation grating）、３はｎ型InGaAsP導波
層、４はInGaAsP活性層、５はｐ型InPクラツド
層、６はｐ型InGaAsPキヤツプ層、７はｐ型InP
埋め込み層、８はｎ型InP埋め込み層、９はｎ側
電極、１０はｐ側電極、１１は劈開面、１２は傾
斜面をそれぞれ示している。
板、２はコルゲーシヨン・グレーテイング
（corrugation grating）、３はｎ型InGaAsP導波
層、４はInGaAsP活性層、５はｐ型InPクラツド
層、６はｐ型InGaAsPキヤツプ層、７はｐ型InP
埋め込み層、８はｎ型InP埋め込み層、９はｎ側
電極、１０はｐ側電極、１１は劈開面、１２は傾
斜面をそれぞれ示している。
このようなDFB型半導体レーザに於ける発振
波長及び発振可能温度範囲は作り付けのコルゲー
シヨン・グレーテイング２と活性層４の発光波長
との整合の如何に依つて決まり、この整合は、コ
ルゲーシヨン・グレーテイング２のピツチ及び形
状、コルゲーシヨン・グレーテイング２に接する
導波層３及びそれに接する活性層４の組成と厚さ
とに依つて大きく影響を受ける。
波長及び発振可能温度範囲は作り付けのコルゲー
シヨン・グレーテイング２と活性層４の発光波長
との整合の如何に依つて決まり、この整合は、コ
ルゲーシヨン・グレーテイング２のピツチ及び形
状、コルゲーシヨン・グレーテイング２に接する
導波層３及びそれに接する活性層４の組成と厚さ
とに依つて大きく影響を受ける。
現在、ウエハの段階で前記整合の度合を測定し
て予めDFB型半導体レーザの発振特性を予測す
るような評価方法は確立されていない。
て予めDFB型半導体レーザの発振特性を予測す
るような評価方法は確立されていない。
従来、そのような評価が必要な場合、実際に
DFB型半導体レーザを製造し、その特性を調べ
ないとウエハの良否が判らず、本末顛倒的な状態
が続いてきた。
DFB型半導体レーザを製造し、その特性を調べ
ないとウエハの良否が判らず、本末顛倒的な状態
が続いてきた。
本発明では、DFB型半導体レーザ用のウエハ
が、基板、コルゲーシヨン・グレーテイング、導
波層、活性層、クラツド層からなつている状態に
於いて、将来、DFB型半導体レーザとして素子
化された際の発振可能性の有無と発振波長を知得
できるようにする。
が、基板、コルゲーシヨン・グレーテイング、導
波層、活性層、クラツド層からなつている状態に
於いて、将来、DFB型半導体レーザとして素子
化された際の発振可能性の有無と発振波長を知得
できるようにする。
本発明に依る半導体レーザの製造方法に於いて
は、基板とコルゲーシヨン・グレーテイングと導
波層と活性層とクラツド層とからなる状態にある
分布帰還型半導体レーザ用半導体結晶ウエハの前
記活性層を励起し、該活性層で発生するフオトル
ミネセンス光のうち前記各層の界面に対して垂直
方向のスペクトル成分に現れるサブ・ピークの有
無と該サブ・ピークに於けるピーク波長並びに強
度を検出する工程と、次いで、該サブ・ピークが
検出された分布帰還型半導体レーザ用半導体結晶
ウエハに電流制限領域を選択的に形成する工程と
が含まれてなるか、或いは、基板とコルゲーシヨ
ン・グレーテイングと導波層と活性層とクラツド
層とからなる状態にある分布帰還型半導体レーザ
用半導体結晶ウエハの前記活性層を励起し、該活
性層で発生するフオトルミネセンス光のうち前記
各層の界面に対して垂直方向のスペクトル成分に
現れるサブ・ピークの有無と該サブ・ピークに於
けるピーク波長並びに強度を検出するに際し、該
分布帰還型半導体レーザ用半導体結晶ウエハの温
度を変化させ、それに伴う該垂直方向のスペクト
ル成分に於ける主ピークと該サブ・ピークのピー
ク波長の相対的ずれ並びに強度比の変化も検出す
る工程と、次いで、該サブ・ピークが検出された
分布帰還型半導体レーザ用半導体結晶ウエハに電
流制限領域を選択的に形成する工程とが含まれて
いる。
は、基板とコルゲーシヨン・グレーテイングと導
波層と活性層とクラツド層とからなる状態にある
分布帰還型半導体レーザ用半導体結晶ウエハの前
記活性層を励起し、該活性層で発生するフオトル
ミネセンス光のうち前記各層の界面に対して垂直
方向のスペクトル成分に現れるサブ・ピークの有
無と該サブ・ピークに於けるピーク波長並びに強
度を検出する工程と、次いで、該サブ・ピークが
検出された分布帰還型半導体レーザ用半導体結晶
ウエハに電流制限領域を選択的に形成する工程と
が含まれてなるか、或いは、基板とコルゲーシヨ
ン・グレーテイングと導波層と活性層とクラツド
層とからなる状態にある分布帰還型半導体レーザ
用半導体結晶ウエハの前記活性層を励起し、該活
性層で発生するフオトルミネセンス光のうち前記
各層の界面に対して垂直方向のスペクトル成分に
現れるサブ・ピークの有無と該サブ・ピークに於
けるピーク波長並びに強度を検出するに際し、該
分布帰還型半導体レーザ用半導体結晶ウエハの温
度を変化させ、それに伴う該垂直方向のスペクト
ル成分に於ける主ピークと該サブ・ピークのピー
ク波長の相対的ずれ並びに強度比の変化も検出す
る工程と、次いで、該サブ・ピークが検出された
分布帰還型半導体レーザ用半導体結晶ウエハに電
流制限領域を選択的に形成する工程とが含まれて
いる。
このような手段が得られるに至つた経過を説明
すると次の通りである。
すると次の通りである。
本発明者は、前記したようなクラツド層まで形
成された半導体結晶ウエハを用いてフオトルミネ
センスに依る測定実験を繰り返し行つていたとこ
ろ、活性層或いは活性層と導波層に於ける室温で
のフオトルミネセンス・スペクトルにしばしば主
ピークの外にサブ・ピークが観察されることを新
たに見い出した。
成された半導体結晶ウエハを用いてフオトルミネ
センスに依る測定実験を繰り返し行つていたとこ
ろ、活性層或いは活性層と導波層に於ける室温で
のフオトルミネセンス・スペクトルにしばしば主
ピークの外にサブ・ピークが観察されることを新
たに見い出した。
第１図は前記フオトルミネセンス・スペクトル
の測定結果を表す線図であり、縦軸に強度を、ま
た、横軸に波長をそれぞれ採つてある。
の測定結果を表す線図であり、縦軸に強度を、ま
た、横軸に波長をそれぞれ採つてある。
図に於いて、波長1.285〔μｍ〕のピークが活性
層の主ピークであり、波長1.325〔μｍ〕が活性層
のサブ・ピークである。
層の主ピークであり、波長1.325〔μｍ〕が活性層
のサブ・ピークである。
さらに、このようなサブ・ピークが発生する半
導体結晶ウエハを用いてDFB型半導体レーザを
作製すると、常温にて良好なDFBモードで発振
し、しかも、その発振波長はフオトルミネセン
ス・スペクトルに於けるサブ・ピークの波長と極
めて高い一致性を示すこと、また、フオトルミネ
センス・スペクトルにサブ・ピークが見られない
半導体結晶ウエハを用いてDFB型半導体レーザ
を作製すると、少なくとも常温では全く発振しな
いか、或いは、発振したとしても特性が極めて悪
いことを見出した。
導体結晶ウエハを用いてDFB型半導体レーザを
作製すると、常温にて良好なDFBモードで発振
し、しかも、その発振波長はフオトルミネセン
ス・スペクトルに於けるサブ・ピークの波長と極
めて高い一致性を示すこと、また、フオトルミネ
センス・スペクトルにサブ・ピークが見られない
半導体結晶ウエハを用いてDFB型半導体レーザ
を作製すると、少なくとも常温では全く発振しな
いか、或いは、発振したとしても特性が極めて悪
いことを見出した。
本発明は以上のような実験から得られた新知見
を基にしてなされたものである。
を基にしてなされたものである。
前記手段を採つた場合、半導体結晶ウエハが材
料に近い状態にある段階で、簡単なフオトルミネ
センス・スペクトルの測定を行うことに依り、こ
の半導体結晶ウエハを用いてDFB型半導体レー
ザを作製した場合に於けるDFBモード発振の可
能性の有無、並びに、その発振波長を正確に知る
ことができ、従つて、所望の発振波長で発振する
良品を歩留り良く製造することができる。
料に近い状態にある段階で、簡単なフオトルミネ
センス・スペクトルの測定を行うことに依り、こ
の半導体結晶ウエハを用いてDFB型半導体レー
ザを作製した場合に於けるDFBモード発振の可
能性の有無、並びに、その発振波長を正確に知る
ことができ、従つて、所望の発振波長で発振する
良品を歩留り良く製造することができる。
先ず、本発明を実施して評価を行うのに採用し
た試料について説明する。
た試料について説明する。
その試料に於ける最終的な構造は、さきに説明
した第４図に見られるDFB型半導体レーザと同
様であり、1.3〔μｍ〕帯の埋め込みヘテロ構造
（buried heterostructure：BH）を有している所
謂BH−DFB型半導体レーザであるから、ここで
も第４図を参照しつつ説明する。
した第４図に見られるDFB型半導体レーザと同
様であり、1.3〔μｍ〕帯の埋め込みヘテロ構造
（buried heterostructure：BH）を有している所
謂BH−DFB型半導体レーザであるから、ここで
も第４図を参照しつつ説明する。
フオトルミネセンスを用いて評価を行う場合の
試料としては、当然のことながらDFB型半導体
レーザが完成する前の段階にある半導体結晶ウエ
ハが対象であつて、そのような半導体結晶ウエハ
は、n+型InP基板１に干渉露光法と化学エツチン
グ法とを組み合わせ、ピツチが3900〜3975〔Å〕、
深さ1000〜2000〔Å〕のコルゲーシヨン・グレー
テイング２を形成し、その上に、液相エピタキシ
ヤル成長（liquidphase epitaxy：LPE）法を適
用することに依り、λPL＝1.15〜1.2〔μｍ〕で厚さ
が0.15〔μｍ〕であるｎ型InGaAsP導波層３、λPL
＝1.285〔μｍ〕で厚さが0.15〔μｍ〕である
InGaAsP活性層４、厚さが１〜1.5〔μｍ〕である
ｐ型InPクラツド層５、λPL＝〜1.3〔μｍ〕で厚さ
が〜１〔μｍ〕であるｐ型InGaAsPキヤツプ層６
を連続成長させることに依り得られる。尚、本実
施例の半導体結晶ウエハでは、前記のコルゲーシ
ヨン・グレーテイングのピツチは1.3〔μｍ〕帯の
光に対して二次の回折格子が形成されるように設
定されている。また、λPLは、半導体禁制帯幅に
対応するフオトルミネセンス・スペクトル（主ピ
ーク）のピーク波長であつて、これに依り組成が
判る。
試料としては、当然のことながらDFB型半導体
レーザが完成する前の段階にある半導体結晶ウエ
ハが対象であつて、そのような半導体結晶ウエハ
は、n+型InP基板１に干渉露光法と化学エツチン
グ法とを組み合わせ、ピツチが3900〜3975〔Å〕、
深さ1000〜2000〔Å〕のコルゲーシヨン・グレー
テイング２を形成し、その上に、液相エピタキシ
ヤル成長（liquidphase epitaxy：LPE）法を適
用することに依り、λPL＝1.15〜1.2〔μｍ〕で厚さ
が0.15〔μｍ〕であるｎ型InGaAsP導波層３、λPL
＝1.285〔μｍ〕で厚さが0.15〔μｍ〕である
InGaAsP活性層４、厚さが１〜1.5〔μｍ〕である
ｐ型InPクラツド層５、λPL＝〜1.3〔μｍ〕で厚さ
が〜１〔μｍ〕であるｐ型InGaAsPキヤツプ層６
を連続成長させることに依り得られる。尚、本実
施例の半導体結晶ウエハでは、前記のコルゲーシ
ヨン・グレーテイングのピツチは1.3〔μｍ〕帯の
光に対して二次の回折格子が形成されるように設
定されている。また、λPLは、半導体禁制帯幅に
対応するフオトルミネセンス・スペクトル（主ピ
ーク）のピーク波長であつて、これに依り組成が
判る。
第２図は前記のような試料をフオトルミネセン
ス測定する装置の概略を表す要部説明図であり、
第４図に関して説明した部分と同部分は同記号で
指示してある。
ス測定する装置の概略を表す要部説明図であり、
第４図に関して説明した部分と同部分は同記号で
指示してある。
図に於いて、２１はクリプトン（Kr）レーザ
からなる励起光源、２２は周波数が200〔Hz〕であ
るチヨツパ、２３は温度可変のＸ−Ｙステージ、
２４は半導体結晶ウエハからなる試料、２５はコ
ンデンサ・レンズ、２６はフイルタ、２７は分光
器、２８はInAsセルで構成された光電変換器、
２９はロツク・イン増幅器、３０はレコーダをそ
れぞれ示している。尚、フオトルミネセンス測定
するに先立ち、試料２４の測定部分に於けるｐ型
InGaAsPキヤツプ層６は例えばHF：HNO3＝
１：１なるエツチヤントを用いて除去しておくも
のとする。
からなる励起光源、２２は周波数が200〔Hz〕であ
るチヨツパ、２３は温度可変のＸ−Ｙステージ、
２４は半導体結晶ウエハからなる試料、２５はコ
ンデンサ・レンズ、２６はフイルタ、２７は分光
器、２８はInAsセルで構成された光電変換器、
２９はロツク・イン増幅器、３０はレコーダをそ
れぞれ示している。尚、フオトルミネセンス測定
するに先立ち、試料２４の測定部分に於けるｐ型
InGaAsPキヤツプ層６は例えばHF：HNO3＝
１：１なるエツチヤントを用いて除去しておくも
のとする。
さて、試料２４の測定部分に励起光源２１から
の波長が6764〔Å〕で試料２４上での励起光強度
が〜50〔Ｗ／cm2〕であるクリプトン・レーザを用
いてｐ型InPクラツド層５から励起し、試料２４
からの垂直方向のフオトルミネセンス光を焦点距
離ｆ＝100〔mm〕のコンデンサ・レンズ２５で集光
し、フイルタ２６で或る程度の雑音を除去してか
ら分光器２７に入力してフオトルミネセンス・ス
ペクトルを測定し、これを光電変換器２８で電気
信号に変換し、この電気信号を200〔Hz〕のチヨツ
パ２２からの信号に同期するロツク・イン増幅器
２９で増幅し、その出力信号をレコーダ３０に入
力して第１図に見られるようなフオトルミネセン
ス・スペクトルの測定線図を描かせることができ
るものである。尚、測定時に試料２４の角度を変
えるとサブ・ピークが主ピークに対して相対的に
移動するので注意する必要がある。
の波長が6764〔Å〕で試料２４上での励起光強度
が〜50〔Ｗ／cm2〕であるクリプトン・レーザを用
いてｐ型InPクラツド層５から励起し、試料２４
からの垂直方向のフオトルミネセンス光を焦点距
離ｆ＝100〔mm〕のコンデンサ・レンズ２５で集光
し、フイルタ２６で或る程度の雑音を除去してか
ら分光器２７に入力してフオトルミネセンス・ス
ペクトルを測定し、これを光電変換器２８で電気
信号に変換し、この電気信号を200〔Hz〕のチヨツ
パ２２からの信号に同期するロツク・イン増幅器
２９で増幅し、その出力信号をレコーダ３０に入
力して第１図に見られるようなフオトルミネセン
ス・スペクトルの測定線図を描かせることができ
るものである。尚、測定時に試料２４の角度を変
えるとサブ・ピークが主ピークに対して相対的に
移動するので注意する必要がある。
前記のようにしてフオトルミネセンス測定を行
つて、サブ・ピークを生じた半導体結晶ウエハに
二酸化シリコン膜からなるストライプ状のマスク
を形成し、幅２〜３〔μｍ〕のストライプ部分が
残るように表面からn+型InP基板１に達するメ
サ・エツチングを行い、再びLPE法を適用する
ことに依り電流制限及び光閉じ込めの為に厚さ〜
１〔μｍ〕であるｐ型InP埋め込み層７及び厚さ
1.5〜２〔μｍ〕のｎ型InP埋め込み層８を形成し
てｎ型InGaAsP活性層４を埋め込み、BH−
DFB型半導体レーザ用の半導体結晶ウエハとな
し、これにAu・Ge／Niからなるｎ側電極９及び
Ti／Pt／Auからなるｐ側電極１０を形成してか
らダイに分割した。この場合、共振器長は400〔μ
ｍ〕であり、フアブリ・ペロー・モードの発振を
抑制する為、共振器の片面は斜めにエツチングし
て傾斜面１２としてある。
つて、サブ・ピークを生じた半導体結晶ウエハに
二酸化シリコン膜からなるストライプ状のマスク
を形成し、幅２〜３〔μｍ〕のストライプ部分が
残るように表面からn+型InP基板１に達するメ
サ・エツチングを行い、再びLPE法を適用する
ことに依り電流制限及び光閉じ込めの為に厚さ〜
１〔μｍ〕であるｐ型InP埋め込み層７及び厚さ
1.5〜２〔μｍ〕のｎ型InP埋め込み層８を形成し
てｎ型InGaAsP活性層４を埋め込み、BH−
DFB型半導体レーザ用の半導体結晶ウエハとな
し、これにAu・Ge／Niからなるｎ側電極９及び
Ti／Pt／Auからなるｐ側電極１０を形成してか
らダイに分割した。この場合、共振器長は400〔μ
ｍ〕であり、フアブリ・ペロー・モードの発振を
抑制する為、共振器の片面は斜めにエツチングし
て傾斜面１２としてある。
このようにして作製したDFB型半導体レーザ
に於けるDFBモードの発振波長と半導体結晶ウ
エハ時に於けるフオトルミネセンス・スペクトル
のサブ・ピークのピーク波長とは、それ等の差が
±50〔Å〕以内で良く一致した。
に於けるDFBモードの発振波長と半導体結晶ウ
エハ時に於けるフオトルミネセンス・スペクトル
のサブ・ピークのピーク波長とは、それ等の差が
±50〔Å〕以内で良く一致した。
第３図はDFBモードの発振波長とフオトルミ
ネセンス・スペクトルに於けるサブ・ピークのピ
ーク波長との関係を表した線図である。
ネセンス・スペクトルに於けるサブ・ピークのピ
ーク波長との関係を表した線図である。
図では、縦軸にDFBモードの発振波長λDFBを、
また、横軸にフオトルミネセンス・スペクトルに
於けるサブ・ピークのピーク波長λPLsubをそれぞ
れ採つてある。
また、横軸にフオトルミネセンス・スペクトルに
於けるサブ・ピークのピーク波長λPLsubをそれぞ
れ採つてある。
通常、コルゲーシヨン・グレーテイング２に於
けるピツチにはウエハ面内でのバラツキが約〜20
〔Å〕程度存在するので、その場所に依るバラツ
キの精度に依つて半導体結晶ウエハの段階で予め
DFB型半導体レーザとしての発振波長を予測す
ることができる。
けるピツチにはウエハ面内でのバラツキが約〜20
〔Å〕程度存在するので、その場所に依るバラツ
キの精度に依つて半導体結晶ウエハの段階で予め
DFB型半導体レーザとしての発振波長を予測す
ることができる。
また、フォトルミネセンスの測定時に第２図に
見られる温度可変Ｘ−Ｙステージ２３の作用に依
り、試料２４の温度を変化させると、サブ・ピー
クのピーク波長λPLsubが主ピークのピーク波長λPL
に対して相対的に移動するので、DFBモードで
発振可能な温度範囲を推定することができる。
見られる温度可変Ｘ−Ｙステージ２３の作用に依
り、試料２４の温度を変化させると、サブ・ピー
クのピーク波長λPLsubが主ピークのピーク波長λPL
に対して相対的に移動するので、DFBモードで
発振可能な温度範囲を推定することができる。
本発明に依る分布帰還型半導体レーザの製造方
法に於いては、基板とコルゲーシヨン・グレーテ
イングと導波層と活性層とクラツド層とからなる
状態にある分布帰還型半導体レーザ用半導体結晶
ウエハの前記活性層を励起し、該活性層で発生す
るフオトルミネセンス光のうち前記各層の界面に
対して垂直方向のスペクトル成分に現れるサブ・
ピークの有無と該サブ・ピークに於けるピーク波
長並びに強度を検出する工程と、次いで、該サ
ブ・ピークが検出された分布帰還型半導体レーザ
用半導体結晶ウエハに電流制限領域を選択的に形
成する工程とが含まれてなるか、或いは、基板と
コルゲーシヨン・グレーテイングと導波層と活性
層とクラツド層とからなる状態にある分布帰還型
半導体レーザ用半導体結晶ウエハの前記活性層を
励起し、該活性層で発生するフオトルミネセンス
光のうち前記各層の界面に対して垂直方向のスペ
クトル成分に現れるサブ・ピークの有無と該サ
ブ・ピークに於けるピーク波長並びに強度を検出
するに際し、該分布帰還型半導体レーザ用半導体
結晶ウエハの温度を変化させ、それに伴う該垂直
方向のスペクトル成分に於ける主ピークと該サ
ブ・ピークのピーク波長の相対的ずれ並びに強度
比の変化も検出する工程と、次いで、該サブ・ピ
ークが検出された分布帰還型半導体レーザ用半導
体結晶ウエハに電流制限領域を選択的に形成する
工程とが含まれている。
法に於いては、基板とコルゲーシヨン・グレーテ
イングと導波層と活性層とクラツド層とからなる
状態にある分布帰還型半導体レーザ用半導体結晶
ウエハの前記活性層を励起し、該活性層で発生す
るフオトルミネセンス光のうち前記各層の界面に
対して垂直方向のスペクトル成分に現れるサブ・
ピークの有無と該サブ・ピークに於けるピーク波
長並びに強度を検出する工程と、次いで、該サ
ブ・ピークが検出された分布帰還型半導体レーザ
用半導体結晶ウエハに電流制限領域を選択的に形
成する工程とが含まれてなるか、或いは、基板と
コルゲーシヨン・グレーテイングと導波層と活性
層とクラツド層とからなる状態にある分布帰還型
半導体レーザ用半導体結晶ウエハの前記活性層を
励起し、該活性層で発生するフオトルミネセンス
光のうち前記各層の界面に対して垂直方向のスペ
クトル成分に現れるサブ・ピークの有無と該サ
ブ・ピークに於けるピーク波長並びに強度を検出
するに際し、該分布帰還型半導体レーザ用半導体
結晶ウエハの温度を変化させ、それに伴う該垂直
方向のスペクトル成分に於ける主ピークと該サ
ブ・ピークのピーク波長の相対的ずれ並びに強度
比の変化も検出する工程と、次いで、該サブ・ピ
ークが検出された分布帰還型半導体レーザ用半導
体結晶ウエハに電流制限領域を選択的に形成する
工程とが含まれている。
このような構成を採ることに依り、分布帰還型
半導体レーザを作成する為の材料である半導体結
晶ウエハの段階で簡単なフオトルミネセンス測定
を行い、分布帰還型半導体レーザを作成した場合
に於ける特性の良否を正確に予測することができ
る。従つて、製品に仕立て上げてから、発振しな
かつたり、或いは、所望の発振波長が得られない
などの事態を起こることを回避でき、製造歩留り
は著しく向上する。
半導体レーザを作成する為の材料である半導体結
晶ウエハの段階で簡単なフオトルミネセンス測定
を行い、分布帰還型半導体レーザを作成した場合
に於ける特性の良否を正確に予測することができ
る。従つて、製品に仕立て上げてから、発振しな
かつたり、或いは、所望の発振波長が得られない
などの事態を起こることを回避でき、製造歩留り
は著しく向上する。
第１図はフオトルミネセンス・スペクトルに於
ける主ピークとサブ・ピークとの関係を説明する
為の線図、第２図は本発明を実施する装置の概略
を表す要部説明図、第３図はフオトルミネセン
ス・スペクトルに於けるDFBモードの発振波長
とサブ・ピークのピーク波長との関係を説明する
為の線図、第４図はDFB型半導体レーザの要部
切断斜面図をそれぞれ表している。 図に於いて、１はｎ型InP基板、２はコルゲー
シヨン・グレーテイング、３はｎ型InGaAsP導
波層、４はInGaAsP活性層、５はｐ型InPクラツ
ド層、６はｐ型InGaAsPキヤツプ層、７はｐ型
InP埋め込み層、８はｎ型InP埋め込み層、９は
ｎ側電極、１０はｐ側電極、１１は劈開面、１２
は傾斜面、２１は励起光源、２２はチヨツパ、２
３はＸ−Ｙステージ、２４は試料、２５はコンデ
ンサ・レンズ、２６はフイルタ、２７は分光器、
２８は光電変換器、２９はロツク・イン増幅器、
３０はレコーダをそれぞれ示している。
ける主ピークとサブ・ピークとの関係を説明する
為の線図、第２図は本発明を実施する装置の概略
を表す要部説明図、第３図はフオトルミネセン
ス・スペクトルに於けるDFBモードの発振波長
とサブ・ピークのピーク波長との関係を説明する
為の線図、第４図はDFB型半導体レーザの要部
切断斜面図をそれぞれ表している。 図に於いて、１はｎ型InP基板、２はコルゲー
シヨン・グレーテイング、３はｎ型InGaAsP導
波層、４はInGaAsP活性層、５はｐ型InPクラツ
ド層、６はｐ型InGaAsPキヤツプ層、７はｐ型
InP埋め込み層、８はｎ型InP埋め込み層、９は
ｎ側電極、１０はｐ側電極、１１は劈開面、１２
は傾斜面、２１は励起光源、２２はチヨツパ、２
３はＸ−Ｙステージ、２４は試料、２５はコンデ
ンサ・レンズ、２６はフイルタ、２７は分光器、
２８は光電変換器、２９はロツク・イン増幅器、
３０はレコーダをそれぞれ示している。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板とコルゲーシヨン・グレーテイングと導
波層と活性層とクラツド層とからなる状態にある
分布帰還型半導体レーザ用半導体結晶ウエハの前
記活性層を励起し、該活性層で発生するフオトル
ミネセンス光のうち前記各層の界面に対して垂直
方向のスペクトル成分に現れるサブ・ピークの有
無と該サブ・ピークに於けるピーク波長並びに強
度を検出する工程と、 次いで、該サブ・ピークが検出された分布帰還
型半導体レーザ用半導体結晶ウエハに電流制限領
域を選択的に形成する工程と が含まれてなることを特徴とする分布帰還型半導
体レーザの製造方法。 ２ 基板とコルゲーシヨン・グレーテイングと導
波層と活性層とクラツド層とからなる状態にある
分布帰還型半導体レーザ用半導体結晶ウエハの前
記活性層を励起し、該活性層で発生するフオトル
ミネセンス光のうち前記各層の界面に対して垂直
方向のスペクトル成分に現れるサブ・ピークの有
無と該サブ・ピークに於けるピーク波長並びに強
度を検出するに際し、該分布帰還型半導体レーザ
用半導体結晶ウエハの温度を変化させ、それに伴
う該垂直方向のスペクトル成分に於ける主ピーク
と該サブ・ピークのピーク波長の相対的ずれ並び
に強度比の変化も検出する工程と、 次いで、該サブ・ピークが検出された分布帰還
型半導体レーザ用半導体結晶ウエハに電流制限領
域を選択的に形成する工程と が含まれてなることを特徴とする分布帰還型半導
体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15868484A JPS6139596A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 分布帰還型半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15868484A JPS6139596A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 分布帰還型半導体レーザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6139596A JPS6139596A (ja) | 1986-02-25 |
| JPH0426236B2 true JPH0426236B2 (ja) | 1992-05-06 |
Family
ID=15677096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15868484A Granted JPS6139596A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 分布帰還型半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6139596A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6370536A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-30 | Nec Corp | 結晶評価装置 |
| JPS63250835A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-18 | Hitachi Cable Ltd | エピタキシヤルウエハの検査方法 |
| JP2711966B2 (ja) * | 1992-09-10 | 1998-02-10 | 信越半導体株式会社 | 発光素子製造用ウエーハの検査方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5539628A (en) * | 1978-09-14 | 1980-03-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Photoluminescence measuring method for semiconductor layer |
| JPS5857764A (ja) * | 1981-10-02 | 1983-04-06 | Fujitsu Ltd | 半導体結晶の評価法 |
-
1984
- 1984-07-31 JP JP15868484A patent/JPS6139596A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6139596A (ja) | 1986-02-25 |
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