JPH04263066A - スパッタデポジション装置 - Google Patents
スパッタデポジション装置Info
- Publication number
- JPH04263066A JPH04263066A JP2324091A JP2324091A JPH04263066A JP H04263066 A JPH04263066 A JP H04263066A JP 2324091 A JP2324091 A JP 2324091A JP 2324091 A JP2324091 A JP 2324091A JP H04263066 A JPH04263066 A JP H04263066A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anode
- cathode
- target
- sputtering
- deposition apparatus
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、スパッタデポジショ
ン装置に関し、さらに詳しくは、スパッタデポジション
装置における陰極構造の改良に係るものである。
ン装置に関し、さらに詳しくは、スパッタデポジション
装置における陰極構造の改良に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種のスパッタデポジション装
置の概要構成を図２に示す。
置の概要構成を図２に示す。
【０００３】この図２に示す従来装置の構成において、
符号１は陽極、２は当該陽極１に対向して設置された平
板状陰極であり、また、３は前記陽極１の対向面側に配
設され、その表面部にスパッタリングによって目的とす
る薄膜を形成するための被処理基板、４は前記平板状陰
極２の対向面に配設されたスパッタリングのためのター
ゲットである。
符号１は陽極、２は当該陽極１に対向して設置された平
板状陰極であり、また、３は前記陽極１の対向面側に配
設され、その表面部にスパッタリングによって目的とす
る薄膜を形成するための被処理基板、４は前記平板状陰
極２の対向面に配設されたスパッタリングのためのター
ゲットである。
【０００４】しかして、この構成による従来のスパッタ
デポジション装置の場合には、所要の希薄な不活性ガス
雰囲気下において、平板状陰極２を−電位，もしくはグ
ランド電位に保持したまゝ、陽極１に高電圧の＋電位を
与えることによって、これらの平板状陰極２と陽極１と
の間に放電が発生し、陽イオン化された不活性ガス原子
が、当該放電における電位差，ならびに陰極２の表面の
イオンシースにより加速されてターゲット４に衝突し、
当該ターゲット４を形成している成分原子を飛散させ、
これが陽極１側に配設された被処理基板３の表面部にス
パッタリングされて堆積し、当該被処理基板３の表面部
に所期通りの薄膜を容易に形成し得るのである。
デポジション装置の場合には、所要の希薄な不活性ガス
雰囲気下において、平板状陰極２を−電位，もしくはグ
ランド電位に保持したまゝ、陽極１に高電圧の＋電位を
与えることによって、これらの平板状陰極２と陽極１と
の間に放電が発生し、陽イオン化された不活性ガス原子
が、当該放電における電位差，ならびに陰極２の表面の
イオンシースにより加速されてターゲット４に衝突し、
当該ターゲット４を形成している成分原子を飛散させ、
これが陽極１側に配設された被処理基板３の表面部にス
パッタリングされて堆積し、当該被処理基板３の表面部
に所期通りの薄膜を容易に形成し得るのである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ように構成される従来のスパッタデポジション装置にお
いては、平板状陰極２を用いていることから、スパッタ
リング操作に際し、当該平板状陰極２に沿って薄い平板
状のイオンシースが形成され、このイオンシースの存在
のために、スパッタリングによる被処理基板の表面部へ
の薄膜の堆積速度が制限されるという問題点があった。
ように構成される従来のスパッタデポジション装置にお
いては、平板状陰極２を用いていることから、スパッタ
リング操作に際し、当該平板状陰極２に沿って薄い平板
状のイオンシースが形成され、このイオンシースの存在
のために、スパッタリングによる被処理基板の表面部へ
の薄膜の堆積速度が制限されるという問題点があった。
【０００６】この発明は、このような従来の問題点を解
消するためになされたもので、その目的とするところは
、スパッタリングによる被処理基板の表面部への薄膜の
堆積速度を向上させ得るようにした，この種のスパッタ
デポジション装置を提供することである。
消するためになされたもので、その目的とするところは
、スパッタリングによる被処理基板の表面部への薄膜の
堆積速度を向上させ得るようにした，この種のスパッタ
デポジション装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、この発明に係るスパッタデポジション装置は、当該
装置に適用される陰極として、陽極の対向面側を開口し
た所要内径の円筒形状に形成し、かつ当該対向面に対応
する内周面にターゲットを配設させるようにしたもので
ある。
に、この発明に係るスパッタデポジション装置は、当該
装置に適用される陰極として、陽極の対向面側を開口し
た所要内径の円筒形状に形成し、かつ当該対向面に対応
する内周面にターゲットを配設させるようにしたもので
ある。
【０００８】すなわち、この発明は、陽極と、外周面を
絶縁被覆し、かつ当該陽極の対向面側を開口した円筒形
状の陰極とを備え、前記陽極の対向面側に被処理基板を
配設させると共に、前記陰極の対向面対応の内周面にタ
ーゲットを配設させたことを特徴とするスパッタデポジ
ション装置である。
絶縁被覆し、かつ当該陽極の対向面側を開口した円筒形
状の陰極とを備え、前記陽極の対向面側に被処理基板を
配設させると共に、前記陰極の対向面対応の内周面にタ
ーゲットを配設させたことを特徴とするスパッタデポジ
ション装置である。
【０００９】
【作用】従って、前記陰極構造によるスパッタデポジシ
ョン装置の構成では、陰極における円筒部の内径が比較
的小さい場合、当該陰極の内側壁面に形成されるイオン
シースが相互に接して重なり合い、ターゲットの表面に
陽イオン，電子を集中させることができ、これによって
スパッタリング速度を効果的に向上させ得るのである。
ョン装置の構成では、陰極における円筒部の内径が比較
的小さい場合、当該陰極の内側壁面に形成されるイオン
シースが相互に接して重なり合い、ターゲットの表面に
陽イオン，電子を集中させることができ、これによって
スパッタリング速度を効果的に向上させ得るのである。
【００１０】
【実施例】以下，この発明に係るスパッタデポジション
装置の一実施例につき、図１を参照して詳細に説明する
。
装置の一実施例につき、図１を参照して詳細に説明する
。
【００１１】図１はこの発明の一実施例を適用したスパ
ッタデポジション装置の概要を示す構成説明図である。
ッタデポジション装置の概要を示す構成説明図である。
【００１２】この図１に示す実施例装置の構成において
も、符号１１は陽極、１２は当該陽極１１に対向して設
置され、かつ外周面を絶縁部材１３によって絶縁被覆す
ると共に、対向面側を開口して形成する比較的内径の小
さい円筒形状の陰極，こゝでは、いわゆるホロカソード
電極であり、また、１４は前記陽極１１の対向面側に配
設され、その表面部にスパッタリングによって目的とす
る薄膜を形成するための被処理基板、１５は前記ホロカ
ソード電極１２の対向面対応の内周面に配設されたスパ
ッタリングのためのターゲットである。
も、符号１１は陽極、１２は当該陽極１１に対向して設
置され、かつ外周面を絶縁部材１３によって絶縁被覆す
ると共に、対向面側を開口して形成する比較的内径の小
さい円筒形状の陰極，こゝでは、いわゆるホロカソード
電極であり、また、１４は前記陽極１１の対向面側に配
設され、その表面部にスパッタリングによって目的とす
る薄膜を形成するための被処理基板、１５は前記ホロカ
ソード電極１２の対向面対応の内周面に配設されたスパ
ッタリングのためのターゲットである。
【００１３】しかして、この構成による従来のスパッタ
デポジション装置の場合には、所要の希薄な不活性ガス
雰囲気下において、ホロカソード電極１２を−電位，も
しくはグランド電位に保持したまゝの状態で、陽極１１
に高電圧の＋電位を与えることによって、これらのホロ
カソード電極１２と陽極１１との間に放電を発生するが
、この際，ホロカソード電極１２の内側壁面に形成され
るイオンシースは、その相互が接して重なり合うために
、当該放電における電位差によって加速される陽イオン
，電子をターゲット１５の表面に集中して衝突させ得る
もので、このために、衝突によって飛散された不活性ガ
ス原子が陽極１１側での被処理基板１４の表面部に堆積
されるスパッタリング速度が格段に向上され、当該被処
理基板１４の表面部への所期通りの薄膜形成を迅速かつ
容易に行ない得るのである。
デポジション装置の場合には、所要の希薄な不活性ガス
雰囲気下において、ホロカソード電極１２を−電位，も
しくはグランド電位に保持したまゝの状態で、陽極１１
に高電圧の＋電位を与えることによって、これらのホロ
カソード電極１２と陽極１１との間に放電を発生するが
、この際，ホロカソード電極１２の内側壁面に形成され
るイオンシースは、その相互が接して重なり合うために
、当該放電における電位差によって加速される陽イオン
，電子をターゲット１５の表面に集中して衝突させ得る
もので、このために、衝突によって飛散された不活性ガ
ス原子が陽極１１側での被処理基板１４の表面部に堆積
されるスパッタリング速度が格段に向上され、当該被処
理基板１４の表面部への所期通りの薄膜形成を迅速かつ
容易に行ない得るのである。
【００１４】
【発明の効果】以上詳述したように、この発明によれば
、外周面を絶縁被覆して陽極に対向する側を開口した円
筒形状に陰極を形成させると共に、その対向面に対応す
る内周面にターゲットを配設させるようにしたので、円
筒部の内径が比較的小さいときには、スパッタリング操
作時にあって、当該陰極の内側壁面に形成されるイオン
シースが相互に接して重なり合うことになり、このため
に、ターゲットの表面に陽イオン，電子を集中させるこ
とができるもので、結果的に、スパッタリング速度を格
段に向上させ得るという優れた特長がある。
、外周面を絶縁被覆して陽極に対向する側を開口した円
筒形状に陰極を形成させると共に、その対向面に対応す
る内周面にターゲットを配設させるようにしたので、円
筒部の内径が比較的小さいときには、スパッタリング操
作時にあって、当該陰極の内側壁面に形成されるイオン
シースが相互に接して重なり合うことになり、このため
に、ターゲットの表面に陽イオン，電子を集中させるこ
とができるもので、結果的に、スパッタリング速度を格
段に向上させ得るという優れた特長がある。
【図１】この発明の一実施例を適用したスパッタデポジ
ション装置の概要を示す構成説明図である。
ション装置の概要を示す構成説明図である。
【図２】従来のスパッタデポジション装置の概要を示す
構成説明図である。
構成説明図である。
１１ 陽極
１２ ホロカソード電極（円筒形状の陰極）１３
絶縁部材 １４ 被処理基板 １５ ターゲット
絶縁部材 １４ 被処理基板 １５ ターゲット
Claims (1)
- 【請求項１】 陽極と、外周面を絶縁被覆し、かつ当
該陽極の対向面側を開口した所要内径の円筒形状の陰極
とを備え、前記陽極の対向面側に被処理基板を配設させ
ると共に、前記陰極の対向面対応の内周面にターゲット
を配設させたことを特徴とするスパッタデポジション装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2324091A JPH04263066A (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | スパッタデポジション装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2324091A JPH04263066A (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | スパッタデポジション装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04263066A true JPH04263066A (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=12105086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2324091A Pending JPH04263066A (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | スパッタデポジション装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04263066A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1074639A1 (en) * | 1999-08-03 | 2001-02-07 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Fabrication of clad hollow cathode magnetron sputter targets |
| US6623607B1 (en) * | 1997-11-20 | 2003-09-23 | Balzers Hochvakuum Ag | Substrate coated with an MGO-layer |
| EP1135233A4 (en) * | 1998-12-03 | 2004-11-03 | Tosoh Smd Inc | INSERT TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
-
1991
- 1991-02-18 JP JP2324091A patent/JPH04263066A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6623607B1 (en) * | 1997-11-20 | 2003-09-23 | Balzers Hochvakuum Ag | Substrate coated with an MGO-layer |
| EP1135233A4 (en) * | 1998-12-03 | 2004-11-03 | Tosoh Smd Inc | INSERT TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| EP1074639A1 (en) * | 1999-08-03 | 2001-02-07 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Fabrication of clad hollow cathode magnetron sputter targets |
| US6283357B1 (en) | 1999-08-03 | 2001-09-04 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Fabrication of clad hollow cathode magnetron sputter targets |
| SG111007A1 (en) * | 1999-08-03 | 2005-05-30 | Praxair Technology Inc | Fabrication of clad hollow cathode magnetron sputter targets |
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