JPH04263094A

JPH04263094A - 銀を基板に電気泳動溶着する方法

Info

Publication number: JPH04263094A
Application number: JP3240827A
Authority: JP
Inventors: William A Raggio; ウイリアム　エイ．ラッジオ; Frederick H Elsner; フレデリック　エッチ．エルスナー; Lawrence D Woolf; ローレンス　ディー．ウールフ
Original assignee: General Atomics Corp
Current assignee: General Atomics Corp
Priority date: 1990-09-21
Filing date: 1991-09-20
Publication date: 1992-09-18
Anticipated expiration: 2014-10-06
Also published as: JP2958170B2; CA2049556C; CA2049556A1; US5073240A; EP0476881A2; EP0476881A3

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は一般に基板に低抵抗電気
接点を装着する方法に関する。詳しくは、本発明はセラ
ミック超伝導体に概ね均一で導電性の保護層をコーティ
ングする上で有用である。本発明は限定的ではないが、
特にセラミック基板に銀の凝集性の低抵抗層をコーティ
ングする上で有用である。

【０００２】

【従来の技術】周知のように、超伝導セラミックは多様
の用途に対して使用しうる。しかしながら、通電超伝導
体と他の電気要素との間で何らかの電気接続を行う必要
がある。例えばエネルギ源と電気エネルギによって運ば
れる荷重とが超伝導体に作動接続される必要がある。理
想的には、これらの接続は超伝導体によって提供される
エネルギ伝送節約を補完するために電流に対する抵抗性
が低いことが望ましい。しかしながら、超伝導体と電源
あるいは荷重との間の電気接続としての使用に適した導
電要素は見当らない。接続要素と超伝導体との間に設定
される境面は低電気抵抗性であることの他に、電気接触
抵抗も低くあるべきである。この理由は超伝導体と相互
接続要素との間の境界面が低電気抵抗性である場合相互
接続要素を分岐して電流が超伝導体の亀裂をより容易に
通りうるからである。また相互接続要素は焼結工程の間
相互接続要素による超伝導体の好ましくないドーピング
を阻止するため、セラミック超伝導体と化学的に非反応
性であることが好ましい。

【０００３】さらに、相互接続要素は水あるいは二酸化
炭素がセラミック超伝導体中へ拡散するのを阻止するた
めにセラミック超伝導体の表面を保護コーティングする
ことが好ましい。周知のように、水あるいは二酸化炭素
が拡散し、そのためセラミック超伝導体を汚染すると、
汚染されたセラミックの超伝導性が悪影響を受ける。し
かしながら、相互接続要素によって提供される保護コー
ティングは、例えば酸素のような他の要素がコーティン
グを通ってセラミック超伝導体構造へ拡散しうるように
する。そのような酸素拡散は超伝導体を適度に酸化させ
るために必要なものである。当該技術分野において周知
のように、超伝導体の酸化はより効率のよい超伝導伝送
媒体をもたらす。

【０００４】銀は前述の基準を満足させるので保護コー
ティングとして有用な要素である。セラミック超伝導体
に銀の層を溶着させるために、多数の溶着方法を用いる
ことができる。使用が比較的簡単で、かつ安価な一方法
は電気泳動法である。電気泳動法は他のコーティング法
に対して数々の利点を有している。まず、厚さが約３か
ら３０ミクロンの銀コーティングは電気泳動法を用いて
基板に比較的急速に溶着しうる。厚さが３から３０ミク
ロンの銀コーティングは超伝導基板に対して充分な保護
を提供する。また、電気泳動法により基板に溶着される
銀コーティングは加熱し、銀を基板に接着させるために
結合材が用いられた場合銀を焼結するに要する通常長い
加熱時間と比較して急速に銀を焼結して稠密なコーティ
ングにすることができる。

【０００５】しかしながら、周知のように、電気泳動は
通常、コーティング材がその中に懸濁しており、かつそ
の中でコーティング材が電気チャージを発生させる水ベ
ースの溶液中にコーティングすべき対象物を位置させる
ことによって達成される。また溶液中に電極が位置され
、電極に電圧が付与されてコーティング材を、コーティ
ングすべき対象物上に電気泳動溶着させる。残念ながら
、前述のように、セラミックを損傷させないようにセラ
ミック超伝導体と水との接触は避けるべきである。した
がって、水ベースの溶液を使用する既存の電気泳動法は
銀をセラミック超伝導体に溶着するには適当でない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】前述の説明に鑑み、本
発明の目的は比較的低電気抵抗性の材料で超伝導セラミ
ックを概ね全体、かつ均一にコーティングする方法を提
供することである。さらに、本発明の目的は超伝導セラ
ミックへの水および二酸化炭素の拡散を概ね阻止する材
料で超伝導セラミックをコーティングする方法を提供す
ることである。さらに、本発明の目的は超伝導セラミッ
クへの酸素の拡散を許容し、かつ処理過程を通して水の
使用を必要としない材料で超伝導セラミックをコーティ
ングする方法を提供することである。さらに、本発明の
目的は超伝導セラミック材に対して比較的に化学的に不
活性の材料で超伝導セラミックをコーティングする方法
を提供することである。また、本発明の目的は超伝導セ
ラミック材を化学的に汚染しない、超伝導セラミックを
コーティングする方法を提供することである。最後に、
本発明の目的は使用が比較的容易で、かつコスト的に効
果的な材料で超伝導セラミックをコーティングする方法
を提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】低電気抵抗性のコーティ
ングをセラミック超伝導基板に溶着する方法は非水性溶
液からの銀粒子を超伝導基板上に電気泳動法により溶着
し、次に銀粒子を焼結して基板に対する保護コーティン
グを作ることを含む。銀粒子が電荷を有し電気泳動を促
進する手段を提供するために、銀粒子の各々が界面剤で
事前コーティングされる。この目的に対して、例えば、
オレイン酸を用いることができる。

【０００８】本発明による詳しい方法によれば、オレイ
ン酸でコーティングした粒子は溶液中に懸濁されてスラ
リを形成し、該スラリは容器中に入れられている。また
、電極が前記容器に位置され、金属ワイヤを有する超伝
導基板が接地され、コンテナ中のスラリを通して引張ら
れるように位置される。溶液がアルコールからなること
が重要で、無水オクタノールであることが好ましい。アルコール溶液のスラリと銀粒子とは電気泳動される。特に、約２５ボルトの正の直流電圧が、電極が溶液を通
して引張られるにつれて該電極に加えられる。銀粒子は
銀粒子に対するオレイン酸と無水オクタノールとの間の
化学的作用により基板に対して電気を帯びる。スラリ中
の銀粒子はその結果超伝導ワイヤの金属芯に誘引され、
したがって基板が容器を通して引張られるにつれて超伝
導基板上にメッキされる。換言すれば、超伝導基板は本
発明による電気泳動法のための陰極であり、電極が陽極
である。銀粒子の沈澱を阻止するためにスラリーは電気
泳動工程の間攪拌されるか、あるいは他の要領でゆっく
りと混ぜられる。

【０００９】容器を通して引張られた超伝導基板の部分
に接着したアルコールはコーティングされた超伝導基板
から蒸発され、銀をコーティングした超伝導基板は約６
００から９５０℃の範囲の温度まで、約１分即ちコーテ
ィングを焼結するに十分な時間加熱される。このましい
焼結温度は約９００℃である。銀をコーティングした超
伝導体がこのように加熱されると、銀コーティングは焼
結されて約３から３０ミクロンの厚さの稠密で低電気抵
抗性の層とされる。前述の工程が完了した後、コーティ
ングした超伝導体は必要に応じて超伝導体を酸化させる
ため酸素雰囲気中で約４００℃まで、約１時間から１週
間加熱すればよい。

【００１０】本発明の新規な特徴並びにその構造と作動
の双方についての本発明自体は、同じ部材を同じ参照番
号で指示する添付図面を参照した詳細説明から最良に理
解される。

【００１１】

【実施例】本発明による銀電気泳動法は広範囲の種類の
基板に保護銀コーティングを接着させるために使用でき
る。本発明を用いて銀をコーティングしうる基板の非限
定的な一例が図１および図２に示され、これらの図にお
いてコーティングされた超伝導体ワイヤ１０が示されて
いる。特に、図１と図２とは、本発明によって要求され
ないものの保護層１４をその上に形成している金属基板
１２を示す。基板１２は超伝導セラミック層１６を担持
している。図示のために、金属基板１２と、保護層１４
と、セラミック層１６とは、本発明によって処理すべき
、図３で示す送入ワイヤ材１５である。図１と図２とに
示す超伝導ワイヤ１０は半径方向の順序で、直径２０が
約５０から１５０ミクロンである基板１２と、厚さ２２
が１と２０ミクロンの間の保護層１４と、厚さ２４が約
５０から１５０ミクロンのセラミック層１６とを含む。

【００１２】コーティングされた超伝導体１０の材質は
電流の超伝導性を提供し、一方十分な構造強度と柔軟性
とを保持する必要があることが認められる。特に図２を
参照すると、基板１２は強力で、耐酸化性で、しかも弾
性のプラットフォームを超伝導セラミック層１６に対し
て提供する金属材で作られるのが好ましい。例えば、基
板１２は例えばジュラニッケル（Ｄｕｒａｎｉｃｋｅｌ
）１２あるいは下記する表１に列挙した金属のいずれか
のような適当な金属合金であればよい。

【表１】　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｎｉ　　　　　Ｆ
ｅ　　　　Ｃｒ　　　　Ａｌ　　　　Ｓｉ　　　　Ｍｎ
　　　　Ｍｇ　　　　Ｔｉ　　　　Ｚｒ　　Ｂ　Ｄｕｒ
ａｎｉｃｋｅｌ　３０１　　９４．２　　　　　　　　
　　　　　　　　４．４　　　０．４　　　０．３　　
　　　　　　　０．４　Ｈｏｓｋｉｎｓ　８７５　　　
　　　　　　　　　７１．５　　２２．５　　　５．５
　　　０．５　Ａｌｕｍｅｌ　　　　　　　　　　９４
．８　　　　　　　　　　　　　　　　１．５　　　１
．５　　　１．７　Ｉｎｅｏｎｅｌ　６０１　　　　　
６０　　　　　１３　　　　２３　　　　　１．５　　
　０．５　　　１．０　Ｈａｙｎｅｓ　２１４　　　　
　　７６．５　　　　３　　　　１６　　　　　４．５
　Ｎｉｓｉｌ　　　　　　　　　　　９６．５　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　４．４　　　　
　　　　　　０．１Ｎｉｃｒｏｓｉｌ　　　　　　　　
８４．４　　　　　　　　　１４．２　　　　　　　　
　１．４　Ｎｉ３Ａｌ　　　　　　　　　　　８８．１
　　　　　　　　　　　　　　　　１１．３　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ワイヤ基板の
成分（重量％）

【００１３】また、本発明と同じ譲受人
に譲渡された「セラミック超伝導体のためのニッケルベ
ースの基板」（“Ｎｉｃｋｅｌ　　Ｂａｓｅｄ　　Ｓｕ
ｂｓｔｒａｔｅ　　ｆｏｒａ　　Ｃｅｒａｍｉｃ　　Ｓ
ｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｏｒ”）という名称の出願中の
米国特許願に開示の合金を用いてもよい。詳しくは、こ
れらの合金はＮｉ１−Ｘ　Ａｌｘ　（０≦ｘ≦０．２５
）、Ｎｉｘ　Ａｌｙ　Ｂｚ（０．６≦ｘ、０．１≦ｙ≦
０．２５およびＺ≦０．１）、およびＮｉｘ　Ａｌｙ　
Ｃｕｚ　（０．６≦ｘ、ｙ≦０．２５、およびｚ≦０．
１５）を含む。

【００１４】前述した材質要件の他に、当該技術分野の
専門家にはセラミック層１６は、化学式ＲＥＢａ２　Ｃ
ｕ３　Ｏ７−ｘ　を有し、ＲＥがイットリウムと原子番
号から５７から７１を含み７１までの範囲の要素、とそ
の混合物からなる群から選択した要素であり、ｘが０か
ら０．５の範囲である稀土ベースのセラミックのような
適当な超伝導材料から作られることが直ちに認められる
。代替的に、セラミック層１６はビスマス（Ｂｉ）ある
いはタリウム（Ｔｌ）ベースの超伝導体で作ればよい。保護層１４は例えばセラミック層１６を基板１２上に焼
結するような製造工程の間基板１２の材料とセラミック
層１６の拡散を実質的に阻止する保護コーティング材で
あることが重要である。本発明においては、保護層１４
はＮｄＢａ２　Ｃｕ３　Ｏ７−Ｘ　の層であり、ｘは０
から０．５を含み０．５までである。

【００１５】最後に図１はワイヤ１０が本発明による方
法によって処理された後、厚さ２６が約３から３０ミク
ロンの間である銀の層１８によってワイヤ１０が保護コ
ーティングされている。

【００１６】製造方法銀の層、即ちコーティングをセラミック基板上に溶着す
ることを説明するために図３を参照する。図３は銀を送
入ワイヤ１５上に溶着するために使用しうる一タイプの
装置の例を示す。特に、ガラスあるいはプラスチックの
容器２８がアルコール溶液３０で部分的あるいは完全に
満たされる。銀をセラミック基板に溶着する場合、アル
コール溶液３０はセラミック超伝導体の層１６を水で損
傷しないように無水状とされる。アルコール溶液３０は
例えばオクタノールあるいはプロパノールのような重質
アルコールであるが、溶液３０はオクタノールが好まし
い。

【００１７】図３はまた、複数の銀粒子３２が溶液３０
中において懸濁されスラリ３４を形成していることを示
す。送入ワイヤ１５上により均一なコーティング１８を
付与するには、銀粒子３２が溶液３０中で均一に分布即
ち拡散されることが望ましい。溶液３０が比較的高い分
子量を有する溶液からなる場合銀粒子３２が溶液３０中
でより均一に拡散することが判明した。したがって、プ
ロパノールより分子量の高いオクタノールが好ましい溶
液である。溶液３０中の粒子３２の濃度は１リットルの
溶液３０当り５０から６００グラムの範囲である。相対
的に高い銀濃度により所定の電気泳動電圧に対して相対
的により厚い銀コーティング１８をもたらし、一方相対
的に低い銀濃度が相対的に薄い銀コーティング１８をも
たらす。

【００１８】図４を簡単に参照すれば、種々サイズの粒
子を用いうるものの、直径３６が０．５と１．５ミクロ
ンの間である単一の銀粒子３２が示されている。特に、
粒子３２はＭｅｔｚ　　Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ　
　ＳＥＤ級の銀パウダとして市販されている銀粒子でよ
い。図４は各粒子３２が界面層３８でコーティングされてい
ることを示す。好適実施例において、界面層３８はオレ
イン酸の層である。銀に対するオレイン酸の重量比は約
１．３％より大きい。当該技術分野の専門家には認めら
れるように、界面層３８は好ましいアグロメと溶液３０
内での銀粒子３２の沈澱を低減する。また、界面層３８
は電気泳動工程中のアルコール溶液で電気チャージを形
成してワイヤ１０のセラミック層１６への粒子３２の電
気泳動溶着を促進する。

【００１９】再び図３を参照すると、電極４０が無水溶
液３０に位置していることが判る。電極４０はいずれか
の適当な電極材料で作られ、かつ銀または銅で作られる
ことが好ましい。概ね円筒形の超伝導送入ワイヤ１５を
銀粒子３２でコーティングすべき場合、電極４０は、図
３に示すように溶液３０においてワイヤ１５を囲む環状
の円筒形ジャケットでよい。電気泳動溶液を調製するた
めに、電極４０が直流電源４２に接続されている。特に
、電源４２の一方の端子４４は電極４０に接続され、電
源４２の他方の端子４６は送入ワイヤ１５に接続されて
いる。電源４２は電極４０とワイヤ１５との間で例えば
２５ボルトのような適当な電圧を設定しうるいずれかの
適当な直流電源であるる１０から６０ボルトの範囲の、
好ましくは約２５ボルトの電気泳動電圧で効果的である
ことが判明した。

【００２０】前述の開示を検討すれば、電極４０は陽極
として機能し、送入ワイヤ１５は本発明による電気泳動
法の陰極として機能することが認められる。さらに、ワ
イヤ１５は電気泳動工程の間容器２８に固定されるか、
あるいは図３に概略図示するように巻取りスプール４８
と供給スプール５０との間に位置して容器２８を通して
連続的に引張られる。後者の場合、容器２８には水密ダ
イヤフラム５２が形成され容器２８を通してワイヤ１５
を引張る比較的耐漏洩の手段を提供する。また、容器２
８を通してワイヤ１５が引張られる速度は、典型的には
５から６０秒である適当な時間ワイヤ１５の一連の部分
がスラリ３５中に浸漬された状態に確実に留まるように
設定される。

【００２１】さらに図３は、容器２８が流体ライン５６
，５８を介してバット５４と流体連通して接続されてい
ることを示す。バット５４はある量のスラリ３４を保持
し、かつポンプ６０がバット５４と容器２８との間でス
ラリ３４を循環させ容器２８中のスラリ３４を補給しう
ることが認められる。また、図３は銀粒子３２の沈澱を
阻止するためにゆっくりとスラリ３４を攪拌する目的で
磁気攪拌機６２が容器２８に隣接して位置されているこ
とを示す。磁気攪拌機６２はスラリ３４中に浸漬した磁
気攪拌バー６４を作動させスラリ３４をゆっくりと攪拌
する。各銀粒子３２からの界面層３８の分離を阻止する
ためにスラリ３４はゆっくりと攪拌されることが重要で
ある。

【００２２】図３はまた、銀をコーティングしたワイヤ
１０が炉７０を通して引張られることを示し、該炉はワ
イヤ１０を約２００℃まで加熱しワイヤ１０に接着した
余分の溶液３０を焼き落す。余分の溶液３０を焼き落す
ことによって銀コーティング１８の厚さ２６を測定しや
すくする。この目的に対して、マイクロメータ７２がワ
イヤ１０に隣接して位置されワイヤ１０の直径を測定し
、銀コーティング１８の厚さ２６を表わす信号を発生さ
せる。マイクロメータ７２は当該技術分野において周知
のいずれかの適当な非接触タイプのレーザあるいは光学
マイクロメータである。マイクロメータ７２からの信号
はマイクロプロセッサ７４に送られ、該マイクロプロセ
ッサの方は電圧源４２に接続され電源４２から電極４０
に送られた電圧を制御し、銀コーティング１８の厚さ２
６を設定する。最後に図３は銀をコーティングしたワイ
ヤ１０が炉７６を通されることを示し、該炉７６はワイ
ヤを約３０秒から１分間約９００℃まで加熱し銀コーテ
ィング１８を焼結することができる。

【００２３】図５の（Ａ）を参照すれば、銀コーティン
グ１８は前述の電気泳動法に続いてセラミック層１６上
に形成されたものとして示されているが銀コーティング
層１８は焼結前である。詳しくは、銀の層１８は概ね凝
集されていない、即ち隣接していない複数の構造７８に
おいて形成されている。構造７８の非凝集によって拡散
通路８０を形成し、該通路を通して後続のろう付け工程
からの水あるいはその他の不純物が拡散しセラミック層
１６を損傷する可能性がある。さらに、銀の層１８の導
電性は拡散通路８０の介在により悪影響を受ける。銀層
１８中の拡散通路８０の介在に係わる前述の問題を克服
するために、コーティングされたセラミック層１６は炉
７６において６００と９５０℃の間、好ましくは９００
℃まで加熱される。この高温焼結により、セラミック層
１６と銀の層１８との間で低抵抗の境面を形成する超伝
導体へ銀を拡散し、また銀を図５の（Ｂ）に示す構造へ
焼結する。９００℃で約１分間焼結した後銀の層１８は
複数の凝集し隣接した銀構造８２から作られていること
が判る。構造８２は焼結の間構造７８から生長し、相互
に当接することによって、焼結の前には介在していた（
図５の（Ａ）に示す）拡散通路８０の概ね全てを排除す
る。

【００２４】前述の焼結工程の後、層１６がＲＥＢａ２
　Ｃｕ３　Ｏ７−Ｘ　超伝導体から形成されている場合
、コーティングした超伝導体１０は約４００℃まで約１
日から１週間加熱してセラミック層１６を完全に酸化さ
せることができる。当該技術分野において周知のように
、超伝導セラミックの結晶構造の酸化によりセラミック
の超伝導性を向上させる。銀が水の拡散を概ね阻止し、
一方銀の層１８を介してセラミック層１６への酸素の拡
散を許容するのでセラミック層１６をコーティングする
ために銀を選択した理由が、完全に理解できる。

【００２５】図２および図５の（Ｂ）とを参照すると、
前述の説明から保護層１８の厚さ２６は電極４０に供給
される電圧の大きさと時間並びにセラミック層１６が電
気泳動処理されている時間の長さとによって変わる。以
下は例示である。例〔１〕　　ＤｙＢａ２　Ｃｕ３　Ｏ
７−Ｘ　で作ったセラミックに１５秒２５ボルトの直流
電圧を加えた。電気泳動溶液はオクタノールを含有し、
銀の粒子が１リットルの溶液当り３００グラムの濃度で
オクタノールに入れられた。銀粒子は各々オレイン酸の
コーティングを有していた。電気泳動の後約１５ミクロ
ンの厚さの銀の層がセラミックに形成された。

【００２６】本明細書に図示し、かつ詳細に説明した無
水性溶液からセラミック超伝導体に銀を電気泳動法によ
りコーティングする特定の方法は目的を完全に達成し、
かつ前述した利点を提供することができるが、それは単
に本発明の現在好適の実施例を示すのであって、特許請
求の範囲に規定するもの以外本明細書に示す構造や構成
の詳細は何ら限定されないことを理解すべきである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による製品の一実施例の斜視図。

【図２】図１の線２−２に沿って視た本発明による製品
の断面図。

【図３】図示のために銀コーティングの厚さを誇張して
示す、本発明の方法を実施するために使用する装置の一
実施例の概略線図。

【図４】本発明による単一のコーティングした銀粒子の
拡大断面図。

【図５】（Ａ）は焼結前の本発明による保護層の構造を
示す、図３の線５Ａ−５Ａに沿って視た図１に示す製品
の拡大断面図。（Ｂ）は焼結後の本発明による保護層の
構造を示す、図３の線５Ｂ−５Ｂに沿って視た図１に示
す製品の拡大断面図。

【符号の説明】

１０　　超伝導ワイヤ１２　　基板１４　　保護層１５　　ワイヤ１６　　セラミック層１８　　銀の層２８　　容器３０　　溶液３２　　銀粒子３４　　スラリ３８　　界面層４０　　電極４２　　電源４８　　巻取りスプール５０　　供給スプール６２　　攪拌機

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】　　銀を基板に電気泳動溶着する方法にお
いて、（ａ）それぞれ界面コーティングを有する複数の
銀粒子を、アルコールを含む所定濃度の溶液中に懸濁さ
せる段階、（ｂ）前記溶液中に前記基板を浸漬させる段
階、（ｃ）前記溶液中に電極を位置させる段階、（ｄ）
前記基板と前記電極との間で電圧を付与し前記基板が前
記溶液を通して引張られるにつれて前記銀粒子を前記基
板上に電気泳動溶着する段階を含む、銀を基板に電気泳
動溶着する方法。
【請求項２】（ａ）前記溶液から前記基板を引き出す段
階、（ｂ）前記基板から前記アルコールを概ね除去する
段階、（ｃ）前記銀を焼結する段階をさらに含む、請求
項１に記載の方法。
【請求項３】　　前記焼結ステップが前記銀を約１分間
約９００℃まで加熱することにより達成される請求項２
に記載の方法。
【請求項４】　　前記基板が銅と酸素を含有する超伝導
セラミックである請求項１に記載の方法。
【請求項５】　　前記アルコールが無水オクタノールで
ある請求項１に記載の方法。
【請求項６】　　前記電圧が約２５ボルトである請求項
１に記載の方法。
【請求項７】　　前記銀粒子の所定濃度が１リットルの
溶液当り前記銀が５０から６００グラムまでの範囲内で
ある請求項１に記載の方法。
【請求項８】　　前記溶液が前記電気泳動の段階の間連
続的に攪拌される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】　　前記界面剤がオレイン酸である請求項
１に記載の方法。
【請求項１０】　　前記銀粒子に対する前記界面剤の重
量パーセントが少なくとも約１．３である請求項１に記
載の方法。
【請求項１１】　　セラミックの超伝導基板に銀コーテ
ィングを溶着する方法において、（ａ）界面剤コーティ
ングを有する銀粒子を含有するアルコール溶液中に前記
基板を配置する段階、（ｂ）前記溶液中に電極を位置さ
せる段階、（ｃ）前記基板と前記電極との間に電圧を付
与し前記銀粒子を前記基板に電気泳動溶着する段階を含
む、セラミックの超伝導基板に銀コーティングを溶着す
る方法。
【請求項１２】　　前記溶液における前記粒子の濃度が
１リットルの溶液当りの銀が５０から６００グラムの範
囲にある請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】　　（ａ）前記溶液から前記基板を引き
出す段階、（ｂ）前記基板から前記アルコールを概ね除
去する段階、（ｃ）前記銀を焼結する段階をさらに含む
請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】　　前記焼結の段階が前記銀を約１分間
約９００℃まで加熱することによって達成される請求項
１３に記載の方法。
【請求項１５】　　前記基板が銅および酸素ベースの超
伝導セラミックを含み、前記アルコールが無水オクタノ
ールであり、前記界面剤がオレイン酸である請求項１１
に記載の方法。
【請求項１６】　　前記電圧が約２５ボルトである請求
項１１に記載の方法。
【請求項１７】　　前記溶液が前記電気泳動の段階の間
連続的に攪拌される請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】　　（ａ）ワイヤの形態の超伝導セラミ
ックをアルコールと、界面コーティングを有する銀粒子
とを含有する無水溶液中に配置させる段階、（ｂ）前記
溶液中に電極を位置させる段階、（ｃ）前記超伝導セラ
ミックと前記電極との間に電圧を付与して前記銀粒子を
前記基板に電気泳動溶着する段階を含む方法により形成
された厚さが概ね均一の連続的に分布された銀コーティ
ングを有する超伝導セラミックワイヤ。
【請求項１９】　　前記コーティングが厚さが約３から
２５ミクロンである請求項１８に記載のワイヤ。
【請求項２０】　　前記界面剤がオレイン酸である請求
項１８に記載のワイヤ。
【請求項２１】　　前記銀粒子に対する前記界面剤の重
量パーセントが少なくとも約１．３である請求項１８に
記載のワイヤ。
【請求項２２】　　無水溶液がオクタノールである請求
項１８に記載のワイヤ。
【請求項２３】　　超伝導セラミックがＲＥＢａ２　Ｃ
ｕ３　Ｏ７−Ｘ　の化学式を有し、ＲＥがランタナム（
Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジミウム（Ｐｒ）
、ネオジミウム（Ｎａ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロ
ピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（
Ｔｂ）、デスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）
、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッタビウ
ム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）およびそれらの混合物
からなる群から選択したイットリウムあるいはランタナ
イド金属である稀土ベースのセラミックである請求項２
２に記載のワイヤ。
【請求項２４】　　アルコールと、各々が界面剤コーテ
ィングを有している銀粒子とを含む非水性溶液を入れる
容器と、前記容器に配置した電極と、前記電極に電気的
に接続され、前記基板に対して前記電極に電圧を付与す
る電圧手段と、前記基板を前記容器を通して引張り前記
銀粒子を前記基板に電気泳動溶着する手段とを含む、セ
ラミックの超伝導ワイヤ基板に銀コーティングを溶着す
る装置。