JPH04263215A - 光変調器制御方法 - Google Patents
光変調器制御方法Info
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- JPH04263215A JPH04263215A JP2423091A JP2423091A JPH04263215A JP H04263215 A JPH04263215 A JP H04263215A JP 2423091 A JP2423091 A JP 2423091A JP 2423091 A JP2423091 A JP 2423091A JP H04263215 A JPH04263215 A JP H04263215A
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- JP
- Japan
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- optical modulator
- optical
- polarized light
- light
- operating point
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0121—Operation of devices; Circuit arrangements, not otherwise provided for in this subclass
- G02F1/0123—Circuits for the control or stabilisation of the bias voltage, e.g. automatic bias control [ABC] feedback loops
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信システムに於け
る光送信部での光変調器の制御方法に関するものである
。
る光送信部での光変調器の制御方法に関するものである
。
【０００２】
【従来の技術】近年、大容量の情報を伝送するための光
通信システムとして、伝送速度がギガビットレンジの光
通信装置が開発されている。このような大容量の光通信
システムに用いる光通信部としては、変調時にもスペク
トル拡がりが小さく、光ファイバの分散の影響を受けず
に長距離伝送が可能となる。リチウムナイオベート（Ｌ
ｉＮｂＯ３ ）を用いたマッハツェンダ型の光変調器が
有望である。しかしながら、リチウムナイオベータを用
いたマッハツェンダ型の光変調器では、変調電圧に対す
る光変調特性の動作点ドリフト（ＤＣドリフト）が存在
するため、実用化に際しては、この動作点の安定化を行
う制御回路が必要となる。この様なマッハツェンダ型の
制御回路としては、変調する電気信号に低周波信号を重
畳させる方法が提案されている（例えば：桑田らによる
“マッハツェンダ型光変調器用自動バイアス制御回路の
検討”１９９０年電子情報通信学会春季全国大会Ｂ−９
７６）この制御方法では、１ＫＨｚの低周波信号を伝送
速度２．５Ｇｂ／ｓの電気信号に重畳して、光信号を変
調して変調された光信号を電気信号に変換して１ＫＨｚ
の低周波信号を取り出して位相検出する事により最適動
作点の制御を行っている。
通信システムとして、伝送速度がギガビットレンジの光
通信装置が開発されている。このような大容量の光通信
システムに用いる光通信部としては、変調時にもスペク
トル拡がりが小さく、光ファイバの分散の影響を受けず
に長距離伝送が可能となる。リチウムナイオベート（Ｌ
ｉＮｂＯ３ ）を用いたマッハツェンダ型の光変調器が
有望である。しかしながら、リチウムナイオベータを用
いたマッハツェンダ型の光変調器では、変調電圧に対す
る光変調特性の動作点ドリフト（ＤＣドリフト）が存在
するため、実用化に際しては、この動作点の安定化を行
う制御回路が必要となる。この様なマッハツェンダ型の
制御回路としては、変調する電気信号に低周波信号を重
畳させる方法が提案されている（例えば：桑田らによる
“マッハツェンダ型光変調器用自動バイアス制御回路の
検討”１９９０年電子情報通信学会春季全国大会Ｂ−９
７６）この制御方法では、１ＫＨｚの低周波信号を伝送
速度２．５Ｇｂ／ｓの電気信号に重畳して、光信号を変
調して変調された光信号を電気信号に変換して１ＫＨｚ
の低周波信号を取り出して位相検出する事により最適動
作点の制御を行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、低周波
信号を変調信号に重畳することによりマッハツェンダ形
の光変調器の動作点制御が可能となる。しかしながら、
上述の方式では低周波信号を重畳されるため変調された
光信号に不要な制御信号が加わり光送信波形の劣化、お
よび波形劣化による受信感度の低下が生じる欠点がある
。
信号を変調信号に重畳することによりマッハツェンダ形
の光変調器の動作点制御が可能となる。しかしながら、
上述の方式では低周波信号を重畳されるため変調された
光信号に不要な制御信号が加わり光送信波形の劣化、お
よび波形劣化による受信感度の低下が生じる欠点がある
。
【０００４】本発明の目的は、制御信号を用いることな
く、光送信波形の劣化の生じることのない、マッハツェ
ンダ形の光変調器の動作点制御法を提供することにある
。
く、光送信波形の劣化の生じることのない、マッハツェ
ンダ形の光変調器の動作点制御法を提供することにある
。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の光変調器制御方
法は光信号の強度変調を行う光変調器と、該光変調器に
光信号を入力する光源と、前記光変調器からの光出力が
入力される偏光分離回路とを含み、該偏光分離回路は、
前記光変調器の基板表面の法線に対して垂直な電界成分
を有するＴＥ偏光と前記ＴＥ偏光に対して偏波面が直交
するＴＭ偏光とに偏光分離を行い、前記分離されたＴＥ
偏光をモニタ光として平均値のパワーを検出する事によ
り該光変調器のバイアス制御を行う事を特徴とする。
法は光信号の強度変調を行う光変調器と、該光変調器に
光信号を入力する光源と、前記光変調器からの光出力が
入力される偏光分離回路とを含み、該偏光分離回路は、
前記光変調器の基板表面の法線に対して垂直な電界成分
を有するＴＥ偏光と前記ＴＥ偏光に対して偏波面が直交
するＴＭ偏光とに偏光分離を行い、前記分離されたＴＥ
偏光をモニタ光として平均値のパワーを検出する事によ
り該光変調器のバイアス制御を行う事を特徴とする。
【０００６】本発明の光変調器制御方法は光変調器と、
該光変調器に対して、基板表面の法線方向に垂直な電界
成分を有するＴＥ偏光で入力する第１の光ビームと、前
記ＴＥ偏光に対して偏波面が直交するＴＭ偏光で入力す
る第２のビームと、前記光変調器からの出力光を前記第
１の光ビームからなるＴＥ偏光と前記第２のビームから
なるＴＭ偏光とに分離する偏光分離回路とを含み、前記
偏光分離された第１のビームからなるＴＥ偏光の平均値
のパワーを検出する事により該光変調器のバイアス制御
を行う事を特徴とする。
該光変調器に対して、基板表面の法線方向に垂直な電界
成分を有するＴＥ偏光で入力する第１の光ビームと、前
記ＴＥ偏光に対して偏波面が直交するＴＭ偏光で入力す
る第２のビームと、前記光変調器からの出力光を前記第
１の光ビームからなるＴＥ偏光と前記第２のビームから
なるＴＭ偏光とに分離する偏光分離回路とを含み、前記
偏光分離された第１のビームからなるＴＥ偏光の平均値
のパワーを検出する事により該光変調器のバイアス制御
を行う事を特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明では、マッハツェンダ形光変調器を通過
したＴＥ偏光成分の平均値検出により動作点の制御を行
う。
したＴＥ偏光成分の平均値検出により動作点の制御を行
う。
【０００８】以下に第３図を用いて本発明の作用を説明
する。
する。
【０００９】第３図（ａ）はマッハツェンダ形光変調器
に於けるＴＭ偏光成分、ＴＥ偏光成分のスイッチング特
性を示す図である。ここでＴＥ偏光は、光変調器の基板
表面の法線に対して電界を有する偏波であり、ＴＭ偏光
はＴＥ偏光に対して偏波が直交する偏波である。
に於けるＴＭ偏光成分、ＴＥ偏光成分のスイッチング特
性を示す図である。ここでＴＥ偏光は、光変調器の基板
表面の法線に対して電界を有する偏波であり、ＴＭ偏光
はＴＥ偏光に対して偏波が直交する偏波である。
【００１０】通常、マッハツェンダ形光変調器のＴＥ偏
光成分の“０”と“１”のスイッチング電圧差Ｖπ
（ＴＥ）は主に強度変調に用いるＴＭ偏光成分のＶπ
（ＴＭ）の約３倍となっており、図３（ｂ）に示した
ＯＶからＶπ （ＴＭ）の印加電圧を信号とした時、
マッハツェンダ光変調器は正常に動作し、その光出力は
図３（ｃ）に示す様になる。
光成分の“０”と“１”のスイッチング電圧差Ｖπ
（ＴＥ）は主に強度変調に用いるＴＭ偏光成分のＶπ
（ＴＭ）の約３倍となっており、図３（ｂ）に示した
ＯＶからＶπ （ＴＭ）の印加電圧を信号とした時、
マッハツェンダ光変調器は正常に動作し、その光出力は
図３（ｃ）に示す様になる。
【００１１】一方、マッハツェンダ形光変調器の動作点
が変化した場合を図３（ｄ）に示す。この場合、光出力
が最大となる点はＯＶでなく、１／４、Ｖπ（ＴＭ）だ
けずれた場合を仮定している。この時、図３（ｅ）に示
す印加電圧を信号とした場合の光出力を図３（ｆ）に示
す。
が変化した場合を図３（ｄ）に示す。この場合、光出力
が最大となる点はＯＶでなく、１／４、Ｖπ（ＴＭ）だ
けずれた場合を仮定している。この時、図３（ｅ）に示
す印加電圧を信号とした場合の光出力を図３（ｆ）に示
す。
【００１２】図３（ｆ）の光出力は、図３（ｃ）の正常
な動作点での光出力に比べ、ＴＭ偏光成分が消偏光比の
劣化した状態となっている。この偏光比の劣化した波形
を調べるためには、伝送速度と同等の帯域を有する光受
信器および高速のピーク検出が必要となるので、ＴＭ偏
光成分からマッハツェンダ形光変調器の動作点をモニタ
するのは困難である。また図３（ｃ）と図３（ｆ）のＴ
Ｍ偏光成分の時間平均パワーは同一となり、ＴＭ偏光成
分の平均パワーから動作点をモニタすることはできない
。
な動作点での光出力に比べ、ＴＭ偏光成分が消偏光比の
劣化した状態となっている。この偏光比の劣化した波形
を調べるためには、伝送速度と同等の帯域を有する光受
信器および高速のピーク検出が必要となるので、ＴＭ偏
光成分からマッハツェンダ形光変調器の動作点をモニタ
するのは困難である。また図３（ｃ）と図３（ｆ）のＴ
Ｍ偏光成分の時間平均パワーは同一となり、ＴＭ偏光成
分の平均パワーから動作点をモニタすることはできない
。
【００１３】一方、マッハツェンダ形光変調器の光出力
のＴＥ偏光成分に注目すると、図３（ｆ）のＴＥ偏光成
分の時間平均パワーは図３（ｃ）の平均パワーに比べて
増加している。また、マッハツェンダ光変調器の動作点
が図３（ｄ）に示す状態と反対に位置した場合には、Ｔ
Ｅ偏波の平均パワーは図３（ｃ）のＴＥ偏波の平均パワ
ーに比べ、さらに減少することになる。
のＴＥ偏光成分に注目すると、図３（ｆ）のＴＥ偏光成
分の時間平均パワーは図３（ｃ）の平均パワーに比べて
増加している。また、マッハツェンダ光変調器の動作点
が図３（ｄ）に示す状態と反対に位置した場合には、Ｔ
Ｅ偏波の平均パワーは図３（ｃ）のＴＥ偏波の平均パワ
ーに比べ、さらに減少することになる。
【００１４】従って、ＴＥ偏波の時間平均パワーを検出
すればマッハツェンダ形光変調器の動作点が分かるので
、信号の印加電圧にバイアスを加えて（図３（ｅ）最適
値バイアスの印加電圧）、常にＴＥ偏波の時間平均パワ
ーが一定になる様にすれば、マッハツェンダ形光変調器
を良好な動作点で制御できる。
すればマッハツェンダ形光変調器の動作点が分かるので
、信号の印加電圧にバイアスを加えて（図３（ｅ）最適
値バイアスの印加電圧）、常にＴＥ偏波の時間平均パワ
ーが一定になる様にすれば、マッハツェンダ形光変調器
を良好な動作点で制御できる。
【００１５】
【実施例】以下、実施例を示して本発明を詳しく説明す
る。
る。
【００１６】図１に本発明の実施例でなる光変調器の制
御等を示す。
御等を示す。
【００１７】本実施例では、半導体レーザ１からの第１
の出力光２をＴＭ偏光成分とＴＥ偏光成分を有する偏光
状態としてマッハツェンダ形の光変調器３に入力してい
る。ここで光変調器３を通過した第２の出力光４は変調
信号入力１１より入力した変調信号により強度変調され
た光信号となっている。この第２の出力光４を偏光分離
回路５により、ＴＭ偏光成分である第３の出力光６とＴ
Ｅ偏光成分である第４の出力光７とに分離する。第３の
出力光６は送信信号光として用い、第４の出力光７はマ
ッハツェンダ形の光変調器３の動作点モニタとして使用
する。ＴＥ偏光成分である第４の出力光７の平均パワー
は、光変調器３の動作点がずれるに従い増減するので、
この光の平均値検出により光変調器３に印加する印加電
圧のバイアス制御が可能となる。
の出力光２をＴＭ偏光成分とＴＥ偏光成分を有する偏光
状態としてマッハツェンダ形の光変調器３に入力してい
る。ここで光変調器３を通過した第２の出力光４は変調
信号入力１１より入力した変調信号により強度変調され
た光信号となっている。この第２の出力光４を偏光分離
回路５により、ＴＭ偏光成分である第３の出力光６とＴ
Ｅ偏光成分である第４の出力光７とに分離する。第３の
出力光６は送信信号光として用い、第４の出力光７はマ
ッハツェンダ形の光変調器３の動作点モニタとして使用
する。ＴＥ偏光成分である第４の出力光７の平均パワー
は、光変調器３の動作点がずれるに従い増減するので、
この光の平均値検出により光変調器３に印加する印加電
圧のバイアス制御が可能となる。
【００１８】本実施例では、第４の出力光７を光検出器
８で受光し、アンプ１７、ローパスフィルタ１８で平均
値パワーとした後、最適バイアス点となる様に調整され
たリファレンス電圧をリファレンス端子１０に入力した
差動形のアンプ９により、誤差信号をとり出し、その信
号をバイアス回路１２に入力している。
８で受光し、アンプ１７、ローパスフィルタ１８で平均
値パワーとした後、最適バイアス点となる様に調整され
たリファレンス電圧をリファレンス端子１０に入力した
差動形のアンプ９により、誤差信号をとり出し、その信
号をバイアス回路１２に入力している。
【００１９】以上の構成により伝送速度１０Ｇｂ／ｓで
光変調器３を駆動し、バイアス制御の様子を調べた。こ
こで使用した光変調器３はリチウムナイオベート基板を
用いたマッハツェンダ形のものであり、スイッチング電
圧Ｖπ （ＴＭ）は４Ｖであった。
光変調器３を駆動し、バイアス制御の様子を調べた。こ
こで使用した光変調器３はリチウムナイオベート基板を
用いたマッハツェンダ形のものであり、スイッチング電
圧Ｖπ （ＴＭ）は４Ｖであった。
【００２０】まず、本実施例の制御系を外して、光変調
器３のみで動作させた。その結果、１０時間経過後には
、温度変化、焦電圧効果等により印加電圧のバイアス点
が最適点から１Ｖ程度ずれ光変調波形に劣化が起きた。
器３のみで動作させた。その結果、１０時間経過後には
、温度変化、焦電圧効果等により印加電圧のバイアス点
が最適点から１Ｖ程度ずれ光変調波形に劣化が起きた。
【００２１】一方、本発明による制御系を用いた場合に
は、動作点バイアスが制御されるため、光変調器は長時
間に旦って最適な動作点で駆動され、波形劣化、消光比
劣化の無い良好な光変調波形を得た。
は、動作点バイアスが制御されるため、光変調器は長時
間に旦って最適な動作点で駆動され、波形劣化、消光比
劣化の無い良好な光変調波形を得た。
【００２２】本発明の他の実施例である光変調器の制御
系を図２に示す。
系を図２に示す。
【００２３】本実施例では、光変調器３からの光出力を
増加させるため２個の半導体レーザ１，１３を用い、第
１の半導体レーザ１は送信信号用、第２の半導体レーザ
１３は光変調器３の動作点モニタ用として用いている。
増加させるため２個の半導体レーザ１，１３を用い、第
１の半導体レーザ１は送信信号用、第２の半導体レーザ
１３は光変調器３の動作点モニタ用として用いている。
【００２４】図２では、第１の半導体レーザ１からの出
力光２はＴＭ偏光となる様にし、第１の偏波分離回路５
を介してマッハツェンダ形の光変調器３に入力している
。このＴＭ偏光の出力光２は光変調器３で強度変調され
た後、第２の偏波分離回路１４を介して光送信用の出力
光６となる。
力光２はＴＭ偏光となる様にし、第１の偏波分離回路５
を介してマッハツェンダ形の光変調器３に入力している
。このＴＭ偏光の出力光２は光変調器３で強度変調され
た後、第２の偏波分離回路１４を介して光送信用の出力
光６となる。
【００２５】一方、第２の半導体レーザ１３からの出力
光１５はＴＥ偏光となる様に調整して第２の偏光分離回
路１２を介して光変調器３に入力する。光変調器３でこ
のＴＥ偏光成分は強度変調され、第１の偏光分離回路５
を介して出力光７として光検出器８に入力している。
光１５はＴＥ偏光となる様に調整して第２の偏光分離回
路１２を介して光変調器３に入力する。光変調器３でこ
のＴＥ偏光成分は強度変調され、第１の偏光分離回路５
を介して出力光７として光検出器８に入力している。
【００２６】本実施例の制御系では、第２の半導体レー
ザ１３からの裏面出力光をモニタして、動作点安定用の
リファレンス電圧として差動形のアンプ９に入力させて
いる。 この構成を用いる事により、第２の半導体レ
ーザ１３の出力パワーが変動した場合でも、安定して光
変調器３への動作点制御が行なえる。
ザ１３からの裏面出力光をモニタして、動作点安定用の
リファレンス電圧として差動形のアンプ９に入力させて
いる。 この構成を用いる事により、第２の半導体レ
ーザ１３の出力パワーが変動した場合でも、安定して光
変調器３への動作点制御が行なえる。
【００２７】実際に本実施例に於いて、光変調器３の駆
動制御を行なった。リチウムナイオベートを用いたマッ
ハツェンダ形の光変調器３は伝送速度２．５Ｇｂ／ｓで
駆動し、長時間に於いて動作点が変動する事なく、良好
な特性を確認した。
動制御を行なった。リチウムナイオベートを用いたマッ
ハツェンダ形の光変調器３は伝送速度２．５Ｇｂ／ｓで
駆動し、長時間に於いて動作点が変動する事なく、良好
な特性を確認した。
【００２８】また、本実施例ではモニタ光の出力光７は
送信信号となる出力光６に比べて逆方向に伝搬するため
、送信信号である出力光６に混入しない。そのため、送
信信号の出力光６の波形は良好な消光比が実現できる。 本実施例では２０：１の消光比が確認され、また、図１
の１個の半導体レーザ１を用いた制御系に比べ、送信信
号の出力光６のパワーを２ｄＢ程度増加させることもで
きた。
送信信号となる出力光６に比べて逆方向に伝搬するため
、送信信号である出力光６に混入しない。そのため、送
信信号の出力光６の波形は良好な消光比が実現できる。 本実施例では２０：１の消光比が確認され、また、図１
の１個の半導体レーザ１を用いた制御系に比べ、送信信
号の出力光６のパワーを２ｄＢ程度増加させることもで
きた。
【００２９】以上の実施例では第２の半導体レーザ２か
らの光出力７の光路を、第１の半導体レーザ１からの光
出力６と逆方向にとる場合を示したが、図２の第２の半
導体レーザ２と光検出器８の位置を入れ換えて、第１の
半導体レーザ１と第２の半導体レーザ２からの出力光の
光路を同じ方向にしても良い。また、図２の構成に於い
て２つの偏光分離回路５，１４を使用したが、いずれか
一方を偏光特性を有しない光カップラを用いてもよい。 また、光変調器は半導体基板で構成したものでも良く、
さらにマッハツェンダ形に限らず方向性結合器形のもの
であってもよい。
らの光出力７の光路を、第１の半導体レーザ１からの光
出力６と逆方向にとる場合を示したが、図２の第２の半
導体レーザ２と光検出器８の位置を入れ換えて、第１の
半導体レーザ１と第２の半導体レーザ２からの出力光の
光路を同じ方向にしても良い。また、図２の構成に於い
て２つの偏光分離回路５，１４を使用したが、いずれか
一方を偏光特性を有しない光カップラを用いてもよい。 また、光変調器は半導体基板で構成したものでも良く、
さらにマッハツェンダ形に限らず方向性結合器形のもの
であってもよい。
【００３０】
【発明の効果】以上、説明した様に、本発明によれば、
マッハツェンダ形の光変調器に余分な変調信号をかける
必要が無いため、波形劣化の無い良好な光送信信号を得
ることができ、しかも確実に光変調器駆動時の動作点制
御が行なえる。
マッハツェンダ形の光変調器に余分な変調信号をかける
必要が無いため、波形劣化の無い良好な光送信信号を得
ることができ、しかも確実に光変調器駆動時の動作点制
御が行なえる。
【図１】本発明の実施例である光変調器の制御系の構成
図である。
図である。
【図２】本発明の他の実施例である光変調器の制御系の
構成図である。
構成図である。
【図３】本発明の作用を説明するための図である。
１ 半導体レーザ
２ 出力光
３ 光変調器
４ 出力光
５ 偏光分離回路
６ 出力光
７ 出力光
８ 光検出器
９ アンプ
１０ 変調信号入力
１１ 変調信号入力
１２ バイアス回路
１３ 半導体レーザ
１４ 偏光分離回路
１５ 出力光
１６ 光検出器
１７ アンプ
１８ ローパスフィルタ
Claims (2)
- 【請求項１】 光信号の強度変調を行う光変調器と、
該光変調器に光信号を入力する光源と、前記光変調器か
らの光出力が入力される偏光分離回路とを含み、該偏光
分離回路は、前記光変調器の基板表面の法線に対して垂
直な電界成分を有するＴＥ偏光と前記ＴＥ偏光に対して
偏波面が直交するＴＭ偏光とに偏光分離を行い、前記分
離されたＴＥ偏光をモニタ光として平均値のパワーを検
出する事により該光変調器のバイアス制御を行う事を特
徴とする光変調器制御方法。 - 【請求項２】 光変調器と、該光変調器に対して、基
板表面の法線方向に垂直な電界成分を有するＴＥ偏光で
入力する第１の光ビームと、前記ＴＥ偏光に対して偏波
面が直交するＴＭ偏光で入力する第２のビームと、前記
光変調器からの出力光を前記第１の光ビームからなるＴ
Ｅ偏光と前記第２のビームからなるＴＭ偏光とに分離す
る偏光分離回路とを含み、前記偏光分離された第１のビ
ームからなるＴＥ偏光の平均値のパワーを検出する事に
より該光変調器のバイアス制御を行う事を特徴とする光
変調器制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2423091A JPH04263215A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 光変調器制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2423091A JPH04263215A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 光変調器制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04263215A true JPH04263215A (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=12132460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2423091A Pending JPH04263215A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 光変調器制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04263215A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1736749A1 (en) * | 2005-06-22 | 2006-12-27 | Fujitsu Limited | Light intensity measurement system |
| JP2016004238A (ja) * | 2014-06-19 | 2016-01-12 | 株式会社フジクラ | 基板型光導波路素子 |
Citations (1)
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