JPH04263427A - レジスト膜の表面処理方法 - Google Patents
レジスト膜の表面処理方法Info
- Publication number
- JPH04263427A JPH04263427A JP3024251A JP2425191A JPH04263427A JP H04263427 A JPH04263427 A JP H04263427A JP 3024251 A JP3024251 A JP 3024251A JP 2425191 A JP2425191 A JP 2425191A JP H04263427 A JPH04263427 A JP H04263427A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist film
- plasma
- resist
- mask
- etching
- Prior art date
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレジスト膜の表面処理方
法、特にマスク、レチクル等の製造工程においてウェッ
トエッチングのマスクに用いるレジスト膜の表面処理方
法に関する。
法、特にマスク、レチクル等の製造工程においてウェッ
トエッチングのマスクに用いるレジスト膜の表面処理方
法に関する。
【０００２】ウェットエッチング工程において、マスク
に用いるレジスト表面のエッチング液に対する濡れ性が
悪いと、■ エッチング液が微細パターン内に入り込
めないために、微細パターンのエッチングが規定通り行
われない。
に用いるレジスト表面のエッチング液に対する濡れ性が
悪いと、■ エッチング液が微細パターン内に入り込
めないために、微細パターンのエッチングが規定通り行
われない。
【０００３】■ スピン或いはスプレイ法によるエッ
チングにおいて、エッチング液とレジスト膜の界面にそ
れらの摩擦による静電気が発生し、その静電気の基板面
に向かう放電によりレジスト膜にピンホールができ、エ
ッチングパターンに欠陥を発生させる。等の障害が起こ
る。
チングにおいて、エッチング液とレジスト膜の界面にそ
れらの摩擦による静電気が発生し、その静電気の基板面
に向かう放電によりレジスト膜にピンホールができ、エ
ッチングパターンに欠陥を発生させる。等の障害が起こ
る。
【０００４】そこでウェットエッチングのマスクに用い
るレジスト膜においては、表面を親水性に改質し、エッ
チング液に対する濡れ性を向上させることが必要である
。
るレジスト膜においては、表面を親水性に改質し、エッ
チング液に対する濡れ性を向上させることが必要である
。
【０００５】
【従来の技術】従来のマスク或いはレチクルの製造工程
においては、エッチングマスクに用いられるポジ型電子
ビーム（ＥＢ）レジスト膜の表面を親水性に改質してエ
ッチング液に対する濡れ性を向上させるために、次のよ
うな方法が用いられていた。
においては、エッチングマスクに用いられるポジ型電子
ビーム（ＥＢ）レジスト膜の表面を親水性に改質してエ
ッチング液に対する濡れ性を向上させるために、次のよ
うな方法が用いられていた。
【０００６】即ち、ＥＢ描画露光、現像を行ってレジス
ト膜をマスクパターンの形状にパターニングした後に、
■ レジスト膜の表面に遠紫外光を短時間照射する。
ト膜をマスクパターンの形状にパターニングした後に、
■ レジスト膜の表面に遠紫外光を短時間照射する。
【０００７】■ 通常のプラズマエッチング装置を用
い、酸素（Ｏ２）を反応ガスとして発生させたＯ２プラ
ズマ中において、プラズマ中で生成するオゾン（Ｏ３）
にレジスト表面を曝す。等の方法である。
い、酸素（Ｏ２）を反応ガスとして発生させたＯ２プラ
ズマ中において、プラズマ中で生成するオゾン（Ｏ３）
にレジスト表面を曝す。等の方法である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記■
の遠紫外光で表面改質を行う方法においては、ポジ型Ｅ
Ｂレジストが遠紫外光に感光して低分子化してその剛性
を低下させ、以後の工程においてレジストの流動を生ず
るために、上記ポジ型ＥＢレジストによるマスクパター
ンが変形したり剥離したりして、エッチングの精度や信
頼性が損なわれるという問題が生ずる。
の遠紫外光で表面改質を行う方法においては、ポジ型Ｅ
Ｂレジストが遠紫外光に感光して低分子化してその剛性
を低下させ、以後の工程においてレジストの流動を生ず
るために、上記ポジ型ＥＢレジストによるマスクパター
ンが変形したり剥離したりして、エッチングの精度や信
頼性が損なわれるという問題が生ずる。
【０００９】また、■の方法においても、ドライエッチ
ング装置がバレル型、平行平板型等の通常のプラズマエ
ッチング装置の場合、チャンバ内に紫外領域の光（２０
０〜８００ ｎｍ） が発生するのでこの紫外光により
レジスト膜が感光し、これによってレジストが低分子化
して上記■の場合と同様の問題を生ずる。
ング装置がバレル型、平行平板型等の通常のプラズマエ
ッチング装置の場合、チャンバ内に紫外領域の光（２０
０〜８００ ｎｍ） が発生するのでこの紫外光により
レジスト膜が感光し、これによってレジストが低分子化
して上記■の場合と同様の問題を生ずる。
【００１０】このレジストの低分子化を避けるためには
、大気中の高圧放電等による多量の紫外光の発生を伴わ
ない手段により発生させたオゾン（Ｏ３）によりレジス
トの表面処理を行う方法もあるが、この方法ではオゾン
（Ｏ３）の発生効率が非常に悪いために十分な改質がで
きなかった。
、大気中の高圧放電等による多量の紫外光の発生を伴わ
ない手段により発生させたオゾン（Ｏ３）によりレジス
トの表面処理を行う方法もあるが、この方法ではオゾン
（Ｏ３）の発生効率が非常に悪いために十分な改質がで
きなかった。
【００１１】そこで本発明は、紫外光、遠紫外光による
低分子化による弱体化を伴わず、しかも親水性を有しエ
ッチング液に対する濡れ性の良い改質層を表面部に容易
に形成することが可能なレジスト膜の表面処理方法を提
供し、レジスト膜をマスクに用いてウェットエッチング
を行う際のエッチングパターンの精度及び信頼性を向上
させることを目的とする。
低分子化による弱体化を伴わず、しかも親水性を有しエ
ッチング液に対する濡れ性の良い改質層を表面部に容易
に形成することが可能なレジスト膜の表面処理方法を提
供し、レジスト膜をマスクに用いてウェットエッチング
を行う際のエッチングパターンの精度及び信頼性を向上
させることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題は、レジスト膜
をウェットエッチングのマスクに用いるに際し、放電室
分離型ドライエッチング装置を用い、酸素のプラズマ放
電により生成せしめたオゾンを、プラズマ及びプラズマ
により発生する紫外光及び遠紫外光を遮断した場所で該
レジスト膜の表面に接触させ、該レジスト膜の表面を親
水性を持ちエッチング液に対し濡れ性を有する面に改質
させる本発明によるレジスト膜の表面処理方法によって
解決される。
をウェットエッチングのマスクに用いるに際し、放電室
分離型ドライエッチング装置を用い、酸素のプラズマ放
電により生成せしめたオゾンを、プラズマ及びプラズマ
により発生する紫外光及び遠紫外光を遮断した場所で該
レジスト膜の表面に接触させ、該レジスト膜の表面を親
水性を持ちエッチング液に対し濡れ性を有する面に改質
させる本発明によるレジスト膜の表面処理方法によって
解決される。
【００１３】
【作用】即ち本発明に係るレジスト膜の表面処理方法に
おいては、放電室分離型（ダウンフロー型）のドライエ
ッチング装置を用い酸素（Ｏ２）プラズマ中で発生した
高濃度のオゾン（Ｏ３）のダウンフローにレジスト膜の
表面を接触させることによりレジストの表面部を酸化し
、レジスト表面が水に触れた際レジスト表面に〔−ＯＨ
〕基が容易に形成されるようにして、レジスト表面の親
水性を向上せしめる。
おいては、放電室分離型（ダウンフロー型）のドライエ
ッチング装置を用い酸素（Ｏ２）プラズマ中で発生した
高濃度のオゾン（Ｏ３）のダウンフローにレジスト膜の
表面を接触させることによりレジストの表面部を酸化し
、レジスト表面が水に触れた際レジスト表面に〔−ＯＨ
〕基が容易に形成されるようにして、レジスト表面の親
水性を向上せしめる。
【００１４】またその際、プラズマのみならず、プラズ
マ中で発生した紫外光、遠紫外光がレジスト膜表面に到
達しないように完全に遮断し、上記紫外光、遠紫外光に
よるレジストの低分子化を防止してレジスト膜の剛性を
処理前の状態に維持する。
マ中で発生した紫外光、遠紫外光がレジスト膜表面に到
達しないように完全に遮断し、上記紫外光、遠紫外光に
よるレジストの低分子化を防止してレジスト膜の剛性を
処理前の状態に維持する。
【００１５】これらにより、レジスト膜がエッチング耐
性を初期の状態に維持した儘でウェットエッチング液に
対する濡れ性が向上するので、レジスト膜をマスクに用
いるウェットエッチングにおけるパターニングの精度及
び信頼性が向上する。
性を初期の状態に維持した儘でウェットエッチング液に
対する濡れ性が向上するので、レジスト膜をマスクに用
いるウェットエッチングにおけるパターニングの精度及
び信頼性が向上する。
【００１６】
【実施例】以下本発明の方法を、マイクロ（μ）波によ
るダウンフロー型ドライエッチング装置を用いた一実施
例について、図１を参照し具体的に説明する。
るダウンフロー型ドライエッチング装置を用いた一実施
例について、図１を参照し具体的に説明する。
【００１７】図１はダウンフロー型ドライエッチング装
置の一例を示す模式断面図で、図中、１はμ波導波管、
２は例えば石英よりなるμ波透過窓、３はプラズマ発生
室、４は反応ガス供給口、５及び６はガス流通孔７の位
置を相互にずらして配置してプラズマ及び紫外光、遠紫
外光を遮断する第１及び第２のパンチングボード、８は
ガス流通孔７を有するパンチングボードで構成されるシ
ャワーヘッド、９はエッチングチャンバ、１０は真空排
気口、１１は基板ステージ、１２は冷媒流通管、１３は
冷媒温度制御装置、１４はレチクルブランクス、１５は
ＥＢ描画露光、現像によりマスクパターン形状にパター
ニングされた厚さ５０００Å程度のポジ型ＥＢレジスト
膜１４を示す。
置の一例を示す模式断面図で、図中、１はμ波導波管、
２は例えば石英よりなるμ波透過窓、３はプラズマ発生
室、４は反応ガス供給口、５及び６はガス流通孔７の位
置を相互にずらして配置してプラズマ及び紫外光、遠紫
外光を遮断する第１及び第２のパンチングボード、８は
ガス流通孔７を有するパンチングボードで構成されるシ
ャワーヘッド、９はエッチングチャンバ、１０は真空排
気口、１１は基板ステージ、１２は冷媒流通管、１３は
冷媒温度制御装置、１４はレチクルブランクス、１５は
ＥＢ描画露光、現像によりマスクパターン形状にパター
ニングされた厚さ５０００Å程度のポジ型ＥＢレジスト
膜１４を示す。
【００１８】以下に述べる実施例においては、例えば図
１に示すようなダウンフロー型ドライエッチング装置を
用い、反応ガス供給口４から酸素（Ｏ２）を流入し、導
波管１及びμ波透過窓２を介して導入したμ波によりプ
ラズマ発生室３内に酸素プラズマを発生させ、このプラ
ズマによる励起により生成したオゾン（Ｏ３）を、ガス
流通孔７の位置を相互にずらしている第１、第２のパン
チングボード５及び６によりプラズマ及びプラズマ発光
によって発生する紫外光及び遠紫外光を遮断しながらパ
ンチングボード６で構成されるシャワーヘッド８を介し
てエッチングチャンバ９内に導入し、このオゾン（Ｏ３
）を真空排気口１０からの排気によってエッチングチャ
ンバ９内に形成されるプラズマ室３側から基板ステージ
１１側に向かうガスの流れに沿ってレチクルブランクス
１３上に流下させ、レチクルブランクス１４上のマスク
パターン形状にパターニングされたポジ型ＥＢレジスト
膜１５の表面に接触せしめ、このレジスト膜１５の表面
に厚さ１００ Å以下程度の親水性を有する改質層を形
成せしめる。なお、反応速度を余り速めないためにレチ
クルブランクス１４の温度は、基板ステージ１１に冷媒
を循環させて室温以下の低温に保つことが望ましい。
１に示すようなダウンフロー型ドライエッチング装置を
用い、反応ガス供給口４から酸素（Ｏ２）を流入し、導
波管１及びμ波透過窓２を介して導入したμ波によりプ
ラズマ発生室３内に酸素プラズマを発生させ、このプラ
ズマによる励起により生成したオゾン（Ｏ３）を、ガス
流通孔７の位置を相互にずらしている第１、第２のパン
チングボード５及び６によりプラズマ及びプラズマ発光
によって発生する紫外光及び遠紫外光を遮断しながらパ
ンチングボード６で構成されるシャワーヘッド８を介し
てエッチングチャンバ９内に導入し、このオゾン（Ｏ３
）を真空排気口１０からの排気によってエッチングチャ
ンバ９内に形成されるプラズマ室３側から基板ステージ
１１側に向かうガスの流れに沿ってレチクルブランクス
１３上に流下させ、レチクルブランクス１４上のマスク
パターン形状にパターニングされたポジ型ＥＢレジスト
膜１５の表面に接触せしめ、このレジスト膜１５の表面
に厚さ１００ Å以下程度の親水性を有する改質層を形
成せしめる。なお、反応速度を余り速めないためにレチ
クルブランクス１４の温度は、基板ステージ１１に冷媒
を循環させて室温以下の低温に保つことが望ましい。
【００１９】この実施例における処理条件は、例えば下
記の通りである。 酸素流量 約１０００
ＳＣＣＭμ波出力
１ ＫＷ処理圧力
１ Ｔｏｒｒ処理温度
１０〜２５ ℃処理時間
１０〜６０ ｓｅｃ 上記実施例に従っ
て表面の改質処理を行った上記厚さ５０００Å程度のポ
ジ型ＥＢレジスト膜１５は表面に厚さ１００ Å程度以
下で形成される親水性を有する改質層により十分なエッ
チング液に対する濡れ性を有しており、サブミクロン幅
の開口内にも完全にエッチング液を進入させることがで
き、またスピン或いはスプレー法でエッチングを行って
もレジストとエッチング液の界面に静電気が発生するこ
とはなくレジスト膜１５にピンホールを生じない。
記の通りである。 酸素流量 約１０００
ＳＣＣＭμ波出力
１ ＫＷ処理圧力
１ Ｔｏｒｒ処理温度
１０〜２５ ℃処理時間
１０〜６０ ｓｅｃ 上記実施例に従っ
て表面の改質処理を行った上記厚さ５０００Å程度のポ
ジ型ＥＢレジスト膜１５は表面に厚さ１００ Å程度以
下で形成される親水性を有する改質層により十分なエッ
チング液に対する濡れ性を有しており、サブミクロン幅
の開口内にも完全にエッチング液を進入させることがで
き、またスピン或いはスプレー法でエッチングを行って
もレジストとエッチング液の界面に静電気が発生するこ
とはなくレジスト膜１５にピンホールを生じない。
【００２０】従って上記レジスト膜１５をマスクにし、
例えば硝酸セリウムアンモン水溶液よりなるエッチング
液を用い、スピン或いはスプレー法でレチクルブランク
ス１４上の厚さ１０００Å程度のクロム（Ｃｒ）膜をパ
ターニングして形成したレチクルのマスクパターンに変
形や欠陥が生ぜずパターン精度及び歩留りが向上した。
例えば硝酸セリウムアンモン水溶液よりなるエッチング
液を用い、スピン或いはスプレー法でレチクルブランク
ス１４上の厚さ１０００Å程度のクロム（Ｃｒ）膜をパ
ターニングして形成したレチクルのマスクパターンに変
形や欠陥が生ぜずパターン精度及び歩留りが向上した。
【００２１】
【発明の効果】以上説明のように本発明によれば表面に
親水性を有する改質層を形成してレジスト膜のエッチン
グ液に対する濡れ性を十分に高めることができるので、
本発明は遮光膜のパターニングをウェットエッチングで
行うマスクやレチクルの製造ににおいて、パターン精度
の向上、歩留りの向上に寄与するところが大きい。
親水性を有する改質層を形成してレジスト膜のエッチン
グ液に対する濡れ性を十分に高めることができるので、
本発明は遮光膜のパターニングをウェットエッチングで
行うマスクやレチクルの製造ににおいて、パターン精度
の向上、歩留りの向上に寄与するところが大きい。
【図１】 ダウンフロー型ドライエッチング装置の一
例を示す模式断面図
例を示す模式断面図
１ μ波導波管
２ μ波透過窓
３ プラズマ発生室
４ 反応ガス供給口
５ 第１のパンチングボード
６ 第２のパンチングボード
７ ガス流通孔
８ シャワーヘッド
９ エッチングチャンバ
１０ 真空排気口
１１ 基板ステージ
１２ 冷媒流通管
１３ 冷媒温度制御装置
１４ レチクルブランクス
１５ ポジ型ＥＢレジスト膜
Claims (1)
- 【請求項１】 レジスト膜をウェットエッチングのマ
スクに用いるに際し、放電室分離型ドライエッチング装
置を用い、酸素のプラズマ放電により生成せしめたオゾ
ンを、プラズマ及びプラズマにより発生する紫外光及び
遠紫外光を遮断した場所で該レジスト膜の表面に接触さ
せ、該レジスト膜の表面を、親水性を持ちエッチング液
に対し濡れ性を有する面に改質させることを特徴とする
レジスト膜の表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3024251A JPH04263427A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | レジスト膜の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3024251A JPH04263427A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | レジスト膜の表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04263427A true JPH04263427A (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=12133030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3024251A Withdrawn JPH04263427A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | レジスト膜の表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04263427A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006324400A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Shimadzu Corp | シャワーヘッドおよび表面波励起プラズマ処理装置 |
| CN115747802A (zh) * | 2022-06-16 | 2023-03-07 | 广州医科大学 | 一种复合化学蚀刻加工装置及加工方法 |
-
1991
- 1991-02-19 JP JP3024251A patent/JPH04263427A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006324400A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Shimadzu Corp | シャワーヘッドおよび表面波励起プラズマ処理装置 |
| CN115747802A (zh) * | 2022-06-16 | 2023-03-07 | 广州医科大学 | 一种复合化学蚀刻加工装置及加工方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |