JPS6227384B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6227384B2 JPS6227384B2 JP57052070A JP5207082A JPS6227384B2 JP S6227384 B2 JPS6227384 B2 JP S6227384B2 JP 57052070 A JP57052070 A JP 57052070A JP 5207082 A JP5207082 A JP 5207082A JP S6227384 B2 JPS6227384 B2 JP S6227384B2
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- JP
- Japan
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- etching
- film
- chromium
- tungsten
- gas
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は半導体装置の製造に用いるフオトマス
クの製造方法に係り、特に金属皮膜のエツチング
制御方法に関する。
クの製造方法に係り、特に金属皮膜のエツチング
制御方法に関する。
(2) 技術の背景
最近、半導体装置、特に大規模集積回路におい
ては、高密度集積化が進むにつれて、その半導体
基板もしくはフオトマスクに微細パターンの被膜
を作成する必要が増大している。
ては、高密度集積化が進むにつれて、その半導体
基板もしくはフオトマスクに微細パターンの被膜
を作成する必要が増大している。
このフオトマスクにはエマルジヨンマスク、ク
ロムマスク、酸化鉄マスク、酸化クロムマスク等
があるが、エマルジヨンマスクと共に広く用いら
れているマスクにクロムマスクがある。このクロ
ムマスクはまずガラス基板上に真空蒸着法あるい
はスパツクリング法によつて全面にクロムを被着
させ、大規模集積回路等のパターンを描く時に
は、フオトレジストを被着させ、所望のパターン
を適当な露光装置により露光させたのち、フオト
レジストを現像して、形成されたパターンのうち
から、フオトレジストにて被覆されてない部分の
クロムをエツチングしたうえで、前記現像によつ
て溶解しなかつたフオトレジストを剥離して、所
定のフオトマスクを得る方法で、従来より一般的
に広く用いられている方法である。
ロムマスク、酸化鉄マスク、酸化クロムマスク等
があるが、エマルジヨンマスクと共に広く用いら
れているマスクにクロムマスクがある。このクロ
ムマスクはまずガラス基板上に真空蒸着法あるい
はスパツクリング法によつて全面にクロムを被着
させ、大規模集積回路等のパターンを描く時に
は、フオトレジストを被着させ、所望のパターン
を適当な露光装置により露光させたのち、フオト
レジストを現像して、形成されたパターンのうち
から、フオトレジストにて被覆されてない部分の
クロムをエツチングしたうえで、前記現像によつ
て溶解しなかつたフオトレジストを剥離して、所
定のフオトマスクを得る方法で、従来より一般的
に広く用いられている方法である。
(3) 従来技術と問題点
こゝで前記のクロムのパターンを形成するため
のエツチングする方法として従来より化学的エツ
チング液によるウエツトエツチング、例えば硝酸
第２セリウムアンモンと過塩素酸と水との混合液
によるものとこれとは別に、最近盛んに用いられ
る様になつたガスプラズマ等によるドライエツチ
ングの２種類がある。ここで前記のクロムをエツ
チングするためには化学的エツチング液による方
法とガスプラズマによる方法のどちらでも可能で
あるが、化学的エツチング液による方法では、エ
ツチング速度が大きい利点をもつがエツチング後
のクロムのパターンの画質および寸法精度が余り
良好でない点が欠点である。またガスプラズマに
よる方法は、これとは反対にエツチング速度が小
さい反面、形成されるパターンの画質および寸法
精度が極めて良好である。ここで問題となるアン
ダーカツトについては、化学的エツチング液によ
る方法ほど制御困難ではないがパターンの高密度
集積化が進むにつれ、ガスプラズマによる方法で
もサブミクロンのアンダーカツトの発生があり、
通常0.3μ程度のアンダーカツトは避け難く高密
度化の支障となりつつあるのが実情である。この
様な工程においてクロム膜をガスプラズマにより
エツチングする方法として具体的に一例をあげて
形状について説明すると、たとえばガスプラズマ
エツチングはプラズマ化するガスとして四塩化炭
素とアルゴンなどの希ガスの混合物を用い、この
ガス圧を約0.3Torrにし、約250W程度の高周波電
力を用いてガスプラズマ化してエツチングする
が、前述して如くエツチング速度が遅いため第１
図ａに示す如く適正でシヤープな端面のエツチン
グが得られにくい。
のエツチングする方法として従来より化学的エツ
チング液によるウエツトエツチング、例えば硝酸
第２セリウムアンモンと過塩素酸と水との混合液
によるものとこれとは別に、最近盛んに用いられ
る様になつたガスプラズマ等によるドライエツチ
ングの２種類がある。ここで前記のクロムをエツ
チングするためには化学的エツチング液による方
法とガスプラズマによる方法のどちらでも可能で
あるが、化学的エツチング液による方法では、エ
ツチング速度が大きい利点をもつがエツチング後
のクロムのパターンの画質および寸法精度が余り
良好でない点が欠点である。またガスプラズマに
よる方法は、これとは反対にエツチング速度が小
さい反面、形成されるパターンの画質および寸法
精度が極めて良好である。ここで問題となるアン
ダーカツトについては、化学的エツチング液によ
る方法ほど制御困難ではないがパターンの高密度
集積化が進むにつれ、ガスプラズマによる方法で
もサブミクロンのアンダーカツトの発生があり、
通常0.3μ程度のアンダーカツトは避け難く高密
度化の支障となりつつあるのが実情である。この
様な工程においてクロム膜をガスプラズマにより
エツチングする方法として具体的に一例をあげて
形状について説明すると、たとえばガスプラズマ
エツチングはプラズマ化するガスとして四塩化炭
素とアルゴンなどの希ガスの混合物を用い、この
ガス圧を約0.3Torrにし、約250W程度の高周波電
力を用いてガスプラズマ化してエツチングする
が、前述して如くエツチング速度が遅いため第１
図ａに示す如く適正でシヤープな端面のエツチン
グが得られにくい。
又、第１図ｂに示す如く、ガスプラズマエツチ
ングでも蝕刻速度を増す手段を用いるとオーバー
ハング等が発生し、これ又適正なエツチングが得
られずウエツトエツチンで起こりやすい形状とな
る。第１図のａ及びｂで１はレジストで、ａの２
は蝕刻不足の形状でｂの２はオーバーエツチング
により起こりやすいオーバーハングの形状を示し
たものであり、３は基板のガラス板を示した。こ
の様にオーバーハングとエツチング不足が共存し
３の基板まで垂直に円筒形にエツチングしクロム
膜の端面をシヤープにすることが出来にくい。
ングでも蝕刻速度を増す手段を用いるとオーバー
ハング等が発生し、これ又適正なエツチングが得
られずウエツトエツチンで起こりやすい形状とな
る。第１図のａ及びｂで１はレジストで、ａの２
は蝕刻不足の形状でｂの２はオーバーエツチング
により起こりやすいオーバーハングの形状を示し
たものであり、３は基板のガラス板を示した。こ
の様にオーバーハングとエツチング不足が共存し
３の基板まで垂直に円筒形にエツチングしクロム
膜の端面をシヤープにすることが出来にくい。
(4) 発明の目的
この発明は上述の問題点に鑑みなされたもので
所望のレジストパターンに対応しガラス板上のク
ロム膜をシヤープに蝕刻し、寸法精度を上げ高密
度集積化に寄与する方法を提供することにある。
所望のレジストパターンに対応しガラス板上のク
ロム膜をシヤープに蝕刻し、寸法精度を上げ高密
度集積化に寄与する方法を提供することにある。
(5) 発明の構成
即ちフオトマスク用ガラス基板に被着される金
属皮膜において、該金属皮膜の膜厚表面方向に向
つてエツチングレートの低い元素を増加し添加さ
せてプラズマエツチングを行う方法である。
属皮膜において、該金属皮膜の膜厚表面方向に向
つてエツチングレートの低い元素を増加し添加さ
せてプラズマエツチングを行う方法である。
(6) 発明の実施例
以下一実施例を工程図に示しながら詳細に説明
するとまず第２図ａでガラス基板１を用意し充分
洗浄されたガラス基板１を蒸着装置内のホルダー
に、そして第１のタングステンボート内にクロム
を仕込み第２のタングステンボード内は空にして
おきベルジヤーを閉じ真空度を10-6Torr程度の
真空とする。まず最初に第１のタングステンボー
ドを加熱電流で40A程度流しガラス基板１に
300A゜の厚さのクロムを被着しながら同時に第
２のタングステンボードも加熱電流で60Aから順
次80A程度に増加し加熱して行き第１のタングス
テンボート上のクロムと同時に第２のタングステ
ンボート自身から微量のタングステンを被着さ
せ、全体の膜厚を600A゜のタングス点を含んだ
クロム膜２を形成する。この第１のタングステン
ボート上のクロムの融点は1905℃であり、第２の
タングステンボート自身の融点は3000℃であり、
第３図に示す如く途中よりクロム膜中にタングス
テンを順次増加させ、蒸着させて行き膜厚計によ
りクロム膜表面でタングステン濃度が1.5％程度
に調整する事が適当である。しかし後程行うプラ
ズマエツチングの条件、及びエツチング孔の寸法
等でエツチング形状が異り上記方法を基にして最
適値を求める必要がある。
するとまず第２図ａでガラス基板１を用意し充分
洗浄されたガラス基板１を蒸着装置内のホルダー
に、そして第１のタングステンボート内にクロム
を仕込み第２のタングステンボード内は空にして
おきベルジヤーを閉じ真空度を10-6Torr程度の
真空とする。まず最初に第１のタングステンボー
ドを加熱電流で40A程度流しガラス基板１に
300A゜の厚さのクロムを被着しながら同時に第
２のタングステンボードも加熱電流で60Aから順
次80A程度に増加し加熱して行き第１のタングス
テンボート上のクロムと同時に第２のタングステ
ンボート自身から微量のタングステンを被着さ
せ、全体の膜厚を600A゜のタングス点を含んだ
クロム膜２を形成する。この第１のタングステン
ボート上のクロムの融点は1905℃であり、第２の
タングステンボート自身の融点は3000℃であり、
第３図に示す如く途中よりクロム膜中にタングス
テンを順次増加させ、蒸着させて行き膜厚計によ
りクロム膜表面でタングステン濃度が1.5％程度
に調整する事が適当である。しかし後程行うプラ
ズマエツチングの条件、及びエツチング孔の寸法
等でエツチング形状が異り上記方法を基にして最
適値を求める必要がある。
次に前記のクロム膜２上に反射防止用薄膜（例
えば窒化膜や珪化膜等）を形成するが、必要ない
場合は直ちに電子線用フオトレジスト、例えば
PMMAなどからなるレジスト膜３を形成し、こ
のレジスト膜３に電子ビームを偏向走査させ、所
望の微細なパターンを露光させ、これを現像処理
して窓開き４を得る。
えば窒化膜や珪化膜等）を形成するが、必要ない
場合は直ちに電子線用フオトレジスト、例えば
PMMAなどからなるレジスト膜３を形成し、こ
のレジスト膜３に電子ビームを偏向走査させ、所
望の微細なパターンを露光させ、これを現像処理
して窓開き４を得る。
次にレジスト膜３をそのまゝ残した状態で露光
されたクロム膜２をガスプラズマエツチングする
が、この場合プラズマにするガスとして四塩化炭
素と酸素の混合物を用い、このガス圧を約
0.3Torrとし約250Wの高周波電力で前記ガスをプ
ラズマ化し３分間程度エツチングすることによ
り、エツチング孔５によりエツチングされる。添
加されたタングステンのため最初はエツチングレ
ートは遅いがクローム膜２の表面部をエツチング
して行き、順次基板１の表面部までを完全に円筒
状にエツチングし、しかもレジスト膜３の窓４の
下の横方向のエツチング拡がり、即ちアンダーカ
ツトは起こらない。
されたクロム膜２をガスプラズマエツチングする
が、この場合プラズマにするガスとして四塩化炭
素と酸素の混合物を用い、このガス圧を約
0.3Torrとし約250Wの高周波電力で前記ガスをプ
ラズマ化し３分間程度エツチングすることによ
り、エツチング孔５によりエツチングされる。添
加されたタングステンのため最初はエツチングレ
ートは遅いがクローム膜２の表面部をエツチング
して行き、順次基板１の表面部までを完全に円筒
状にエツチングし、しかもレジスト膜３の窓４の
下の横方向のエツチング拡がり、即ちアンダーカ
ツトは起こらない。
次に前記レジスト膜３を同様にガスプラズマエ
ツチングにより全て除去するが、この場合、ガス
圧を約1Torrとし約300Wの高周波電力で前記ガ
スをプラズマ化し、表面のレジスト膜３を除去す
ることが出来、エツチング孔５に影響はない。
ツチングにより全て除去するが、この場合、ガス
圧を約1Torrとし約300Wの高周波電力で前記ガ
スをプラズマ化し、表面のレジスト膜３を除去す
ることが出来、エツチング孔５に影響はない。
以上述べた方法はクロム膜中にタングステンを
表面方向に添加しガスプラズマで選択エツチング
する方法であるが、タングステンの代りに４タン
を用いても同じ効果が得られるものである。
表面方向に添加しガスプラズマで選択エツチング
する方法であるが、タングステンの代りに４タン
を用いても同じ効果が得られるものである。
(7) 発明の効果
以上述べたように本発明ではクロム膜中に不純
物を順次添加し膜を形成することにより、ガスプ
ラズマエツチングにおいてエツチング速度を制御
することが出来、結果としてオーバーハングが起
こらず、クロム膜端部のシヤープなパターンが出
来、画質および寸法精度の良好なフオトマスクを
容易に製造し得られるものである。
物を順次添加し膜を形成することにより、ガスプ
ラズマエツチングにおいてエツチング速度を制御
することが出来、結果としてオーバーハングが起
こらず、クロム膜端部のシヤープなパターンが出
来、画質および寸法精度の良好なフオトマスクを
容易に製造し得られるものである。
第１図は従来技術の問題点を示した図で、第２
図は本発明によるフオトマスクの型造工程図で第
３図はクロム膜中のタングステンの添加状態を示
したものである。 １；ガラス基板、２；クロム膜、３；レジスト
膜、４；窓開き、５；エツチング孔。
図は本発明によるフオトマスクの型造工程図で第
３図はクロム膜中のタングステンの添加状態を示
したものである。 １；ガラス基板、２；クロム膜、３；レジスト
膜、４；窓開き、５；エツチング孔。
Claims (1)
- １ フオトマスク用ガラス基板に被着される金属
皮膜において、該金属皮膜の膜厚表面方向に向つ
て、エツチングレートの低い元素を増加し添加さ
せることを特徴としたフオトマスク用ガラス基板
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57052070A JPS58169150A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | フオトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57052070A JPS58169150A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | フオトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58169150A JPS58169150A (ja) | 1983-10-05 |
| JPS6227384B2 true JPS6227384B2 (ja) | 1987-06-15 |
Family
ID=12904554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57052070A Granted JPS58169150A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | フオトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58169150A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019066454A (ja) | 2017-09-29 | 2019-04-25 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ、センサモジュール |
| JP2019066312A (ja) | 2017-09-29 | 2019-04-25 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ |
| JP2019066453A (ja) | 2017-09-29 | 2019-04-25 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ |
| JP6793103B2 (ja) | 2017-09-29 | 2020-12-02 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ |
| JP2019113411A (ja) | 2017-12-22 | 2019-07-11 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ、センサモジュール |
| JP2019184344A (ja) * | 2018-04-05 | 2019-10-24 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ及びその製造方法 |
| EP3855148B1 (en) | 2018-10-23 | 2025-07-16 | Minebea Mitsumi Inc. | Accelerator pedal and steering apparatus |
| JP2021162303A (ja) | 2020-03-30 | 2021-10-11 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5322031B2 (ja) * | 1974-02-02 | 1978-07-06 | ||
| JPS53108285A (en) * | 1977-03-03 | 1978-09-20 | Hattori Isao | Photomask original plate |
-
1982
- 1982-03-30 JP JP57052070A patent/JPS58169150A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58169150A (ja) | 1983-10-05 |
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