JPH04264752A - フォトマスク及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
フォトマスク及び半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH04264752A JPH04264752A JP2600591A JP2600591A JPH04264752A JP H04264752 A JPH04264752 A JP H04264752A JP 2600591 A JP2600591 A JP 2600591A JP 2600591 A JP2600591 A JP 2600591A JP H04264752 A JPH04264752 A JP H04264752A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- trench
- pattern
- semiconductor device
- semiconductor substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトマスクの改良及
び半導体装置の素子を分離するトレンチの形成方法に関
するものである。
び半導体装置の素子を分離するトレンチの形成方法に関
するものである。
【０００２】半導体基板上の半導体素子を分離するトレ
ンチを形成する場合、このトレンチの交差部分のトレン
チの間隔は直線部のトレンチの間隔より広くなり、この
トレンチ内に充填材を充填するとこの間隔の差に相当す
る部分には充填材が充填されない空隙部が形成される障
害が発生している。
ンチを形成する場合、このトレンチの交差部分のトレン
チの間隔は直線部のトレンチの間隔より広くなり、この
トレンチ内に充填材を充填するとこの間隔の差に相当す
る部分には充填材が充填されない空隙部が形成される障
害が発生している。
【０００３】以上のような状況から、トレンチの交差部
においてトレンチ内に充填材が充填されない空隙部が生
じるのを防止することが可能な半導体装置の製造方法が
要望されている。
においてトレンチ内に充填材が充填されない空隙部が生
じるのを防止することが可能な半導体装置の製造方法が
要望されている。
【０００４】
【従来の技術】従来のフォトマスク及び半導体装置につ
き図５〜図６により詳細に説明する。図５は従来のフォ
トマスクのパターンを示す図、図６は従来の半導体基板
に形成したトレンチ内に充填材を充填した状態を示す図
である。
き図５〜図６により詳細に説明する。図５は従来のフォ
トマスクのパターンを示す図、図６は従来の半導体基板
に形成したトレンチ内に充填材を充填した状態を示す図
である。
【０００５】従来のフォトマスク２１におけるトレンチ
の交差部分に相当するパターンは図４に示すようなパタ
ーンであり、トレンチに相当する透過部２１ｂ の寸法
は直線部の間隔をＷとすると、交差部分の最も離れた部
分の距離はＷの１．４１４２倍になっている。
の交差部分に相当するパターンは図４に示すようなパタ
ーンであり、トレンチに相当する透過部２１ｂ の寸法
は直線部の間隔をＷとすると、交差部分の最も離れた部
分の距離はＷの１．４１４２倍になっている。
【０００６】このようなフォトマスク２１を用いてフォ
トリソグラフィー技術により半導体基板１２にトレンチ
１２ａ を形成し、このトレンチ１２ａ 内にシリコン
酸化膜或いはポリシリコン膜からなる充填材１５を充填
すると、図６に示すようにトレンチ１２ａ の壁面の間
隔が広い交差部には充填材が充填されない空隙部１５ａ
が生じる。
トリソグラフィー技術により半導体基板１２にトレンチ
１２ａ を形成し、このトレンチ１２ａ 内にシリコン
酸化膜或いはポリシリコン膜からなる充填材１５を充填
すると、図６に示すようにトレンチ１２ａ の壁面の間
隔が広い交差部には充填材が充填されない空隙部１５ａ
が生じる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の半
導体装置においては、充填材をトレンチ内に充填した場
合に、トレンチの交差部分においてはトレンチの壁面の
間隔が直線部より広くなっているので、充填材が充填さ
れない空隙部が生じるという問題点があった。
導体装置においては、充填材をトレンチ内に充填した場
合に、トレンチの交差部分においてはトレンチの壁面の
間隔が直線部より広くなっているので、充填材が充填さ
れない空隙部が生じるという問題点があった。
【０００８】本発明は以上のような状況から、トレンチ
の交差部分に空隙部が形成されるのを簡単且つ容易に防
止することが可能となるフォトマスク及び半導体の製造
方法の提供を目的としたものである。
の交差部分に空隙部が形成されるのを簡単且つ容易に防
止することが可能となるフォトマスク及び半導体の製造
方法の提供を目的としたものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のフォトマスクは
、半導体基板上の半導体素子を分離するトレンチのパタ
ーンに相当するパターンを備えたフォトマスクであって
、このトレンチが交差する部分のこのフォトマスクのパ
ターンで構成される間隔の面積が、直線部のパターンの
間隔の面積よりも狭く形成されているように構成する。
、半導体基板上の半導体素子を分離するトレンチのパタ
ーンに相当するパターンを備えたフォトマスクであって
、このトレンチが交差する部分のこのフォトマスクのパ
ターンで構成される間隔の面積が、直線部のパターンの
間隔の面積よりも狭く形成されているように構成する。
【００１０】本発明の半導体装置の製造方法は、トレン
チを形成する半導体装置の製造方法において、半導体基
板の表面に絶縁膜とレジスト膜とを積層して形成する工
程と、上記のフォトマスクを用いてこのレジスト膜をパ
ターニングして開口窓を形成する工程と、この開口窓を
形成したレジスト膜をマスクとしてこの絶縁膜をエッチ
ングして開口窓を形成する工程と、このレジスト膜を除
去し、この絶縁膜をマスクとしてこの半導体基板をエッ
チングしてトレンチを形成する工程と、この絶縁膜を除
去し、このトレンチ内に充填材を充填する工程とを含む
ように構成する。
チを形成する半導体装置の製造方法において、半導体基
板の表面に絶縁膜とレジスト膜とを積層して形成する工
程と、上記のフォトマスクを用いてこのレジスト膜をパ
ターニングして開口窓を形成する工程と、この開口窓を
形成したレジスト膜をマスクとしてこの絶縁膜をエッチ
ングして開口窓を形成する工程と、このレジスト膜を除
去し、この絶縁膜をマスクとしてこの半導体基板をエッ
チングしてトレンチを形成する工程と、この絶縁膜を除
去し、このトレンチ内に充填材を充填する工程とを含む
ように構成する。
【００１１】
【作用】即ち本発明においては、半導体基板に形成した
トレンチの交差部分の壁面の間隔を、直線部の間隔より
も少なくとも狭く形成することが可能となるので、この
トレンチ内に充填材を充填した場合に充填材が充填され
ない空隙部がなくなり、トレンチ内に確実に充填材を充
填することが可能となる。
トレンチの交差部分の壁面の間隔を、直線部の間隔より
も少なくとも狭く形成することが可能となるので、この
トレンチ内に充填材を充填した場合に充填材が充填され
ない空隙部がなくなり、トレンチ内に確実に充填材を充
填することが可能となる。
【００１２】
【実施例】以下、図１及び図２により本発明による第１
及び第２の実施例のフォトマスクを、図３により本発明
の第１の実施例のフォトマスクを用いる一実施例の半導
体装置の製造方法を工程順に詳細に説明する。
及び第２の実施例のフォトマスクを、図３により本発明
の第１の実施例のフォトマスクを用いる一実施例の半導
体装置の製造方法を工程順に詳細に説明する。
【００１３】図１は本発明による第１の実施例のフォト
マスクのパターンを示す図、図２は本発明による第２の
実施例のフォトマスクのパターンを示す図である。図１
に示す本発明の第１の実施例のフォトマスクにおいては
、トレンチのパターンのフォトマスク１の直線部の透過
部１ｂの距離がＷの場合、トレンチの交差部分の透過部
１ｂの中央部に対辺距離がＷの０．４２倍の正方形の遮
光部１ａが形成されている。
マスクのパターンを示す図、図２は本発明による第２の
実施例のフォトマスクのパターンを示す図である。図１
に示す本発明の第１の実施例のフォトマスクにおいては
、トレンチのパターンのフォトマスク１の直線部の透過
部１ｂの距離がＷの場合、トレンチの交差部分の透過部
１ｂの中央部に対辺距離がＷの０．４２倍の正方形の遮
光部１ａが形成されている。
【００１４】図２に示す本発明の第２の実施例のフォト
マスクにおいては、トレンチのパターンのフォトマスク
１１の直線部の透過部１１ｂ の距離がＷの場合、トレ
ンチの交差部分の透過部１１ｂ の中央部の壁面の間隔
がＷよりも狭くなるように遮光部１１ａ が形成されて
いる。
マスクにおいては、トレンチのパターンのフォトマスク
１１の直線部の透過部１１ｂ の距離がＷの場合、トレ
ンチの交差部分の透過部１１ｂ の中央部の壁面の間隔
がＷよりも狭くなるように遮光部１１ａ が形成されて
いる。
【００１５】図３は本発明による一実施例の半導体装置
の製造方法を工程順に示す側断面図である。まず図３（
ａ） に示すように半導体基板２の表面にシリコン窒化
膜或いはＰＳＧ膜からなる絶縁膜３を形成し、この絶縁
膜３の表面にレジスト膜４を形成する。
の製造方法を工程順に示す側断面図である。まず図３（
ａ） に示すように半導体基板２の表面にシリコン窒化
膜或いはＰＳＧ膜からなる絶縁膜３を形成し、この絶縁
膜３の表面にレジスト膜４を形成する。
【００１６】つぎに図３（ｂ） に示すように、フォト
マスク１を用いてこのレジスト膜４をパターニングして
開口窓４ａを形成する。ついで図３（ｃ） に示すよう
に、この開口窓４ａが形成されているレジスト膜４をマ
スクとして絶縁膜３をエッチングして開口窓３ａを形成
する。
マスク１を用いてこのレジスト膜４をパターニングして
開口窓４ａを形成する。ついで図３（ｃ） に示すよう
に、この開口窓４ａが形成されているレジスト膜４をマ
スクとして絶縁膜３をエッチングして開口窓３ａを形成
する。
【００１７】その後図３（ｄ） に示すように、レジス
ト膜４を除去し、この開口窓３ａが形成されている絶縁
膜３をマスクとして半導体基板２をエッチングしてトレ
ンチ２ａを形成する。
ト膜４を除去し、この開口窓３ａが形成されている絶縁
膜３をマスクとして半導体基板２をエッチングしてトレ
ンチ２ａを形成する。
【００１８】最後に図４（ａ） に示すように、このト
レンチ２ａを含む半導体基板２の表面に下地として絶縁
膜を形成した後ポリシリコン膜を成長させるか、或いは
直接シリコン酸化膜を成長させて充填材５を充填し、図
４（ｂ） に示すように半導体基板２の表面より上の充
填材５のみを除去して半導体基板２の表面を平面に仕上
げる。
レンチ２ａを含む半導体基板２の表面に下地として絶縁
膜を形成した後ポリシリコン膜を成長させるか、或いは
直接シリコン酸化膜を成長させて充填材５を充填し、図
４（ｂ） に示すように半導体基板２の表面より上の充
填材５のみを除去して半導体基板２の表面を平面に仕上
げる。
【００１９】このようにトレンチ２ａに相当するパター
ンの間隔がすべて直線部のトレンチ２ａの間隔Ｗよりも
狭く形成されているフォトマスク１或いは１１を用いて
トレンチ２ａを形成するので、トレンチ２ａの壁面の間
隔はすべてＷと等しいか或いはＷ以下に形成されるよう
になり、このトレンチ２ａ内に充填材５を充填した場合
に、充填されない部分がなくなり、確実にトレンチ２ａ
内に充填材５を充填することが可能となる。
ンの間隔がすべて直線部のトレンチ２ａの間隔Ｗよりも
狭く形成されているフォトマスク１或いは１１を用いて
トレンチ２ａを形成するので、トレンチ２ａの壁面の間
隔はすべてＷと等しいか或いはＷ以下に形成されるよう
になり、このトレンチ２ａ内に充填材５を充填した場合
に、充填されない部分がなくなり、確実にトレンチ２ａ
内に充填材５を充填することが可能となる。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば極めて簡単な構成のフォトマスクを用いること
により、トレンチ内に充填材が充填されない空隙部が生
じるのを防止することが可能となる利点があり、著しい
品質向上の効果が期待できるフォトマスク及び半導体装
置の製造方法の提供が可能である。
によれば極めて簡単な構成のフォトマスクを用いること
により、トレンチ内に充填材が充填されない空隙部が生
じるのを防止することが可能となる利点があり、著しい
品質向上の効果が期待できるフォトマスク及び半導体装
置の製造方法の提供が可能である。
【図１】 本発明による第１の実施例のフォトマスク
のパターンを示す図、
のパターンを示す図、
【図２】 本発明による第２の実施例のフォトマスク
のパターンを示す図、
のパターンを示す図、
【図３】 本発明による一実施例の半導体装置の製造
方法を工程順に示す側断面図（１） 、
方法を工程順に示す側断面図（１） 、
【図４】 本発明による一実施例の半導体装置の製造
方法を工程順に示す側断面図（２） 、
方法を工程順に示す側断面図（２） 、
【図５】 従来のフォトマスクのパターンを示す図、
【図６】 従来の半導体基板に形成したトレンチ内に
充填材を充填した状態を示す図、
充填材を充填した状態を示す図、
１，１１はフォトマスク、
１ａ，１１ａは遮光部、
１ｂ，１１ｂは透過部、
２は半導体基板、
２ａはトレンチ、
３は絶縁膜、
３ａは開口窓、
４はレジスト膜、
４ａは開口窓、
５は充填材、
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上の半導体素子を分離する
トレンチのパターンに相当するパターンを備えたフォト
マスクであって、前記トレンチが交差する部分の前記フ
ォトマスクのパターンで構成される間隔の面積が、直線
部のパターンの間隔の面積よりも狭く形成されているこ
とを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項２】 トレンチを形成する半導体装置の製造
方法において、半導体基板（２） の表面に絶縁膜（３
） とレジスト膜（４） とを積層して形成する工程と
、請求項１記載のフォトマスクを用いて前記レジスト膜
（４） をパターニングして開口窓（４ａ）を形成する
工程と、該開口窓（４ａ）を形成したレジスト膜（４）
をマスクとして前記絶縁膜（３） をエッチングして
開口窓（３ａ）を形成する工程と、前記レジスト膜（４
） を除去し、前記絶縁膜（３） をマスクとして前記
半導体基板（２） をエッチングしてトレンチ（２ａ）
を形成する工程と、前記絶縁膜（３）を除去し、前記ト
レンチ（２ａ）内に充填材（５）を充填する工程と、を
含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2600591A JPH04264752A (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | フォトマスク及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2600591A JPH04264752A (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | フォトマスク及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04264752A true JPH04264752A (ja) | 1992-09-21 |
Family
ID=12181584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2600591A Withdrawn JPH04264752A (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | フォトマスク及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04264752A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010141231A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
-
1991
- 1991-02-20 JP JP2600591A patent/JPH04264752A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010141231A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |