JPH0426538B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0426538B2 JPH0426538B2 JP59251918A JP25191884A JPH0426538B2 JP H0426538 B2 JPH0426538 B2 JP H0426538B2 JP 59251918 A JP59251918 A JP 59251918A JP 25191884 A JP25191884 A JP 25191884A JP H0426538 B2 JPH0426538 B2 JP H0426538B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction chamber
- annular
- chamber
- dry etching
- annular wall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の利用分野］
本発明は、半導体製造用のドライエツチング装
置に関し、更に詳しくはマイクロ波によつて反応
室内のエツチングガスを励起して行なうプラズマ
エツチング用のドライエツチング装置に関する。
置に関し、更に詳しくはマイクロ波によつて反応
室内のエツチングガスを励起して行なうプラズマ
エツチング用のドライエツチング装置に関する。
［従来技術］
半導体製造用ウエハをプラズマエツチングによ
つてエツチングする場合、ドライエツチング装置
の反応室内にセツトしたウエハの全面にエツチン
グガスを均一に流す必要があり、このため従来よ
り反応室内に導入されたエツチングガスを全周均
一に排気するための反応室排気構造が種々検討さ
れている。
つてエツチングする場合、ドライエツチング装置
の反応室内にセツトしたウエハの全面にエツチン
グガスを均一に流す必要があり、このため従来よ
り反応室内に導入されたエツチングガスを全周均
一に排気するための反応室排気構造が種々検討さ
れている。
一般的に反応室内のガス流れを均一にする排気
構造としては、反応室の全周に均等に排気口を分
布させ、各排気口からガスの吸引を行なうように
するが、プラズマエツチング用のものにおいて
は、エツチングガスの励起のために反応室内にマ
イクロ波を照射するので、このような排気構造に
すると反応室外へのマイクロ波の漏洩が問題とな
り、操作者の健康上有害となるのでその対策が要
望されている。
構造としては、反応室の全周に均等に排気口を分
布させ、各排気口からガスの吸引を行なうように
するが、プラズマエツチング用のものにおいて
は、エツチングガスの励起のために反応室内にマ
イクロ波を照射するので、このような排気構造に
すると反応室外へのマイクロ波の漏洩が問題とな
り、操作者の健康上有害となるのでその対策が要
望されている。
ところでマイクロ波を利用する機器として広く
使用されている家庭用電子レンジでは種々のマイ
クロ波漏洩対策がなされているが、この場合はい
ずれも均一なガス流れの達成を果たすための考慮
が全くなされていないので、ドライエツチング装
置にそのまま応用することはできなかつた。
使用されている家庭用電子レンジでは種々のマイ
クロ波漏洩対策がなされているが、この場合はい
ずれも均一なガス流れの達成を果たすための考慮
が全くなされていないので、ドライエツチング装
置にそのまま応用することはできなかつた。
［発明の目的と概要］
本発明の目的は、反応室内のガス流れを均一に
するような排気構造であつてしかもマイクロ波漏
洩の効果的な防止が可能な排気構造を備えたドラ
イエツチング装置を提供することである。
するような排気構造であつてしかもマイクロ波漏
洩の効果的な防止が可能な排気構造を備えたドラ
イエツチング装置を提供することである。
この目的を達成するため本発明では、エツチン
グ対象となるウエハを収容する反応室内にエツチ
ングガスを導入し、マイクロ波で前記反応室内に
導入したエツチングガスを励起して、前記ウエハ
のエツチングを行なうドライエツチング装置にお
いて、前記反応室を取り囲む環状壁の外周に環状
室を同心状に配置し、前記反応室内に収容された
前記ウエハの近傍に位置する微小な隙間を通して
前記反応室と前記環状室を前記環状壁の全周で略
均等に連通し、前記環状室を前記反応室内に導入
されたエツチングガスを前記隙間を通して前記反
応室外に排気するための排気路におけるバツフア
空間とし、前記環状室の内部幅寸法を前記マイク
ロ波の略1/4波長とするようにしている。
グ対象となるウエハを収容する反応室内にエツチ
ングガスを導入し、マイクロ波で前記反応室内に
導入したエツチングガスを励起して、前記ウエハ
のエツチングを行なうドライエツチング装置にお
いて、前記反応室を取り囲む環状壁の外周に環状
室を同心状に配置し、前記反応室内に収容された
前記ウエハの近傍に位置する微小な隙間を通して
前記反応室と前記環状室を前記環状壁の全周で略
均等に連通し、前記環状室を前記反応室内に導入
されたエツチングガスを前記隙間を通して前記反
応室外に排気するための排気路におけるバツフア
空間とし、前記環状室の内部幅寸法を前記マイク
ロ波の略1/4波長とするようにしている。
この構成において、反応室内に導入されたエツ
チングガスはマイクロ波により励起されてエツチ
ングに供されるが、環状室の内部幅寸法がマイク
ロ波の波長の略1/4であるため、微小隙間から漏
洩したマイクロ波は環状室で遮断される。また、
環状室は反応室からエツチングガスを排気するた
めの排気路においてバツフアとして作用するの
で、エツチングガスを反応室内でより均一に流す
作用をしている。
チングガスはマイクロ波により励起されてエツチ
ングに供されるが、環状室の内部幅寸法がマイク
ロ波の波長の略1/4であるため、微小隙間から漏
洩したマイクロ波は環状室で遮断される。また、
環状室は反応室からエツチングガスを排気するた
めの排気路においてバツフアとして作用するの
で、エツチングガスを反応室内でより均一に流す
作用をしている。
本発明の実施例を図面と共に詳述すれば以下の
通りである。
通りである。
［実施例］
第１図は本発明の実施例に係るドライエツチン
グ装置の要部を示す断面図であり、エツチング対
象のシリコンウエハ１は昇降可能なステージ２上
に固定されており、このステージ２は反応器本体
３の下部開口を密閉してその内部に反応室４を形
成している。反応室４の周囲は本体３と一体の環
状壁５で画定され、上面は石英ガラス窓６によつ
て空間的に密閉されている。マイクロ波７はガラ
ス窓６の上方から導波管８およびホーン９を介し
て反応室４内に照射される。反応室４内へのエツ
チングガスの導入は給気口１０から行なわれ、排
気は排気口１１から図示しない吸引ポンプにより
行なわれる。反応室４と排気口１１との間に環状
室１３が介在しており、この環状室１３は反応室
４の環状壁５の外側を同心状に囲んでいる。環状
室１３と反応室４とは環状壁５の下端縁とステー
ジ２との間の微小な隙間１２によつて全周で連続
的に連通しており、この隙間１２の高さ寸法は例
えば0.5〜3.0mm程度とするのがよい。
グ装置の要部を示す断面図であり、エツチング対
象のシリコンウエハ１は昇降可能なステージ２上
に固定されており、このステージ２は反応器本体
３の下部開口を密閉してその内部に反応室４を形
成している。反応室４の周囲は本体３と一体の環
状壁５で画定され、上面は石英ガラス窓６によつ
て空間的に密閉されている。マイクロ波７はガラ
ス窓６の上方から導波管８およびホーン９を介し
て反応室４内に照射される。反応室４内へのエツ
チングガスの導入は給気口１０から行なわれ、排
気は排気口１１から図示しない吸引ポンプにより
行なわれる。反応室４と排気口１１との間に環状
室１３が介在しており、この環状室１３は反応室
４の環状壁５の外側を同心状に囲んでいる。環状
室１３と反応室４とは環状壁５の下端縁とステー
ジ２との間の微小な隙間１２によつて全周で連続
的に連通しており、この隙間１２の高さ寸法は例
えば0.5〜3.0mm程度とするのがよい。
環状室１３は、反応室４内から外部へ漏洩しよ
うとするマイクロ波の遮蔽手段を構成するもので
あり、このためその幅寸法Ｅは、使用マイクロ波
の波長の1/4前後に選ばれている。例えば使用マ
イクロ波の周波数が2.45GHzの場合、好ましくは
幅寸法Ｅは20mm程度であるが、実用上は30mm以下
で漏洩防止の効果が充分得られる。
うとするマイクロ波の遮蔽手段を構成するもので
あり、このためその幅寸法Ｅは、使用マイクロ波
の波長の1/4前後に選ばれている。例えば使用マ
イクロ波の周波数が2.45GHzの場合、好ましくは
幅寸法Ｅは20mm程度であるが、実用上は30mm以下
で漏洩防止の効果が充分得られる。
尚、第１図の例では、隙間１２を全周連続的な
ものとしたが、これは第２図に示すように断続的
なスリツト状の隙間１４としたり、第３図に示す
ように全周に分布して穿つた小穴１５に代えても
よく、これ以外にも種々の形態の連通構造を採用
し得ることは述べるまでもなく、さらには環状室
１３の排気口１１の開口位置などの関連で、反応
室内からの排気の圧力分布が反応室内のガス流れ
を均一にするようなものとなるように、周方向に
関して、隙間や小穴の大きさに変化を付与しても
よい。
ものとしたが、これは第２図に示すように断続的
なスリツト状の隙間１４としたり、第３図に示す
ように全周に分布して穿つた小穴１５に代えても
よく、これ以外にも種々の形態の連通構造を採用
し得ることは述べるまでもなく、さらには環状室
１３の排気口１１の開口位置などの関連で、反応
室内からの排気の圧力分布が反応室内のガス流れ
を均一にするようなものとなるように、周方向に
関して、隙間や小穴の大きさに変化を付与しても
よい。
［発明の効果］
以上に述べた如く、本発明によれば、反応室内
のガス流れの均一化とマイクロ波の漏洩の防止と
が、共に環状室の配設という構造上の対策で有効
に達成され、人体に有害なマイクロ波漏洩の恐れ
のない安全な、従つて作業のしやすいドライエツ
チング装置が得られるものである。
のガス流れの均一化とマイクロ波の漏洩の防止と
が、共に環状室の配設という構造上の対策で有効
に達成され、人体に有害なマイクロ波漏洩の恐れ
のない安全な、従つて作業のしやすいドライエツ
チング装置が得られるものである。
第１図は本発明の実施例に係るドライエツチン
グ装置の要部を示す断面図、第２図および第３図
は環状室への連通部のそれぞれ別の例を反応室内
から見た部分図である。 １：シリコンウエハ、２：ステージ、３：反応
器本体、４：反応室、５：環状壁、６：石英ガラ
ス窓、７：マイクロ波、１０：給気口、１１：排
気口、１２：隙間、１３：環状室。
グ装置の要部を示す断面図、第２図および第３図
は環状室への連通部のそれぞれ別の例を反応室内
から見た部分図である。 １：シリコンウエハ、２：ステージ、３：反応
器本体、４：反応室、５：環状壁、６：石英ガラ
ス窓、７：マイクロ波、１０：給気口、１１：排
気口、１２：隙間、１３：環状室。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ エツチング対象となるウエハを収容する反応
室内にエツチングガスを導入し、マイクロ波で前
記反応室内に導入したエツチングガスを励起し
て、前記ウエハのエツチングを行なうドライエツ
チング装置において、前記反応室を取り囲む環状
壁の外周に環状室を同心状に配置し、前記反応室
内に収容された前記ウエハの近傍に位置する微小
な隙間を通して前記反応室と前記環状室を前記環
状壁の全周で略均等に連通し、前記環状室を前記
反応室内に導入されたエツチングガスを前記隙間
を通して前記反応室外に排気するための排気路に
おけるバツフア空間とし、前記環状室の内部幅寸
法を前記マイクロ波の略1/4波長としたことを特
徴とするドライエツチング装置。 ２ 前記隙間は前記環状壁の下端縁の全周にわた
つて連続的に形成されていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のドライエツチング装
置。 ３ 前記隙間は前記環状壁の下端縁の全周にわた
つて断続的に形成されていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のドライエツチング装
置。 ４ 前記隙間は前記環状壁の全周に分布して穿た
れた小穴によつて形成されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のドライエツチング
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59251918A JPS61131450A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59251918A JPS61131450A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | ドライエツチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61131450A JPS61131450A (ja) | 1986-06-19 |
| JPH0426538B2 true JPH0426538B2 (ja) | 1992-05-07 |
Family
ID=17229899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59251918A Granted JPS61131450A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61131450A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0513005Y2 (ja) * | 1986-02-04 | 1993-04-06 | ||
| JPH01194419A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-04 | Tel Sagami Ltd | プラズマ処理装置 |
| DE3803355A1 (de) * | 1988-02-05 | 1989-08-17 | Leybold Ag | Teilchenquelle fuer eine reaktive ionenstrahlaetz- oder plasmadepositionsanlage |
| JPH02141494A (ja) * | 1988-07-30 | 1990-05-30 | Kobe Steel Ltd | ダイヤモンド気相合成装置 |
| US5234526A (en) * | 1991-05-24 | 1993-08-10 | Lam Research Corporation | Window for microwave plasma processing device |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5939178B2 (ja) * | 1977-04-25 | 1984-09-21 | 株式会社東芝 | 活性化ガス発生装置 |
| JPS5957435A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-03 | Fujitsu Ltd | プラズマ処理方法および装置 |
-
1984
- 1984-11-30 JP JP59251918A patent/JPS61131450A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61131450A (ja) | 1986-06-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |