JPH0426558B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0426558B2 JPH0426558B2 JP60062803A JP6280385A JPH0426558B2 JP H0426558 B2 JPH0426558 B2 JP H0426558B2 JP 60062803 A JP60062803 A JP 60062803A JP 6280385 A JP6280385 A JP 6280385A JP H0426558 B2 JPH0426558 B2 JP H0426558B2
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- JP
- Japan
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- face
- active layer
- laser diode
- resonator
- laser
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高出力動作の可能なレーザダイオー
ドの製造方法に関するものである。
ドの製造方法に関するものである。
レーザダイオードの従来例を第３図に示す。第
３図において、１はＮ型GaAs基板、２はＮ型
AlyGa1-yAsクラツド層、３はＰ型AlxGa1-xAs活
性層、４はＰ型AlyGa1-yAsクラツド層、５はＰ
型GaAsコンタクト層、６はレーザ共振器の一端
面を形成する劈開面としての共振器端面、１１は
Ｎ型電極、１２はＰ型電極であり、ｙ＞ｘとなる
ように構成されている。第３図では左側の共振器
端面６のみを示したが、右側部分にも共振器端面
を構成する劈開面が存在する。
３図において、１はＮ型GaAs基板、２はＮ型
AlyGa1-yAsクラツド層、３はＰ型AlxGa1-xAs活
性層、４はＰ型AlyGa1-yAsクラツド層、５はＰ
型GaAsコンタクト層、６はレーザ共振器の一端
面を形成する劈開面としての共振器端面、１１は
Ｎ型電極、１２はＰ型電極であり、ｙ＞ｘとなる
ように構成されている。第３図では左側の共振器
端面６のみを示したが、右側部分にも共振器端面
を構成する劈開面が存在する。
次にこのように構成された装置の動作について
説明する。電極１１，１２間に順バイアスを印加
すると、活性層３へ電子が注入され、正孔と再結
合する際に光を発生する。印加電圧を大きくして
注入レベルをあるしきい値レベルまで上げると、
誘導放出による光の発生の割合が吸収や端面によ
る損失の割合に等しくなりレーザ発振を開始す
る。このようにレーザ光は活性層３内で発生する
が、この光は上下クラツド層２，４に比べて屈折
率の大きい活性層３内を主に導波し、共振器端面
６を通して外部へ一部放射される。
説明する。電極１１，１２間に順バイアスを印加
すると、活性層３へ電子が注入され、正孔と再結
合する際に光を発生する。印加電圧を大きくして
注入レベルをあるしきい値レベルまで上げると、
誘導放出による光の発生の割合が吸収や端面によ
る損失の割合に等しくなりレーザ発振を開始す
る。このようにレーザ光は活性層３内で発生する
が、この光は上下クラツド層２，４に比べて屈折
率の大きい活性層３内を主に導波し、共振器端面
６を通して外部へ一部放射される。
以上述べたようにレーザ光は活性層３内で発生
するが、その波長に相当するエネルギーは、この
活性層３のバンドギヤツプエネルギーよりも僅か
に大きい。そのため活性層３での吸収は自由電子
によるものでごく小さいが、共振器端面６の近傍
では表面準位の吸収があり、さらにその吸収によ
る発熱が実効的なバンドギヤツプエネルギーを狭
めるため、吸収効果が大きくなつている。
するが、その波長に相当するエネルギーは、この
活性層３のバンドギヤツプエネルギーよりも僅か
に大きい。そのため活性層３での吸収は自由電子
によるものでごく小さいが、共振器端面６の近傍
では表面準位の吸収があり、さらにその吸収によ
る発熱が実効的なバンドギヤツプエネルギーを狭
めるため、吸収効果が大きくなつている。
上述の従来のレーザダイオードを動作させる場
合に高出力動作を行わせると、レーザダイオード
自身から発生するレーザ光の共振器端面６の近傍
での吸収による発熱効果が大きくなり、ある限界
出力に至ると共振器端面６の近傍が熱で破壊され
てレーザダイオードが故障してしまうという問題
があつた。
合に高出力動作を行わせると、レーザダイオード
自身から発生するレーザ光の共振器端面６の近傍
での吸収による発熱効果が大きくなり、ある限界
出力に至ると共振器端面６の近傍が熱で破壊され
てレーザダイオードが故障してしまうという問題
があつた。
本発明はこのような点に鑑みてなされたもので
あり、その目的とするところは、高出力動作状態
においても共振器端面近傍での吸収が少なく、従
つて発熱による共振器端面の損傷を押さえた高出
力レーザダイオードの製造方法を提供することに
ある。
あり、その目的とするところは、高出力動作状態
においても共振器端面近傍での吸収が少なく、従
つて発熱による共振器端面の損傷を押さえた高出
力レーザダイオードの製造方法を提供することに
ある。
本発明によるレーザダイオードの製造方法は、
共振器端面形成前にあらかじめ外部から共振器端
面相当位置にレーザ光を照射し、このレーザ光に
より共振器端面近傍の活性層のAlモル比を共振
器内部に比べて大きくするようにするものであ
る。
共振器端面形成前にあらかじめ外部から共振器端
面相当位置にレーザ光を照射し、このレーザ光に
より共振器端面近傍の活性層のAlモル比を共振
器内部に比べて大きくするようにするものであ
る。
本発明においては、共振器端面近傍での活性層
のAlモル比が共振器内部に比べて大きくなつて
いるため、共振器端面付近でのレーザ光の吸収が
押さえられる。
のAlモル比が共振器内部に比べて大きくなつて
いるため、共振器端面付近でのレーザ光の吸収が
押さえられる。
本発明に係わるレーザダイオードの製造方法の
一実施例により形成されるレーザダイオードの構
成を第１図に示す。第１図において、斜線の領域
７は、共振器端面６を形成する前にあらかじめレ
ーザ光照射を受けて溶融し、活性層３に比べて
Alモル比の大きいクラツド層２，４内のAlが活
性層３内へ拡散したため、元のAlモル比よりも
大きくなつている部分で、Alx1Ga1-x1As（ｘ＜x1
＜ｙ）領域である。第１図において第３図と同一
部分又は相当部分には同一符号が付してある。
一実施例により形成されるレーザダイオードの構
成を第１図に示す。第１図において、斜線の領域
７は、共振器端面６を形成する前にあらかじめレ
ーザ光照射を受けて溶融し、活性層３に比べて
Alモル比の大きいクラツド層２，４内のAlが活
性層３内へ拡散したため、元のAlモル比よりも
大きくなつている部分で、Alx1Ga1-x1As（ｘ＜x1
＜ｙ）領域である。第１図において第３図と同一
部分又は相当部分には同一符号が付してある。
レーザ光照射によるAlx1Ga1-x1As領域７の形
成は、たとえば、以下のようにして行われる。第
２図に示すように、あらかじめエピタキシヤル成
長や電極形成を終了し、まだ個々の素子に分離さ
れていないレーザダイオードウエハに対して、共
振器端面に相当する線に沿つてウエハ上方よりレ
ーザ光を照射する。この場合、照射位置のGaAs
コンタクト層５があらかじめ取り除かれており、
照射レーザ光の波長相当エネルギーがAlxGa1-x
As活性層３のバンドギヤツプエネルギーよりも
大きく、AlyGa1-yAsクラツド層２，４のバンド
ギヤツプエネルギーよりも小さければ、照射レー
ザ光は活性層３内で有効に吸収される。そうする
と、その吸収部分の近傍が溶融し、上下のクラツ
ド層２，４のAlの拡散が生じて、活性層３自体
のAlモル比は増大する。しかる御照射部の中心
位置で劈開すれば、第１図に示すレーザダイオー
ドが得られる。
成は、たとえば、以下のようにして行われる。第
２図に示すように、あらかじめエピタキシヤル成
長や電極形成を終了し、まだ個々の素子に分離さ
れていないレーザダイオードウエハに対して、共
振器端面に相当する線に沿つてウエハ上方よりレ
ーザ光を照射する。この場合、照射位置のGaAs
コンタクト層５があらかじめ取り除かれており、
照射レーザ光の波長相当エネルギーがAlxGa1-x
As活性層３のバンドギヤツプエネルギーよりも
大きく、AlyGa1-yAsクラツド層２，４のバンド
ギヤツプエネルギーよりも小さければ、照射レー
ザ光は活性層３内で有効に吸収される。そうする
と、その吸収部分の近傍が溶融し、上下のクラツ
ド層２，４のAlの拡散が生じて、活性層３自体
のAlモル比は増大する。しかる御照射部の中心
位置で劈開すれば、第１図に示すレーザダイオー
ドが得られる。
このように本実施例においては、共振器端面６
の近傍で活性層３のAlモル比が共振器内部に比
べて大きくなつており、吸収が少なくなつている
ので、従来のレーザダイオードに比べて共振器端
面における光吸収損傷を受けにくく、高出力動作
が可能である。
の近傍で活性層３のAlモル比が共振器内部に比
べて大きくなつており、吸収が少なくなつている
ので、従来のレーザダイオードに比べて共振器端
面における光吸収損傷を受けにくく、高出力動作
が可能である。
また本実施例ではAl−Ga−As系のレーザダイ
オードについて説明したが、他の成分系のレーザ
ダイオードにも適用できる事は勿論である。
オードについて説明したが、他の成分系のレーザ
ダイオードにも適用できる事は勿論である。
以上説明したように本発明は、共振器端面近傍
の活性層のAlモル比を共振器内部に比べて大き
くしたことにより、共振器端面近傍における活性
層のバンドギヤツプエネルギーを共振器内部より
も大きくでき、高出力動作可能なレーザダイオー
ドを得ることができる効果がある。
の活性層のAlモル比を共振器内部に比べて大き
くしたことにより、共振器端面近傍における活性
層のバンドギヤツプエネルギーを共振器内部より
も大きくでき、高出力動作可能なレーザダイオー
ドを得ることができる効果がある。
第１図は本発明に係わるレーザダイオードの製
造方法の一実施例により形成されるレーザダイオ
ードの構成を示す断面図、第２図はその製造方法
の一実施例を説明するための断面図、第３図は従
来のレーザダイオードを示す断面図である。 １……Ｎ型GaAs基板、２……Ｎ型クラツド
層、３……Ｐ型活性層、４……Ｐ型クラツド層、
５……Ｐ型GaAsコンタクト層、６……共振器端
面、７……領域、１１，１２……電極。
造方法の一実施例により形成されるレーザダイオ
ードの構成を示す断面図、第２図はその製造方法
の一実施例を説明するための断面図、第３図は従
来のレーザダイオードを示す断面図である。 １……Ｎ型GaAs基板、２……Ｎ型クラツド
層、３……Ｐ型活性層、４……Ｐ型クラツド層、
５……Ｐ型GaAsコンタクト層、６……共振器端
面、７……領域、１１，１２……電極。
Claims (1)
- １ クラツド層−活性層−クラツド層から構成さ
れたレーザダイオードの製造方法において、共振
器端面形成前にあらかじめ外部から共振器端面相
当位置にレーザ光を照射し、このレーザ光により
共振器端面近傍の活性層のAlモル比を共振器内
部に比べて大きくすることを特徴とするレーザダ
イオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6280385A JPS61220394A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | レーザダイオードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6280385A JPS61220394A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | レーザダイオードの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61220394A JPS61220394A (ja) | 1986-09-30 |
| JPH0426558B2 true JPH0426558B2 (ja) | 1992-05-07 |
Family
ID=13210859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6280385A Granted JPS61220394A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | レーザダイオードの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61220394A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0821756B2 (ja) * | 1986-10-31 | 1996-03-04 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体レーザの製造方法 |
| JP2545233B2 (ja) * | 1987-07-02 | 1996-10-16 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体レ−ザの製造方法 |
| JP2629190B2 (ja) * | 1987-07-24 | 1997-07-09 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体レーザの製造方法 |
| JP2629722B2 (ja) * | 1987-08-06 | 1997-07-16 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体レーザの製造方法 |
| JP2629194B2 (ja) * | 1987-08-28 | 1997-07-09 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体レーザの製造方法 |
| JP2679057B2 (ja) * | 1987-09-10 | 1997-11-19 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体レーザの製造方法 |
| JP2687668B2 (ja) * | 1990-04-17 | 1997-12-08 | 日本電気株式会社 | 高出力半導体レーザ素子及びその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5527474B2 (ja) * | 1971-12-17 | 1980-07-21 |
-
1985
- 1985-03-26 JP JP6280385A patent/JPS61220394A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61220394A (ja) | 1986-09-30 |
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