JPH04268207A - 磁気抵抗効果型再生ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型再生ヘッドInfo
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- JPH04268207A JPH04268207A JP2886491A JP2886491A JPH04268207A JP H04268207 A JPH04268207 A JP H04268207A JP 2886491 A JP2886491 A JP 2886491A JP 2886491 A JP2886491 A JP 2886491A JP H04268207 A JPH04268207 A JP H04268207A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗効果型再生ヘッ
ドに関する。
ドに関する。
【０００２】近年、コンピュータの外部記憶装置である
磁気記録装置の大容量化に伴い、高性能磁気ヘッドが要
求されている。この要求を満足するものとして、記録媒
体の速度に依存せず小径ディスクに対しても利用でき、
高い出力が得られる磁気抵抗効果型再生ヘッドが注目さ
れている。
磁気記録装置の大容量化に伴い、高性能磁気ヘッドが要
求されている。この要求を満足するものとして、記録媒
体の速度に依存せず小径ディスクに対しても利用でき、
高い出力が得られる磁気抵抗効果型再生ヘッドが注目さ
れている。
【０００３】また磁気記録再生装置は小型化の傾向にあ
り、これに伴って、磁気抵抗効果型再生ヘッドも小型化
の傾向にある。
り、これに伴って、磁気抵抗効果型再生ヘッドも小型化
の傾向にある。
【０００４】従って、磁気抵抗効果型再生ヘッドとして
は、微小サイズで、しかもバルクハウゼン雑音を抑制し
うる構成であることが必要とされる。
は、微小サイズで、しかもバルクハウゼン雑音を抑制し
うる構成であることが必要とされる。
【０００５】
【従来の技術】図８は、特開昭６２−４０６１０号公報
に記載される磁気抵抗効果効果型再生ヘッド１の概略図
を示す。
に記載される磁気抵抗効果効果型再生ヘッド１の概略図
を示す。
【０００６】このヘッド１は、スライダ２の後端面（空
気流出端面）３上に、細長状パターンの強磁性膜からな
るＭＲセンサ４を有し、このＭＲセンサ４のうち、中央
の信号磁界検知領域４ａ の両端より引出し導体５，６
が引き出され、且つＭＲセンサ４の両端側の領域４ｂ
，４ｃ 上に、反強磁性層７、８が被着され、全体がシ
ールド層９により覆われた構成である。反強磁性層７，
８は信号磁界によってＭＲセンサ４内で磁壁が移動する
ことに伴うバルクハウゼン雑音を抑制すべく、ＭＲセン
サ４の信号磁界検知領域４ａに、単一磁区を誘起させる
ように機能する。
気流出端面）３上に、細長状パターンの強磁性膜からな
るＭＲセンサ４を有し、このＭＲセンサ４のうち、中央
の信号磁界検知領域４ａ の両端より引出し導体５，６
が引き出され、且つＭＲセンサ４の両端側の領域４ｂ
，４ｃ 上に、反強磁性層７、８が被着され、全体がシ
ールド層９により覆われた構成である。反強磁性層７，
８は信号磁界によってＭＲセンサ４内で磁壁が移動する
ことに伴うバルクハウゼン雑音を抑制すべく、ＭＲセン
サ４の信号磁界検知領域４ａに、単一磁区を誘起させる
ように機能する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ヘッドが小型化される
と、図８中、幅寸法Ｗ１ が短くなって、両端領域４ｂ
，４ｃ の長さＬ１ が短くなり、両端領域４ｂ ，
４ｃ の面積が小さくなる。
と、図８中、幅寸法Ｗ１ が短くなって、両端領域４ｂ
，４ｃ の長さＬ１ が短くなり、両端領域４ｂ ，
４ｃ の面積が小さくなる。
【０００８】両端領域４ｂ ，４ｃ が小さくなると、
こゝに反強磁性膜７，８を積層することが困難となる。
こゝに反強磁性膜７，８を積層することが困難となる。
【０００９】また、この反強磁性膜７，８は酸化し易く
、酸化すると単一磁区を誘起させる機能が喪失してしま
う。そこで、反強磁性膜７，８は、記録媒体に対向する
面１０に露出しないようにこれにより若干後退させて配
する必要がある。両端領域４ｂ ，４ｃ が小さい状況
においてこのようにすると、反強磁性膜７，８の両端部
分４ｂ ，４ｃ 上への積層は更に困難となる。
、酸化すると単一磁区を誘起させる機能が喪失してしま
う。そこで、反強磁性膜７，８は、記録媒体に対向する
面１０に露出しないようにこれにより若干後退させて配
する必要がある。両端領域４ｂ ，４ｃ が小さい状況
においてこのようにすると、反強磁性膜７，８の両端部
分４ｂ ，４ｃ 上への積層は更に困難となる。
【００１０】また、両端領域４ｂ ，４ｃ の面積が小
さいため、反強磁性膜７，８による単一磁区を誘起させ
る力を、信号磁界検知の領域４ａ に十分に作用させる
ことが困難であった。
さいため、反強磁性膜７，８による単一磁区を誘起させ
る力を、信号磁界検知の領域４ａ に十分に作用させる
ことが困難であった。
【００１１】即ち、上記構成のヘッド１は、微小化する
とバルクハウゼン雑音発生抑制効果を十分に発揮できな
くなる。
とバルクハウゼン雑音発生抑制効果を十分に発揮できな
くなる。
【００１２】本発明は、微小化してもバルクハウゼン雑
音の発生を十分に抑制できることを可能とした磁気抵抗
効果型再生ヘッドを提供することを目的とする。
音の発生を十分に抑制できることを可能とした磁気抵抗
効果型再生ヘッドを提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、強磁
性膜のうち信号磁界を検知する領域を単一磁区化してな
る磁気抵抗効果型再生ヘッドにおいて、上記強磁性膜を
、中央に位置して信号磁界を検知する領域と、この両側
に位置して且つ記録媒体に対向する面より後退して形成
してあり、上記信号磁界検知領域よりも大きい面積を有
する翼領域とよりなる略Ｖ字の形状とし、上記両側の翼
領域に、上記信号磁界検知領域の長手方向と同方向に磁
化された反強磁性膜を積層してなる構成としたものであ
る。
性膜のうち信号磁界を検知する領域を単一磁区化してな
る磁気抵抗効果型再生ヘッドにおいて、上記強磁性膜を
、中央に位置して信号磁界を検知する領域と、この両側
に位置して且つ記録媒体に対向する面より後退して形成
してあり、上記信号磁界検知領域よりも大きい面積を有
する翼領域とよりなる略Ｖ字の形状とし、上記両側の翼
領域に、上記信号磁界検知領域の長手方向と同方向に磁
化された反強磁性膜を積層してなる構成としたものであ
る。
【００１４】請求項２の発明は、強磁性膜のうち信号磁
界を検知する領域を単一磁区化してなる磁気抵抗効果型
再生ヘッドにおいて、上記強磁性膜を、中央に位置して
信号磁界を検知する領域と、この両側に位置して且つ記
録媒体に対向する面より後退して形成してあり、上記信
号磁界検知領域よりも大きい面積を有する翼領域とより
なる略Ｖ字の形状とし、上記両側の翼領域に、これを単
一磁区化するバイアス磁界を印加するフェリ磁性膜を積
層してなる構成としたものである。
界を検知する領域を単一磁区化してなる磁気抵抗効果型
再生ヘッドにおいて、上記強磁性膜を、中央に位置して
信号磁界を検知する領域と、この両側に位置して且つ記
録媒体に対向する面より後退して形成してあり、上記信
号磁界検知領域よりも大きい面積を有する翼領域とより
なる略Ｖ字の形状とし、上記両側の翼領域に、これを単
一磁区化するバイアス磁界を印加するフェリ磁性膜を積
層してなる構成としたものである。
【００１５】請求項３の発明は、強磁性膜のうち信号磁
界を検知する領域を単一磁区化してなる磁気抵抗効果型
再生ヘッドにおいて、上記強磁性膜を、中央に位置して
信号磁界を検知する領域と、この両側に位置して且つ記
録媒体に対向する面より後退して形成してあり、上記信
号磁界検知領域よりも大きい面積を有する翼領域とより
なる略Ｖ字の形状とし、上記両側の翼領域に、上記信号
磁界検知領域にこれを単一磁区化するバイアス磁界を印
加する永久磁石を積層してなる構成としたものである。
界を検知する領域を単一磁区化してなる磁気抵抗効果型
再生ヘッドにおいて、上記強磁性膜を、中央に位置して
信号磁界を検知する領域と、この両側に位置して且つ記
録媒体に対向する面より後退して形成してあり、上記信
号磁界検知領域よりも大きい面積を有する翼領域とより
なる略Ｖ字の形状とし、上記両側の翼領域に、上記信号
磁界検知領域にこれを単一磁区化するバイアス磁界を印
加する永久磁石を積層してなる構成としたものである。
【００１６】
【作用】請求項１の発明において、強磁性膜をＶ字形状
としたことは、翼領域を、記録媒体対向面から後退させ
て且つ大きな面積とし、反強磁性膜を記録媒体対向面か
ら後退させた配置で且つ翼領域を覆って積層することを
可能とする。
としたことは、翼領域を、記録媒体対向面から後退させ
て且つ大きな面積とし、反強磁性膜を記録媒体対向面か
ら後退させた配置で且つ翼領域を覆って積層することを
可能とする。
【００１７】翼領域及び反強磁性膜の面積は広く、信号
磁界検知領域を単一磁区化する力は大きい。
磁界検知領域を単一磁区化する力は大きい。
【００１８】反強磁性膜が記録媒体対向面から後退して
いることは、反強磁性膜が記録媒体対向面に露出しない
ようにし、酸化することを防止する。
いることは、反強磁性膜が記録媒体対向面に露出しない
ようにし、酸化することを防止する。
【００１９】請求項２の発明において、強磁性膜をＶ字
形状としたことは、翼領域を、記録媒体対向面から後退
させて且つ大きな面積とし、フェリ磁性膜を記録媒体対
向面から後退させた配置で且つ翼領域を覆って積層する
ことを可能とする。
形状としたことは、翼領域を、記録媒体対向面から後退
させて且つ大きな面積とし、フェリ磁性膜を記録媒体対
向面から後退させた配置で且つ翼領域を覆って積層する
ことを可能とする。
【００２０】請求項３の発明において、強磁性膜をＶ字
形状としたことは、翼領域を、記録媒体対向面から後退
させて且つ大きな面積とし、永久磁石を記録媒体対向面
から後退させた配置で翼領域を覆って積層することを可
能とする。
形状としたことは、翼領域を、記録媒体対向面から後退
させて且つ大きな面積とし、永久磁石を記録媒体対向面
から後退させた配置で翼領域を覆って積層することを可
能とする。
【００２１】
【実施例】図１は本発明の請求項１に基づく第１実施例
になる磁気抵抗効果型再生ヘッド２０を示す。図中、図
８に示す構成部分と対応する部分には同一符号を付す。
になる磁気抵抗効果型再生ヘッド２０を示す。図中、図
８に示す構成部分と対応する部分には同一符号を付す。
【００２２】２１はＮｉＦｅ製の強磁性膜であり、スラ
イダ２の後端面３に形成してある。この強磁性膜２１は
、略Ｖ字の形状をなし、記録媒体対向面１０に露出して
中央に位置する信号磁界検知領域２１ａ と、この信号
磁界検知領域２１ａ の両端側にあって、上記面１０よ
り後退して斜め上方向に延在する翼領域２１ｂ ，２１
ｃ とよりなる。
イダ２の後端面３に形成してある。この強磁性膜２１は
、略Ｖ字の形状をなし、記録媒体対向面１０に露出して
中央に位置する信号磁界検知領域２１ａ と、この信号
磁界検知領域２１ａ の両端側にあって、上記面１０よ
り後退して斜め上方向に延在する翼領域２１ｂ ，２１
ｃ とよりなる。
【００２３】各翼領域２１ｂ ，２１ｃ は、信号磁界
検知領域２１ａ の両端が頂点となった略逆三角形状を
なす。
検知領域２１ａ の両端が頂点となった略逆三角形状を
なす。
【００２４】ヘッド２０が微小化され、幅寸法Ｗ１ 及
び長さＬ１が短くなっても、高さ寸法Ｈ１ については
ある程度の長さが確保される。このため、翼領域２１ａ
，２１ｂ の面積Ｓ１ （＝Ｌ１ ×Ｈ１ ／２）は
比較的大きな面積となり、信号磁界検知領域２１ａ の
面積Ｓ２ より広い。
び長さＬ１が短くなっても、高さ寸法Ｈ１ については
ある程度の長さが確保される。このため、翼領域２１ａ
，２１ｂ の面積Ｓ１ （＝Ｌ１ ×Ｈ１ ／２）は
比較的大きな面積となり、信号磁界検知領域２１ａ の
面積Ｓ２ より広い。
【００２５】２２，２３は夫々ＦｅＭｎ膜である反強磁
性膜であり、上記の翼領域２１ｂ ，２１ｃ を覆って
形成してある。
性膜であり、上記の翼領域２１ｂ ，２１ｃ を覆って
形成してある。
【００２６】こゝで、翼領域２１ｂ ，２１ｃ の面積
Ｓ１ は比較的大であるため、反強磁性膜２２，２３は
困難なく形成され、その面積Ｓ３ は広い。
Ｓ１ は比較的大であるため、反強磁性膜２２，２３は
困難なく形成され、その面積Ｓ３ は広い。
【００２７】また、反強磁性膜２２，２３は記録媒体対
向面１０より寸法Ｄ後退して形成してある。このため、
反強磁性膜２２，２３は、面１０に露出せず、完全にシ
ールド層９により覆われ、酸化（腐食）することは確実
に防止される。
向面１０より寸法Ｄ後退して形成してある。このため、
反強磁性膜２２，２３は、面１０に露出せず、完全にシ
ールド層９により覆われ、酸化（腐食）することは確実
に防止される。
【００２８】この反強磁性膜２２，２３は、信号磁界検
知領域２１ａ の長手方向である矢印Ａ方向に磁場をか
け、この磁界中で成膜したものである。
知領域２１ａ の長手方向である矢印Ａ方向に磁場をか
け、この磁界中で成膜したものである。
【００２９】これにより反強磁性膜２２，２３は、図１
，図２に示すように、矢印Ａ方向上、一端がＳ極、反対
側の端がＮ極となっている。
，図２に示すように、矢印Ａ方向上、一端がＳ極、反対
側の端がＮ極となっている。
【００３０】また、反強磁性膜２２，２３の厚み内につ
いてみると、磁化の方向は、図３に矢印で示す如くにな
っている。
いてみると、磁化の方向は、図３に矢印で示す如くにな
っている。
【００３１】次に、この反強磁性膜２２，２３の作用に
ついて、図２，図３を参照して説明する。
ついて、図２，図３を参照して説明する。
【００３２】まず、図３に示すように、反強磁性膜２２
及び２３のうち、翼領域２１ｂ ，２１ｃ との界面の
矢印Ａ方向の磁化状態３０による相互作用（破線矢印で
示す）によって、翼領域２１ｂ ，２１ｃの磁化状態が
、上記の磁化状態３０と同じくされ、符号３１で示すよ
うに矢印Ａ方向を向く磁化状態とされる。
及び２３のうち、翼領域２１ｂ ，２１ｃ との界面の
矢印Ａ方向の磁化状態３０による相互作用（破線矢印で
示す）によって、翼領域２１ｂ ，２１ｃの磁化状態が
、上記の磁化状態３０と同じくされ、符号３１で示すよ
うに矢印Ａ方向を向く磁化状態とされる。
【００３３】次いで、翼領域２１ｂ ，２１ｃ の磁化
状態３１の相互作用が、図２中破線矢印で示すように、
強磁性膜２１内を信号磁界検知領域２１ａ に向かって
順次伝搬し、信号磁界検知領域２１ａ に及ぶ。
状態３１の相互作用が、図２中破線矢印で示すように、
強磁性膜２１内を信号磁界検知領域２１ａ に向かって
順次伝搬し、信号磁界検知領域２１ａ に及ぶ。
【００３４】こゝで、信号磁界検知領域２１ａ は、磁
壁によって分けられた複数の磁区を有する構造となり易
いけれども、上記の相互作用によって、磁壁が消滅し、
磁壁を有しない単一磁区となる。
壁によって分けられた複数の磁区を有する構造となり易
いけれども、上記の相互作用によって、磁壁が消滅し、
磁壁を有しない単一磁区となる。
【００３５】こゝで、反強磁性膜２２，２３の面積Ｓ３
は翼領域２１ｂ ，２１ｃ 全体を覆っており、反強
磁性膜２２，２３の相互作用は翼領域２１ｂ ，２１ｃ
全体に及ぶ。このため、翼領域２１ｂ ，２１ｃ の
面積Ｓ１ は広いけども、翼領域２１ｂ ，２１ｃ 全
体が矢印Ａ方向を向く磁化状態３１とされる。
は翼領域２１ｂ ，２１ｃ 全体を覆っており、反強
磁性膜２２，２３の相互作用は翼領域２１ｂ ，２１ｃ
全体に及ぶ。このため、翼領域２１ｂ ，２１ｃ の
面積Ｓ１ は広いけども、翼領域２１ｂ ，２１ｃ 全
体が矢印Ａ方向を向く磁化状態３１とされる。
【００３６】このように、磁化状態３１とされた領域が
広いため、この磁化状態３１が信号磁界検知領域２１ａ
に向かって及ぼす相互作用の強さは従来に比べて強力
であり、領域２１ａ は従来に比べてより確実に単一磁
区とされる。
広いため、この磁化状態３１が信号磁界検知領域２１ａ
に向かって及ぼす相互作用の強さは従来に比べて強力
であり、領域２１ａ は従来に比べてより確実に単一磁
区とされる。
【００３７】また、反強磁性膜２２，２３は全体をシー
ルド層９により覆われており、酸化せず、翼領域２１ｂ
，２１ｃ の磁化の方向に揃える相互作用は劣化する
ことなく接続する。
ルド層９により覆われており、酸化せず、翼領域２１ｂ
，２１ｃ の磁化の方向に揃える相互作用は劣化する
ことなく接続する。
【００３８】この結果、上記構成のヘッド１は、大きさ
が微小であり、しかもバルクハウゼン雑音の発生を確実
に抑制しうる優れた特性を有する。
が微小であり、しかもバルクハウゼン雑音の発生を確実
に抑制しうる優れた特性を有する。
【００３９】図４は本発明の請求項１に基づく第２実施
例の磁気抵抗効果型再生ヘッド４０を示す。
例の磁気抵抗効果型再生ヘッド４０を示す。
【００４０】図中、ＦｅＭｎの膜である反強磁性膜４１
，４２を除いて、図１のものと同一であり、対応する部
分には同一符号を付す。
，４２を除いて、図１のものと同一であり、対応する部
分には同一符号を付す。
【００４１】反強磁性膜４１，４２は、前記反強磁性膜
２２，２３と同じ配置で、上記翼領域２１ｂ ，２１ｃ
を覆って形成してある。
２２，２３と同じ配置で、上記翼領域２１ｂ ，２１ｃ
を覆って形成してある。
【００４２】反強磁性膜４１には、右斜め上方向を向く
磁場中で成膜したものであり、図５に示すように、矢印
４３の方向が磁化の方向となっている。
磁場中で成膜したものであり、図５に示すように、矢印
４３の方向が磁化の方向となっている。
【００４３】別の反強磁性膜４２は、右斜め下方向を向
く磁場中で成膜したものであり、図５に示すように、矢
印４４の方向が磁化の方向となっている。
く磁場中で成膜したものであり、図５に示すように、矢
印４４の方向が磁化の方向となっている。
【００４４】各反強磁性膜４１，４２の矢印４３，４４
の方向を向くバイアス磁界の作用が翼領域２１ｂ ，２
１ｃ に及び、更には信号磁界検知領域２１ａ に及び
、領域２１ａ は図５に示すように単一磁区とされる。
の方向を向くバイアス磁界の作用が翼領域２１ｂ ，２
１ｃ に及び、更には信号磁界検知領域２１ａ に及び
、領域２１ａ は図５に示すように単一磁区とされる。
【００４５】これにより、ヘッド４０は、大きさが微小
であり、しかもバルクハウゼン雑音の発生を確実に抑制
しうる特性を有する。
であり、しかもバルクハウゼン雑音の発生を確実に抑制
しうる特性を有する。
【００４６】図６は本発明の請求項２に基づく第３実施
例の磁気抵抗効果型再生ヘッド５０を示す。
例の磁気抵抗効果型再生ヘッド５０を示す。
【００４７】このヘッド５０は、図１中の反強磁性膜２
２，２３に代えて、フェリ磁性膜５１，５２を形成して
なる構成である。
２，２３に代えて、フェリ磁性膜５１，５２を形成して
なる構成である。
【００４８】フェリ磁性膜５１，５２の作用が、翼領域
２１ｂ ，２１ｃ に伝搬し、更には信号磁界検知領域
２１ａ に及び、領域２１ａ は単磁区とされる。
２１ｂ ，２１ｃ に伝搬し、更には信号磁界検知領域
２１ａ に及び、領域２１ａ は単磁区とされる。
【００４９】これにより、ヘッド５０は、大きさが微小
であり、しかも、バルクハウゼン雑音を確実に抑制しう
る特性を有する。
であり、しかも、バルクハウゼン雑音を確実に抑制しう
る特性を有する。
【００５０】図７は本発明の請求項３に基づく第４実施
例の磁気抵抗効果型再生ヘッド６０を示す。
例の磁気抵抗効果型再生ヘッド６０を示す。
【００５１】このヘッド６０は、図１中の反強磁性膜２
２，２３に代えて、永久磁石６１，６２を形成してなる
構成である。
２，２３に代えて、永久磁石６１，６２を形成してなる
構成である。
【００５２】永久磁石６１，６２の作用が、翼領域２１
ｂ ，２１ｃ に伝搬し、更には信号磁界検知領域２１
ａ に及び、領域２１ａ は単磁区とされる。
ｂ ，２１ｃ に伝搬し、更には信号磁界検知領域２１
ａ に及び、領域２１ａ は単磁区とされる。
【００５３】これにより、ヘッド６０は、大きさが微小
であり、しかも、バルクハウゼン雑音の発生を確実に抑
制しうる特性を有する。
であり、しかも、バルクハウゼン雑音の発生を確実に抑
制しうる特性を有する。
【００５４】
【発明の効果】以上説明した様に、請求項１の発明によ
れば、サイズが微小となっても、信号磁界検知領域を効
果的に単一磁区化することが出来、然して微小サイズで
あってしかもバルクハウゼン雑音の発生を抑制すること
が出来、且つ反強磁性膜が酸化しないようにした信頼性
の高いヘッドを実現出来る。
れば、サイズが微小となっても、信号磁界検知領域を効
果的に単一磁区化することが出来、然して微小サイズで
あってしかもバルクハウゼン雑音の発生を抑制すること
が出来、且つ反強磁性膜が酸化しないようにした信頼性
の高いヘッドを実現出来る。
【００５５】請求項２の発明によれば、サイズが微小と
なっても、信号磁界検知領域を効果的に単一磁区化する
ことが出来、然して微小サイズであってしかもバルクハ
ウゼン雑音の発生を抑制することが出来るヘッドを実現
出来る。
なっても、信号磁界検知領域を効果的に単一磁区化する
ことが出来、然して微小サイズであってしかもバルクハ
ウゼン雑音の発生を抑制することが出来るヘッドを実現
出来る。
【００５６】請求項３の発明によれば、サイズが微小と
なっても、信号磁界検知領域を効果的に単一磁区化する
ことが出来、然して微小サイズであってしかもバルクハ
ウゼン雑音の発生を抑制することが出来るヘッドを実現
出来る。
なっても、信号磁界検知領域を効果的に単一磁区化する
ことが出来、然して微小サイズであってしかもバルクハ
ウゼン雑音の発生を抑制することが出来るヘッドを実現
出来る。
【図１】本発明の磁気抵抗効果型再生ヘッドの第１実施
例を示す図である。
例を示す図である。
【図２】図１中、強磁性膜と反強磁性膜とを取り出して
示す図である。
示す図である。
【図３】図２中、ＩＩＩ −ＩＩＩ 線に沿う断面図で
ある。
ある。
【図４】本発明の磁気抵抗効果型再生ヘッドの第２実施
例を示す図である。
例を示す図である。
【図５】図４中、強磁性膜と反強磁性膜とを取り出して
示す図である。
示す図である。
【図６】本発明の磁気抵抗効果型再生ヘッドの第３実施
例を示す図である。
例を示す図である。
【図７】本発明の磁気抵抗効果型再生ヘッドの第４実施
例を示す図である。
例を示す図である。
【図８】従来の磁気抵抗効果型再生ヘッドの１例を示す
図である。
図である。
２ スライダ
３ 後端面
５，６ 引出し導体
９ シールド層
１０ 記録媒体に対向する面
２０，４０，５０，６０ 磁気抵抗効果型再生ヘッド
２１ 強磁性膜 ２１ａ 信号磁界検知領域 ２１ｂ ，２１ｃ 翼領域 ２２，２３ 反強磁性膜 ３０，３１ 磁化状態 ４３，４４ 磁化の方向 ５１，５２ フェリ磁性膜 ６１，６２ 永久磁石
２１ 強磁性膜 ２１ａ 信号磁界検知領域 ２１ｂ ，２１ｃ 翼領域 ２２，２３ 反強磁性膜 ３０，３１ 磁化状態 ４３，４４ 磁化の方向 ５１，５２ フェリ磁性膜 ６１，６２ 永久磁石
Claims (3)
- 【請求項１】 強磁性膜のうち信号磁界を検知する領
域を単一磁区化してなる磁気抵抗効果型再生ヘッドにお
いて、上記強磁性膜（２１）を、中央に位置して信号磁
界を検知する領域（２１ａ ）と、この両側に位置して
且つ記録媒体に対向する面（１０）より後退して形成し
てあり、上記信号磁界検知領域（２１ａ ）よりも大き
い面積を有する翼領域（２１ｂ ，２１ｃ ）とよりな
る略Ｖ字の形状とし、上記両側の翼領域（２１ｂ ，２
１ｃ ）に、上記信号磁界検知領域（２１ａ ）を単一
磁区化するように磁化された反強磁性膜（２２，２３）
を積層してなる構成としたことを特徴とする磁気抵抗効
果型再生ヘッド。 - 【請求項２】 強磁性膜のうち信号磁界を検知する領
域を単一磁区化してなる磁気抵抗効果型再生ヘッドにお
いて、上記強磁性膜（２１）を、中央に位置して信号磁
界を検知する領域（２１ａ ）と、この両側に位置して
且つ記録媒体に対向する面（１０）より後退して形成し
てあり、上記信号磁界検知領域（２１ａ ）よりも大き
い面積を有する翼領域（２１ｂ ，２１ｃ ）とよりな
る略Ｖ字の形状とし、上記両側の翼領域（２１ｂ ，２
１ｃ ）に、これを単一磁区化するバイアス磁界を印加
するフェリ磁性膜（５１，５２）を積層してなる構成と
したことを特徴とする磁気抵抗効果型再生ヘッド。 - 【請求項３】 強磁性膜のうち信号磁界を検知する領
域を単一磁区化してなる磁気抵抗効果型再生ヘッドにお
いて、上記強磁性膜（２１）を、中央に位置して信号磁
界を検知する領域（２１ａ ）と、この両側に位置して
且つ記録媒体に対向する面（１０）より後退して形成し
てあり、上記信号磁界検知領域（２１ａ ）よりも大き
い面積を有する翼領域（２１ｂ ，２１ｃ ）とよりな
る略Ｖ字の形状とし、上記両側の翼領域（２１ｂ ，２
１ｃ ）に、上記信号磁界検知領域にこれを単一磁区化
するバイアス磁界を印加する永久磁石（６１，６２）を
積層してなる構成としたことを特徴とする磁気抵抗効果
型再生ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2886491A JPH04268207A (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 磁気抵抗効果型再生ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2886491A JPH04268207A (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 磁気抵抗効果型再生ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04268207A true JPH04268207A (ja) | 1992-09-24 |
Family
ID=12260246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2886491A Withdrawn JPH04268207A (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 磁気抵抗効果型再生ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04268207A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01274907A (ja) * | 1988-09-14 | 1989-11-02 | Matsushita Electric Works Ltd | ハンマードリル |
-
1991
- 1991-02-22 JP JP2886491A patent/JPH04268207A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01274907A (ja) * | 1988-09-14 | 1989-11-02 | Matsushita Electric Works Ltd | ハンマードリル |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |