JPH02187912A - 磁気抵抗効果型再生ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型再生ヘッドInfo
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- JPH02187912A JPH02187912A JP747789A JP747789A JPH02187912A JP H02187912 A JPH02187912 A JP H02187912A JP 747789 A JP747789 A JP 747789A JP 747789 A JP747789 A JP 747789A JP H02187912 A JPH02187912 A JP H02187912A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
磁気ディスク装置、或いは磁気テープ装置等に用いられ
る磁気抵抗効果型再生ヘッドに関し、ＭＲ素子の信号検
知領域間に流れるセンス電流ＪＭＩ＋の−ｙ成分の電流
Ｊ、により該ＭＲ素子の磁化容易軸に沿った一方の磁化
方向に確実に磁界Ｈを印加するようにして、ＭＲ素子を
磁壁のない単磁区状態とし、バルクハウゼン雑音の発生
を抑止することを目的とし、 二つの磁気シールド体間に非磁性絶縁層を介して配設さ
れた磁気抵抗効果素子の片面に、一端を接続端部とした
一対の非磁性導体層が斜めに形成した他端を対向した形
で接合され、これら導体層の前記対向部分を前記磁気抵
抗効果素子の信号検知領域に画定し、かつ磁気抵抗効果
素子の信号検知領域の近傍に磁界発生手段を対向配置し
たヘッド構成とする。
る磁気抵抗効果型再生ヘッドに関し、ＭＲ素子の信号検
知領域間に流れるセンス電流ＪＭＩ＋の−ｙ成分の電流
Ｊ、により該ＭＲ素子の磁化容易軸に沿った一方の磁化
方向に確実に磁界Ｈを印加するようにして、ＭＲ素子を
磁壁のない単磁区状態とし、バルクハウゼン雑音の発生
を抑止することを目的とし、 二つの磁気シールド体間に非磁性絶縁層を介して配設さ
れた磁気抵抗効果素子の片面に、一端を接続端部とした
一対の非磁性導体層が斜めに形成した他端を対向した形
で接合され、これら導体層の前記対向部分を前記磁気抵
抗効果素子の信号検知領域に画定し、かつ磁気抵抗効果
素子の信号検知領域の近傍に磁界発生手段を対向配置し
たヘッド構成とする。
本発明は磁気ディスク装置、或いは磁気テープ装置等に
用いられる磁気抵抗効果型再生ヘッドに関するものであ
る。
用いられる磁気抵抗効果型再生ヘッドに関するものであ
る。
磁気ディスク装置、磁気テープ装置等の磁気記録装置は
、コンピュータシステムの外部記憶装置として広く用い
られており、近来、磁気ディスク装置では大容量化、高
速化に伴って記録密度は益々高められる方向にある。こ
のため、再生用の磁気ヘッドにおいても記録媒体の速度
に依存せず、また抵抗変化が比較的大きく高出力が得ら
れる磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果型再生ヘッド
（以下ＭＲヘッドと略称する）が注目されている。
、コンピュータシステムの外部記憶装置として広く用い
られており、近来、磁気ディスク装置では大容量化、高
速化に伴って記録密度は益々高められる方向にある。こ
のため、再生用の磁気ヘッドにおいても記録媒体の速度
に依存せず、また抵抗変化が比較的大きく高出力が得ら
れる磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果型再生ヘッド
（以下ＭＲヘッドと略称する）が注目されている。
このようなＭＲヘッドとしては磁気記録媒体の磁界によ
って磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と略称する）の磁
壁が変動して磁区が不安定になり再生出力中にバルクハ
ウゼン（Ｂａｒｋｈａｕｓｅｎ）雑音が生じ易い傾向が
あり、高密度記録に伴う高トラツク密度化に対しても、
かかるバルクハウゼン雑音の発生のない高性能なヘッド
構造が要望されている。
って磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と略称する）の磁
壁が変動して磁区が不安定になり再生出力中にバルクハ
ウゼン（Ｂａｒｋｈａｕｓｅｎ）雑音が生じ易い傾向が
あり、高密度記録に伴う高トラツク密度化に対しても、
かかるバルクハウゼン雑音の発生のない高性能なヘッド
構造が要望されている。
従来、バルクハウゼン雑音の発生を抑止するＭＲヘッド
として、例えば特開昭５９−１２９９２２号公報に記載
のものが既に提案されている。
として、例えば特開昭５９−１２９９２２号公報に記載
のものが既に提案されている。
即ち、このＭＲヘッドは図示しない二つの磁気シールド
体間に非磁性絶縁層を介して配設された第５図に示すよ
うな正方形、または長方形の額縁形状のＭＲ素子１１の
一方の側面に、複数の非磁性導体層１２が接合されてい
る。即ち、その複数の非磁性導体層１２の配設状態を説
明すると、例えば図示のように前記ＭＲ素子１１の一方
の側面に沿って接続端部１２１ａ、 １２２ａを有する
第一導体層部分１２１と第二導体層部分１２２、該第二
導体層部分１２２と第三導体層部分１２３、該第三導体
層部分１２３と第四導体層部分１２４、該第四導体層部
分１２４と第五導体層部分１２５、該第五導体層部分１
２５と第六導体層部分１２６、該第六導体層部分１２６
と第七導体層部分１２７、該第七導体層部分１２７と前
記第一導体層部分１２１がそれぞれ斜めに形成された端
部を所定間隔を隔てて対向した形で接合されており、前
記第一導体層部分１２１と第二導体層部分１２２との対
向領域に対応する前記ＭＲ素子１１の領域が該ＭＲ素子
１１の信号検知領域１１ａとして画定された構造として
いる。
体間に非磁性絶縁層を介して配設された第５図に示すよ
うな正方形、または長方形の額縁形状のＭＲ素子１１の
一方の側面に、複数の非磁性導体層１２が接合されてい
る。即ち、その複数の非磁性導体層１２の配設状態を説
明すると、例えば図示のように前記ＭＲ素子１１の一方
の側面に沿って接続端部１２１ａ、 １２２ａを有する
第一導体層部分１２１と第二導体層部分１２２、該第二
導体層部分１２２と第三導体層部分１２３、該第三導体
層部分１２３と第四導体層部分１２４、該第四導体層部
分１２４と第五導体層部分１２５、該第五導体層部分１
２５と第六導体層部分１２６、該第六導体層部分１２６
と第七導体層部分１２７、該第七導体層部分１２７と前
記第一導体層部分１２１がそれぞれ斜めに形成された端
部を所定間隔を隔てて対向した形で接合されており、前
記第一導体層部分１２１と第二導体層部分１２２との対
向領域に対応する前記ＭＲ素子１１の領域が該ＭＲ素子
１１の信号検知領域１１ａとして画定された構造として
いる。
そして電流ａ１３より前記複数の非磁性導体層１２の両
端の接続端部１２１ａ、 １２２ａを通してＭＲ素子１
１の前記信号検知領域１１ａに矢印で示すように一定の
センス電流Ｊ□を流す。この時、他の各導体層部分間の
対向領域に対応する前記ＭＲ素子１１の領域１１ｂ〜１
１ｆにもそれぞれ第二導体層部分１２２より矢印で示す
ように第三、第四、第五、第六及び第七導体層部分１２
７を通して第一・導体層部分１２１へと一定のセンス電
流ＪＭ１１が流れる。
端の接続端部１２１ａ、 １２２ａを通してＭＲ素子１
１の前記信号検知領域１１ａに矢印で示すように一定の
センス電流Ｊ□を流す。この時、他の各導体層部分間の
対向領域に対応する前記ＭＲ素子１１の領域１１ｂ〜１
１ｆにもそれぞれ第二導体層部分１２２より矢印で示す
ように第三、第四、第五、第六及び第七導体層部分１２
７を通して第一・導体層部分１２１へと一定のセンス電
流ＪＭ１１が流れる。
そして磁気記録媒体１５の記録トラックからの信号磁界
に応じて生じる該ＭＲ素子１１の信号検知領域１１ａで
の抵抗変化を電圧の変化として検知回路１４で検知し、
それよりの信号出力により再生している。
に応じて生じる該ＭＲ素子１１の信号検知領域１１ａで
の抵抗変化を電圧の変化として検知回路１４で検知し、
それよりの信号出力により再生している。
なお、前記ＭＲ素子１１においては、該素子１１の信号
検知領域１１ａを画定した両側の第一、第二導体層部分
１２１．１２２が接合された所謂電気的にシャントされ
た素子部分は前記センス電流ＪＮＲが殆ど流れず、媒体
１３からの信号磁界に対しては゛不怒、非検知領域とな
っており、第６図の部分拡大図で示すように第一導体層
部分１２１ と第二導体層部分１２２が斜めに形成され
た端部を所定間隔を隔てて対向した構成により画定され
たＭＲ素子１１の前記信号検知領域１１ａ間に流れるセ
ンス電流ＪＮＲが、該素子１１の長さ方向に対して矢印
で示すように傾いた方向に流れるため、このセンス電流
Ｊ□における素子幅方向と直交する方向に流れるーｙ酸
成分電流Ｊ、を利用して該ＭＲ素子１１の鎖線矢印で示
す磁化容易軸方向に磁界Ｈを発生印加し、ＭＲ素子１１
を磁壁のない単一磁区状態にしてバルクハウゼン雑音の
発生を抑止しでいる。
検知領域１１ａを画定した両側の第一、第二導体層部分
１２１．１２２が接合された所謂電気的にシャントされ
た素子部分は前記センス電流ＪＮＲが殆ど流れず、媒体
１３からの信号磁界に対しては゛不怒、非検知領域とな
っており、第６図の部分拡大図で示すように第一導体層
部分１２１ と第二導体層部分１２２が斜めに形成され
た端部を所定間隔を隔てて対向した構成により画定され
たＭＲ素子１１の前記信号検知領域１１ａ間に流れるセ
ンス電流ＪＮＲが、該素子１１の長さ方向に対して矢印
で示すように傾いた方向に流れるため、このセンス電流
Ｊ□における素子幅方向と直交する方向に流れるーｙ酸
成分電流Ｊ、を利用して該ＭＲ素子１１の鎖線矢印で示
す磁化容易軸方向に磁界Ｈを発生印加し、ＭＲ素子１１
を磁壁のない単一磁区状態にしてバルクハウゼン雑音の
発生を抑止しでいる。
しかしながら、このよ・うな構造の従来のＭＲヘッドに
おいては、前記ＭＲ素子１１を第４図に示す矢印時の方
向、即ち前記ＭＲ素子１１を媒体１３側から見た第７図
の拡大断面図に示すようにＭＲ素子１１の前記信号検知
領域１１ａ間に流れるセンス電流ＪＭＩＩの−ｙ成分の
電流Ｊｙは、この図面（紙面）に対して垂直方向に流れ
ており、この−ｙ酸成分電流ｙｙにより磁化容易軸方向
に発生し印加する磁界Ｈの方向が、素子幅の上半分と下
半分で逆方向となり、このため素子幅の上半分と下半分
での磁化も逆向きとなることから該ＭＲ素子１１の単磁
区化が不安定となり、バルクハウゼン雑音の発生を確実
に抑制することができないといった問題があった。
おいては、前記ＭＲ素子１１を第４図に示す矢印時の方
向、即ち前記ＭＲ素子１１を媒体１３側から見た第７図
の拡大断面図に示すようにＭＲ素子１１の前記信号検知
領域１１ａ間に流れるセンス電流ＪＭＩＩの−ｙ成分の
電流Ｊｙは、この図面（紙面）に対して垂直方向に流れ
ており、この−ｙ酸成分電流ｙｙにより磁化容易軸方向
に発生し印加する磁界Ｈの方向が、素子幅の上半分と下
半分で逆方向となり、このため素子幅の上半分と下半分
での磁化も逆向きとなることから該ＭＲ素子１１の単磁
区化が不安定となり、バルクハウゼン雑音の発生を確実
に抑制することができないといった問題があった。
本発明は上記した従来の問題点に鑑み、ＭＲ素子の信号
検知領域間に流れるセンス電流ＪＭ１１の−ｙ酸成分電
流Ｊ、により該ＭＲ素子の磁化容易軸に沿った一方の磁
化方向に確実に磁界Ｈを印加するようにして、ＭＲ素子
を磁壁のない単一磁区状態とし、バルクハウゼン雑音の
発生を抑止した新規な磁気抵抗効果型再生ヘッドを提供
することを目的とするものである。
検知領域間に流れるセンス電流ＪＭ１１の−ｙ酸成分電
流Ｊ、により該ＭＲ素子の磁化容易軸に沿った一方の磁
化方向に確実に磁界Ｈを印加するようにして、ＭＲ素子
を磁壁のない単一磁区状態とし、バルクハウゼン雑音の
発生を抑止した新規な磁気抵抗効果型再生ヘッドを提供
することを目的とするものである。
本発明は上記した目的を達成するため、二つの磁気シー
ルド体間に非磁性絶縁層を介して配設された磁気抵抗効
果素子の片面に、一端を接続端部とした一対の非磁性導
体層が斜めに形成した他端を対向した形で接合され、こ
れら導体層の前記対向部分を前記磁気抵抗効果素子の信
号検知領域に画定し、かつ磁気抵抗効果素子の信号検知
領域の近傍に磁界発生手段を対向配置したヘッド構成と
する。
ルド体間に非磁性絶縁層を介して配設された磁気抵抗効
果素子の片面に、一端を接続端部とした一対の非磁性導
体層が斜めに形成した他端を対向した形で接合され、こ
れら導体層の前記対向部分を前記磁気抵抗効果素子の信
号検知領域に画定し、かつ磁気抵抗効果素子の信号検知
領域の近傍に磁界発生手段を対向配置したヘッド構成と
する。
〔作 用］
本発明の磁気抵抗効果型再生ヘッドでは、第３図の原理
説明図に示すように磁気抵抗効果素子２１の信号検知領
域２１ａの近傍に磁界発生手段、即ち強磁性体２２を対
向配置しているため、該信号検知領域２１ａ間に流れる
センス電流Ｊ１４．ｌの−ｙ酸成分電流Ｊ、によって、
この信号検知領域２１ａと対向する強磁性体２２に磁界
Ｈ５が発生して磁化される。そしてこの磁化された強磁
性体２２より発生する二点鎖線と矢印で示す磁力線２３
により、前記磁気抵抗効果素子２１の信号検知領域２１
ａの磁化容易軸に沿った一方の磁化方向に確実に磁界、
即ち磁界エネルギーＨｅが印加される。その結果、磁気
抵抗効果素子２１は磁壁のない単一磁区状態となり、再
生時のバルクハウゼン雑音の発生が抑止される。
説明図に示すように磁気抵抗効果素子２１の信号検知領
域２１ａの近傍に磁界発生手段、即ち強磁性体２２を対
向配置しているため、該信号検知領域２１ａ間に流れる
センス電流Ｊ１４．ｌの−ｙ酸成分電流Ｊ、によって、
この信号検知領域２１ａと対向する強磁性体２２に磁界
Ｈ５が発生して磁化される。そしてこの磁化された強磁
性体２２より発生する二点鎖線と矢印で示す磁力線２３
により、前記磁気抵抗効果素子２１の信号検知領域２１
ａの磁化容易軸に沿った一方の磁化方向に確実に磁界、
即ち磁界エネルギーＨｅが印加される。その結果、磁気
抵抗効果素子２１は磁壁のない単一磁区状態となり、再
生時のバルクハウゼン雑音の発生が抑止される。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明に係る磁気抵抗効果型再生ヘッドの一実
施例を示す要部側断面図である。
施例を示す要部側断面図である。
図において、３１及び３２はＮｉ−Ｚｎフェライト、Ｎ
ｉＦｅ等からなる磁気シールド体であり、この両磁気シ
ールド体３１及び３２間にＳｉＯ□からなる非磁性絶縁
層３３を介して、それぞれ一端に接続端部３４ａ、 ３
４ｂを有する一対の金（Ａｕ）等からなる非磁性な導体
層３４Ａ、３４Ｂが一方の側面に接合されたＮｉ−Ｆｅ
等からなる磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と略称する
）３５とその近傍に磁界発生手段としてＭｎ−Ｚｎ 、
或いはＮｉ−Ｆｅ等からなる強磁性体３６が対向配置さ
れている。
ｉＦｅ等からなる磁気シールド体であり、この両磁気シ
ールド体３１及び３２間にＳｉＯ□からなる非磁性絶縁
層３３を介して、それぞれ一端に接続端部３４ａ、 ３
４ｂを有する一対の金（Ａｕ）等からなる非磁性な導体
層３４Ａ、３４Ｂが一方の側面に接合されたＮｉ−Ｆｅ
等からなる磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と略称する
）３５とその近傍に磁界発生手段としてＭｎ−Ｚｎ 、
或いはＮｉ−Ｆｅ等からなる強磁性体３６が対向配置さ
れている。
即ち、上記接続端部３４ａ、 ３４ｂを有する金く＾Ｕ
）等の非磁性な導体層３４Ａ、 ３４Ｂが接合されたＭ
Ｒ素子３５とその近傍に対向配置した強磁性体３６の構
成を第２図の斜視図により更に詳細に説明すると、前記
ＭＲ素子３５の一方の側面には一端を接続端部３４ａ。
）等の非磁性な導体層３４Ａ、 ３４Ｂが接合されたＭ
Ｒ素子３５とその近傍に対向配置した強磁性体３６の構
成を第２図の斜視図により更に詳細に説明すると、前記
ＭＲ素子３５の一方の側面には一端を接続端部３４ａ。
３４ｂとした一対の非磁性な導体層３４＾と３４Ｂが図
示のように斜めに形成した他端を所定間隔をもって対向
した形で接合されており、がっこれらの導体層３４＾と
３４Ｂの対向部分を該ＭＲ素子３５の信号検知領域３５
ａに画定されている。
示のように斜めに形成した他端を所定間隔をもって対向
した形で接合されており、がっこれらの導体層３４＾と
３４Ｂの対向部分を該ＭＲ素子３５の信号検知領域３５
ａに画定されている。
またそのＭＲ素子３５の他方の側面にはＳ＋Ｏｚからな
る非磁性の中間絶縁層３３ａを介して強磁性体３６が前
記ＭＲ素子３５の信号検知領域３５ａと対向するように
近接配置されている。
る非磁性の中間絶縁層３３ａを介して強磁性体３６が前
記ＭＲ素子３５の信号検知領域３５ａと対向するように
近接配置されている。
そして対向する磁気記録媒体３７の記録トラックの情報
を再生するに際しては、前記ＭＲ素子３５の信号検知領
域３５ａに一方の導体層３４Ａの接続端部３４ａより他
方の導体層３４Ｂの接続端部３４ｂへ矢印で示すように
一定のセンス電流（出力検出電流）ＪＭｌｌを流し、磁
気記録媒体３７の記録トラックからの信号磁界に応じて
生じる該ＭＲ素子３５の信号検知領域３５ａでの抵抗変
化を電圧の変化として検知し、出力することによって再
生する。
を再生するに際しては、前記ＭＲ素子３５の信号検知領
域３５ａに一方の導体層３４Ａの接続端部３４ａより他
方の導体層３４Ｂの接続端部３４ｂへ矢印で示すように
一定のセンス電流（出力検出電流）ＪＭｌｌを流し、磁
気記録媒体３７の記録トラックからの信号磁界に応じて
生じる該ＭＲ素子３５の信号検知領域３５ａでの抵抗変
化を電圧の変化として検知し、出力することによって再
生する。
一方、前記ＭＲ素子３５の信号検知領域３５ａに流れる
センス電流ＪＭＩＩの−ｙ酸成分電流Ｊ、により、この
信号検知領域３５ａと対向して配置された強磁性体３６
に磁界が生じて磁化され、その磁化された強磁性体３６
より発生する磁力線によって前記ＭＲ素子３５の信号検
知領域３５ａに磁化容易軸に沿う磁化方向に確実に磁界
Ｈを印加することが可能となる。
センス電流ＪＭＩＩの−ｙ酸成分電流Ｊ、により、この
信号検知領域３５ａと対向して配置された強磁性体３６
に磁界が生じて磁化され、その磁化された強磁性体３６
より発生する磁力線によって前記ＭＲ素子３５の信号検
知領域３５ａに磁化容易軸に沿う磁化方向に確実に磁界
Ｈを印加することが可能となる。
従って、ＭＲ素子３５が磁壁のない単一磁区となり、再
生時におけるバルクハウゼン雑音の発生を抑止すること
ができる。
生時におけるバルクハウゼン雑音の発生を抑止すること
ができる。
なお、以上の実施例ではＭＲ素子３５の磁化方向を図面
に向かって右から左の方向とし、ＭＲ素子３５の信号検
知領域３５ａへは一方の導体層３４Ａの接続端部３４ａ
より他方の導体層３４Ｂの接続端部３４ｂの方向にセン
ス電流Ｊ。を流す場合の例について説明したが、例えば
前記ＭＲ素子３５の磁化方向を図面に向かって左から右
の方向とした場合には、ＭＲ素子３５の信号検知領域３
５ａに、他方の導体層３４Ｂの接続端部３４ｂより一方
の導体層３４への接続端部３４ａの方向にセンス電流Ｊ
ＮＲを流すようにすればよく、この場合の磁界印加方向
は前記ＭＲ素子３５の磁化方向（図面に向かって左から
右の方向）と一致する。
に向かって右から左の方向とし、ＭＲ素子３５の信号検
知領域３５ａへは一方の導体層３４Ａの接続端部３４ａ
より他方の導体層３４Ｂの接続端部３４ｂの方向にセン
ス電流Ｊ。を流す場合の例について説明したが、例えば
前記ＭＲ素子３５の磁化方向を図面に向かって左から右
の方向とした場合には、ＭＲ素子３５の信号検知領域３
５ａに、他方の導体層３４Ｂの接続端部３４ｂより一方
の導体層３４への接続端部３４ａの方向にセンス電流Ｊ
ＮＲを流すようにすればよく、この場合の磁界印加方向
は前記ＭＲ素子３５の磁化方向（図面に向かって左から
右の方向）と一致する。
また、第４図は本発明に係る磁気抵抗効果型再生ヘッド
の他の実施例を示す要部側断面図であり第１図と同等部
分には同一符号を付している。
の他の実施例を示す要部側断面図であり第１図と同等部
分には同一符号を付している。
この図で示す実施例が第１図の実施例と異なる特徴とす
る点は、ＭＲ素子３５の信号検知領域３５ａに近接配置
した強磁性体３６を、該ＭＲ素子３５の両側に配置した
二つの磁気シールド体３１及び３２の内の何れか一方の
磁気シールド体、本実施例では磁気シールド体３２で兼
用した点である。
る点は、ＭＲ素子３５の信号検知領域３５ａに近接配置
した強磁性体３６を、該ＭＲ素子３５の両側に配置した
二つの磁気シールド体３１及び３２の内の何れか一方の
磁気シールド体、本実施例では磁気シールド体３２で兼
用した点である。
この場合、該磁気シールド体３２はＭＲ素子３５に近接
して配置された構成とされ、この実施例のヘッド構成に
おいても前記第１図による実施例と同様な目的の達成と
効果が得られる。
して配置された構成とされ、この実施例のヘッド構成に
おいても前記第１図による実施例と同様な目的の達成と
効果が得られる。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る磁気抵抗
効果型再生ヘッドによれば、ＭＲ素子にお、ける信号検
知領域の磁化容易軸に沿う磁化方向に磁界Ｈｅを確実に
印加することができるので、再生時のＭＲ素子は磁壁の
ない単一磁区となり、バルクハウゼン雑音の発生を容易
に抑止することが可能となる等、再生特性が著しく向上
する利点を有し、実用上価れた効果を奏する。
効果型再生ヘッドによれば、ＭＲ素子にお、ける信号検
知領域の磁化容易軸に沿う磁化方向に磁界Ｈｅを確実に
印加することができるので、再生時のＭＲ素子は磁壁の
ない単一磁区となり、バルクハウゼン雑音の発生を容易
に抑止することが可能となる等、再生特性が著しく向上
する利点を有し、実用上価れた効果を奏する。
第１図は本発明に係る磁気抵抗効果型再生ヘッドの一実
施例を示す要部側断面図、 第２図は本発明に係る磁気抵抗効果型再生ヘッドの磁気
抵抗効果素子及び強磁性体と の組合わせ構造を示す要部斜視図、 第３図は本発明に係る磁気抵抗効果型再生ヘッドを原理
的に説明する図、 第４図は本発明に係る磁気抵抗効果型再生ヘッドの他の
実施例を示す要部側断面図、 第５図は従来の磁気抵抗効果型ヘッドを説明するための
要部平面図、 第６図は従来の磁気抵抗効果型ヘッドの部分拡大図、 第７図は従来の磁気抵抗効果型ヘッドの問題点を説明す
るための平面図である。 第１図〜第４図において、 ２１は磁気抵抗効果素子、２１ａ、 ３５ａは信号検知
領域、２２．３６は強磁性体、２３は磁力線、３１．３
２は磁気シールド体、３３は非磁性絶縁層、３３ａは中
間絶縁層、３４Ａ、３４Ｂは非磁性導体層、３４ａ、
３４ｂは接続端部、３５はＭＲ素子、３７は磁気記録媒
体をそれぞれ示す。 ノド桿（川、、１ＭＲへラド゛の一秀彷を例昼零す５Ｈ
警タ″ｊ廖セ石ｍ第１図 ４今トＵＨめＨ尺ヘット・・め坦９掌Ｔ萼（子撃予子ソ
図ントイどａｌの耐ＲヘツＦ゛ε肇理台ダ１；ｔえ９Ｉ
力回第３図 Ａミ雲ト９耳＾トイＲへ・ノド゛〕九ブ９飼’−Ｉ’Ｊ
’ｅ ｉ１’１？部仁イＩｔ面し］第４図
施例を示す要部側断面図、 第２図は本発明に係る磁気抵抗効果型再生ヘッドの磁気
抵抗効果素子及び強磁性体と の組合わせ構造を示す要部斜視図、 第３図は本発明に係る磁気抵抗効果型再生ヘッドを原理
的に説明する図、 第４図は本発明に係る磁気抵抗効果型再生ヘッドの他の
実施例を示す要部側断面図、 第５図は従来の磁気抵抗効果型ヘッドを説明するための
要部平面図、 第６図は従来の磁気抵抗効果型ヘッドの部分拡大図、 第７図は従来の磁気抵抗効果型ヘッドの問題点を説明す
るための平面図である。 第１図〜第４図において、 ２１は磁気抵抗効果素子、２１ａ、 ３５ａは信号検知
領域、２２．３６は強磁性体、２３は磁力線、３１．３
２は磁気シールド体、３３は非磁性絶縁層、３３ａは中
間絶縁層、３４Ａ、３４Ｂは非磁性導体層、３４ａ、
３４ｂは接続端部、３５はＭＲ素子、３７は磁気記録媒
体をそれぞれ示す。 ノド桿（川、、１ＭＲへラド゛の一秀彷を例昼零す５Ｈ
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Claims (1)
- 二つの磁気シールド体（３１、３２）間に非磁性絶縁層
（３３）を介して配設された磁気抵抗効果素子（３５）
の片面に、一端を接続端部（３４ａ、３４ｂ）とした一
対の非磁性導体層（３４Ａ、３４Ｂ）が斜めに形成した
他端を対向した形で接合され、これら導体層（３４Ａ、
３４Ｂ）の前記対向部分を前記磁気抵抗効果素子（３５
）の信号検知領域（３５ａ）に画定し、かつ磁気抵抗効
果素子（３５）の信号検知領域（３５ａ）の近傍に磁界
発生手段（３６）を対向配置したことを特徴とする磁気
抵抗効果型再生ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP747789A JPH02187912A (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | 磁気抵抗効果型再生ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP747789A JPH02187912A (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | 磁気抵抗効果型再生ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02187912A true JPH02187912A (ja) | 1990-07-24 |
Family
ID=11666855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP747789A Pending JPH02187912A (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | 磁気抵抗効果型再生ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02187912A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5309304A (en) * | 1992-06-05 | 1994-05-03 | Hewlett-Packard Company | Magnetoresistive transducer conductor configuration |
| US5483402A (en) * | 1994-06-15 | 1996-01-09 | Quantum Corporation | Magneto resistive head having symmetric off-track performance profile |
| US6597545B2 (en) * | 2000-05-25 | 2003-07-22 | Seagate Technology Llc | Shield design for magnetoresistive sensor |
-
1989
- 1989-01-13 JP JP747789A patent/JPH02187912A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5309304A (en) * | 1992-06-05 | 1994-05-03 | Hewlett-Packard Company | Magnetoresistive transducer conductor configuration |
| US5483402A (en) * | 1994-06-15 | 1996-01-09 | Quantum Corporation | Magneto resistive head having symmetric off-track performance profile |
| US6597545B2 (en) * | 2000-05-25 | 2003-07-22 | Seagate Technology Llc | Shield design for magnetoresistive sensor |
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