JPH042698A - 薄膜基板の製造方法 - Google Patents
薄膜基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH042698A JPH042698A JP2103033A JP10303390A JPH042698A JP H042698 A JPH042698 A JP H042698A JP 2103033 A JP2103033 A JP 2103033A JP 10303390 A JP10303390 A JP 10303390A JP H042698 A JPH042698 A JP H042698A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- base
- substrate
- axis
- srtio3
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は焦電形赤外線センサ、圧電素子、電気光学素子
、メモリ素子、キャパシタなどに用いられる強誘電体薄
膜や高速トランジスタ、微小電磁場センサ等に用いられ
る超伝導薄膜を作製するための基板に関するものである
。
、メモリ素子、キャパシタなどに用いられる強誘電体薄
膜や高速トランジスタ、微小電磁場センサ等に用いられ
る超伝導薄膜を作製するための基板に関するものである
。
（従来の技術）
強誘電体や超伝導体のエレクトロニクス分野における応
用は上記の素子等さまざまなものがある。
用は上記の素子等さまざまなものがある。
近年の半導体技術の進歩による電子部品の小型化、集積
化にともない、これらの素子も小型化。
化にともない、これらの素子も小型化。
薄膜化が進みつつある。
強誘電体を応用する場合には、分極軸が基板に垂直に向
いていることが望ましい。ＢａＴｉ０．（チタン酸バリ
ウム）の結晶構造は正方晶で強誘電分極の向きは（００
１）方向であり、Ｐ ｂ （Ｔ ｘ Ｚ ｒ ） Ｏａ
（チタン酸ジルコン酸鉛）の分極の大きい組成の結晶
構造も正方晶で強誘電分極の向きは［００１３方向であ
る。したがって（００１）軸が基板に垂直に向いている
ことが望ましい。
いていることが望ましい。ＢａＴｉ０．（チタン酸バリ
ウム）の結晶構造は正方晶で強誘電分極の向きは（００
１）方向であり、Ｐ ｂ （Ｔ ｘ Ｚ ｒ ） Ｏａ
（チタン酸ジルコン酸鉛）の分極の大きい組成の結晶
構造も正方晶で強誘電分極の向きは［００１３方向であ
る。したがって（００１）軸が基板に垂直に向いている
ことが望ましい。
酸化物の超伝導体のＹＢａ２Ｃｕ、０７の結晶構造は斜
方晶で（１００）と（０１０）方向に電流が流れ易く、
臨界電流密度も大きいことが知られている。したがって
応用の観点から、これも基板に垂直に［００１］軸を並
べることが望ましい。
方晶で（１００）と（０１０）方向に電流が流れ易く、
臨界電流密度も大きいことが知られている。したがって
応用の観点から、これも基板に垂直に［００１］軸を並
べることが望ましい。
薄膜を作製する基板には、セラミクス、単結晶、アモル
ファス物質、金属等が用いられるが、酸化物の薄−を作
製し゛た場合、基板の種類と作゛製条件によって、結晶
の方位が変わり易い０石英は、耐熱性に優れ熱膨張係数
が非常に小さいので基板としては優れているが、アモル
ファス型であり、結晶性酸化物をその上に配向させるこ
とは困難である。またＳｌは半導体集積回路基板として
大量に使用されているが、共有結合の非酸化物であるの
で、その上に酸化物をエピタキシャル的に成長させるこ
とは困難である。上記の強誘電体や超伝導体に関して、
溶融石英およびＳｉ上に特定の結晶軸が配向したという
報告はない。
ファス物質、金属等が用いられるが、酸化物の薄−を作
製し゛た場合、基板の種類と作゛製条件によって、結晶
の方位が変わり易い０石英は、耐熱性に優れ熱膨張係数
が非常に小さいので基板としては優れているが、アモル
ファス型であり、結晶性酸化物をその上に配向させるこ
とは困難である。またＳｌは半導体集積回路基板として
大量に使用されているが、共有結合の非酸化物であるの
で、その上に酸化物をエピタキシャル的に成長させるこ
とは困難である。上記の強誘電体や超伝導体に関して、
溶融石英およびＳｉ上に特定の結晶軸が配向したという
報告はない。
【発明が解決しようと゛する課題）
一般には、ＢａＴｉＯ３やＰ ｂ （Ｔ ｘ Ｚ ｒ
） Ｏｓ、あるいはＹ Ｂ ａｘ Ｃｕｓ Ｏ７の（０
０１）軸が確実に基板に垂直に配向することはない。
） Ｏｓ、あるいはＹ Ｂ ａｘ Ｃｕｓ Ｏ７の（０
０１）軸が確実に基板に垂直に配向することはない。
本発明の目的は、石英やＳｉ基板上に設けたＳｒＴｉＯ
３上に基板面に垂直に（００１）軸を配向させたＢａＴ
ｉ０．のような強誘電体薄膜およびＹ Ｂ ａｔ Ｃｕ
、 Ｏｔのような超伝導薄膜が得られるような基板を得
ることである。
３上に基板面に垂直に（００１）軸を配向させたＢａＴ
ｉ０．のような強誘電体薄膜およびＹ Ｂ ａｔ Ｃｕ
、 Ｏｔのような超伝導薄膜が得られるような基板を得
ることである。
（課題を解決するための手段）
基板として１石英あるいはＳｉを用い、その上にＳｒＴ
ｉＯ３を、一定の条件でスパッタリングを行うことによ
って、基板に垂直に（１００３軸を配向させる。この基
板を用いることによってＢａＴｉ０．のような強誘電体
薄膜およびＹＢａ、Ｃｕ、Ｏ，めような超伝導薄膜の（
００１）軸が配向するものである。
ｉＯ３を、一定の条件でスパッタリングを行うことによ
って、基板に垂直に（１００３軸を配向させる。この基
板を用いることによってＢａＴｉ０．のような強誘電体
薄膜およびＹＢａ、Ｃｕ、Ｏ，めような超伝導薄膜の（
００１）軸が配向するものである。
（作 用）
基板として２石英およびＳｉ１選ぶ、基板上に（１００
）軸が基板に垂直に配向したＳ ｒ Ｔ ｉ Ｏｓ薄膜
を形成する。適当なガス圧力および基板温度では、Ｓｒ
ＴｉＯ３薄膜の［１０Ｇ］軸が基板面に垂直に揃って；
薄膜はエピタキシャル的に配向成長する。このような５
ｒＴｉｏ、を形成した基板は、Ｂ ａ Ｔ ｉ Ｏｓや
ＹＢａ、Ｃｕ、Ｏ，の（００１）軸を基板に垂直に配向
させるように働く。
）軸が基板に垂直に配向したＳ ｒ Ｔ ｉ Ｏｓ薄膜
を形成する。適当なガス圧力および基板温度では、Ｓｒ
ＴｉＯ３薄膜の［１０Ｇ］軸が基板面に垂直に揃って；
薄膜はエピタキシャル的に配向成長する。このような５
ｒＴｉｏ、を形成した基板は、Ｂ ａ Ｔ ｉ Ｏｓや
ＹＢａ、Ｃｕ、Ｏ，の（００１）軸を基板に垂直に配向
させるように働く。
（実施例）
石英、Ｓｉ基板上にＳｒＴｉＯ３薄膜を作製する。
次にこの５ｒＴｉＯｓ薄膜上に、強誘電体の例としてＢ
ａＴｉ０．薄膜および超伝導体の例としてＹ Ｂ ａｍ
Ｃｕ、 Ｏを薄膜を作製する。これらの薄膜の作製は
、ＲＦ−マグネトロンバッタリング法による。薄膜のＸ
線回折パターンにより、５ｒＴｉＯ。
ａＴｉ０．薄膜および超伝導体の例としてＹ Ｂ ａｍ
Ｃｕ、 Ｏを薄膜を作製する。これらの薄膜の作製は
、ＲＦ−マグネトロンバッタリング法による。薄膜のＸ
線回折パターンにより、５ｒＴｉＯ。
の配向性とＳｒＴｉＯ３上のＢａＴｉ０．あるいはＹＢ
ａよＣｕ、Ｏ，の配向性の関係をみた。
ａよＣｕ、Ｏ，の配向性の関係をみた。
ＳｒＴｉＯ３およびＢａＴｉ０おのターゲットは市販の
高純度！末試薬である。５ｒＴｉＯｓのスパッタリング
は基板温度が４５０〜７５０℃、ガス圧力が５＝６９纏
丁、の範囲で行なった＠ Ｂ ａ Ｔ、ｘ Ｏｓは、基
板温度が５００℃、ガス圧力が４０！Ｔでスーパ、ツタ
リングした：ＹＢａｔＣｕ、Ｏ，のターゲットは、原料
のｙ、ｏｓ。
高純度！末試薬である。５ｒＴｉＯｓのスパッタリング
は基板温度が４５０〜７５０℃、ガス圧力が５＝６９纏
丁、の範囲で行なった＠ Ｂ ａ Ｔ、ｘ Ｏｓは、基
板温度が５００℃、ガス圧力が４０！Ｔでスーパ、ツタ
リングした：ＹＢａｔＣｕ、Ｏ，のターゲットは、原料
のｙ、ｏｓ。
ＢａＣＯ５，ＣｕＯを所定量、混合１１、粉砕し、９０
０℃した＊ ＹＢａｓＣｕ、、Ｏ，の基板温度が６００
℃、ガス圧力が１６０ｍＴ ”Ｑ行なった。その他共通
のスパッタリ混合比がＡｒ１０．＝９０／１０．時−間
は６時間、ターゲット基板の距離は８３である。ターゲ
ット粉末は銅皿に入れ、２００ｋｇ／ｃｄの圧力でプレ
スした。
０℃した＊ ＹＢａｓＣｕ、、Ｏ，の基板温度が６００
℃、ガス圧力が１６０ｍＴ ”Ｑ行なった。その他共通
のスパッタリ混合比がＡｒ１０．＝９０／１０．時−間
は６時間、ターゲット基板の距離は８３である。ターゲ
ット粉末は銅皿に入れ、２００ｋｇ／ｃｄの圧力でプレ
スした。
ＳｒＴｉＯ３はペロブスカイト型の低温強誘電体で、室
温では立方晶で常誘電体である。
温では立方晶で常誘電体である。
ハ
Ｓ ｒ Ｔ ｉ Ｏｓの［１００］軸の配向率α１をＩ
（２００）／（Ｉ（２００） ＋ Ｉ （１０１）
＋ Ｉ （１１１））と定義する。ＩはＸ線反射強度で
ある。Ｉ （１００）は非常に小さいので１（２００）
で比較した。特定の方向に配向していない、１ 粉末の場合は、α、＝０．２８となる。完全に（１００
）すなわち（２００）方向に配向しているならα１＝１
となる。第１−１表および第１−２表に種々のスパッタ
リング条件で作製（た溶融石英上の５ｒＴｉＯ。
（２００）／（Ｉ（２００） ＋ Ｉ （１０１）
＋ Ｉ （１１１））と定義する。ＩはＸ線反射強度で
ある。Ｉ （１００）は非常に小さいので１（２００）
で比較した。特定の方向に配向していない、１ 粉末の場合は、α、＝０．２８となる。完全に（１００
）すなわち（２００）方向に配向しているならα１＝１
となる。第１−１表および第１−２表に種々のスパッタ
リング条件で作製（た溶融石英上の５ｒＴｉＯ。
の、配向率α、を示す、第２−１表、第２−２表、にＳ
ｉ上での同様の結果を示す、基板温度およびガス圧力が
高すぎるか低すぎると配向率α、は大きくならず、最大
で０．５５である。適当なスパッタリング条件、すなわ
ち基板温度が６００〜７００℃で、ガス圧力が１０〜６
０１Ｔの範囲で作製すると、α１はかなり大きくなり最
大−７０，８６１達する。このように。
ｉ上での同様の結果を示す、基板温度およびガス圧力が
高すぎるか低すぎると配向率α、は大きくならず、最大
で０．５５である。適当なスパッタリング条件、すなわ
ち基板温度が６００〜７００℃で、ガス圧力が１０〜６
０１Ｔの範囲で作製すると、α１はかなり大きくなり最
大−７０，８６１達する。このように。
スパッタリング条件を最適にすると１石英やＳｉ上に作
製したＳ ｒ Ｔ ｉ Ｏ３薄膜の［１００］軸を基板
に垂直に強度に配向させることができる。
製したＳ ｒ Ｔ ｉ Ｏ３薄膜の［１００］軸を基板
に垂直に強度に配向させることができる。
第１−１表
石英上の５ｒＴｉ○３の配向率〔１〕
第２−１表 Ｓｉ上のＳｒＴｉＯ３の配向率〔１〕第１
−２表 石英上のＳ ｒ Ｔ ｉ Ｏ３の配向率〔２〕第２−２
表 Ｓｉ上の５ｒＴｉ○３の配向率〔２〕次に種々の（
１００）配向率α、をもつＳ ｒ Ｔ ｉ Ｏ，上に、
ＢａＴｉ０ａ、ＹＢａ２Ｃｕ、０７薄膜を作製し、それ
らの（００１）配向率とα、との関係を調べた。
−２表 石英上のＳ ｒ Ｔ ｉ Ｏ３の配向率〔２〕第２−２
表 Ｓｉ上の５ｒＴｉ○３の配向率〔２〕次に種々の（
１００）配向率α、をもつＳ ｒ Ｔ ｉ Ｏ，上に、
ＢａＴｉ０ａ、ＹＢａ２Ｃｕ、０７薄膜を作製し、それ
らの（００１）配向率とα、との関係を調べた。
ＢａＴｉ○、は１２０℃付近にキュリー点をもつペロブ
スカイト型の強誘電体である。室温では正方晶形で１強
誘電分極の向きはＣ軸すなわち（００１）方向である。
スカイト型の強誘電体である。室温では正方晶形で１強
誘電分極の向きはＣ軸すなわち（００１）方向である。
これを焦電形赤外線センサ、圧電素子、メモリー等に用
いる場合、（００１）軸が基板に垂直に配向しているこ
とが望ましい。Ｂ ａ Ｔ ｉ○、粉末のＸ線回折パタ
ーンを標準として測定し、薄膜の結果と比較した。ここ
でＢ ａ Ｔ ｉ Ｏ、薄膜の（００１）軸が配向して
いる度合を表わすために配向率α２を［Ｉ （００１）
）／ＣＩ （００１） ＋ （１００） ＋ Ｉ （１
０１） ＋ Ｉ （１１０）＋ Ｉ （１１１））で定
義する。もしも薄膜が全く配向していなくて粉末と同じ
状態ならば、α、：０．０４６になる。完全に（００１
）軸が基板に垂直に配向しているならばα２は１になる
。溶融石英、Ｓｉ基板上に作製した種々の（１００）配
向率α１をもつＳ ｒ Ｔ ｉ Ｏ。
いる場合、（００１）軸が基板に垂直に配向しているこ
とが望ましい。Ｂ ａ Ｔ ｉ○、粉末のＸ線回折パタ
ーンを標準として測定し、薄膜の結果と比較した。ここ
でＢ ａ Ｔ ｉ Ｏ、薄膜の（００１）軸が配向して
いる度合を表わすために配向率α２を［Ｉ （００１）
）／ＣＩ （００１） ＋ （１００） ＋ Ｉ （１
０１） ＋ Ｉ （１１０）＋ Ｉ （１１１））で定
義する。もしも薄膜が全く配向していなくて粉末と同じ
状態ならば、α、：０．０４６になる。完全に（００１
）軸が基板に垂直に配向しているならばα２は１になる
。溶融石英、Ｓｉ基板上に作製した種々の（１００）配
向率α１をもつＳ ｒ Ｔ ｉ Ｏ。
上にＢ ａ Ｔ ｉ Ｏ３薄膜を作製し、Ｘ線回折パタ
ーンからその（００１）配向率α２を求めた。第３表に
基板上の５ｒＴｉ○、のα１とＢ ａ Ｔ ｘ Ｏ３の
α２を示す、直接ＢａＴｉ０．を溶融石英、Ｓｉ基板上
に作製したときのα２は０．１５〜０．５０の範囲であ
った。第３表から（１００）に優勢に配向したＳ ｒ
Ｔ ｉ Ｏ、上に作製するとα２は非常に大きくなるこ
とがわかる。
ーンからその（００１）配向率α２を求めた。第３表に
基板上の５ｒＴｉ○、のα１とＢ ａ Ｔ ｘ Ｏ３の
α２を示す、直接ＢａＴｉ０．を溶融石英、Ｓｉ基板上
に作製したときのα２は０．１５〜０．５０の範囲であ
った。第３表から（１００）に優勢に配向したＳ ｒ
Ｔ ｉ Ｏ、上に作製するとα２は非常に大きくなるこ
とがわかる。
第３表 ＳｒＴｉＯ３の配向率α１とＢａＴｉＯ３の配
向率〔α２〕 ＹＢａ、Ｃｕ、Ｏ，はペロブスカイト型の超伝導体で約
９００°にの臨界温度をもつ、結晶対称性は斜方晶であ
る。電流が流れ易く臨界電流密度が大きいのは［０１０
３および［１００］方向である。これをデバイスとして
応用する場合、［００１１軸が基板に垂直に配向してい
ることが望ましい＠ ＹＢａ、Ｃｕ、Ｏ，粉末のＸ線回
折パターンを標準として測定し、薄膜の結果と比較する
。粉末の場合、（００２）反射の２０は１５．３＠にあ
り、（１１０）反射は３２．８°にある。
向率〔α２〕 ＹＢａ、Ｃｕ、Ｏ，はペロブスカイト型の超伝導体で約
９００°にの臨界温度をもつ、結晶対称性は斜方晶であ
る。電流が流れ易く臨界電流密度が大きいのは［０１０
３および［１００］方向である。これをデバイスとして
応用する場合、［００１１軸が基板に垂直に配向してい
ることが望ましい＠ ＹＢａ、Ｃｕ、Ｏ，粉末のＸ線回
折パターンを標準として測定し、薄膜の結果と比較する
。粉末の場合、（００２）反射の２０は１５．３＠にあ
り、（１１０）反射は３２．８°にある。
その強度比は約９ ： １００であった。 ［００１］
方向が基板に垂直に配向している度合いを表わすために
配向率α、をＩ （００２）バＩ （００２） ＋ Ｉ
（１１０））で定義した。α、は、粉体のときは０．
０８となり、Ｉ（１１０）がゼロで１となる。したがっ
て、薄膜の［００２３軸が基板に対して垂直に優勢に配
向しているならば、α、は０．０８より大きくなるはず
である。完全に（００１）方向に配向しているならば、
この値は１になる。溶融石英、Ｓｉ基板上に作製した種
々の（１００）配向率α、をもつＳ ｒ Ｔ ｉ Ｏａ
上にＹＢａ、Ｃｕ。
方向が基板に垂直に配向している度合いを表わすために
配向率α、をＩ （００２）バＩ （００２） ＋ Ｉ
（１１０））で定義した。α、は、粉体のときは０．
０８となり、Ｉ（１１０）がゼロで１となる。したがっ
て、薄膜の［００２３軸が基板に対して垂直に優勢に配
向しているならば、α、は０．０８より大きくなるはず
である。完全に（００１）方向に配向しているならば、
この値は１になる。溶融石英、Ｓｉ基板上に作製した種
々の（１００）配向率α、をもつＳ ｒ Ｔ ｉ Ｏａ
上にＹＢａ、Ｃｕ。
０７薄膜を作製し、Ｘ線回折パターンからその（００１
）配向率α、を求めた。第４表に基板上のＳ ｒ Ｔ
ｉ Ｏ、のα１とＹＢａ、Ｃｕ、Ｏ，のα３を示す、直
接ＹＢａ、Ｃｕ、Ｏ，を溶融石英、Ｓｉ基板上に作製し
たときのα１は０．３０〜０．５０の範囲であった。第
４表から（１００）に優勢に配向したＳｒＴｉＯ３上に
作製するとα３は非常に大きくなることがわかる。
）配向率α、を求めた。第４表に基板上のＳ ｒ Ｔ
ｉ Ｏ、のα１とＹＢａ、Ｃｕ、Ｏ，のα３を示す、直
接ＹＢａ、Ｃｕ、Ｏ，を溶融石英、Ｓｉ基板上に作製し
たときのα１は０．３０〜０．５０の範囲であった。第
４表から（１００）に優勢に配向したＳｒＴｉＯ３上に
作製するとα３は非常に大きくなることがわかる。
第４表 ＳｒＴｉＯ３の配向率α、とＹＢａ、Ｃｕ、Ｏ
，の配向率α。
，の配向率α。
（発明の効果）
本発明によれば、石英あるいはＳｉ基板上に（１０Ｇ）
軸が基板に垂直に配向したＳｒＴｉＯ３を作製したもの
を基板に用いることによって、基板に垂直に強誘電分極
軸が向いたＢａＴｉ０．のような強誘電体薄膜および基
板に平行に電流が流れ易く臨界電流密度が大きいＹＢａ
、Ｃｕ、Ｏ，のような超伝導薄膜を容易に作製すること
ができ、その実用上の効果は大である。
軸が基板に垂直に配向したＳｒＴｉＯ３を作製したもの
を基板に用いることによって、基板に垂直に強誘電分極
軸が向いたＢａＴｉ０．のような強誘電体薄膜および基
板に平行に電流が流れ易く臨界電流密度が大きいＹＢａ
、Ｃｕ、Ｏ，のような超伝導薄膜を容易に作製すること
ができ、その実用上の効果は大である。
特許出願人 松下電器産業株式会社
Claims (2)
- （１）石英（ＳｉＯ＿２）あるいはＳｉ基板上に形成さ
れた基板に垂直に〔１００〕軸が配向したＳｒＴｉＯ＿
３（チタン酸ストロンチウム）薄膜を有することを特徴
とする薄膜基板。 - （２）石英（ＳｉＯ＿２）あるいはＳｉ基板上に、基板
温度が６００〜７００℃、ガス圧力が１０〜６０ｍＴで
、スパッタリング法により、ＳｒＴｉＯ＿３薄膜を形成
させることにより、基板面に垂直に〔１００〕軸が配向
したＳｒＴｉＯ＿３を有することを特徴とする薄膜基板
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2103033A JP2990527B2 (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 薄膜基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2103033A JP2990527B2 (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 薄膜基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH042698A true JPH042698A (ja) | 1992-01-07 |
| JP2990527B2 JP2990527B2 (ja) | 1999-12-13 |
Family
ID=14343349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2103033A Expired - Fee Related JP2990527B2 (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 薄膜基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2990527B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103469156A (zh) * | 2013-09-18 | 2013-12-25 | 东华大学 | 一种对较厚铁电薄膜实施应力工程用于材料改性的方法 |
| CN103680940A (zh) * | 2013-09-18 | 2014-03-26 | 东华大学 | 提高以导电氧化物为底电极的铁电薄膜抗疲劳特性的方法 |
-
1990
- 1990-04-20 JP JP2103033A patent/JP2990527B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103469156A (zh) * | 2013-09-18 | 2013-12-25 | 东华大学 | 一种对较厚铁电薄膜实施应力工程用于材料改性的方法 |
| CN103680940A (zh) * | 2013-09-18 | 2014-03-26 | 东华大学 | 提高以导电氧化物为底电极的铁电薄膜抗疲劳特性的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2990527B2 (ja) | 1999-12-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5077270A (en) | Elements comprising a film of a perovskite compound whose crystallographic axes are oriented and a method of making such elements | |
| EP0301525B2 (en) | Superconductor structure | |
| US5168420A (en) | Ferroelectrics epitaxially grown on superconducting substrates | |
| JPH08253324A (ja) | 強誘電体薄膜構成体 | |
| Zhao et al. | Highly efficient and giant negative electrocaloric effect of a Nb and Sn co-doped lead zirconate titanate antiferroelectric film near room temperature | |
| JPH042698A (ja) | 薄膜基板の製造方法 | |
| JPH045874A (ja) | 強誘電体薄膜およびその製造方法 | |
| JPH07509689A (ja) | シリコン上にエピタキシャル的に成長する立方金属酸化薄膜 | |
| JPS60161635A (ja) | 電子デバイス用基板 | |
| JPH0280397A (ja) | 強誘電体薄膜 | |
| JPH029720A (ja) | 金属酸化物材料 | |
| JPH0488685A (ja) | 薄膜基板およびその製造方法 | |
| Sharma et al. | Sintering temperature driven structural, dielectric, ferroelectric, and piezoelectric properties of 0.5 Ba (Zr0. 2Ti0. 8) O3-0.5 (Ba0. 7Ca0. 3) TiO3 Lead-Free composites | |
| JP2583882B2 (ja) | 配向性ペロブスカイト型化合物積層膜 | |
| KR20070110237A (ko) | 전계 가변형 ＢＳＴ-Ｐｂ계 파이로클로어 복합 유전체박막과 제조방법 | |
| JPH03245406A (ja) | 強誘電体薄膜 | |
| JP3214031B2 (ja) | 強誘電体薄膜素子及びその製造方法 | |
| JPH0242787A (ja) | 電子デバイス用基板 | |
| JP7324458B2 (ja) | 金属酸窒化物粉末および金属酸窒化物焼成体 | |
| JP3145799B2 (ja) | 電子デバイス用基板及びその製造方法 | |
| JP3237952B2 (ja) | 酸化物超電導材料の製造方法 | |
| JPH01227480A (ja) | 超電導薄膜の製造方法 | |
| JPS63310512A (ja) | 薄膜超電導体 | |
| JPH0294209A (ja) | 強誘電体薄膜の製造方法 | |
| JPH046106A (ja) | 超伝導装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081015 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091015 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |