JPH046106A - 超伝導装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、その電気抵抗が零になる性質を利用して、強
力磁場発生装置やマイクロデバイスの配線に、また、ジ
ョセフソン効果を利用した高速トランジスタや微小電磁
場センサなどに使用される超伝導装置に関するものであ
る。

（従来の技術） 超伝導体は、薄膜としての利用価値が大きい。

薄膜の基板には、磁器、単結晶、アモルファス物質、金
属等が用いられるが、酸化物の薄膜を作成した場合、一
般に基板の種類と作成条件によって、結晶の方位が変わ
りやすい。（ＲＥ　）　Ｂ　ａ２Ｃｕ３Ｏ　ｖ　−ｘ系
伝電導体［但し、（ＲＥ）は、Ｙ、Ｌａ等の希土類元素
；Ｘ＝０〜０．５］は、斜方晶系で、［１００］と［０
１０］方向に電流が流れやすい。

Ｂｉ、Ｓｒ２Ｃａｔ　ｃｕからなる酸化物超伝導体は、
斜方晶のペロブスカイト構造であり、またＴＱ。

Ｂａ２Ｃａ、Ｃｕの酸化物超伝導体は、正方晶系で、（
ＲＥ）Ｂａ２Ｃｕ３Ｏｔ−ｘ系超電導体（ＲＥは希土類
元素）と類似の結晶構造をもち、［１００］と［０１０
］方向に電流が流れ易いことが容易に推定される〔ヨウ
イチ　ェノモト（Ｙ　ｏｕｉｃｈｉ　　Ｅ　ｎｏｍｏｔ
ｏ）他：ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド
・フィジックス（Ｊ　、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、）　２６
巻、ページＬ　１２４８−１２５０．１９８７年６月１
９日受付〕６応用の観点からは、基板に垂直に［００１
１軸を並べることが望ましい。石英は耐熱性に優れ熱膨
張係数が非常に小さいので基板としては優れているが、
アモルファス型であり、結晶性酸化物をその上に配向さ
せることは一般に困難である。またＳｉは半導体集積回
路基板として大量に使用されているが、共有結合の非酸
化物であるので、その上に酸化物をエピタキシャル的に
成長させることは困難である。上記の超伝導材料に関し
ては、石英およびＳｉ上に特定の結晶軸が配向したとい
う報告はない。

（発明が解決しようとする課題） 基板に石英やＳｉを用いると基板に平行に電気抵抗の低
い超伝導薄膜が容易には得られない。

ＳｒＴｉＯ３単結晶を基板に用いると基板に垂直に（Ｒ
Ｅ　）Ｂａ、　Ｃｕ３Ｏ７−にの［００１コ軸がそろっ
た超伝導薄膜が得られる（上記文献）。（ＲＥ）Ｂａ２
Ｃｕ、０７−Ｘの場合と同様にＢ　１２　Ｓ　ｒ２　Ｃ
ａ　Ｃｕ２Ｃ）Ｒ＋ｘ　、　Ｂ　１２　Ｓ　ｒ２　Ｃａ
２Ｃｕ３Ｏｚｏ＋ｘ　ｒ　Ｔ　Ｏ−Ｂ　ａ−Ｃａ−Ｃｕ
−０系の超伝導薄膜が得られるものと推定できる（上記
文献）。しかし、Ｓ　ｒ　Ｔ　ｉ　Ｏ，単結晶は高価で
ある上、加工が困難である。石英やＳｉは安価で加工も
容易である。

本発明は、石英およびＳｉを用いて、基板に平行に、［
１００］あるいは［０１０］軸が配向した、すなわち、
基体に垂直に［００１］軸が配向した組成式（ＲＥ　）
　Ｂ　Ｂ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘｌ　Ｂ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ
−０系ｔ　Ｔｌ２２Ｂａ２ＣｕＯＧ＋ｘ＋　Ｔｌ＋、Ｂ
ａ２ＣａＣｕ２０ｓ＋、、　Ｔ６．Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ、
○、ｏ＊ｘ＋　ＴＱＢａ２　Ｃａ２Ｃｕ、Ｏ，、Ｓ＋ｘ
、あるいはＴＱ　Ｂ　Ｂ２　Ｃａａ　Ｃｕ４０ｘａ、ｓ
＋ｘの超伝導薄膜を得ることを目的とする。

（課題を解決するための手段） 基板として、石英およびＳｉの表面にＢ　ａ　Ｔ　ｉ　
Ｏ。

薄膜をスパッタリング法によって成長させたものを用い
る。これは複合基板であるが５ｒＴｉ○３単結晶に比べ
ると非常に安価である。そのＢａＴｉＯ３上にスパッタ
リング法により、基板に垂直に（ＲＥ　）　Ｂ　Ｂ２　
Ｃｕａ　Ｏｔ−ｘ系、　Ｂ１−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−○系
＋　Ｔ　（１−Ｂ　ａ−Ｃａ−Ｃｕ−○系超伝導体を成
膜させるものである。

（作　用） 石英およびＳｉ単体の上に成膜した（ＲＥ）Ｂａ２Ｃｕ
３Ｏ、−ｘ薄膜は、Ｂ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系、Ｔ
ｌ２−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−０系超伝導薄膜では、はとん
ど配向せず等方的であるが、石英あるいはＳｉ上に作成
したＳｒＴｉＯ３薄膜を作成すると、ＢａＴｉＯ３の結
晶軸に沿って、エピタキシャル的に結晶軸がそろい、基
板に垂直に［００１］軸が配向した（ＲＥ）Ｂａ２Ｃｕ
３Ｏｔ−ｘ薄膜は、Ｂ　ｉ−Ｓ　ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系
。

ＴＯ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−０系超伝導薄膜が得られる。

（実施例） 石英およびＳｉ基板の大きさはＬ５Ｘ１０Ｉ１ｗｎ”で
厚さは０．５ｍｍである。表面を鏡面研磨したのちＢ　
ａ　Ｔ　ｉ　Ｏ、薄膜をＲＦ−マグネトロンスパッタリ
ング法により作成した。ＢａＴｉ０：Ｊのターゲットに
は市販の高純度粉末を用いた。超伝導体の結晶構造から
、基板に垂直に［００１］軸を配向させるにはＢａＴｉ
Ｏ３の［００１］軸が基板に垂直に配向していることが
望ましい。基板温度を４５０〜７５０℃の範囲で変え、
スパッタリングガスに９０％のアルゴン（Ａ　ｒ　）と
１０％の酸素（０２）の混合ガスを用い、ガス圧力が４
０ｍＴ、入力電力が２００　ＷでＢ　ａ　Ｔ　ｉ　０３
を４時間スパッタリングした。ターゲットの直径は５イ
ンチ（１２，７＋ａ＋＋）である。

Ｂ　ａ　Ｔ　ｉ　Ｏ３薄膜の結晶構造をＸ線回折によっ
てしらべた。６５０℃以上で作成すると基板に垂直に［
１０１］軸が優勢に配向した薄膜が得られた。

［００１］軸が基板に垂直に配向したＢ　ａ　Ｔ　ｉ　
Ｏａ薄膜は５５０℃以下の基板温度で得られた。この結
果は石英、ＳＬで同じであった。超伝導薄膜の作成には
、ＢａＴｉＯ３を５００℃で作成した基板を用いた。

超伝導薄膜をＢ　ａ　Ｔ　ｉ　Ｏ、が付いた基板と付い
てない基板の両方の表面にＲＦマグネトロンスノ（ツタ
リング法で作成し、Ｂ　ａ　Ｔ　ｉ　Ｏａ薄膜の存在の
効果をしらべた。ターゲットの第１の組成は、（ＲＥ）
Ｂａ２Ｃｕ、０７−ｘである。ただし、（ＲＥ）はＹ、
Ｌａ、Ｎｄ、Ｓａｔ　　Ｅｕ、Ｇｄｔ　　Ｄｙｙ　　Ｈ
ｏ、Ｅｒ。

Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕのうちの一種類以上を含む。原料のＹ
、Ｏ，、Ｌａ２Ｏ３，Ｎｄ２Ｏ３，Ｓｍ２Ｏ３，Ｅｕ２
Ｏ３゜Ｇｄ２０１．Ｄｙ２Ｏ３，Ｈａ□Ｏ，、Ｅｒ２Ｏ
３，Ｔｍ２Ｏ３゜Ｙｂ２０．、Ｌｕ２Ｏ３，ＢａＣ０ａ
、Ｃｕｂ、を所定量。

配合、混合し、９００℃で１２時間、空気中で焼成した
。ターゲットの第２の組成は、Ｂ　ｉ２Ｓ　ｒ２ＣａＣ
ｕＯ，、Ｂｉ、５ｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ１゜であるａ　Ｂ
１２Ｏ３゜５ｒＣＯ，２ＣａＣ○、、ＣｕＯを所定量、
配合、混合し、８００℃で１２時間、空気中で焼成した
。これらは焼成後、粉砕、混合しターゲットとした。タ
ーゲットの第３の組成は、Ｔｌ２Ｂａ２ＣｕｂＧ。

ＴＩＥ、Ｂａ２ＣａＣｕ２０．、Ｔｌ２Ｂａ２Ｃａ２Ｃ
ｕ、○ｘａｔＴ　Ｑ　Ｂ　ａ、　Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ６．５
．およびＴＩＨ３ａ２Ｃａ３Ｃｕ４０　ｔ　ｏ　、　ｓ
である。ｙＫ料のＴｃ２ｏ３．ＢａＣ０，。

ＣａＣＯ２，ＣｕＯを所定量、配合、混合し、ターゲッ
トとした。ターゲット粉末は、銅皿に入れ、２００ｋｇ
／ａｄの圧力でプレスした。

石英およびＳｉ上に種々のスパッタリング条件で超伝導
薄膜を作成し、Ｘ線回折パターンの反射強度から最適な
スパッタリング条件を求めた。試みた条件は、（ＲＥ　
）　Ｂ　ａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ系は基板温度が６００〜８
００℃、アルゴン／酸素が９５１５〜５０１５０　。

ガス圧力が４（１−２５０ｍＴ、入力パワーは２　Ｗ／
ａ＋ｆである。最適条件は基板温度が７００℃、アルゴ
ン／酸素が９０／１０．ガス圧力が１６Ｏｎ＋Ｔであっ
た。Ｂ　ｉ−Ｓ　ｒ−Ｃａ　−Ｃｕ−〇系は基板温度が
６００〜８００℃、アルゴン／酸素が９５／　５−５０
１５０．ガス圧力が４０〜２５０ｍ　Ｔ　。

入力パワーが２　Ｗ／ｃａｒでスパッタリングを行なっ
た。またＴＩＥ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−○系は基板温度が
４００〜６００℃、アルゴン／酸素が９０／１０　、ガ
ス圧力が８０〜２００ｍＴ、入力パワーはＩ　Ｗ／ｃｆ
でスパッタリングした。時間はすべて６時間である。こ
の条件でＳ　ｒ　Ｔ　ｉ　０３の付いていない基板と付
いている基板に超伝導薄膜を成膜して１両者のＸ線回折
から配向性の比較を行う。なお酸素量は格子定数の値か
らＸの値を次のように推定する。すなわち、（ＲＥ）Ｂ
ａ、Ｃｕ３Ｏ．ｘ（Ｘ＝Ｏ〜０．５）、Ｂｉ２Ｓｒ。

ＣａＣｕ２０ａｈｘ　（ｘ　＝ｏ　〜１　）ｌ　Ｂ　１
２　Ｓ　ｒ２Ｃａｚ　ｃ　ｕ。

○ｘｏ＋ｘ（Ｘ　＝　Ｏ−１，５）、　’１２Ｂａ２Ｃ
ＩＯｓ＋ｘ（Ｘ　＝　０〜０．５）、ＴＩＥ２Ｂａ２Ｃ
ａＣｕ２０．＋ｘ（ｘ＝Ｏ〜１）。

Ｔ（１，、Ｂ　ａ２Ｃａ２Ｃｕ、　０．ｏ、ｘ（Ｘ　＝
　Ｏ〜１．５）　、　Ｔｆｆ　Ｂ　ａ２Ｃａ２Ｃｕ、○
−，５−（Ｘ　”　Ｏ〜１．５）およびＴｌ２Ｂａ２Ｃ
ａ、Ｃｕ、Ｏ，ｏ、、ｘ（Ｘ：Ｏ〜２）となった。

ＹＢａ２Ｃｕ、Ｏ□単結晶の場合、斜方晶系の［０１０
］　、［１００コ方向の電気抵抗が、［００１コ方向に
比べて、かなり低いことが報告されている（上記の文献
）。したがって、臨界電流密度も［０１０］　、［１０
０１方向で大きいことが容易に推定できる。Ｂ１−８ｒ
−Ｃａ−Ｃｕ−０系、　Ｔｌ２−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−０
系材料の結晶構造は正方晶であるが、この現象は同様と
考えられる。

成膜は、５ｍａＸ１５ｗｎの形状で行い、ＸＭ回折パタ
ーンを観測したのち、ＲＦ−マグネトロンスパッタリン
グ法で超伝導薄膜上にＰｔ電極を付けた。

電気抵抗は４端子法で測定した。電気抵抗と帯磁率の測
定から、（ＲＥ）Ｂａ２Ｃｕ、０７−Ｘ系は約９０　’
に以下で超伝導現象を示すことを確認した。

Ｂ１２Ｓｒ２ＣａＣｕ２０Ｉｌ＋ｘは約８０　”Ｋ、Ｂ
ｉ２Ｓｒ２Ｃａ。

Ｃｕ３Ｑ１．、ｘは約１１０　’に以下で超伝導状態に
なった。

また、Ｔｌ１２Ｂａ、ＣｕＯ，＋ｘは約８５　Ｋ　、　
Ｔ　１２２Ｂ　ａ２ＣａＣｕ２０８□は約１００Ｘ以下
、Ｔｌ２２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ１１１　＋　Ｘは約Ｈ
５’に、ＴｌＢａ２Ｃａ２Ｃｕ、○ｓ、ｓ＋ｘは約１１
５　’に、そしてＴａＢａｚＣａ３Ｃｕ４０．ｏ、ｓ＋
ｘは約１２０Ｘ以下で超伝導状態になった。

Ｙ　Ｂ　ａ、　Ｃｕ３Ｏ　ｔ−ｘの粉末のＸ線回折パタ
ーンを標準として測定し、薄膜の結果と比較した。粉末
の場合、（ＯＯ２）反射の２０は１５．３°にあり、（
１１０）反射は３２．８°にある。その強度比は約９：
１００であった。（ＯＯ１）方向が基板に垂直に配向し
ている度合を配向率とよび、Ｉ（００２）／［Ｉ（ＯＯ
２）＋　Ｉ　（１１０）］とする。配向率は、粉体のと
きは０．０８となり、Ｉ　（１１０）がゼロで１となる
、したがって、薄膜の［００２］軸が基板に対して垂直
に優勢に配向しているならば、配向率は０．０８より大
きくなるはずである。また完全に［００１］方向に配向
しているならば、すなわち、基板に垂直に［００１］方
向が向いているならば、この値は１になる。Ｂ１−５ｒ
−Ｃａ−Ｃｕ−０系およびＴＯ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−０
系材料の場合は、［００１］。

［００２］　、［００３］・・・・・・方向が、基板に
垂直に配向している度合を表わすために配向率をＩ（０
０３）／　［Ｉ（００３）＋Ｉ（１００）＋Ｉ（０１０
）］とおく。完全に（００１）方向に配向しているなら
ば、すなわち、基板に垂直に（００１）軸が完全に向い
ているならば、この値はｌになる。

第１表に石英についてＢａＴｉＯ３が付いている場合と
付いていない場合の各組成の超伝導薄膜の配向率の比較
を示す。また第２表にＳｉを用いた場合の同様の結果を
示す。

石英およびＳｉ表面に直接超伝導薄膜を作成すると、配
向率は０．４以下であるが１石英およびＳｉにＢａＴｉ
Ｏ３を作成してその上に超伝導薄膜を作成すると配向率
は著しく増加することがわかる。

配向率が高い試料の室温における比抵抗は、かなり低か
った。たとえば、配向率が０．８９の試料の比抵抗は、
配向率が０．１５の試料の約５０分の１であった。また
液体窒素温度（７７’Ｋ）での臨界電流密度は、配向率
が０．６以上の試料では６００００Ａ／ｃｏ？以上であ
ったが、配向率が０．２以下の試料では５０００　Ａ　
／ｄ以下であった。

第３表に石英について、第４表にＳｉについてＢ　ａ　
Ｔ　ｉ　Ｏ３が付いている場合と付いていない場合の組
成がＢｉ２Ｓｒ２ｃａｃｕ２ｏ８＋Ｘの超伝導薄膜の配
向率の比較を示す。また第５表に石英について、第６表
にＳｉについてＢ　ａ　Ｔ　ｉ　Ｏ、が付いている場合
と付いていない場合の組成がＢ　ｉ２Ｓ　ｒ２Ｃａ２Ｃ
ｕ。

Ｏ３゜。８の超伝導薄膜の配向率の比較を示す。表の左
端はスパッタリング条件で、基板温度（℃）、アルゴン
／酸素、ガス圧力（ｍＴ）の順に示す。

第３表　石英基板を用いた場合のＢＢ１２Ｓｒ２ｃａＣ
ｕ２０＋、超伝導薄膜の（００１）配向率第５表　石英
基板を用いた場合のＢ　ｉ２Ｓ　ｒｚ　Ｃａ２Ｃｕ、０
１．、、超伝導薄膜の（００１）配向率第４表　Ｓｉ基
板を用いた場合のＢｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２０ｓ＋８超伝
導薄膜の（００１）配向率第６表　Ｓｉ基板を用いた場
合のＢ　ｉｚ　Ｓ　ｒ２ＣａｚＣｕ３Ｏ　ｘａ　＊ｘ超
伝導薄膜の（００１）配向率配向率はスパッタリング条
件にかなり依存する。

しかし、石英およびＳｉ表面に直接超伝導薄膜を作成す
ると、配向率は０．３７以下であるが、石英およびＳｉ
上にＢａＴｉＯ３を作成してその上に超伝導薄膜を作成
すると配向率は著しく増加することがわかる。配向率が
高い試料の室温における比抵抗は、かなり低い。たとえ
ば、配向率が０．８９の試料の比抵抗は、配向率が０．
１４の試料の約７０分の１であった。また液体窒素温度
（７７’Ｋ）での臨界電流密度は、配向率が０．６以上
の試料では３Ｏ（ｔｏｏ　Ａ　／ｃｘ１以上であったが
、配向率が０．２以下の試料では３Ｏ００Ａ／ａ＃以下
であった。

第７表に石英とＳｉについて、ＢａＴｉＯ３が付いてい
る場合と付いていない場合の組成がＴｌ２ＢａｚＣａｂ
、や、の超伝導薄膜の配向率の比較を示す。第８表はＴ
（！２Ｂａ２ＣａＣｕ２０８＋ｘ、第９表はＴｌ２２　
Ｂ　ａ２　Ｃａ２　Ｃｕ３Ｏｘｏ＋ｘ、第１０表はＴｌ
Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ：Ｊ　０８．５０Ｘそして第１１表は
Ｔｌ２ＢａｚＣａ、Ｃｕ４０、。、、。８についての配
向率の比較を示す。表の左端はスパッタリング条件で、
基板温度（℃）、ガス圧力（ｍＴ）の順に示す。

第７表　ＴＱ２Ｂａ２ＣｕＯ６＋ｘ超伝導薄膜の（ＯＯ
１）配向率 第８表　Ｔｌ２２Ｂａ２ＣａＣｕ２０ｓ＋ｘ超伝導薄膜
の（００１）配向率 第９表　Ｔ（１，Ｂａ２Ｃａ、Ｃｕ３Ｏｘｎ＋ｘ超伝導
薄膜の（００１）配向率 第１０表　ＴＪＢａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｓ、ｓ＋ｘ超伝導
薄膜の（００１）配向率 第１１表　ＴＩＢａｚＣａ３Ｃｕ４０１ｏ、ｓ＊ｘ超伝
導薄膜の（００１）配向率 配向率はスパッタリング条件にかなり依存する。

しかし、石英およびＳｉ表面に直接超伝導薄膜を作成す
ると、配向率は０．３５以下であるが石英およびＳｉ上
にＢ　ａ　Ｔ　ｉ○３を作成してその上に超伝導薄膜を
作成すると配向率は著しく増加することがわかる。配向
率が高い試料の室温における比抵抗は。

かなり低かった。たとえば、配向率が０．８７の試料の
比抵抗は、配向率が０．１４の試料の約５０分の１であ
った。また液体窒素温度（７７’Ｋ）での臨界電流密度
は、配向率が０．５以上の試料では１００ＯＯＡ／ｄ以
上であったが、配向率が０．２以下の試料では１０００
Ａ／ｄ以下であった。

（発明の効果） 本発明によれば、安価で加工性に優れた石英やＳｉ上に
Ｂ　ａ　Ｔ　ｉ　Ｏ３薄膜を付着させたものを基板とし
て用いることによって、基板面に平行方向の電気抵抗が
低く、臨界電流密度の大きい、基板面に垂直に（００１
）配向した臨界温度が８０〜１２５　’にの酸化物超電
導薄膜を形成できる。この構成に基づいて、種々の超伝
導装置が安価で作製でき、その効果は極めて大である。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｓｉあるいは石英（ＳｉＯ＿２）上チタン酸バリ
   ウム（ＢａＴｉＯ＿３）薄膜と、前記ＢａＴｉＯ＿３薄
   膜上に作成した組成が（ＲＥ）Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７
   ＿−＿Ｘ［但し、（ＲＥ）はＹ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅ
   ｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕのうち
   の一種類以上を含む。Ｘ＝０〜０．５］からなる部分を
   有することを特徴とする超伝導装置。
2. （２）Ｓｉあるいは石英上のＢａＴｉＯ＿３薄膜と、前
   記ＢａＴｉＯ＿３薄膜上に作製した組成がＢｉ＿２Ｓｒ
   ＿２ＣａＣｕ＿２Ｏ＿８＿＋＿Ｘ［Ｘ＝０〜１］あるい
   はＢｉ＿２Ｓｒ＿２Ｃａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿１＿０＿＋＿
   Ｘ［Ｘ＝０〜１．５］からなる部分を有することを特徴
   とする超伝導装置。
3. （３）Ｓｉあるいは石英上のＢａＴｉＯ＿３薄膜と前記
   ＢａＴｉＯ＿３薄膜上に作製した組成が Ｔｌ＿２Ｂａ＿２ＣｕＯ＿５＿＋＿Ｘ［Ｘ＝０〜０．５
   ］、Ｔｌ＿２Ｂａ＿２ＣａＣｕ＿２Ｏ＿８＿＋＿Ｘ［Ｘ
   ＝０〜１］、Ｔｌ＿２Ｂａ＿２Ｃａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿１
   ＿０＿＋＿Ｘ［Ｘ＝０〜１．５］、ＴｌＢａ＿２Ｃａ＿
   ２Ｃｕ＿３Ｏ＿８＿．＿５＿＋＿Ｘ［Ｘ＝０〜１．５］
   あるいはＴｌＢａ＿２Ｃａ＿３Ｃｕ＿４Ｏ＿１＿０＿．
   ＿５＿＋＿Ｘ［Ｘ＝０〜２］からなる部分を有すること
   を特徴とする超伝導装置。