JPH0427218B2 - - Google Patents

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JPH0427218B2
JPH0427218B2 JP56035492A JP3549281A JPH0427218B2 JP H0427218 B2 JPH0427218 B2 JP H0427218B2 JP 56035492 A JP56035492 A JP 56035492A JP 3549281 A JP3549281 A JP 3549281A JP H0427218 B2 JPH0427218 B2 JP H0427218B2
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hydrogen fluoride
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Peeteru Fuon Harasutsu Jiikumaaru
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Hoechst AG
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Hoechst AG
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    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J27/00—Catalysts comprising the elements or compounds of halogens, sulfur, selenium, tellurium, phosphorus or nitrogen; Catalysts comprising carbon compounds
    • B01J27/06—Halogens; Compounds thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C17/00—Preparation of halogenated hydrocarbons
    • C07C17/07—Preparation of halogenated hydrocarbons by addition of hydrogen halides
    • C07C17/087—Preparation of halogenated hydrocarbons by addition of hydrogen halides to unsaturated halogenated hydrocarbons

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  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
  • Catalysts (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明はフツ素含有エチレンのヒドロフツ素化
によつて高純度の部分フツ素化エタンを製造する
方法に関する。 一般式 CF3−CHXY (上式中、XはHまたはFを意味しそしてYは
H、F、Cl、BrまたはIを意味する)で表わさ
れる部分フツ素化エタンは、その特別な化学的な
らびに物理的性質のゆえに、多数の用途に、例え
ばガス状の鎮痛剤および麻酔剤中の添加剤とし
て、熱交換媒体としてまたは発泡剤の成分として
使用するのに適している。従つて、この群の化合
物の代表的なものの簡単かつ経済的な製造方法に
多大の関心がもたれている。 上記の部分フツ素化エタンは、それ自体公知で
あり、いくつかの、大抵実験室規模の方法によつ
て製造されうる。一般式CF2=CXYで表わされ
る高純度のフツ素含有エチレンが十分な量で使用
できるならば、固体触媒の存在下気相におけるヒ
ドロフツ素化が提供される。 次式による部分フツ素化エタンの生成下に気相
中でのフツ素含有エチレンへのフツ化水素の付加
は、若干の化合物についてすでに文献に記載され
ている: しかしながら、気相中におけるすべての公知の
フツ素化法においては、大抵250℃以上、そして
ある場合には400℃以上という、比較的高い温度
が必要である。しかしながら、このような温度に
おいては、必然的に望ましくない副反応が現われ
る。例えば、塩素、臭素またはヨウ素原子を含有
するエチレンの場合には、このハロゲンは、フツ
素によつて置換されることがある。生成した部分
フツ素化エタンにおいても、上記の高い温度にお
いては、ハロゲンはフツ化水素のフツ素によつて
置換されることがある。この反応性は、そのまま
F−置換化合物の製造に利用することができる。
例えば、米国特許第2951102号明細書によれば、
化合物CF3CHClFは、CF2BrCHClFからオキシ
フツ化クロム触媒を用いて300℃においてHFと
の反応により得られる。 ドイツ特許出願公開第2837515号明細書には、
350℃の反応温度におけるトリフルオルエチレン
のヒドロフツ素化が記載されている。その際、英
国特許第1307224号に従つて製造されたオキシフ
ツ化クロム触媒を使用するならば、1,1,1,
2−テトラフルオルエタンの収量は、理論量の90
ないし95%である。可能な滞留時間は、狭い範囲
に限定され、かつフツ素化された副生成物の割合
が高い。 同様に、オキシフツ化クロム触媒を使用した場
合、米国特許第3755477号によれば、クロルトリ
フルオルエチレンを320℃において反応させると、
とりわけ2−クロル−1,1,1,2−テトラフ
ルオルエタン(理論量の13%)を含有する混合物
が得られる。同様なヒドロフツ素化法は、カナダ
特許第849024号によれば、350ないし400℃におい
て実施され、その場合、出発生成物のかなりの部
分が反応しない。 前記のフツ素含有エチレンに公知の気相ヒドロ
フツ素化法を適用する本発明者らの実験において
は、次のような副反応が観察された:異性化、不
均化、オリゴマー化、重合、C−C結合の切断な
らびに例えば塩素または水素のフツ素による置
換。これらの副反応は、収量を減少せしめ、そし
てしばしばかなりの経費をかけて最終的に分離し
なければならない副生成物に導く。他方におい
て、公知の方法における反応温度は、不経済に高
い。従つて、特に水素、臭素またはヨウ素を含有
し従つて高い温度において触媒を被毒させ得るエ
チレンを使用した場合には、使用された触媒の寿
命は著しく限定される。 従つて、できる限り低い温度において実施する
ことができ、高い選択性および高い収量をもつて
経過し、それ故、知られている副反応が問題では
なくそして容易に連続的に用いることのできると
いう高純度の部分フツ素化エタンの、簡単で有利
でありしかも還境にとつて快適な製造方法を開発
するという課題があつた。 この度、本発明者らは、一般式 CF3−CHXY (上式中、XはHまたはFを意味しそしてYは
H、F、Cl、BrまたはIを意味する)で表わさ
れる高純度のフツ素含有エタンを、一般式 CF2=CXY (上式中、XおよびYは上記の意味を有する) で表わされるフツ素含有エチレンを気相中で少く
とも等モル量のフツ素水素と反応させることによ
つて製造する方法を見出した。この方法は、フツ
素およびフツ化水素含有ガス混合物で前処理し、
次いでフツ化水素で処理したオキシフツ化クロム
触媒の存在下に20ないし200℃の温度において実
施することを特徴とする。 本発明による方法において使用される、フツ化
水素で処理されたオキシフツ化クロム触媒は、例
えばクロムオキシドヒドラートをフツ化水素と反
応させることにより(ドイツ特許公告第1252182
号明細書参照)、あるいは酸素の存在下に水含有
三フツ化クロムを加熱することによつて製造され
る。(米国特許第2745886号明細書参照) クロムオキシドヒドラートからフツ化水素で処
理することによつて得られる前者の触媒は、比較
的長時間の後に初めて、例えば数ケ月の後に、本
発明による方法に使用される場合にのみ、フツ化
水素による後処理を必要とする。しかしながら、
同じ触媒がその製造の直後に使用される場合に
は、フツ化水素による後処理は不必要である。し
かしながら、三フツ化クロムから製造された触媒
の場合には、フツ化水素による後処理は常に必要
である。 オキシフツ化クロム触媒の後処理は、250ない
し300℃の温度においてルフツ化水素を用いて比
較的長い時間(48時間以上)行なうかまたはフツ
化水素および元素フツ素を含有するガス混合物を
用いて比較的短かい時間(約5ないし10時間)行
なわれる。その際、一般に元素フツ素は、不活性
ガスおよび水を含まないフツ化水素で希釈され、
そしてオキシフツ化クロム触媒を充填した150な
いし210℃の温度に加熱された管の中に導入され
る。活性化時間は、触媒の履歴に依存し、そして
一般に5ないし10時間である。好ましくは、触媒
物質1当りの割合は、配置されたフツ素0.1な
いし5.0/h、不活性ガス1.0ないし3.0/hお
よびフツ化水素10ないし50g/hである。もちろ
ん、フツ化水素/フツ素による処理は、同時に行
なうのみならずまた相前後して行なうこともでき
る。 フツ化水素および元素フツ素の混合物によるオ
キシフツ化クロム触媒の処理は、大体においてド
イツ特許出願公開第2702360号明細書から知られ
ており、そこでは塩素−フツ素交換反応に使用さ
れる触媒の活性化に役立つ。 本発明による方法は、一般に、反応されるべき
フツ素含有エチレンおよびフツ化水素からなるガ
ス混合物を、上記の前処理されたオキシフツ化ク
ロム触媒を充填した、加熱装置付き反応管を貫い
て導入することによつて、通常の触媒によるガス
−固体反応の形に従つて実施される。上記の反応
管は、好ましくは垂直に設置される。 反応管は、フツ化水素および元素フツ素に対し
て十分に抵抗性のある材料、例えばニツケル、
鋼、銅または白金からなるかあるいは適当な内張
り、例えばポリテトラフルオルエチレンまたは他
の適当な高フツ素化重合体からなる内張りを施さ
れている。反応管から出る反応ガスは、水で洗滌
することにより、あるいは粒状のフツ化ナトリウ
ムを充填した塔内で吸収させることにより、過剰
のフツ化水素を除かれる。このようにして予備精
製された部分フツ素化エタンは、適当なコールド
トラツプにおいて凝縮される。 使用されるオキシフツ化クロム触媒の形状は、
重要なことではなく、通常0.01ないし10cm3の体積
を有する球体、立方体または円筒体が使用され
る。 本発明による方法においては、化合物、トリフ
ルオルエチレン、テトラフルオルエチレン、クロ
ルトリフルオルエチレン、ブロムトリフルオルエ
チレンまたはトリフルオルヨードエチレンを使用
することが好ましい。その場合、1,1,1,2
−テトラフルオルエタン、ペンタフルオルエタ
ン、2−クロル−1,1,1,2−テトラフルオ
ルエタン、1−ブロム−1,1,1,2−テトラ
フルオルエタンまたは1,2,2,2−テトラフ
ルオル−1−ヨード−エタンがほとんど定量的な
収量で得られる。 本発明による方法を実施するためには、ガス状
のフツ素含有エチレンをまずフツ化水素と混合
し、次いで触媒を充填した反応器に導入する。 若干の出発物質について、沸点を次表に示す:
【表】 レン
フツ素含有エチレンは、一般に、合目的にはで
きうる限り水を含まない工業級の純度で使用され
る。これらの出発物質は、それ自体公知の方法で
簡単に製造することができ、例えばテトラフルオ
ルエチレン、クロルトリフルオルエチレンまたは
1,1−ジフルオルエチレンのような、若干の代
表的なものは、工業的規模でも入手できる。 フツ素含有エチレンの装入量は、大気圧におい
ては好ましくは毎時触媒1当り1ないし90
(約0.04ないし4モル)である。より高い圧力の
もとではフツ素含有エチレンの装入量は、適当に
より高くすることができる。より低い装入量も可
能であるが、不経済となる。 本発明による方法は、一般に常圧で行なわれる
が、広い範囲内で過圧または減圧を使用すること
も可能である。すなわち、1バール以下の圧力に
おいて、あるいは1なないし10バールまたはそれ
以上の過圧において、好ましくは1ないし3バー
ルにおいて、操作することができる。特に、より
高い空−時収量を得るためには、過圧を使用する
ことが好ましい。 出発化合物が無水でない場合には、副反応(酸
素含有生成物の形成)が現われることがある。 フツ化水素は、一般に希釈することなく供給さ
れる。ガス状で使用されるフツ化水素の量は、一
般に毎時触媒1当り0.8ないし250g(すなわち
0.04ないし12.5モル)である。それはそれぞれに
使用されるフツ素含有エチレンの量に少くとも当
量とすべきであり、好ましくはより高くすべきで
ある。フツ素含有エチレン対フツ化水素のモル比
は、一般に1:3ないし1:1、好ましくは1:
2ないし1:1.1、特に1:1.5ないし1:1.1であ
る。フツ化水素の全部の導入量は、過剰量(使用
されたフツ素含有エチレンに関して)を使用する
限り、重要なことではない。フツ化水素の過剰量
は、それによつてフツ素含有エチレンの定量的反
応が達成される限りにおいて、有利である。フツ
化水素のより大きな過剰量も可能であるが、それ
によつて操作の際の経費が増大する。過剰のフツ
化水素は、反応ガスから水または希薄な苛性ソー
ダ溶液で洗滌することにより除去されるか、ある
いは粒状のフツ化ナトリウムを充填した塔内に室
温において吸収される。フツ化水素は、フツ化ナ
トリウムに吸収された後に再び熱により放散され
て更めて使用されうるので、この操作方法の場
合、フツ化水素の損失は、極めて僅少に留まる。
分留による精製もまた可能である。 一般に、この反応は不活性ガスを添加すること
なく実施される。例えば窒素またはその他の不活
性ガスでの希釈は、なる程可能であるが、それと
共にもたらされる収量の向上は最少限にすぎな
い。 反応は20ないし200℃、有利には40ないし190
℃、特に60ないし180℃の温度において実施され
る。 反応器中におけるフツ素含有エチレンないしそ
れから生成されたフツ素含有エタンの滞留時間
は、臨界的ではない。それは両方の場合において
数秒から数分の間を変動することができ、上限は
単に経済上の考慮によつてのみ限定される。反応
生成物の組成がそれによつて影響を受けることな
く、滞留時間を広い範囲に亘つて変化させうると
いうことは、本発明による方法の特別な利点と見
なすべきである。 本発明による方法においては、連続的な操作方
法、すなわち出発生成物の連続的導入、過剰なフ
ツ化水素の連続的な再循環ならびに生成した部分
フツ素化エタンの連続的な単離がそのまま可能で
ある。連続的操作法の特別な利点は、使用された
出発生成物の高度な利用ならびに廃水および廃ガ
スの僅少な発生に存する。 使用されたフツ素含有エチレンの転化率は、本
発明による方法においては一般に95%以上である
が、しばしば99〜100%である。 本発明による方法の高い選択性に基づいて、部
分フツ素化エタンの収量は、同様に、95%以上で
あるが、しばしば98%以上となる。従つて、これ
らのエタン類は高純度で得られる。本発明による
方法は、副反応がほとんど完全に抑制されるとい
う点においてとりわけ有利であることが判明し、
またそれによつて精製が極めて簡単であることが
判明した。 第1表のフツ素含有エチレンから製造されうる
部分フツ素化エタンの沸点を下記の表に示す。
【表】 ラフルオルエタン
【表】 名称 式 ール

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 CF3−CHXY (上式中、XはHまたはFを意味し、そしてY
    はH、F、Cl、Brまたはヨウ素を意味する) で表される高純度のフツ素含有エタンを、一般式 CF2=CXY (上式中、XおよびYは上記の意味を有する) で表されるフツ素含有エチレンから気相中で少な
    くとも等モル量のフツ化水素を用いて製造する方
    法において、フツ素およびフツ化水素含有ガス混
    合物で前処理し、次いでフツ化水素で処理したオ
    キシフツ化クロム触媒の存在下に20〜200℃の温
    度において操作することを特徴とする前記高純度
    のフツ素含有エタンの製造方法。 2 40〜190℃、特に60〜180℃の反応温度におい
    て操作する特許請求の範囲第1項に記載の方法。 3 フツ素含有エチレン対フツ化水素のモル比が
    1:1ないし1:3である特許請求の範囲第1項
    または第2項に記載の方法。
JP3549281A 1980-03-14 1981-03-13 Manufacture of high purity partially fluorinated ethane Granted JPS56142222A (en)

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