JPH04273162A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH04273162A JPH04273162A JP5588891A JP5588891A JPH04273162A JP H04273162 A JPH04273162 A JP H04273162A JP 5588891 A JP5588891 A JP 5588891A JP 5588891 A JP5588891 A JP 5588891A JP H04273162 A JPH04273162 A JP H04273162A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置及びその製造
方法に関し、特に半導体集積回路の電極配線であるＡｌ
配線の信頼性向上のための技術に関する。
方法に関し、特に半導体集積回路の電極配線であるＡｌ
配線の信頼性向上のための技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体集積回路、特にＳｉ−ＬＳ
Ｉ（大規模集積回路）の電極配線には、Ａｌ配線が用い
られてきた。この理由は、ＡｌがＳｉ基板となじみが良
いこと、加工がしやすいこと、下地との密着性が良いこ
と等が挙げられる。そして、Ａｌ配線の形成方法はスパ
ッタと呼ばれる、真空中で不活性ガスのプラズマにより
ターゲット金属をたたいて蒸着する方法がとられている
。
Ｉ（大規模集積回路）の電極配線には、Ａｌ配線が用い
られてきた。この理由は、ＡｌがＳｉ基板となじみが良
いこと、加工がしやすいこと、下地との密着性が良いこ
と等が挙げられる。そして、Ａｌ配線の形成方法はスパ
ッタと呼ばれる、真空中で不活性ガスのプラズマにより
ターゲット金属をたたいて蒸着する方法がとられている
。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このス
パッタ法では、真空中の平均自由工程を利用した金属粒
の物理的な被着であるため、コンタクト孔等の深い孔に
対しては、金属粒の直進性のため、被覆性がきわめて悪
い。これが原因でＡｌ配線が断線するという信頼性上の
問題が多発している。
パッタ法では、真空中の平均自由工程を利用した金属粒
の物理的な被着であるため、コンタクト孔等の深い孔に
対しては、金属粒の直進性のため、被覆性がきわめて悪
い。これが原因でＡｌ配線が断線するという信頼性上の
問題が多発している。
【０００４】このような問題を解決するために、本発明
者は既に、ＡｌにＧｅを含有した金属を融点付近の高温
でスパッタし、コンタクト孔に溶かし込むリフロースパ
ッタを提案した。しかしながら、このためにＡｌ膜中に
は固溶度以上のＧｅが必要であり、この固溶度以上のＧ
ｅは後に冷却したとき、Ｇｅ析出が生じＡｌ配線断線の
新たな問題点となることを見出した。
者は既に、ＡｌにＧｅを含有した金属を融点付近の高温
でスパッタし、コンタクト孔に溶かし込むリフロースパ
ッタを提案した。しかしながら、このためにＡｌ膜中に
は固溶度以上のＧｅが必要であり、この固溶度以上のＧ
ｅは後に冷却したとき、Ｇｅ析出が生じＡｌ配線断線の
新たな問題点となることを見出した。
【０００５】本発明の目的は、前記課題を解決した半導
体装置及びその製造方法を提供することにある。
体装置及びその製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような問題を解決す
るために、本発明者はＡｌにＧｅを固溶度以上含有した
金属を融点付近の高温でスパッタし、コンタクト孔に溶
かし込んだ後、同一真空中で連続的にＴｉ膜を高温のま
まＡｌ−Ｇｅ膜上にスパッタすればいいことを見出した
。そこで、本発明に係る半導体装置においては、半導体
基板上に、ゲルマニウム含有アルミニウム膜と、チタン
薄膜とを有する半導体装置であって、ゲルマニウム含有
アルミニウム膜は下層に、チタン薄膜は上層に配置して
、半導体基板上に積層形成されたものであり、アルミニ
ウム膜から析出するゲルマニウムをチタン薄膜のチタン
と化合させてチタンゲルマナイドを形成したものである
。
るために、本発明者はＡｌにＧｅを固溶度以上含有した
金属を融点付近の高温でスパッタし、コンタクト孔に溶
かし込んだ後、同一真空中で連続的にＴｉ膜を高温のま
まＡｌ−Ｇｅ膜上にスパッタすればいいことを見出した
。そこで、本発明に係る半導体装置においては、半導体
基板上に、ゲルマニウム含有アルミニウム膜と、チタン
薄膜とを有する半導体装置であって、ゲルマニウム含有
アルミニウム膜は下層に、チタン薄膜は上層に配置して
、半導体基板上に積層形成されたものであり、アルミニ
ウム膜から析出するゲルマニウムをチタン薄膜のチタン
と化合させてチタンゲルマナイドを形成したものである
。
【０００７】また、本発明は、半導体基板上に、チタン
薄膜と、ゲルマニウム含有アルミニウム膜とを有する半
導体装置であって、チタン薄膜は下層に、ゲルマニウム
含有アルミニウム膜は上層に配置して、半導体基板上に
積層形成されたものであり、アルミニウム膜から析出す
るゲルマニウムをチタン薄膜のチタンと化合させてチタ
ンゲルマナイドを形成したものである。
薄膜と、ゲルマニウム含有アルミニウム膜とを有する半
導体装置であって、チタン薄膜は下層に、ゲルマニウム
含有アルミニウム膜は上層に配置して、半導体基板上に
積層形成されたものであり、アルミニウム膜から析出す
るゲルマニウムをチタン薄膜のチタンと化合させてチタ
ンゲルマナイドを形成したものである。
【０００８】さらに、本発明に係る半導体装置の製造方
法においては、真空中で半導体基板上に、ゲルマニウム
を固溶度以上含有するアルミニウム膜を融点の半分以上
の高温で真空中で形成し、その後、連続的に真空中で、
高温でチタン膜を前記アルミニウム膜上に形成するもの
である。
法においては、真空中で半導体基板上に、ゲルマニウム
を固溶度以上含有するアルミニウム膜を融点の半分以上
の高温で真空中で形成し、その後、連続的に真空中で、
高温でチタン膜を前記アルミニウム膜上に形成するもの
である。
【０００９】また、本発明は半導体基板上にチタン膜を
真空中で形成し、その後、連続的に真空中でゲルマニウ
ムを固溶度以上含有するアルミニウム膜を融点の半分以
上の高温で前記チタン膜上に形成するものである。
真空中で形成し、その後、連続的に真空中でゲルマニウ
ムを固溶度以上含有するアルミニウム膜を融点の半分以
上の高温で前記チタン膜上に形成するものである。
【００１０】
【作用】ＡｌにＧｅを固溶度以上含有した金属を融点付
近の高温でスパッタし、コンタクト孔に溶かし込んだ後
、同一真空中で連続的にＴｉ膜を高温のままＡｌ−Ｇｅ
膜上にスパッタすることにより、固溶度以上のＧｅが冷
却時にＡｌ膜中に析出しないでＴｉ膜に吸い上げられ、
チタンゲルマナイドを形成するためであることを見出し
た。
近の高温でスパッタし、コンタクト孔に溶かし込んだ後
、同一真空中で連続的にＴｉ膜を高温のままＡｌ−Ｇｅ
膜上にスパッタすることにより、固溶度以上のＧｅが冷
却時にＡｌ膜中に析出しないでＴｉ膜に吸い上げられ、
チタンゲルマナイドを形成するためであることを見出し
た。
【００１１】
【実施例】次に本発明を図面を用いて説明する。
【００１２】（実施例１）図１は本発明の実施例１を製
造工程順に示す断面図である。図１（ａ）において、ｐ
型シリコン基板１の表面にシリコン酸化膜２を５００ｎ
ｍ形成し、フォトリソグラフィにより、パターニングし
て、フォトレジスト３をマスクにシリコン酸化膜２をＣ
Ｆ４＋Ｏ２ガスを用い、反応性イオンエッチングにより
コンタクト孔４を形成する。
造工程順に示す断面図である。図１（ａ）において、ｐ
型シリコン基板１の表面にシリコン酸化膜２を５００ｎ
ｍ形成し、フォトリソグラフィにより、パターニングし
て、フォトレジスト３をマスクにシリコン酸化膜２をＣ
Ｆ４＋Ｏ２ガスを用い、反応性イオンエッチングにより
コンタクト孔４を形成する。
【００１３】次に図１（ｂ）に示すように、ＤＣマグネ
トロンスパッタによりＧｅを２０％含有するＡｌターゲ
ットから膜厚２００ｎｍのＡｌ−２０％Ｇｅ膜５を基板
加熱温度３００℃，スパッタパワー７ＫＷ，Ａｒ圧力６
ｍＴｏｒｒの条件で形成する。このときの実効的ウェー
ハ温度は４３０℃を越えており、ウェーハに到達したＡ
ｌ，Ｇｅの原子又はクラスターはウェーハ上で溶融し、
コンタクト孔４にマイグレートし、コンタクト孔４を埋
める。
トロンスパッタによりＧｅを２０％含有するＡｌターゲ
ットから膜厚２００ｎｍのＡｌ−２０％Ｇｅ膜５を基板
加熱温度３００℃，スパッタパワー７ＫＷ，Ａｒ圧力６
ｍＴｏｒｒの条件で形成する。このときの実効的ウェー
ハ温度は４３０℃を越えており、ウェーハに到達したＡ
ｌ，Ｇｅの原子又はクラスターはウェーハ上で溶融し、
コンタクト孔４にマイグレートし、コンタクト孔４を埋
める。
【００１４】次に、図１（ｃ）に示すように、同一真空
中で基板温度３００℃で、チタン膜６をＤＣマグネトロ
ンスパッタで、スパッタパワー０．４ｋＷ，Ａｒ圧力８
ｍＴｏｒｒ，膜厚１００ｎｍ形成する。必要であれば、
この後４００℃程度の熱処理を行ってもよい。
中で基板温度３００℃で、チタン膜６をＤＣマグネトロ
ンスパッタで、スパッタパワー０．４ｋＷ，Ａｒ圧力８
ｍＴｏｒｒ，膜厚１００ｎｍ形成する。必要であれば、
この後４００℃程度の熱処理を行ってもよい。
【００１５】最後に図１（ｄ）に示すように、フォトリ
ソグラフィにより、配線アルミパターニングドライエッ
チを行い、電極配線を形成する。なお、パターニング後
、シリコン基板と配線金属とのコンタクトをとるための
シンタリングは、４００℃で行っている。
ソグラフィにより、配線アルミパターニングドライエッ
チを行い、電極配線を形成する。なお、パターニング後
、シリコン基板と配線金属とのコンタクトをとるための
シンタリングは、４００℃で行っている。
【００１６】（実施例２）図２は、本発明の実施例２を
製造工程順に示す断面図である。図２（ａ）に示すよう
に、ｐ型シリコン基板２１の表面にシリコン酸化膜２２
を膜厚５００ｎｍ形成し、フォトリソグラフィにより、
パターニングして、フォトレジスト２３をマスクに酸化
膜２を反応性イオンエッチングによりＣＦ４＋Ｏ２の混
合ガスを用いてコンタクト孔２４を形成する。
製造工程順に示す断面図である。図２（ａ）に示すよう
に、ｐ型シリコン基板２１の表面にシリコン酸化膜２２
を膜厚５００ｎｍ形成し、フォトリソグラフィにより、
パターニングして、フォトレジスト２３をマスクに酸化
膜２を反応性イオンエッチングによりＣＦ４＋Ｏ２の混
合ガスを用いてコンタクト孔２４を形成する。
【００１７】次に図２（ｂ）に示すように、第一のバリ
アメタルとしてチタン膜２５をＴｉターゲットのＤＣマ
グネトロンスパッタによりスパッタパワー０．４ｋＷ，
Ａｒ圧力８ｍＴｏｒｒ，基板温度３００℃の条件で膜厚
３０ｎｍ形成し、続いて連続的に同一真空中で、窒化チ
タン膜１００ｎｍ２６をＴｉターゲットの反応性スパッ
タによりＡｒ＋Ｎ２混合ガスを用いて、スパッタパワー
０．４ｋＷ，Ａｒ圧力３ｍＴｏｒｒ，基板加熱温度３０
０℃で形成する。
アメタルとしてチタン膜２５をＴｉターゲットのＤＣマ
グネトロンスパッタによりスパッタパワー０．４ｋＷ，
Ａｒ圧力８ｍＴｏｒｒ，基板温度３００℃の条件で膜厚
３０ｎｍ形成し、続いて連続的に同一真空中で、窒化チ
タン膜１００ｎｍ２６をＴｉターゲットの反応性スパッ
タによりＡｒ＋Ｎ２混合ガスを用いて、スパッタパワー
０．４ｋＷ，Ａｒ圧力３ｍＴｏｒｒ，基板加熱温度３０
０℃で形成する。
【００１８】図２（ｃ）に示すように、Ｇｅ５％含有Ａ
ｌターゲットを用い、膜厚５００ｎｍのＡｌ−５％Ｇｅ
膜２７をスパッタパワー７ｋＷ，Ａｒ圧力８ｍＴｏｒｒ
，基板加熱３５０℃で形成する。このときの実効的ウェ
ーハ温度はＡｌ−Ｇｅの融点４３０℃を越えており、ウ
ェーハに到達したＡｌ−Ｇｅ原子又はクラスターはウェ
ーハ上で溶融し、コンタクト孔にマイグレートし、コン
タクト孔２４を埋める。続いて、同一真空中でＴｉ膜２
８をＤＣマグネトロンスパッタによりスパッタパワー０
．４ｋＷ，Ａｒ圧力８ｍＴｏｒｒ，基板温度３００℃の
条件で膜厚１００ｎｍ形成し、過剰ＧｅをＴｉ膜に吸い
取る。このとき、必要であれば４００℃熱処理してもよ
い。
ｌターゲットを用い、膜厚５００ｎｍのＡｌ−５％Ｇｅ
膜２７をスパッタパワー７ｋＷ，Ａｒ圧力８ｍＴｏｒｒ
，基板加熱３５０℃で形成する。このときの実効的ウェ
ーハ温度はＡｌ−Ｇｅの融点４３０℃を越えており、ウ
ェーハに到達したＡｌ−Ｇｅ原子又はクラスターはウェ
ーハ上で溶融し、コンタクト孔にマイグレートし、コン
タクト孔２４を埋める。続いて、同一真空中でＴｉ膜２
８をＤＣマグネトロンスパッタによりスパッタパワー０
．４ｋＷ，Ａｒ圧力８ｍＴｏｒｒ，基板温度３００℃の
条件で膜厚１００ｎｍ形成し、過剰ＧｅをＴｉ膜に吸い
取る。このとき、必要であれば４００℃熱処理してもよ
い。
【００１９】最後に図２（ｄ）に示すように、フォトリ
ソグラフィにより、配線アルミパターニングドライエッ
チを行い、電極配線を形成する。なお、パターニング後
、シリコン基板と配線金属とのコンタクトをとるための
シンタリングは、４００℃で行っている。
ソグラフィにより、配線アルミパターニングドライエッ
チを行い、電極配線を形成する。なお、パターニング後
、シリコン基板と配線金属とのコンタクトをとるための
シンタリングは、４００℃で行っている。
【００２０】（実施例３）図３は、本発明の実施例３を
製造工程順に示す断面図である。図３（ａ）に示すよう
に、ｐ型シリコン基板３１の表面にシリコン酸化膜３２
を膜厚５００ｎｍ形成し、フォトリソグラフィにより、
パターニングして、フォトレジスト３３をマスクに酸化
膜を反応性イオンエッチングによりＣＦ４＋Ｏ２の混合
ガスを用いてコンタクト孔３４を形成する。
製造工程順に示す断面図である。図３（ａ）に示すよう
に、ｐ型シリコン基板３１の表面にシリコン酸化膜３２
を膜厚５００ｎｍ形成し、フォトリソグラフィにより、
パターニングして、フォトレジスト３３をマスクに酸化
膜を反応性イオンエッチングによりＣＦ４＋Ｏ２の混合
ガスを用いてコンタクト孔３４を形成する。
【００２１】次に図３（ｂ）に示すように、第一のバリ
アメタルとしてチタン膜３５をＴｉターゲットのＤＣマ
グネトロンスパッタによりスパッタパワー０．４ｋＷ，
Ａｒ圧力８ｍＴｏｒｒ，基板温度２００℃で膜厚３０ｎ
ｍ形成し、続いて連続的に同一真空中で、窒化チタン膜
１００ｎｍ３６をＴｉターゲットの反応性スパッタによ
りＡｒ＋Ｎ２混合ガスを用いて、スパッタパワー０．４
ｋＷ，Ａｒ圧力３ｍＴｏｒｒ，基板加熱温度３００℃で
形成する。さらに、チタン膜３８をＴｉターゲットのＤ
Ｃマグネトロンスパッタによりスパッタパワー０．４ｋ
Ｗ，Ａｒ圧力８ｍＴｏｒｒ，基板温度２００℃で膜厚１
００ｎｍ形成する。
アメタルとしてチタン膜３５をＴｉターゲットのＤＣマ
グネトロンスパッタによりスパッタパワー０．４ｋＷ，
Ａｒ圧力８ｍＴｏｒｒ，基板温度２００℃で膜厚３０ｎ
ｍ形成し、続いて連続的に同一真空中で、窒化チタン膜
１００ｎｍ３６をＴｉターゲットの反応性スパッタによ
りＡｒ＋Ｎ２混合ガスを用いて、スパッタパワー０．４
ｋＷ，Ａｒ圧力３ｍＴｏｒｒ，基板加熱温度３００℃で
形成する。さらに、チタン膜３８をＴｉターゲットのＤ
Ｃマグネトロンスパッタによりスパッタパワー０．４ｋ
Ｗ，Ａｒ圧力８ｍＴｏｒｒ，基板温度２００℃で膜厚１
００ｎｍ形成する。
【００２２】続いて図３（ｃ）に示すように、Ｇｅ５％
含有Ａｌターゲットを用い、膜厚５００ｎｍのＡｌ−５
％Ｇｅ膜３７をスパッタパワー７ｋＷ，Ａｒ圧力８ｍＴ
ｏｒｒ，基板加熱３５０℃で形成する。このときの実効
的ウェーハ温度はＡｌ−Ｇｅの融点４３０℃を越えてお
り、ウェーハに到達したＡｌ−Ｇｅ原子又はクラスター
はウェーハ上で溶融し、コンタクト孔にマイグレートし
、コンタクト孔３４を埋める。続いて、同一真空中でＴ
ｉ膜３８をＤＣマグネトロンスパッタによりスパッタパ
ワー０．４ｋＷ，Ａｒ圧力８ｍＴｏｒｒ，基板温度３０
０℃で膜厚１００ｎｍ形成し、過剰ＧｅをＴｉ膜に吸い
取る。このとき、必要であれば４００℃熱処理してもよ
い。
含有Ａｌターゲットを用い、膜厚５００ｎｍのＡｌ−５
％Ｇｅ膜３７をスパッタパワー７ｋＷ，Ａｒ圧力８ｍＴ
ｏｒｒ，基板加熱３５０℃で形成する。このときの実効
的ウェーハ温度はＡｌ−Ｇｅの融点４３０℃を越えてお
り、ウェーハに到達したＡｌ−Ｇｅ原子又はクラスター
はウェーハ上で溶融し、コンタクト孔にマイグレートし
、コンタクト孔３４を埋める。続いて、同一真空中でＴ
ｉ膜３８をＤＣマグネトロンスパッタによりスパッタパ
ワー０．４ｋＷ，Ａｒ圧力８ｍＴｏｒｒ，基板温度３０
０℃で膜厚１００ｎｍ形成し、過剰ＧｅをＴｉ膜に吸い
取る。このとき、必要であれば４００℃熱処理してもよ
い。
【００２３】最後に図３（ｄ）に示すように、フォトリ
ソグラフィにより、配線アルミパターニングドライエッ
チを行い、電極配線を形成する。なお、パターニング後
、シリコン基板と配線金属とのコンタクトをとるための
シンタリングは、４００℃で行っている。
ソグラフィにより、配線アルミパターニングドライエッ
チを行い、電極配線を形成する。なお、パターニング後
、シリコン基板と配線金属とのコンタクトをとるための
シンタリングは、４００℃で行っている。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板一主面上の絶縁膜開口部にＡｌ−Ｇｅの融点である
４３０℃前後の低い温度でＡｌ−Ｇｅ膜を溶融状態で形
成し、リフローしながらコンタクト孔に埋め込むことが
でき、コンタクト孔でのＡｌ配線の断線を防ぎ、Ｔｉ膜
の存在により、過剰Ｇｅを吸収し、チタンゲルマナイド
を形成して、Ａｌ配線中にＧｅが析出してＡｌ配線抵抗
が増大し、その結果Ａｌ配線が断線するのを防ぐことが
できる。
基板一主面上の絶縁膜開口部にＡｌ−Ｇｅの融点である
４３０℃前後の低い温度でＡｌ−Ｇｅ膜を溶融状態で形
成し、リフローしながらコンタクト孔に埋め込むことが
でき、コンタクト孔でのＡｌ配線の断線を防ぎ、Ｔｉ膜
の存在により、過剰Ｇｅを吸収し、チタンゲルマナイド
を形成して、Ａｌ配線中にＧｅが析出してＡｌ配線抵抗
が増大し、その結果Ａｌ配線が断線するのを防ぐことが
できる。
【図１】本発明の実施例１を製造工程順に示す断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の実施例２を製造工程順に示す断面図で
ある。
ある。
【図３】本発明の実施例３を製造工程順に示す断面図で
ある。
ある。
１，２１，３１ ｐ型シリコン基板
２，２２，３２ シリコン酸化膜
３，２３，３３ フォトレジスト
４，２４，３４ コンタクト孔
５ Ａｌ−２０％Ｇｅ膜
２７，３７ Ａｌ−５％Ｇｅ膜
６，２５，２８，３５，３８ Ｔｉ膜２６，３６
窒化チタン膜
窒化チタン膜
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板上に、ゲルマニウム含有ア
ルミニウム膜と、チタン薄膜とを有する半導体装置であ
って、ゲルマニウム含有アルミニウム膜は下層に、チタ
ン薄膜は上層に配置して、半導体基板上に積層形成され
たものであり、アルミニウム膜から析出するゲルマニウ
ムをチタン薄膜のチタンと化合させてチタンゲルマナイ
ドを形成したものであることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 半導体基板上に、チタン薄膜と、ゲル
マニウム含有アルミニウム膜とを有する半導体装置であ
って、チタン薄膜は下層に、ゲルマニウム含有アルミニ
ウム膜は上層に配置して、半導体基板上に積層形成され
たものであり、アルミニウム膜から析出するゲルマニウ
ムをチタン薄膜のチタンと化合させてチタンゲルマナイ
ドを形成したものであることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 真空中で半導体基板上に、ゲルマニウ
ムを固溶度以上含有するアルミニウム膜を融点の半分以
上の高温で真空中で形成し、その後、連続的に真空中で
、高温でチタン膜を前記アルミニウム膜上に形成するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 半導体基板上にチタン膜を真空中で形
成し、その後、連続的に真空中でゲルマニウムを固溶度
以上含有するアルミニウム膜を融点の半分以上の高温で
前記チタン膜上に形成することを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03055888A JP3109112B2 (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03055888A JP3109112B2 (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04273162A true JPH04273162A (ja) | 1992-09-29 |
| JP3109112B2 JP3109112B2 (ja) | 2000-11-13 |
Family
ID=13011651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03055888A Expired - Fee Related JP3109112B2 (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3109112B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7750476B2 (en) | 1995-12-20 | 2010-07-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a reliable contact |
-
1991
- 1991-02-27 JP JP03055888A patent/JP3109112B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7750476B2 (en) | 1995-12-20 | 2010-07-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a reliable contact |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3109112B2 (ja) | 2000-11-13 |
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