JPH04273249A - フタロシアニン蒸着膜 - Google Patents
フタロシアニン蒸着膜Info
- Publication number
- JPH04273249A JPH04273249A JP3055523A JP5552391A JPH04273249A JP H04273249 A JPH04273249 A JP H04273249A JP 3055523 A JP3055523 A JP 3055523A JP 5552391 A JP5552391 A JP 5552391A JP H04273249 A JPH04273249 A JP H04273249A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor
- phthalocyanine
- deposited film
- vapor deposited
- high sensitivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、近赤外域，特に７８０
ｎｍ付近の波長領域に吸収極大を有するフタロシアニン
蒸着膜に関する。
ｎｍ付近の波長領域に吸収極大を有するフタロシアニン
蒸着膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】フタロシアニン系化合物は、７００ｎｍ
以上の長波長域に吸収帯を持つ化合物であり、結晶多形
を有し、結晶構造や中心金属によって吸収スペクトルが
異なることが知られている。このようなフタロシアニン
系化合物を蒸着することによって形成されるフタロシア
ニン蒸着膜は、上述の如く７００ｎｍ以上の波長域に吸
収を持つことから、半導体レーザを書き込み光源とする
電子写真用感光体の電荷発生層あるいは光記録媒体の感
光体層として注目されている。
以上の長波長域に吸収帯を持つ化合物であり、結晶多形
を有し、結晶構造や中心金属によって吸収スペクトルが
異なることが知られている。このようなフタロシアニン
系化合物を蒸着することによって形成されるフタロシア
ニン蒸着膜は、上述の如く７００ｎｍ以上の波長域に吸
収を持つことから、半導体レーザを書き込み光源とする
電子写真用感光体の電荷発生層あるいは光記録媒体の感
光体層として注目されている。
【０００３】しかし、従来提案されているフタロシアニ
ン蒸着膜は、蒸着されたフタロシアニンの中心金属によ
っても異なるが、吸収極大が７００〜７５０ｎｍの波長
範囲にあり、７５０ｎｍ以上の波長域になると次第に感
度が低下して実用的な特性が得られない。このため、波
長が７８０ｎｍである半導体レーザを光源とする感光体
としては不十分であった。
ン蒸着膜は、蒸着されたフタロシアニンの中心金属によ
っても異なるが、吸収極大が７００〜７５０ｎｍの波長
範囲にあり、７５０ｎｍ以上の波長域になると次第に感
度が低下して実用的な特性が得られない。このため、波
長が７８０ｎｍである半導体レーザを光源とする感光体
としては不十分であった。
【０００４】そこで、長波長域に感度を有するフタロシ
アニン蒸着膜を得るべく、種々の検討がなされ、たとえ
ばチタニルフタロシアニンあるいはインジウムフタロシ
アニンを蒸着した蒸着膜を可溶性溶媒で処理したフタロ
シアニン蒸着膜が特開昭５９─１６６９５９号において
提案されている。
アニン蒸着膜を得るべく、種々の検討がなされ、たとえ
ばチタニルフタロシアニンあるいはインジウムフタロシ
アニンを蒸着した蒸着膜を可溶性溶媒で処理したフタロ
シアニン蒸着膜が特開昭５９─１６６９５９号において
提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この溶
媒処理によって得られるフタロシアニン蒸着膜は、吸収
極大が８３０ｎｍと、無処理のフタロシアニン蒸着膜に
比べて吸収極大が長波長側にシフトはしているものの、
半導体レーザ波長である７８０ｎｍにおける感度は不足
しており、半導体レーザ用の感光体として十分満足のい
くものとは言えない。そこで、本発明は、このような従
来の実情に鑑みて提案されたものであり、半導体レーザ
波長である７８０ｎｍに高い感度が得られるフタロシア
ニン蒸着膜を提供することを目的とする。
媒処理によって得られるフタロシアニン蒸着膜は、吸収
極大が８３０ｎｍと、無処理のフタロシアニン蒸着膜に
比べて吸収極大が長波長側にシフトはしているものの、
半導体レーザ波長である７８０ｎｍにおける感度は不足
しており、半導体レーザ用の感光体として十分満足のい
くものとは言えない。そこで、本発明は、このような従
来の実情に鑑みて提案されたものであり、半導体レーザ
波長である７８０ｎｍに高い感度が得られるフタロシア
ニン蒸着膜を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述の課題を達成するた
めに、本発明のフタロシアニン蒸着膜は、基板上にチタ
ニルフタロシアニンを蒸着することによって形成される
フタロシアニン蒸着膜において、一般式（１）あるいは
一般式（２）に示される化合物で処理されたことを特徴
とするものである。
めに、本発明のフタロシアニン蒸着膜は、基板上にチタ
ニルフタロシアニンを蒸着することによって形成される
フタロシアニン蒸着膜において、一般式（１）あるいは
一般式（２）に示される化合物で処理されたことを特徴
とするものである。
【化１】
【０００７】本発明のフタロシアニン蒸着膜は、７８０
ｎｍに高い感度を得るために、チタニルフタロシアニン
蒸着後、所定置換基が導入された一置換ベンゼン誘導体
あるいは所定の炭素数を有する飽和炭化水素化合物によ
って処理される。
ｎｍに高い感度を得るために、チタニルフタロシアニン
蒸着後、所定置換基が導入された一置換ベンゼン誘導体
あるいは所定の炭素数を有する飽和炭化水素化合物によ
って処理される。
【０００８】フタロシアニン蒸着膜を上記化合物によっ
て処理する方法としては、上記化合物中にフタロシアニ
ン蒸着膜を浸積するか、上記化合物の飽和蒸気にフタロ
シアニン蒸着膜を接触させる等の方法が採用される。
て処理する方法としては、上記化合物中にフタロシアニ
ン蒸着膜を浸積するか、上記化合物の飽和蒸気にフタロ
シアニン蒸着膜を接触させる等の方法が採用される。
【０００９】上記フタロシアニン蒸着膜の膜厚は、所望
の用途に応じて適宜選択すればよいが、好ましくは０．
００５〜０．５μｍ、より好ましくは０．０１〜０．１
μｍである。膜厚が０．００５μｍ未満である場合には
、吸光度が小さすぎて吸収光量が少なくなり、充分な感
度が得られない可能性が高い。また膜厚の上限について
は、膜厚を０．５μｍ以上にしてもそれ以上の感度の向
上が望めないことから上記範囲が設定される。
の用途に応じて適宜選択すればよいが、好ましくは０．
００５〜０．５μｍ、より好ましくは０．０１〜０．１
μｍである。膜厚が０．００５μｍ未満である場合には
、吸光度が小さすぎて吸収光量が少なくなり、充分な感
度が得られない可能性が高い。また膜厚の上限について
は、膜厚を０．５μｍ以上にしてもそれ以上の感度の向
上が望めないことから上記範囲が設定される。
【００１０】
【作用】チタニルフタロシアニンを蒸着することによっ
て形成されるフタロシアニン蒸着膜は、チタニルフタロ
シアニン蒸着直後には７２０ｎｍ付近に吸収極大を有す
るが、所定の置換基が導入された一置換ベンゼン誘導体
あるいは所定の炭素数を有する飽和炭化水素化合物によ
って処理されると、７２０ｎｍにおける吸光度が減少し
て、７８０ｎｍに吸収極大を持つようになる。これは、
蒸着されたチタニルフタロシアニンが上記化合物で処理
されることにより、結晶転移を起こして７８０ｎｍに吸
収極大を有する結晶形に変化するからと考えられる。し
たがって、７８０ｎｍに高い感光性を有するようになり
、半導体レーザに対して高い感度が獲得されることとな
る。
て形成されるフタロシアニン蒸着膜は、チタニルフタロ
シアニン蒸着直後には７２０ｎｍ付近に吸収極大を有す
るが、所定の置換基が導入された一置換ベンゼン誘導体
あるいは所定の炭素数を有する飽和炭化水素化合物によ
って処理されると、７２０ｎｍにおける吸光度が減少し
て、７８０ｎｍに吸収極大を持つようになる。これは、
蒸着されたチタニルフタロシアニンが上記化合物で処理
されることにより、結晶転移を起こして７８０ｎｍに吸
収極大を有する結晶形に変化するからと考えられる。し
たがって、７８０ｎｍに高い感光性を有するようになり
、半導体レーザに対して高い感度が獲得されることとな
る。
【００１１】
【実施例】本発明の好適な実施例について実験結果の基
づいて説明する。
づいて説明する。
【００１２】実施例１
本実施例は、フタロシアニン蒸着膜を、一置換ベンゼン
誘導体で処理した例である。
誘導体で処理した例である。
【００１３】先ず、インジウム錫オキサイド（ＩＴＯ）
透明導電層を形成したポリエチレンテレフタレート（Ｐ
ＥＴ）フィルム上に、チタニルフタロシアニンを真空蒸
着法により蒸着して膜厚０．０４μｍの蒸着膜を形成し
た。そして、この蒸着膜を、トルエンの飽和蒸気に２４
時間接触させて蒸着膜試料１を作製した。
透明導電層を形成したポリエチレンテレフタレート（Ｐ
ＥＴ）フィルム上に、チタニルフタロシアニンを真空蒸
着法により蒸着して膜厚０．０４μｍの蒸着膜を形成し
た。そして、この蒸着膜を、トルエンの飽和蒸気に２４
時間接触させて蒸着膜試料１を作製した。
【００１４】このようにして作製された上記蒸着膜試料
１について、トルエン処理前および処理後に亘り吸収ス
ペクトルを観測した。その結果を図１に示す。
１について、トルエン処理前および処理後に亘り吸収ス
ペクトルを観測した。その結果を図１に示す。
【００１５】図１を見ると、上記蒸着膜試料１は、チタ
ニルフタロシアニン蒸着直後では、７２０ｎｍ付近に吸
収極大を有しているが、トルエン処理後には、７２０ｎ
ｍにおける吸光度が減少して７８０ｎｍに吸収極大を持
つようになることがわかる。このことから、チタニルフ
タロシアニンが蒸着されたフタロシアニン蒸着膜は、ト
ルエン処理が施されることにより、７８０ｎｍ付近に高
い感度が獲得されることがわかった。
ニルフタロシアニン蒸着直後では、７２０ｎｍ付近に吸
収極大を有しているが、トルエン処理後には、７２０ｎ
ｍにおける吸光度が減少して７８０ｎｍに吸収極大を持
つようになることがわかる。このことから、チタニルフ
タロシアニンが蒸着されたフタロシアニン蒸着膜は、ト
ルエン処理が施されることにより、７８０ｎｍ付近に高
い感度が獲得されることがわかった。
【００１６】実施例２
本実施例は、フタロシアニン蒸着膜を飽和炭化水素化合
物で処理した例である。
物で処理した例である。
【００１７】実施例１と同様にして蒸着膜を形成し、こ
の蒸着膜を、ノルマルヘキサンの飽和蒸気に２４時間接
触させて蒸着膜試料２を作製した。
の蒸着膜を、ノルマルヘキサンの飽和蒸気に２４時間接
触させて蒸着膜試料２を作製した。
【００１８】そして、このようにして作製された上記蒸
着膜試料２について、ノルマルヘキサン処理前および処
理後に亘り吸収スペクトルを観測した。その結果を図２
に示す。
着膜試料２について、ノルマルヘキサン処理前および処
理後に亘り吸収スペクトルを観測した。その結果を図２
に示す。
【００１９】図２を見ると、上記蒸着膜試料２は、チタ
ニルフタロシアニン蒸着直後では、７２０ｎｍ付近に吸
収極大を有しているが、ノルマルヘキサン処理後には、
７２０ｎｍにおける吸光度が減少して７８０ｎｍに吸収
極大を持つようになることがわかる。このことから、チ
タニルフタロシアニンが蒸着されたフタロシアニン蒸着
膜は、ノルマルヘキサン処理が施されることにより、７
８０ｎｍ付近に高い感度が獲得されることがわかった。
ニルフタロシアニン蒸着直後では、７２０ｎｍ付近に吸
収極大を有しているが、ノルマルヘキサン処理後には、
７２０ｎｍにおける吸光度が減少して７８０ｎｍに吸収
極大を持つようになることがわかる。このことから、チ
タニルフタロシアニンが蒸着されたフタロシアニン蒸着
膜は、ノルマルヘキサン処理が施されることにより、７
８０ｎｍ付近に高い感度が獲得されることがわかった。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明のフタロシアニン蒸着膜は、チタニルフタロシアニン
が蒸着されることによって形成されるフタロシアニン蒸
着膜において、所定の置換基が導入された一置換ベンゼ
ン誘導体あるいは所定の炭素数を有する飽和炭化水素に
よって処理されているので、７８０ｎｍ付近な高い感光
性を有する。したがって、このようなフタロシアニン蒸
着膜をたとえば半導体レーザを書き込み光源とする電子
写真感光体あるいは光記録媒体等の感光体層として使用
すれば、高感度に記録が行われ、良好な記録特性を得る
ことができる。
明のフタロシアニン蒸着膜は、チタニルフタロシアニン
が蒸着されることによって形成されるフタロシアニン蒸
着膜において、所定の置換基が導入された一置換ベンゼ
ン誘導体あるいは所定の炭素数を有する飽和炭化水素に
よって処理されているので、７８０ｎｍ付近な高い感光
性を有する。したがって、このようなフタロシアニン蒸
着膜をたとえば半導体レーザを書き込み光源とする電子
写真感光体あるいは光記録媒体等の感光体層として使用
すれば、高感度に記録が行われ、良好な記録特性を得る
ことができる。
【図１】フタロシアニン蒸着膜のトルエン処理前および
トルエン処理後の吸収スペクトルである。
トルエン処理後の吸収スペクトルである。
【図２】フタロシアニン蒸着膜のノルマルヘキサン処理
前およびノルマルヘキサン処理後の吸収スペクトルであ
る。
前およびノルマルヘキサン処理後の吸収スペクトルであ
る。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上にチタニルフタロシアニンを蒸
着することによって形成されるフタロシアニン蒸着膜に
おいて、一般式（１）あるいは一般式（２）に示される
化合物で処理されたことを特徴とするフタロシアニン蒸
着膜。 【化１】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3055523A JPH04273249A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | フタロシアニン蒸着膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3055523A JPH04273249A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | フタロシアニン蒸着膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04273249A true JPH04273249A (ja) | 1992-09-29 |
Family
ID=13001077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3055523A Pending JPH04273249A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | フタロシアニン蒸着膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04273249A (ja) |
-
1991
- 1991-02-28 JP JP3055523A patent/JPH04273249A/ja active Pending
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