JPS6143595A - 光学的記録用媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はレーザビームを照射して局部的に加熱し、その
加熱部に穴もしくは凸部を形成することによって記録す
る光学記録用媒体に関するものである。

（従来の技術） 基板上に形成された薄膜にレーザビームを照射して、ビ
ットを形成するようにした光学的記録用媒体として、従
来より’ｒｅ　を使用することが知られている。Ｔｅ　
は低融点、低熱伝導度を有する為に、上記方法による記
録において高い感度を示す。しかし、Ｔｅは酸化され易
く、酸化されると透明になシ記録が出来なくなるという
問題がある。

上記問題点を改良したものとして、Ｔｅ　ｆ合金化した
もの、Ｔｅの低酸化物、　　Ｔｅ　を有機膜中に分散さ
せたもの等がある。（たとえば、特開昭タ３−３１１０
グ号公報、特開昭！♂−ｊ’１３３♂号公報、特開昭！
７−９♂３９グ号公報）。

（発明の目的） 我々は、鋭意検討した結果、ピリジン類放電重合膜中に
Ｔｅを分散させることにより、Ｔｅの高感度を保ちつつ
、上述したＴｅの経時不安定性の問題を解決できること
を見出し、本発明に到達したものである。

すなわち、本発明の要旨は、基板と、この基板上に被着
されたＴｅを含むピリジン類放電重合膜とからなること
を特徴とする光学的記録用媒体にある。

（問題点を解決するための手段） 以下、本発明の詳細な説明する。

本発明に係る記録用媒体は、たとえばピリジン類の七ツ
マーガスを導入した真空容器中でグロー放電を行なうと
ともに、Ｔｅを蒸発させて、基板上に非晶質Ｔｅが分散
したピリジン類の放電重合膜を形成させることによシ得
られる。

ピリジン類としては、ピリジンもしくはキノリンならび
にこれらをたとえばメチル基−ＣＨ３等のアルキル基、
フェニル基等のアリール基で置換した化合物が挙げられ
る。

また、Ｔｅの原料としてはＴｅ１　、又はＴｏを含む化
合物、たとえばＰｂＴｓ、ＭｏＴｅ２．Ｔｅｏ□が用い
られ、さらにＢｉ、Ｓｅ　　等を含む［ヒ合物を他成分
として目的に応じ加えることもできる。

基板としては、ガラス、アクリル樹脂、ポリカーボネー
トａ脂等のプラスチック′、又はアルミニウム等の金属
が挙げられ、その厚みは一般に／〜／、ｊ　１ｌｌｌｉ
程度から選ばれる。

グロー放電に際しては、高周波法又は直流法の常法によ
ることができ、ラジカル及びイオン種を生成させること
によシ、ピリジン類の放電重合膜が形成さｎる。基板温
度は、室温ないし基板の軟化点未満に保持される。

Ｔｅ１　を含むピリジン類放電重合膜の厚みは、通常！
ＯＡ〜／μ程度、好ましくは２００〜にθＯＯＡ程度で
ある。

このようにして’ｒｅを蒸着さもると、ピリジン類の放
電重合膜がＴｏの活性化点をふさぎ、経時安定性を増す
ことができる。ここで上記方法によって得られた膜に熱
処理を施し、結晶化したＴｅが分散したどりジン類の放
電重合膜とすることもできる。

以下、図面を参照して本発明をさらに詳細に説明する。

第一図は本発明に係る光学記録用媒体の製造のための装
置の一例であシ、図中（３）は反応容器、（４）ｉ−１
：ピリジン類ガス導入口、（５）は基板、（６）は高周
波コイル、（７）は’ｒｅ蒸着用抵抗加熱器、（８）は
膜厚モニター、（９）はシャッター、α０）は排気口で
ある。ピリジン類の放電重合膜の作製は、反応容器（３
）を１０”−ｆｉ　ＴＯｒｒ台まで排気した後、ピリジ
ン頚ガスを導入口（４）よシ導入し、反応容器（３）の
内祝を１ｘ１０−５〜ｊＸ＃７−３Ｔｏｒｒとなるよう
にする。ガス導入後、高周波コイル（６）に高周波を印
加し放電を起こさせる。これと同時に蒸着用抵抗加熱器
（７）からＴｅを蒸発させ、基板（５）上［Ｔｅを含む
ピリジン類放電重合膜が得られる。Ｔｅの蒸発量は膜厚
モニター（８）で監視する。Ｔｅの含有量はＴｅ　　の
蒸着速度、あるいは重合条件を変えることによるピリジ
ン類放電重合膜の成膜速度の三者のうちいずれかを変え
ることによシ制御できる。得られた膜が半導体レーザの
波長で十分な吸収を示すように、’ｒｅ含有量は！θＶ
ＯＩ％以上であるのが好ましい。

第１図は上記のようにして得られる本発明による光記録
媒体の構成である。図中（１）はポリメチルメタアクリ
レート（ＰＭＭＡ）基板、（２）は’ｒｅ含有ピリジン
類放電重合膜である。

本発明に係る記録用媒体は、上記のように基板上に上記
放電重合膜を形成させてなるが、第７図における基板（
１）と重合膜（２）の間に、記録感度の向上、基板表面
の改質、孔形状の向上等のために、たとえばジアゾ系有
機染料（蒸着）、Ｔｅ　を含まないピリジン類放電重合
膜等を下引層として設けることもでき、さらには、記録
媒体の保護のために重合膜２上にたとえば無定形５ｉｎ
２．　ＭｇＦ２膜等を保護膜として設けることもできる
。

本発明に係る光学的記録用媒体は、光デイスク記録媒体
として有用であり、レーザービームを照射して加熱する
ことによシ、穴をあけ、もしくは凸部を形成させ、又は
相変態を利用して記録を行なうことができる。

（発明の効果） 本発明に係る記録用媒体は、Ｔｅの感度特注を従来と同
等以上に保持しつつ、経時安定性を向上しうる。

（実施例） 以下、実施例によシ本発明を更に詳しく説明するが、本
発明が実施例のみに限定されるものでないことは勿論の
ことである。

実施例／ 真空容器をＪ　Ｘ　１０＝　Ｔｏｒｒ　　まで排気した
後、ピリジンモノマーガスをｓ　ｘ　１０−４　Ｔ　Ｏ
ｒ　ｒ　導入Ｌ／　１コイル状の電極に／　３．６６　
ＭＨｚの高周波電圧を印加して放電を行なうとともにＴ
ｅをモリブデンボートから蒸発させ、基板上に’ｒｅ含
有ピリジン放電重合膜を形成させる。基板としてポリメ
チルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）を用い、ピリジンモ
ノマーガス流量ｊ８ｃｃｍｓ放電電力１００Ｗ、Ｔｅ蒸
着速度約４ｔ００Ａ／−で７分間放電を行なうと、基板
上に膜厚的９ｔ！ＯＡのＴｅを含有したピリジン放電重
合膜が形成された。

ＰＭＭＡ基板上に成膜したものに、波長♂°３θｎｍの
半導体レーザにより記録したところ、Ｔｅ単独膜に比べ
て２〜３倍の感度を示した。

また安定性の面では、６０°Ｃｇｏ％ＲＨ中に保存し反
射率低下を測定したところ、’ｒｅ単独膜では／週間で
初期値の７３％に低下するが、上記方法により得られた
膜では反射率低下はみもれなかった。

実施例コ 真空容器を３×１０−’　ＴＯｒｒ　まで排気した後、
ピリジンモノマーガスを６×１Ｏ−５Ｔｏｒｒ導入し、
電極に高周波電圧を印加して放電を行なうとともに’ｒ
ｅを蒸発させ、基板上にＴθ含有ピリジン放電重合膜を
形成させる。基板としてＰＭＭＡｒ、ｒ　用い、ピリジ
ンモノマーガス流量／　ｓｃｃｍｓ放電電力／θ０Ｗ、
Ｔｅ蒸着速度約１０００＾／−で／、６分放電を行なう
と基板上に膜厚的／！００＾のＴｅを含有したピリジン
放電重合膜が形成された。ｐＭＭＡ基板上に成膜したも
のに半導体レーザによシ記録したところ、Ｔｅ単独膜に
比べて２倍の感度を示した。この膜では凸部による記録
が行なえた。また、安定性の面では、乙０°Ｃ１ｌ０％
ＲＨ中に２週間保存した後でも反射率の低下はみもれな
かった。

実施例３ 真空容器を３×１Ｏ−６Ｔｏｒｒ　ｉで排気した後、キ
ノリンモノマーガスを！×１０−”　Ｔｏｒｒ　　導入
し、電極に高周波電圧を印加して放電を行なうとともに
Ｔｅを蒸発させ、基板上にＴｏ含有キノリン放電重合膜
を形成させる。基板としてＰＭＭＡを用い、キノリンモ
ノマーガス流量ｔｓｃｃｍ、放電電力１００Ｗ％　Ｔｅ
　蒸着速度Ｊ’　００　Ａ　／　ｍｔｎで７３秒間放電
を行なうと、基板上に膜厚的３００ＡのＴｅを含有した
キノリン放電重合膜が形成される。ＰＭＭＡ基板上に成
膜したものに半導体レーザによシ記録したところ、Ｔｅ
単独膜に比べて２倍の感度を示した。また、安定性の面
では、６０℃、？／％ＲＨ中に２週間保存後で、反射率
の初期値からの低下はｌ０％であった。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係る記録用媒体の構成例を示し、第
２図は、本発明に係る記録用媒体の製造のだめの装置の
一例を示す。 図中（１）は基板、（２）は放電重合膜、（３）は反応
容器、（４）はガス導入口、（５）は基板、（６）は高
周波コイル、（７）はＴｅ蒸着用抵抗加熱器をそれぞれ
示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板と、この基板上に被着されたＴｅ（テルル）
   を含むピリジン類放電重合膜とからなることを特徴とす
   る光学的記録用媒体