JPH04274317A - 薄膜形成方法およびその装置 - Google Patents
薄膜形成方法およびその装置Info
- Publication number
- JPH04274317A JPH04274317A JP3035924A JP3592491A JPH04274317A JP H04274317 A JPH04274317 A JP H04274317A JP 3035924 A JP3035924 A JP 3035924A JP 3592491 A JP3592491 A JP 3592491A JP H04274317 A JPH04274317 A JP H04274317A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction
- light
- material compound
- thin film
- raw material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光励起反応を利用した薄
膜形成方法および装置に係り，特に原料化合物に光を照
射して化学気相成長（ＣＶＤ）法により各種の薄膜を形
成するのに好適な光ＣＶＤによる薄膜形成方法およびそ
の装置に関する。
膜形成方法および装置に係り，特に原料化合物に光を照
射して化学気相成長（ＣＶＤ）法により各種の薄膜を形
成するのに好適な光ＣＶＤによる薄膜形成方法およびそ
の装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光ＣＶＤ法は，反応成膜室中に基
板を保持し，該基板上に薄膜構成元素を含む各種の原料
化合物を導入し，ランプまたはレーザ等の光源から薄膜
を形成する反応成膜室に取り付けられている光照射窓を
通して，基板の上面または側面から光を照射し光励起に
よる分解成膜反応を起こさせて薄膜の形成が行われてい
た〔ジャパニーズ ジャーナル オブ アプライ
ド フィジックス（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊ． Ａｐｐ
ｌ． Ｐｈｙｓ．）２８巻，３号（１９８９年３月）ｐ
ｐＬ３４６−Ｌ３４８〕。
板を保持し，該基板上に薄膜構成元素を含む各種の原料
化合物を導入し，ランプまたはレーザ等の光源から薄膜
を形成する反応成膜室に取り付けられている光照射窓を
通して，基板の上面または側面から光を照射し光励起に
よる分解成膜反応を起こさせて薄膜の形成が行われてい
た〔ジャパニーズ ジャーナル オブ アプライ
ド フィジックス（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊ． Ａｐｐ
ｌ． Ｐｈｙｓ．）２８巻，３号（１９８９年３月）ｐ
ｐＬ３４６−Ｌ３４８〕。
【０００３】この従来の光ＣＶＤ法において，光照射窓
（石英窓）は基板が保持されている反応成膜室に設けら
れているため，導入される原料化合物および反応生成物
，副生成物などが成膜反応中に光照射窓にまで飛来して
付着し，光照射窓を曇らせてしまうため紫外光などの光
照射が妨げられ原料化合物に対する光励起が低下し，薄
膜を形成する分解成膜反応が劣化するという問題があっ
た。
（石英窓）は基板が保持されている反応成膜室に設けら
れているため，導入される原料化合物および反応生成物
，副生成物などが成膜反応中に光照射窓にまで飛来して
付着し，光照射窓を曇らせてしまうため紫外光などの光
照射が妨げられ原料化合物に対する光励起が低下し，薄
膜を形成する分解成膜反応が劣化するという問題があっ
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したごとく，従来
の光ＣＶＤ法は，紫外光などの光照射を反応成膜室に取
付けられた光照射窓を通して基板面上に照射しているた
め，成膜反応中に原料化合物や反応生成物，副生成物な
どが光照射窓に付着しやすく，そのため光照射が妨げら
れて光励起反応が劣化し薄膜の生産性が著しく低下する
という問題があった。
の光ＣＶＤ法は，紫外光などの光照射を反応成膜室に取
付けられた光照射窓を通して基板面上に照射しているた
め，成膜反応中に原料化合物や反応生成物，副生成物な
どが光照射窓に付着しやすく，そのため光照射が妨げら
れて光励起反応が劣化し薄膜の生産性が著しく低下する
という問題があった。
【０００５】本発明の目的は，上記従来技術における問
題点を解消するものであって，光励起反応を利用する光
ＣＶＤ法により各種の薄膜を形成する場合に，光照射用
の窓に原料化合物や反応生成物などが付着して光の照射
が妨げられることなく，高品質の薄膜を生産性よく形成
することができ，かつ成膜装置の構造および維持管理が
極めて簡易な構造の光ＣＶＤによる薄膜形成方法および
それを実施するための装置を提供することにある。
題点を解消するものであって，光励起反応を利用する光
ＣＶＤ法により各種の薄膜を形成する場合に，光照射用
の窓に原料化合物や反応生成物などが付着して光の照射
が妨げられることなく，高品質の薄膜を生産性よく形成
することができ，かつ成膜装置の構造および維持管理が
極めて簡易な構造の光ＣＶＤによる薄膜形成方法および
それを実施するための装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記本発明の目的を達成
するために，光励起反応を利用して所定の基板上に各種
の薄膜を形成する光ＣＶＤ法において，原料化合物に可
視および紫外領域の光を照射してあらかじめ光励起させ
ておき，この光励起された原料化合物を，反応成膜室に
保持されている基板上に導入して分解成膜反応を効率よ
く起こさせ，薄膜形成の生産性の向上をはかるものであ
る。
するために，光励起反応を利用して所定の基板上に各種
の薄膜を形成する光ＣＶＤ法において，原料化合物に可
視および紫外領域の光を照射してあらかじめ光励起させ
ておき，この光励起された原料化合物を，反応成膜室に
保持されている基板上に導入して分解成膜反応を効率よ
く起こさせ，薄膜形成の生産性の向上をはかるものであ
る。
【０００７】本発明の光ＣＶＤ法においては，光照射を
反応成膜室に保持された基板に対して行うものではなく
，反応成膜室の基板上に導入される前の原料化合物に対
して行うことを特徴とするものである。そのため薄膜形
成装置の光照射窓は必ずしも反応成膜室に取り付ける必
要はなく，原料化合物導入管に光照射窓を付帯させても
よく，また反応成膜室の前段階に光照射窓を設けた原料
化合物の光励起室を独立して設置する構成にしてもよい
。さらに，反応成膜室中の基板部へ原料化合物を導入す
る導入管の原料化合物流出端部に，レーザ光などの平行
性の良い光を集中的に照射して，基板上に導入する原料
化合物をあらかじめ光励起することも可能である。
反応成膜室に保持された基板に対して行うものではなく
，反応成膜室の基板上に導入される前の原料化合物に対
して行うことを特徴とするものである。そのため薄膜形
成装置の光照射窓は必ずしも反応成膜室に取り付ける必
要はなく，原料化合物導入管に光照射窓を付帯させても
よく，また反応成膜室の前段階に光照射窓を設けた原料
化合物の光励起室を独立して設置する構成にしてもよい
。さらに，反応成膜室中の基板部へ原料化合物を導入す
る導入管の原料化合物流出端部に，レーザ光などの平行
性の良い光を集中的に照射して，基板上に導入する原料
化合物をあらかじめ光励起することも可能である。
【０００８】本発明の薄膜形成装置においては，原料化
合物を光励起するための光照射部を，反応成膜室中に保
持された基板とは無関係の位置に構成することができる
ため，光励起を利用するＣＶＤ法では不可欠の光照射用
の窓に，原料化合物や反応生成物などが飛来し付着しな
い構成に工夫することが容易であり，また反応成膜室と
は独立した光励起室を構成することができる。この場合
には，光励起室に反応成膜室とは独立した排気機構を設
けることにより，薄膜形成装置の長期の使用によって光
照射窓に汚れが生じた場合に，反応成膜室の真空を保っ
たままで光励起室のみ大気開放して光透過窓の清掃ある
いは交換を行うことができるので，成膜に対し悪い影響
を与えることなく，また反応成膜室の大気開放に伴う量
産性の低下といった問題を回避することができる。
合物を光励起するための光照射部を，反応成膜室中に保
持された基板とは無関係の位置に構成することができる
ため，光励起を利用するＣＶＤ法では不可欠の光照射用
の窓に，原料化合物や反応生成物などが飛来し付着しな
い構成に工夫することが容易であり，また反応成膜室と
は独立した光励起室を構成することができる。この場合
には，光励起室に反応成膜室とは独立した排気機構を設
けることにより，薄膜形成装置の長期の使用によって光
照射窓に汚れが生じた場合に，反応成膜室の真空を保っ
たままで光励起室のみ大気開放して光透過窓の清掃ある
いは交換を行うことができるので，成膜に対し悪い影響
を与えることなく，また反応成膜室の大気開放に伴う量
産性の低下といった問題を回避することができる。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の実施例を挙げ，図面を用いて
さらに詳細に説明する。 ＜実施例１＞図１は，本実施例において用いた薄膜形成
装置の構成の一例を示す模式図で，原料ガス供給部（図
示せず）から供給された原料化合物８は，流量調節バル
ブ７を通って光励起室１０に導入される。光励起室１０
には，ランプ５ａから発生した紫外光を光励起室１０内
の原料化合物８に紫外光照射４する光照射窓（石英窓）
３が設けられている。そして，紫外光照射４により光励
起された原料化合物８は，流量調節バルブ７ａを通って
反応成膜室１１内の基板ホルダ（ヒータ内装）上に設置
されている基板（図示せず）部に導入して，基板上で分
解成膜反応を起こさせて所望する薄膜を形成する。反応
成膜室１１および光励起室１０の各室は，真空排気に対
し真空バルブ（図示せず）を介し独立して設置されてい
る。また，紫外光照射４に用いる光源は，ランプ光であ
ってもレーザ光であってもよいことは言うまでもない。 なお，比較のために従来用いられてきた反応成膜室１１
に光照射窓３を持つ光ＣＶＤ装置の構成の一例を図４に
示す。
さらに詳細に説明する。 ＜実施例１＞図１は，本実施例において用いた薄膜形成
装置の構成の一例を示す模式図で，原料ガス供給部（図
示せず）から供給された原料化合物８は，流量調節バル
ブ７を通って光励起室１０に導入される。光励起室１０
には，ランプ５ａから発生した紫外光を光励起室１０内
の原料化合物８に紫外光照射４する光照射窓（石英窓）
３が設けられている。そして，紫外光照射４により光励
起された原料化合物８は，流量調節バルブ７ａを通って
反応成膜室１１内の基板ホルダ（ヒータ内装）上に設置
されている基板（図示せず）部に導入して，基板上で分
解成膜反応を起こさせて所望する薄膜を形成する。反応
成膜室１１および光励起室１０の各室は，真空排気に対
し真空バルブ（図示せず）を介し独立して設置されてい
る。また，紫外光照射４に用いる光源は，ランプ光であ
ってもレーザ光であってもよいことは言うまでもない。 なお，比較のために従来用いられてきた反応成膜室１１
に光照射窓３を持つ光ＣＶＤ装置の構成の一例を図４に
示す。
【００１０】上記図１に示した本発明の光ＣＶＤ装置を
用い，原料化合物８として，ビスシクロペンタジエニル
チタニウムダイアジド〔Ｃｐ２Ｔｉ（Ｎ３）２，Ｃｐは
シクロペンタジエニル基を表わす〕を使用して，窒化チ
タン（ＴｉＮ）膜を形成させた場合を例に挙げ，本発明
の光ＣＶＤ法について具体的に説明する。
用い，原料化合物８として，ビスシクロペンタジエニル
チタニウムダイアジド〔Ｃｐ２Ｔｉ（Ｎ３）２，Ｃｐは
シクロペンタジエニル基を表わす〕を使用して，窒化チ
タン（ＴｉＮ）膜を形成させた場合を例に挙げ，本発明
の光ＣＶＤ法について具体的に説明する。
【００１１】Ｃｐ２Ｔｉ（Ｎ３）２が充填されている原
料容器（図示せず）を加熱して気化した原料化合物８は
，原料化合物導入管９中で冷却され凝縮または凝固する
のを防ぐために，原料化合物導入管９は加熱し保温する
構造になっている。Ｃｐ２Ｔｉ（Ｎ３）２の場合は，１
０Ｐａ程度の真空度で，１３０〜１５０℃程度の温度で
昇華して気体となる。このＣｐ２Ｔｉ（Ｎ３）２の気体
は，単独またはアルゴン，窒素ガス等のキャリアガスと
混合して用いることができる。上記の気体としたＣｐ２
Ｔｉ（Ｎ３）２を含む原料化合物８を，光励起室１０に
導入し，光照射窓３より高圧水銀灯などのランプ５ａか
ら発生する紫外光照射４を行って光励起したＣｐ２Ｔｉ
（Ｎ３）２の気体を，反応成膜室１１内の１００〜５０
０℃の温度に加熱可能な基板ホルダに設置されているシ
リコンよりなる基板上に導入したところ，基板の温度が
３００℃程度で，これまでの導電体膜のＣＶＤによる成
膜方法では考えられない低温で成膜を行った場合におい
ても高品質の窒化チタン膜を形成させることができた。 これは，Ｃｐ２Ｔｉ（Ｎ３）２を高圧水銀灯などを光源
とした可視および紫外領域の光を照射して光励起を行う
と，熱分解反応とは異なる分解反応を起こし成膜が促進
されたものと考えられる。図１に示す本発明の光ＣＶＤ
装置を用いて薄膜を形成する場合に，Ｃｐ２Ｔｉ（Ｎ３
）２原料化合物８は，まず光励起室１０で光励起され，
その励起種は反応成膜室１１まで寿命を保つため，反応
成膜室１１内に保持され加熱された基板上で分解反応を
起こし，窒化チタン膜が形成されるものである。なお，
光励起室１０の光照射窓３には，ほとんど汚物の付着が
なく曇りは生じなかった。そして，比較のために図２に
示す従来の光ＣＶＤ装置を用い，上記と同じ原料化合物
を使用して薄膜の形成を行ったところ，上記実施例と同
様の高品質な窒化チタン膜を得ることができた。これは
，原料化合物であるＣｐ２Ｔｉ（Ｎ３）２を用いたＣＶ
Ｄ反応機構が，まず原料化合物が光励起されて，その後
に分解成膜反応を起こすためであると考えられる。しか
し，従来の光ＣＶＤ装置では反応成膜室１１内の基板２
の上方部に光照射窓３が設けられているため，反応生成
物などが飛来して光照射窓３が汚染され曇り易く，おお
よそ１０〜１２時間程度で光照射窓３に汚物が付着し曇
りが生じ成膜効率が低下した。これに対し，図１に示す
本発明の光ＣＶＤ装置においては，光励起室１０に設け
られている光照射窓３にはほとんど曇りの発生が無く，
かりに汚物が付着した場合には光照射窓の交換，清掃が
容易であるので，半永久的に薄膜の形成操作が可能とな
る。
料容器（図示せず）を加熱して気化した原料化合物８は
，原料化合物導入管９中で冷却され凝縮または凝固する
のを防ぐために，原料化合物導入管９は加熱し保温する
構造になっている。Ｃｐ２Ｔｉ（Ｎ３）２の場合は，１
０Ｐａ程度の真空度で，１３０〜１５０℃程度の温度で
昇華して気体となる。このＣｐ２Ｔｉ（Ｎ３）２の気体
は，単独またはアルゴン，窒素ガス等のキャリアガスと
混合して用いることができる。上記の気体としたＣｐ２
Ｔｉ（Ｎ３）２を含む原料化合物８を，光励起室１０に
導入し，光照射窓３より高圧水銀灯などのランプ５ａか
ら発生する紫外光照射４を行って光励起したＣｐ２Ｔｉ
（Ｎ３）２の気体を，反応成膜室１１内の１００〜５０
０℃の温度に加熱可能な基板ホルダに設置されているシ
リコンよりなる基板上に導入したところ，基板の温度が
３００℃程度で，これまでの導電体膜のＣＶＤによる成
膜方法では考えられない低温で成膜を行った場合におい
ても高品質の窒化チタン膜を形成させることができた。 これは，Ｃｐ２Ｔｉ（Ｎ３）２を高圧水銀灯などを光源
とした可視および紫外領域の光を照射して光励起を行う
と，熱分解反応とは異なる分解反応を起こし成膜が促進
されたものと考えられる。図１に示す本発明の光ＣＶＤ
装置を用いて薄膜を形成する場合に，Ｃｐ２Ｔｉ（Ｎ３
）２原料化合物８は，まず光励起室１０で光励起され，
その励起種は反応成膜室１１まで寿命を保つため，反応
成膜室１１内に保持され加熱された基板上で分解反応を
起こし，窒化チタン膜が形成されるものである。なお，
光励起室１０の光照射窓３には，ほとんど汚物の付着が
なく曇りは生じなかった。そして，比較のために図２に
示す従来の光ＣＶＤ装置を用い，上記と同じ原料化合物
を使用して薄膜の形成を行ったところ，上記実施例と同
様の高品質な窒化チタン膜を得ることができた。これは
，原料化合物であるＣｐ２Ｔｉ（Ｎ３）２を用いたＣＶ
Ｄ反応機構が，まず原料化合物が光励起されて，その後
に分解成膜反応を起こすためであると考えられる。しか
し，従来の光ＣＶＤ装置では反応成膜室１１内の基板２
の上方部に光照射窓３が設けられているため，反応生成
物などが飛来して光照射窓３が汚染され曇り易く，おお
よそ１０〜１２時間程度で光照射窓３に汚物が付着し曇
りが生じ成膜効率が低下した。これに対し，図１に示す
本発明の光ＣＶＤ装置においては，光励起室１０に設け
られている光照射窓３にはほとんど曇りの発生が無く，
かりに汚物が付着した場合には光照射窓の交換，清掃が
容易であるので，半永久的に薄膜の形成操作が可能とな
る。
【００１２】＜実施例２＞図２は，本発明の光励起室１
０の構造の一例を示す模式図である。図において，原料
化合物導入管９の一部を，光透過性の石英管９ａで作製
し，石英管９ａを取り囲むようにランプ５ａを設ける。 このランプ５ａに囲まれた石英管９ａを，内壁を鏡面加
工したカバー１４で覆うことにより光照射の効率を高め
ることができる。なお，図２に示す光励起室１０は，流
量調節バルブ７ａを介して反応成膜室に取り付ける場合
を示しているが，流量調節バルブ７ａを介さずに，直接
反応成膜室へ原料化合物８の供給を行ってもよい。
０の構造の一例を示す模式図である。図において，原料
化合物導入管９の一部を，光透過性の石英管９ａで作製
し，石英管９ａを取り囲むようにランプ５ａを設ける。 このランプ５ａに囲まれた石英管９ａを，内壁を鏡面加
工したカバー１４で覆うことにより光照射の効率を高め
ることができる。なお，図２に示す光励起室１０は，流
量調節バルブ７ａを介して反応成膜室に取り付ける場合
を示しているが，流量調節バルブ７ａを介さずに，直接
反応成膜室へ原料化合物８の供給を行ってもよい。
【００１３】＜実施例３＞図３に，本発明の光ＣＶＤ装
置の他の構成の一例を示す。図において，原料化合物８
は，原料化合物導入管９を通り反応成膜室１１に導入さ
れると同時に，反応成膜室１１に接続されている原料化
合物導入管９の原料化合物８の流出端近傍の光励起部１
０ａに，集光された光を照射し，基板２に原料化合物８
が到達する前に光励起を行う光導入管１２が設けられて
いる。 本実施例における光ＣＶＤ装置の光源５は，水銀ランプ
等でもよいが，レーザ光のように平行性の良い光源５を
用いる方が，照射光の強度を高めることができ，いっそ
う分解成膜反応を促進させることができる。なお，本実
施例では，反応成膜室１１の底部に凹型反射鏡１３を設
置し集光効率を向上させている。本実施例に示すごとく
，原料化合物導入管９の先端部で，原料化合物８の光励
起を行うことにより，原料化合物の励起効率を向上させ
ることができ，実施例１と同様の高品質の窒化チタン膜
を形成させることができた。また，図３に示すごとく，
光導入管１２，凹型反射鏡１３などの温度調節も基板２
の加熱とは別々に行うことができるので，これらを適度
な温度調節により，光導入管１２に設けられている光照
射窓３や凹型反射鏡１３などについても原料化合物およ
び反応生成物などの付着による汚染を抑制することがで
き，実施例１の場合と同様に長期間連続使用することが
可能である。
置の他の構成の一例を示す。図において，原料化合物８
は，原料化合物導入管９を通り反応成膜室１１に導入さ
れると同時に，反応成膜室１１に接続されている原料化
合物導入管９の原料化合物８の流出端近傍の光励起部１
０ａに，集光された光を照射し，基板２に原料化合物８
が到達する前に光励起を行う光導入管１２が設けられて
いる。 本実施例における光ＣＶＤ装置の光源５は，水銀ランプ
等でもよいが，レーザ光のように平行性の良い光源５を
用いる方が，照射光の強度を高めることができ，いっそ
う分解成膜反応を促進させることができる。なお，本実
施例では，反応成膜室１１の底部に凹型反射鏡１３を設
置し集光効率を向上させている。本実施例に示すごとく
，原料化合物導入管９の先端部で，原料化合物８の光励
起を行うことにより，原料化合物の励起効率を向上させ
ることができ，実施例１と同様の高品質の窒化チタン膜
を形成させることができた。また，図３に示すごとく，
光導入管１２，凹型反射鏡１３などの温度調節も基板２
の加熱とは別々に行うことができるので，これらを適度
な温度調節により，光導入管１２に設けられている光照
射窓３や凹型反射鏡１３などについても原料化合物およ
び反応生成物などの付着による汚染を抑制することがで
き，実施例１の場合と同様に長期間連続使用することが
可能である。
【００１４】
【発明の効果】以上詳細に説明したごとく，本発明の光
ＣＶＤ法による薄膜形成方法は，薄膜構成元素を含む原
料化合物をあらかじめ光励起しておき，これを反応成膜
室の基板上に導入して分解成膜反応を起こさせる方法で
あるので，従来の光照射窓を基板の上方に設けた光ＣＶ
Ｄ装置を用いて成膜する場合と比較して，光照射窓に原
料化合物や反応生成物などが付着して曇らせ光照射を妨
げるという問題が生じないので，長期にわたり安定して
高品質の薄膜を生産性よく製造することができる。また
，本発明の光ＣＶＤ装置は，反応成膜室と光照射窓を有
する光励起室とを独立して設けるか，または反応成膜室
とは隔離した構造に光励起部を構成しているため，光照
射窓の交換，清掃も反応成膜室に悪い影響を与えること
なしに行うことができ，反応成膜室の大気開放に伴う量
産性の低下の問題も解消することができる。
ＣＶＤ法による薄膜形成方法は，薄膜構成元素を含む原
料化合物をあらかじめ光励起しておき，これを反応成膜
室の基板上に導入して分解成膜反応を起こさせる方法で
あるので，従来の光照射窓を基板の上方に設けた光ＣＶ
Ｄ装置を用いて成膜する場合と比較して，光照射窓に原
料化合物や反応生成物などが付着して曇らせ光照射を妨
げるという問題が生じないので，長期にわたり安定して
高品質の薄膜を生産性よく製造することができる。また
，本発明の光ＣＶＤ装置は，反応成膜室と光照射窓を有
する光励起室とを独立して設けるか，または反応成膜室
とは隔離した構造に光励起部を構成しているため，光照
射窓の交換，清掃も反応成膜室に悪い影響を与えること
なしに行うことができ，反応成膜室の大気開放に伴う量
産性の低下の問題も解消することができる。
【図１】本発明の実施例１で例示した薄膜形成装置の構
成を示す模式図。
成を示す模式図。
【図２】本発明の実施例２で例示した薄膜形成装置の光
励起室の構造を示す模式図。
励起室の構造を示す模式図。
【図３】本発明の実施例３で例示した薄膜形成装置の構
成を示す模式図。
成を示す模式図。
【図４】従来の薄膜形成装置の構成を示す模式図である
。
。
１…基板ホルダ（ヒータ内装）
２…基板
３…光照射窓（石英窓）
４…紫外光照射
５…光源
５ａ…ランプ
６…レンズ
７…流量調節バルブ
７ａ…流量調節バルブ
８…原料化合物
９…原料化合物導入管
９ａ…石英管
１０…光励起室
１０ａ…光励起部
１１…反応成膜室
１２…光導入管
１３…凹型反射鏡
１４…内壁を鏡面加工したカバー
１５…石英管と金属管の接合部
Claims (2)
- 【請求項１】反応成膜室中に設置されている基板上に原
料化合物を導入し，光励起を伴う分解成膜反応により薄
膜を形成する化学気相成長法において，上記反応成膜室
の基板上に導入する原料化合物の光励起を，上記基板上
に到達し分解反応を起こす前に行うことを特徴とする薄
膜形成方法。 - 【請求項２】反応成膜室に保持された基板上に原料化合
物を導入し，光励起を伴う分解成膜反応により薄膜を形
成する化学気相成長装置において，上記導入する原料化
合物が反応成膜室に保持された基板表面に到達する前段
階で，上記原料化合物の流れに可視および紫外領域の光
を照射して光励起を行う手段を備えたことを特徴とする
薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3035924A JPH04274317A (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | 薄膜形成方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3035924A JPH04274317A (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | 薄膜形成方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04274317A true JPH04274317A (ja) | 1992-09-30 |
Family
ID=12455585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3035924A Pending JPH04274317A (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | 薄膜形成方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04274317A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002009166A1 (en) * | 2000-07-21 | 2002-01-31 | Tokyo Electron Limited | Method for manufacturing semiconductor device, substrate treater, and substrate treatment system |
| US7501352B2 (en) | 2005-03-30 | 2009-03-10 | Tokyo Electron, Ltd. | Method and system for forming an oxynitride layer |
| US7517814B2 (en) | 2005-03-30 | 2009-04-14 | Tokyo Electron, Ltd. | Method and system for forming an oxynitride layer by performing oxidation and nitridation concurrently |
| WO2009093459A1 (ja) * | 2008-01-25 | 2009-07-30 | Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. | 原子層成長装置および薄膜形成方法 |
| JP2012015259A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
1991
- 1991-03-01 JP JP3035924A patent/JPH04274317A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002009166A1 (en) * | 2000-07-21 | 2002-01-31 | Tokyo Electron Limited | Method for manufacturing semiconductor device, substrate treater, and substrate treatment system |
| US7501352B2 (en) | 2005-03-30 | 2009-03-10 | Tokyo Electron, Ltd. | Method and system for forming an oxynitride layer |
| US7517814B2 (en) | 2005-03-30 | 2009-04-14 | Tokyo Electron, Ltd. | Method and system for forming an oxynitride layer by performing oxidation and nitridation concurrently |
| WO2009093459A1 (ja) * | 2008-01-25 | 2009-07-30 | Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. | 原子層成長装置および薄膜形成方法 |
| JPWO2009093459A1 (ja) * | 2008-01-25 | 2011-05-26 | 三井造船株式会社 | 原子層成長装置および薄膜形成方法 |
| JP2012015259A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6150265A (en) | Apparatus for forming materials | |
| US4058638A (en) | Method of optical thin film coating | |
| JP4565062B2 (ja) | 薄膜単結晶の成長方法 | |
| JP3351477B2 (ja) | 固体レーザー結晶薄膜作成方法および固体レーザー結晶薄膜作成装置 | |
| JPH0669025B2 (ja) | 半導体結晶成長装置 | |
| JP2556211B2 (ja) | 半導体結晶層の成長装置とその成長方法 | |
| JPS60128265A (ja) | 気相薄膜形成装置 | |
| JPS60241219A (ja) | レ−ザ利用薄膜形成方法 | |
| JPS63283135A (ja) | テルル化カドミウムおよびテルル化水銀の交互の層の堆積方法 | |
| JPS6149392B2 (ja) | ||
| JP4443733B2 (ja) | レーザアブレーション成膜方法 | |
| JP2723658B2 (ja) | レーザｃｖｄ法による配線形成方法及びその装置 | |
| JP2002241930A (ja) | 窒化物薄膜作製方法 | |
| JPS63207121A (ja) | 光ｃｖｄによる薄膜の製造方法及びそれに使用される装置 | |
| JP4377008B2 (ja) | 化学蒸着方法及び化学蒸着装置 | |
| JPH03237731A (ja) | 気相成長方法及び装置 | |
| JPH0787181B2 (ja) | 光励起プロセス装置 | |
| JP2789922B2 (ja) | Ｃｖｄ法による金膜の形成方法 | |
| JPH02239184A (ja) | 光励起気相成長方法および装置 | |
| JPH0478717B2 (ja) | ||
| JP2006219730A (ja) | 成膜装置 | |
| JPS62264619A (ja) | 不純物ド−ピング法 | |
| JPS61269305A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0645265A (ja) | 光ｃｖｄ装置 | |
| JPH04174513A (ja) | 分子線結晶成長装置及び分子線結晶成長方法 |