JPH04275337A - 水素シルセスキオキサン樹脂及びそのコーティング材料としての使用方法 - Google Patents
水素シルセスキオキサン樹脂及びそのコーティング材料としての使用方法Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
臨界状態付近以上で使用する抽出方法から派生した水素
シルセスキオキサン樹脂(H−樹脂)画分に関するもの
である。これらの画分は、約3.0未満の分散度を有す
る狭い分子量分布の画分あるいは支持体にコーティング
を適用するのに有用な画分を含んで成ることができる。 本発明はまた、これらの画分を用いて支持体にセラミッ
クコーティングを形成する方法にも関する。
れる水素シルセスキオキサン樹脂は該技術分野では周知
である。得られた樹脂は大きな分散度を有し、そして低
分子量の揮発性成分から高分子量のゲルまでを含む幅広
い分子量分布の種を含んで成る。
工程をさらに含む類似の加水分解法が記述されている。 この方法によって製造された樹脂も同じく大きな分散度
及び幅広い分子量分布の種を含んでいる。
に周知である。このような方法は液体溶液に基づくもの
であり、単に非溶剤をポリマーの液体溶液に添加して所
望の画分を沈澱析出させる工程を含む。しかしながら、
H−樹脂は通常の溶剤には非常に可溶性及び/または不
安定であるため、このような方法をH−樹脂について適
用することは不可能であると考えられている。
周知であり、その中でポリジメチルシロキサン及びポリ
カルボシランのような各種の珪素含有ポリマーを超臨界
流体分別して、狭い分子量分布の画分を製造することが
記述されている。各種化学組成物の分離、精製、または
分別に超臨界流体を使用して、従来の技法では得ること
が困難である結果を出すことも議論されている。その中
には、官能性シロキサンオリゴマーの分別及び精製にこ
の技術を使用することが含まれている。
量分布の画分が感圧接着剤(PSAs)用途に優れてい
ることが教示されている。例えば、約2以下の分散度を
有する樹脂をポリジメチルシロキサンガムと混合した場
合に、優れた剥離接着性、速着性、またはせん断性を有
するPSAsが提供されている。
膜セラミックコーティングが、電子装置及び回路を含む
各種支持体に適用可能であることが教示されている。こ
れらのセラミックコーティングは、微小硬度性、耐湿性
、イオン障壁性、接着性、延性、引張強度、低導電性、
及び熱膨張係数のような多くの望ましい特性を有するの
で、このようなコーティングは非常に貴重である。
セスキオキサン樹脂を各種の新規分子量画分へと分別す
ることが可能であり、そして電子装置を含む各種支持体
にセラミックコーティングを付着させるのに前記画分が
有用であることをここで発見した。
は、各種分子量画分の水素シルセスキオキサン樹脂を含
んで成る組成物及びその使用に関するものである。詳細
には、本出願は、約3.0未満の分散度を有する樹脂画
分、約700〜約6000の数平均分子量及び約3.0
未満の分散度を有する樹脂画分、並びにポリマー種の約
90%が約500〜約10,000の分子量を有する樹
脂画分を請求する。
ーティングを形成させる方法に関する。本方法は、溶剤
並びに約700〜約6000の数平均分子量及び約3.
0未満の分散度を有する水素シルセスキオキサン樹脂画
分を含んで成る溶液で、支持体をコーティングする工程
を含んで成る。溶剤を蒸発させてプレセラミックコーテ
ィングを支持体上に付着する。次いでプレセラミックコ
ーティングに十分な熱をかけて、プレセラミックコーテ
ィングのセラミックコーティングへの転化を促進する。
近以上で用いて水素シルセスキオキサン樹脂を分別でき
るという発見に基づくものである。さらに、水素シルセ
スキオキサン由来の各種分子量画分が特異なコーティン
グ特性を有することが示された。例えば、約700〜約
6000の数平均分子量範囲及び約3.0未満の分散度
を有する画分が、各種支持体に亀裂の無い優れたコーテ
ィングを提供することが示された。
性を有するので、電子装置、電子回路、またはプラスチ
ック(例えば、ポリイミド、エポキシド、ポリテトラフ
ルオロエチレン及びそれらのコポリマー、ポリカーボネ
ート、アクリル樹脂、並びにポリエステルを含む)のよ
うな支持体のコーティング用に有利である。しかしなが
ら、本発明によりコーティングされるべき支持体及び装
置の選択は、付着のために用いる温度及び雰囲気におけ
る支持体の熱的及び化学的安定性に対する要求によって
のみ限定される。本明細書で教示されるコーティングは
、保護コーティング、不動態層、中間誘電体層、トラン
ジスター様装置を製造するためのドープした誘電体層、
コンデンサー及びコンデンサー様装置を製造するための
シリコン含有顔料充填バインダー装置、多層装置、3−
D装置、SOI(silicon on insula
tor)装置、超格子装置、高温超電導体用保護層など
として有用でありうる。
には、アモルファスシリカ、並びに残留性水素またはシ
ラノールは皆無ではないがそれ以外はセラミック特性を
示すシリカ様材料が含まれる。「電子装置」または「電
子回路」という表現には、シリコン基材の装置、ヒ化ガ
リウム基材の装置、焦点面配列、光電子装置、光電池、
及び光学装置が含まれるが、これらには限定されない。 「臨界点」という表現は、該技術分野では周知のように
、特定の温度及び圧力の適用によって流体が完全に気化
しそして単一相に転移する点を記述する。多くの化合物
に対する臨界点が該技術分野では周知であり、そして各
種の教科書に報告されている。「超臨界」という表現は
、この臨界点以上における流体を記述するのに用いられ
る。本明細書に記載されている分子量は、ポリジメチル
シロキサン標準を使用したゲル透過クロマトグラフィー
(GPC)によって得られたものである。GPC分析の
移動相はトルエン、流速は1.50ml/min 、温
度は45.0℃、そして濃度(重量/体積%)は1.0
0とした。
−樹脂は、可溶性樹脂を生ぜしめるいずれの手段によっ
て製造してもよい。周知の方法例が、米国特許第3,6
15,272号(Collinsらに与えられ、そして
ダウコーニング社に譲渡されている)及び米国特許出願
第07/401,726号(Bankらにより出願され
、そしてダウコーニング社に譲渡されている) に記載
されている。これらの参照文献に記述されている方法に
は、(トリクロロシラン、トリメトキシシラン、または
トリアセトキシシランのような)3個の加水分解性基を
有するヒドリドシランを、硫酸及び芳香族炭化水素の反
応によって生成したアリールスルホン酸水和物溶液中で
加水分解及び縮合する、「希少水」加水分解が含まれて
いる。これによって生成したポリマーは、洗浄及び/ま
たは中和した場合に、多くの通常の溶剤に可溶性である
。
点付近以上で使用して、容易に分別される。このような
流体を使用する分別方法は、それらの特異な溶解特性を
利用して物質を分離する。そのような特性には、温度及
び/または圧力の小さな変化が溶質の溶解性を著しく変
化させうるような、温度及び圧力両方に対する流体の感
受性が含まれる。これが溶解力の非常に精密な制御を可
能にし、そして類似の溶解特性を有する物質の分離を正
確に制御することを可能にする。さらに、臨界点以上の
流体はまた、その気体のような低粘度及び高拡散率のた
めに相間の物質移動速度が高い。最後に、このような流
体における表面張力の欠如が、優れた濡れ性及び微孔質
構造内への浸透性を提供する。
のため、材料を分離する(本場合ではポリマーを分別す
る)ために各種の方法を設計することができる。このよ
うな方法は一般に、(1)分別すべきポリマーを臨界点
付近以上の流体と十分な時間接触させてポリマー画分を
溶解する工程;(2)画分を含有する流体を残留ポリマ
ーから分離する工程;及び(3)所望の分画を回収する
工程、を含んで成る。
ものは、分別すべき材料を保持し、そして抽出すべき材
料を溶解するために必要とされる温度及び圧力に耐える
ように設計された抽出容器である。作業中は、分別すべ
き材料を抽出容器に装入し、そしてその中を適当な温度
及び圧力の抽出流体を通過させて、抽出すべき材料を溶
解する。特定の温度圧力条件において抽出流体に不溶で
あるすべての材料が容器内に残る。
溶液を残留材料から取り出し、次いで抽出材料を溶液か
ら回収する。一般にこのような回収は、材料が流体中に
もはや可溶しない、それゆえ溶液から沈澱析出してくる
ように温度及び/または圧力を変更した領域中に溶液を
通過させることによって達成される。次いでこれらの沈
澱析出物は単に、簡単な濾過のような工程によって分離
室内に集められる。溶質を含まない抽出流体は、廃棄す
るかまたは適当な圧力及び温度に戻して抽出容器へポン
プで送り戻すことができる。
応じることができる。例えば、抽出容器にH−樹脂試料
を装入し、そして抽出容器内に単に流体を通過させるよ
うな方法によって抽出流体をH−樹脂と接触させること
ができる。抽出流体並びにその温度及び圧力は、H−樹
脂の所望の分子量画分のみが溶解するようにすべきであ
る。この抽出後に残る装入物は、特定の温度及び圧力条
件において流体に可溶しないH−樹脂画分並びにゲルま
たは汚染物のような他のすべての不溶性物質を含有する
であろう。
を含んで成る溶液を残留樹脂から取り出し、次いで所望
の画分を溶液から回収する。一般に回収は、所望のH−
樹脂画分が流体中にもはや可溶しない、それゆえ溶液か
ら沈澱析出してくるように圧力を変更した領域中に、溶
液を通過させることによって達成される。次いでこれら
の沈澱析出物は単に、簡単な濾過のような方法により分
離室内に集められる。
それが臨界点付近以上にある場合に、所望のH−樹脂画
分を溶解し且つ残りの画分は溶解しないいずれかの化合
物が含まれる。しかしながら通常は、適当な点に到達さ
せるために不合理な手段を必要としないように、溶剤化
合物の臨界温度及び圧力には別の考慮がなされる。本方
法において機能する特定化合物の例として、二酸化炭素
並びにエタンまたはプロパンのような最も低分子量の炭
化水素が挙げられるが、これらには限定されない。
度は約31℃であり、そしてその臨界圧は約1073p
si である。従ってこの範囲付近以上の温度及び圧力
が、溶解を達成するには一般に必要である。本発明者は
、約80℃の温度において、各種H−樹脂画分が約10
00〜約4000psi の圧力範囲の二酸化炭素に溶
解可能であることをここで見い出した。
約32℃であり、そしてその臨界圧は約717psi
である。本発明者はまた、この試薬を約55〜70℃の
温度及び900〜2500psi の圧力で使用するこ
とによって、狭い分子量分布の画分をいくつか分離でき
ることも見い出した。
は約95.6℃であり、そしてその臨界圧は約632p
si である。本発明者はまた、この試薬を約80〜1
20℃の温度及び約1000〜5000psi の圧力
で使用することによって、狭い分子量分布の画分を各種
分離できることも見い出した。
各種分子量画分を抽出することも可能である。本明細書
で用いられる場合、近臨界液体という表現は、臨界点に
は近いが臨界点ではない流体であって、H−樹脂分別の
ためになる溶解特性をまだ有している流体を記述するの
に用いられる。例えば本発明者は、約60〜80℃の温
度及び約1000〜5000psi の圧力における近
臨界状態のプロパンが、約7000〜12000の分子
量ピーク範囲を有する各種の狭い画分を容易に抽出でき
ることをここで見い出した。
のポリマー試料を完全に分別できることもまたここで期
待される。例えば以下の例2に記述するように、超臨界
エタンを使用して各種の低分子量及び中分子量画分を移
行し、超臨界プロパンを使用して各種の中〜高分子量画
分を移行し、そして近臨界プロパンを使用して高分子量
画分を移行することができる。
樹脂のすべてまたは大部分を移行する速度で、抽出容器
内に十分量の上述の抽出流体を流すべきである。例えば
、所望の速度で抽出容器内の抽出流体の流動を開始し、
次いで所望の画分が分離室内にもはや集められなくなっ
た時点で流動を中断することができる。
の他に、抽出中に圧力パルスを使用することが分別の速
度及び程度を向上させるのに有利でありうることも発見
された。このような圧力パルスは通常、抽出流体の圧力
を所望の圧力付近で周期的に増減させることによって達
成される。このような方法の例として、各周期を約5分
〜約1時間とした、正弦波方式、方形波方式、のこぎり
波方式、またはそれらのいずれかの組合せにおいて、約
100〜400psi の圧力範囲にわたり中央圧力付
近で圧力を増減させる方法が挙げられる。理論により限
定はされないが、このような圧力パルスの使用が樹脂に
機械的効果を及ぼし、このことが樹脂内部に抽出流体の
対流を生ぜしめると考えられる。
に溶解したならば、その画分が抽出流体中にはもはや可
溶しない、それゆえ溶液から沈澱析出してくるように温
度及び/または圧力を変更した領域中に、流体を通過さ
せる。一般にこれは、溶液を減圧バルブを通過させるこ
とによって達成される。次いで沈澱析出した材料は単に
、簡単な濾過によって分離室内に集められる。次いで溶
質を含まない抽出流体は、処分するか、または所望の状
態へ再圧縮及び/若しくは加熱して抽出容器へポンプで
送り戻すことが可能である。
ここで考えられる。例えば上述の方法を、各種のH−樹
脂画分が抽出流体から一連の集積容器内に連続的に沈澱
析出するように改変することができる。このような方法
では、H−樹脂の全装入部分(またはその所望部分)を
抽出流体に溶解させることができる。次いで得られた溶
液について、樹脂の所望の分子量画分のみが沈澱析出す
るように圧力及び/または温度を適当に変更することに
よって、その溶解力を次第に減小させることができる。 圧力及び/または温度の各変更後、沈澱析出物を集め、
そして残る分子量画分を含有する溶液について、別の画
分を沈澱析出させるように圧力及び/または温度をさら
に変更する。
出容器内に装入しておき、次いで望まない画分を上述の
方法によって抽出するように改変することも考えられる
。本発明のこのような実施態様では、上述の抽出後に抽
出器に残る残留樹脂を単に所望のように集積及び使用す
る。
望のH−樹脂画分を回収することが可能である。しかし
ながら、本発明の方法を用いて、ポリマー種の約90%
が約500〜10,000の分子量を有する画分、また
は約700〜約6000の数平均分子量範囲及び約3.
0未満の分散度を有する画分を回収することが好ましい
。ポリマー種の約95%が約500〜約10,000の
分子量を有する画分、または約800〜約3000の数
平均分子量範囲及び約3.0未満の分散度を有する画分
を回収することがより好ましい。未分別のH−樹脂は上
記範囲外のポリマー種を約10%以上含有するので、(
先述の)多くの望ましくないコーティング特性が分別に
よって排除されることができる。
得ることになる他の同等な方法もまた考えられる。これ
らの画分は、例えば標準としての使用及び向上した特性
を有するコーティングの各種支持体への適用における使
用を含む、多くの目的に対して有用でありうる。
は、低分散度を有してさえも、主に揮発性成分である。 それらはコーティング溶液中に含まれると熱分解時に揮
発する傾向があり、そしてチャー(char)収率の減
少、コーティングの収縮によるフィルム応力及び亀裂、
並びに揮発性成分の漏出時に形成されたピンホール及び
気孔による密度の減小を引き起こす。さらに、このよう
な揮発画分は蒸気相において凝集し、そして熱分解時に
コーティング表面に析出する可能性がある。
ーティング溶液への添加が、これら揮発性成分と関係の
ある上述の問題のいくつかを和らげる(しかし除外する
ことはない)のに役立ちうることを教示している(米国
特許第4,822,697号)。しかしながら、このよ
うな触媒は汚染物として作用して、このような溶液から
得られたフィルムの品質を低下させる。従ってまた、使
用に先立ちこれら揮発性画分を除去するためにH−樹脂
を分別することが、このような添加剤(汚染物)を包含
させる必要性を除外できるので、特に有益であることが
わかる。
約3.0未満の分散度を有するH−樹脂画分が、理想的
なコーティング特性を有する。これらは、上述の悪影響
を及ぼす大部分の低分子量揮発性成分を欠如しており、
そして容易に溶解して各種支持体表面に適用される。さ
らにこれらの画分は、シリカへ酸化するために必要な温
度未満で溶融するので、加熱により流動させて、コーテ
ィング適用時に形成しうるすべての亀裂を充填し且つ直
すことができる。
度を有するH−樹脂画分は、優れたチャー収率及び密度
を有するフィルムを提供する。残念ながら、これらの高
分子量画分は、コーティング溶液に一般に用いられる溶
剤にはしばしば溶解しにくい。さらにこれらの高分子量
画分には、高品質のコーティングを製造するのに有益で
ある上述の「流動」特性が無い。
有する典型的な未分別H−樹脂試料が、上述の利点及び
欠点を混ぜ合わせて有していることがわかる。分別した
H−樹脂を利用することによって、所望の特性のみを有
するコーティング溶液が製造できる。
と、再現性のあるコーティング方法を開発することが可
能である。今までは、各バッチ毎に分子量分布が変化し
ていたため、コーティング品質、溶液粘度、及びコーテ
ィング厚が変わってしまったので、このような再現性が
達成できなかった。
溶であり、そしてH−樹脂試料から除去されるという点
からも分別は望ましい。このような汚染物はしばしばコ
ーティング中の傷と関連するので、その除去が特に有益
であることがわかる。
びH−樹脂の所望の分子量画分を含んで成る溶液を用い
て支持体をコーティングする工程;前記溶剤を蒸発させ
て前記支持体にプレセラミックコーティングを付着させ
る工程;並びに前記プレセラミックコーティングに十分
な熱をかけて、前記プレセラミックコーティングのセラ
ミックコーティングへの転化を促進する工程;を含んで
成る方法によって各種支持体に適用される。
、適用するための溶液を形成する。攪はん及び/または
加熱のような各種の促進手段を用いて、この溶解を補助
することができる。本発明に使用されるべき溶剤は、製
造されるセラミックコーティングを変化させることなく
画分を溶解及び安定化するいずれの薬剤または薬剤混合
物でもよい。例えばこれらの溶剤には、上述の材料を低
固形分含量に溶解するのに十分量の、エチル若しくはイ
ソプロピルのようなアルコール類、ベンゼン若しくはト
ルエンのような芳香族炭化水素類、n−ヘプタン若しく
はドデカンのようなアルカン類、ケトン類、エステル類
、グリコールエーテル類、または環状ジメチルポリシロ
キサン類が含まれることができる。例えば、上述の溶剤
の十分量を含有させて、0.1〜50重量%の溶液を形
成させることができる。
が改質性セラミック酸化物前駆体を含むこともできる。 ここで使用できる改質性セラミック酸化物前駆体には、
アルミニウム、チタン、ジルコニア、タンタル、ニオブ
、及び/またはバナジウムのような各種金属化合物並び
にホウ素またはリンの化合物のような各種非金属化合物
が含まれる。それゆえ、「改質性セラミック酸化物前駆
体」という表現は、上記の金属または非金属に結合した
一種以上の加水分解性基を有する、このような金属及び
非金属化合物を含む。加水分解性基の例には、メトキシ
、エトキシ、プロポキシなどのようなアルコキシ基、ア
セトキシのようなアシロキシ基、または酸素を介して前
記金属または非金属に結合した他の有機基が含まれるが
、これらには限定されない。これらの組成物は、前記画
分と混合した場合に可溶性溶液を形成しなければならず
、そして比較的低温及び比較的迅速な反応速度で加水分
解され、次いで熱分解されて、改質性セラミック酸化物
コーティングを形成できることが必要である。このよう
な改質性セラミック酸化物前駆体を用いるときは、これ
は一般に、最終のセラミックコーティングが0.1〜3
0重量%の改質性セラミック酸化物を含有することにな
るような量でプレセラミック混合物中に存在する。
ング溶液中に含有させて、シリカ転化の速度及び度合を
増加させることもまた可能である。しかしながら一般に
は、低分子量画分が除去されているのでこのような触媒
は必要ではない。この溶液に可溶性であるいずれの白金
またはロジウムの化合物または錯体でも使用できる。例
えば、ダウコーニング社(Midland,Mich.
) より得られる、アセチルアセトン酸白金のような有
機白金化合物またはロジウム触媒RhCl3 〔S(C
H2 CH2 CH2 CH3 )2 〕3 がすべて
本発明の範囲内にある。上述の触媒は一般に、白金また
はロジウムの量が溶液中のH−樹脂画分重量に対して約
5〜500ppm になるように溶液に加えられる。
に改質性セラミック酸化物前駆体及び/または白金若し
くはロジウム触媒を含有する溶液を、支持体上にコーテ
ィングする。コーティング方法は、スピンコーティング
、浸漬コーティング、スプレーコーティング、またはフ
ローコーティングであることができるが、これらには限
定されない。
ィングの付着を生じさせる。周囲環境への暴露によるか
または減圧若しくは穏やかな加熱の適用による簡単な風
乾のような、いずれの適当な蒸発手段でも用いることが
できる。スピンコーティングを用いる場合には、回転が
溶剤をとばすので、さらなる乾燥時間は一般に必要では
ない。
ーティングを、次いでそれをセラミック化するのに十分
な熱に暴露することによって、シリカ(SiO2 )コ
ーティングに転化する。一般にこの温度は、熱分解雰囲
気に依存して約20〜約1000℃である。より高温は
通常、より迅速及びより完全なセラミック化を生じるが
、このような温度はまた、各種温度感受性支持体に対し
て悪影響を及ぼす可能性がある。プレセラミックコーテ
ィングは通常、コーティングをセラミック化するのに十
分な時間、一般に約6時間以内、好ましくは約0.5〜
2時間の範囲で、これらの熱に暴露される。
かの有効な大気圧で、且つO2 、不活性ガス(N2
など)、アンモニア、アミンなどを含んで成るようない
ずれかの有効な気体環境下で行うことができる。しかし
ながら、湿性アンモニア雰囲気下で加熱してSi−H結
合を加水分解し、次いで乾燥アンモニア雰囲気下で加熱
して残るすべてのSi−OH基を除去することが特に好
ましい。
はマイクロ波エネルギーの使用のようないずれの加熱方
法でもここでは一般に機能する。さらに加熱速度もまた
重要ではないが、できるだけ迅速に加熱することは非常
に実用的であり且つ好ましい。
の)セラミック平面コーティングが支持体上に形成され
る。このコーティングは各種支持体の不規則な表面を平
滑にし、そして優れた接着性を有する。さらにこのコー
ティングは、さらなるSiO2 コーティング、SiO
2 /改質性セラミック酸化物層、珪素含有コーティン
グ、珪素炭素含有コーティング、珪素窒素含有コーティ
ング、珪素窒素炭素含有コーティング、及び/またはダ
イヤモンド様炭素コーティング、のような他のコーティ
ングによって被覆することができる。
含有コーティング、珪素炭素含有コーティング、珪素窒
素含有コーティング、珪素炭素窒素含有コーティング、
追加の二酸化珪素(改質性セラミック酸化物を含有しう
る)コーティング、またはダイヤモンド様炭素コーティ
ングを含んで成ることができる。三層系では、第二不動
態層は、珪素炭素含有コーティング、珪素窒素含有コー
ティング、珪素炭素窒素含有コーティング、追加の二酸
化珪素(改質性セラミック酸化物を含有しうる)コーテ
ィング、またはダイヤモンド様炭素コーティングを含ん
で成ることができ、そして第三遮断コーティングは、珪
素コーティング、珪素炭素含有コーティング、珪素窒素
含有コーティング、珪素炭素窒素含有コーティング、ま
たはダイヤモンド様炭素コーティングを含んで成ること
ができる。
ラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン、若
しくはこれらの混合物の化学蒸着法、(b)シラン、ハ
ロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン、若しくはこ
れらの混合物のプラズマ増強化学蒸着法、または(c)
シラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン、
若しくはこれらの混合物の金属補助(metal as
sisted)化学蒸着法、から成る群より選択された
方法により適用される。珪素炭素コーティングは、(1
)1〜6個の炭素原子を有するアルカンまたはアルキル
シラン存在下での、シラン、アルキルシラン、ハロシラ
ン、ハロジシラン、ハロポリシラン、若しくはこれらの
混合物の化学蒸着法、(2)1〜6個の炭素原子を有す
るアルカンまたはアルキルシラン存在下での、シラン、
アルキルシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリ
シラン、若しくはこれらの混合物のプラズマ増強化学蒸
着法、または(3)米国特許出願第07/336,92
7号にさらに記述されるような、シラシクロブタン若し
くはジシラシクロブタンのプラズマ増強化学蒸着法、か
ら成る群より選択された方法により適用される。珪素窒
素含有コーティングは、(A)アンモニア存在下での、
シラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン、
若しくはこれらの混合物の化学蒸着法、(B)アンモニ
ア存在下での、シラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハ
ロポリシラン、若しくはこれらの混合物のプラズマ増強
化学蒸着法、(C)イオン系若しくはKatoh ら(
Japanese Journal of Appli
ed Physics,vol.22,#5,pp13
21−1323) のものに記述されるような、SiH
4 −N2 混合物のプラズマ増強化学蒸着法、(D)
Semiconductor Internation
al,p 34,August 1987に記述される
ような反応性スパッタリング、または(E)珪素及び窒
素含有プレセラミックポリマーのセラミック化、から成
る群より選択された方法により付着される。珪素炭素窒
素含有コーティングは、(i)ヘキサメチルジシラザン
の化学蒸着法、(ii) ヘキサメチルジシラザンのプ
ラズマ増強化学蒸着法、(iii)1〜6個の炭素原子
を有するアルカン若しくはアルキルシラン存在下及びさ
らにアンモニア存在下での、シラン、アルキルシラン、
ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン、若しくは
これらの混合物の化学蒸着法、(iv)1〜6個の炭素
原子を有するアルカン若しくはアルキルシラン存在下及
びさらにアンモニア存在下での、シラン、アルキルシラ
ン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン、若し
くはこれらの混合物のプラズマ増強化学蒸着法、及び(
v)アンモニア存在下での、炭素置換ポリシラザン、ポ
リシラシクロブタシラザン、若しくはポリカルボシラン
を含んで成るプレセラミックポリマー溶液のセラミック
化、から成る群より選択された方法により付着される。 ダイヤモンド様炭素コーティングは、NASA Tec
h Briefs,November 1989に記述
される方法で、またはJ.Am.Ceram.Soc.
,72,171−191(1989)に記述されるSp
ear の方法の一つにより、炭化水素を含有するアル
ゴンビームに支持体を暴露することにより適用すること
ができる。二酸化珪素 (改質性セラミック酸化物を含
有しうる) コーティングは、初期コーティング中に二
酸化珪素前駆体(及び改質性セラミック酸化物前駆体)
を含んで成るプレセラミック混合物をセラミック化する
ことにより適用する。
陥密度が低く、そして、保護コーティングとして、耐食
性及び耐摩耗性コーティングとして、耐熱性及び耐湿性
コーティングとして、例えば多層装置の誘電体層として
、並びにナトリウム及び塩化物のようなイオン性不純物
に対する拡散障壁として有用である。
できるように、以下の限定しない例を記述する。
って製造したH−樹脂(Mn1525及び分散度8.0
1)60グラムを抽出容器に装入し、そして溶剤を液体
状態を通過させずに装置を運転状態に立ち上げた。80
℃の超臨界二酸化炭素を容器底部に送り込み、樹脂中を
パーコレートさせた。容器内の圧力を徐々に増大させる
ことによって、H−樹脂を段階的に抽出した。各画分に
ついて使用した圧力は、中央圧力値の回りで約200p
si の範囲にわたってパルスさせた。
超臨界二酸化炭素を抽出容器の上部から抜き取り、適当
な減圧バルブを通過させて画分集積容器に送り込んだ。 非常に減圧して沈澱析出させた樹脂を容器に集めて重量
を測定した。
。実験終了時には、装入試料のうち12グラムが容器内
に残存した。以下の表に、抽出条件及び得られた画分の
特性をまとめて示す。
GA)を行った。TGAデータはDuPont 990
を用いて、空気中800℃まで10℃/分の昇温速度で
測定したものである。等温TGAは、400℃まで10
℃/分で昇温し、次いで400℃で1時間保持すること
によって行った。以下の表2に示したように、揮発性が
著しく異なる分子量画分がチャー収率で表されている。
、ヘプタン95重量%及びドデカン5重量%を含んで成
る溶剤に溶解して、固形分含量を10重量%とした。 H−樹脂画分の重量に対して約100〜150ppm
の量のアセチルアセトン酸白金を溶液に加えた。これら
の溶液を、モトローラCMOS装置及び1インチのシリ
コンウエファーに、3000rpm で10秒間スピン
コーティングした。次いでその装置及びウエファーを、
400℃の炉内で空気中1時間熱分解処理した。コーテ
ィング厚は、Rudolph AutoE1II楕円偏
光測定器を用いてシリコンウエファー上、6328、4
050、及び8300オングストロームの波長で定量し
、その結果を平均した。熱分解後に得られたフィルム厚
及び熱分解中の厚減少%を表2に示す。また35倍〜3
500倍の走査型電子顕微鏡を用いて装置上のシリカコ
ーティングを検査した。
して、まったくコーティングにならなかった。中間分子
量画分10は装置上に優れたコーティングを提供した。 それはより厚いものであり、そして未分別H−樹脂由来
のコーティングよりも少ない亀裂を示した。
て特徴付けた。融点はThomas Hoover キ
ャピラリー融点装置を用いて測定した。表2は、優れた
コーティングを提供する中間分子量画分が酸化開始(2
00℃以上)前に溶融且つ流動して、コーティングの欠
陥を排除したことを明らかに示している。
製造したH−樹脂10グラムを抽出容器に装入し、そし
て超臨界エタン/プロパン及び近臨界液体(ncl)プ
ロパンを使用した以外、例1と同じ方法で分別した。本
例の抽出条件を表3に示し、そして得られた特性データ
を表4に示した。
製造したH−樹脂20グラムを抽出容器に装入し、そし
て超臨界エタン及び近臨界液体プロパンを使用した以外
、例1と同じ方法で分別した。本例の抽出条件を表5に
示し、そして得られた特性データを表6に示した。
Claims (5)
- 【請求項1】 約3.0未満の分散度を有する水素シ
ルセスキオキサン樹脂。 - 【請求項2】 ポリマー種の約90%が約500〜1
0,000の分子量を有する、水素シルセスキオキサン
樹脂。 - 【請求項3】 請求項2記載の樹脂であって、前記樹
脂がアルコール類、芳香族炭化水素類、アルカン類、ケ
トン類、環状ジメチルポリシロキサン類、エステル類、
またはグリコールエーテル類から成る群より選択された
一種以上の溶剤に溶解されており、前記溶剤が前記水素
シルセスキオキサン樹脂画分を約0.1〜約50重量%
で溶解するのに十分な量で存在し、前記水素シルセスキ
オキサン樹脂が、チタン、ジルコニウム、アルミニウム
、タンタル、バナジウム、ニオブ、ホウ素、及びリンか
ら成る群より選択された元素を含有する化合物を含んで
成る改質性セラミック酸化物前駆体をもまた含有し、前
記化合物が、アルコキシ若しくはアシロキシから成る群
より選択された少なくとも一種の加水分解性置換基を含
有し、そしてセラミックコーティングが0.1〜30重
量%の前記改質性セラミック酸化物を含有するような量
で前記化合物が存在することを特徴とする樹脂。 - 【請求項4】 前記画分重量に対して白金またはロジ
ウムの含有量が約5〜約500ppm になるように、
請求項3記載の樹脂に白金またはロジウム触媒をさらに
含有させた溶液。 - 【請求項5】 支持体にセラミックコーティングを形
成する方法であって、溶剤並びに約700〜約6000
の数平均分子量及び約3.0未満の分散度を有する水素
シルセスキオキサン樹脂を含んで成る溶液を用いて支持
体をコーティングする工程;前記溶剤を蒸発させて前記
支持体にプレセラミックコーティングを付着させる工程
;並びに前記プレセラミックコーティングに十分な熱を
かけて、前記プレセラミックコーティングのセラミック
コーティングへの転化を促進する工程;から成ることを
特徴とする方法。
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|---|---|---|---|
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| US07/618,865 US5063267A (en) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | Hydrogen silsesquioxane resin fractions and their use as coating materials |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JPH0579693B2 JPH0579693B2 (ja) | 1993-11-04 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP3303095A Granted JPH04275337A (ja) | 1990-11-28 | 1991-11-19 | 水素シルセスキオキサン樹脂及びそのコーティング材料としての使用方法 |
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|---|---|
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| ES (1) | ES2047987T3 (ja) |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001131479A (ja) * | 2000-10-30 | 2001-05-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | シリカ系被膜形成用塗布液 |
| WO2016204014A1 (ja) * | 2015-06-17 | 2016-12-22 | 株式会社ダイセル | 硬化性組成物 |
Families Citing this family (90)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5116637A (en) * | 1990-06-04 | 1992-05-26 | Dow Corning Corporation | Amine catalysts for the low temperature conversion of silica precursors to silica |
| JP2844896B2 (ja) * | 1990-10-17 | 1999-01-13 | 信越化学工業株式会社 | 耐熱性絶縁塗料 |
| US5445894A (en) * | 1991-04-22 | 1995-08-29 | Dow Corning Corporation | Ceramic coatings |
| US5436029A (en) * | 1992-07-13 | 1995-07-25 | Dow Corning Corporation | Curing silicon hydride containing materials by exposure to nitrous oxide |
| CA2100277A1 (en) * | 1992-07-20 | 1994-01-21 | Loren Andrew Haluska | Sealing porous electronic substrates |
| US5310583A (en) * | 1992-11-02 | 1994-05-10 | Dow Corning Corporation | Vapor phase deposition of hydrogen silsesquioxane resin in the presence of nitrous oxide |
| JP3153367B2 (ja) * | 1992-11-24 | 2001-04-09 | ダウ・コ−ニング・コ−ポレ−ション | ポリハイドロジェンシルセスキオキサンの分子量分別方法 |
| US5492958A (en) * | 1993-03-08 | 1996-02-20 | Dow Corning Corporation | Metal containing ceramic coatings |
| US5387480A (en) | 1993-03-08 | 1995-02-07 | Dow Corning Corporation | High dielectric constant coatings |
| TW492989B (en) * | 1993-03-19 | 2002-07-01 | Dow Corning | Stabilization of hydrogen silsesquioxane resin solutions |
| US5320868A (en) * | 1993-09-13 | 1994-06-14 | Dow Corning Corporation | Method of forming SI-O containing coatings |
| US5441765A (en) * | 1993-09-22 | 1995-08-15 | Dow Corning Corporation | Method of forming Si-O containing coatings |
| US6423651B1 (en) * | 1993-12-27 | 2002-07-23 | Kawasaki Steel Corporation | Insulating film of semiconductor device and coating solution for forming insulating film and method of manufacturing insulating film |
| US5456952A (en) * | 1994-05-17 | 1995-10-10 | Lsi Logic Corporation | Process of curing hydrogen silsesquioxane coating to form silicon oxide layer |
| MX9504934A (es) * | 1994-12-12 | 1997-01-31 | Morton Int Inc | Revestimientos en polvo de pelicula delgada lisa. |
| US5501875A (en) | 1994-12-27 | 1996-03-26 | Dow Corning Corporation | Metal coated silica precursor powders |
| JPH08245792A (ja) * | 1995-03-10 | 1996-09-24 | Mitsubishi Electric Corp | シリコーンラダーポリマー、シリコーンラダープレポリマーおよびそれらの製造方法 |
| US5618878A (en) * | 1995-04-07 | 1997-04-08 | Dow Corning Corporation | Hydrogen silsesquioxane resin coating composition |
| US5635240A (en) * | 1995-06-19 | 1997-06-03 | Dow Corning Corporation | Electronic coating materials using mixed polymers |
| US5985229A (en) * | 1995-09-21 | 1999-11-16 | Toagosei Co., Ltd. | Solid silica derivative and process for producing the same |
| US5609925A (en) | 1995-12-04 | 1997-03-11 | Dow Corning Corporation | Curing hydrogen silsesquioxane resin with an electron beam |
| US6583187B1 (en) | 1996-07-19 | 2003-06-24 | Andrew T. Daly | Continuous processing of powder coating compositions |
| US5766522A (en) * | 1996-07-19 | 1998-06-16 | Morton International, Inc. | Continuous processing of powder coating compositions |
| US6114414A (en) * | 1996-07-19 | 2000-09-05 | Morton International, Inc. | Continuous processing of powder coating compositions |
| US6075074A (en) | 1996-07-19 | 2000-06-13 | Morton International, Inc. | Continuous processing of powder coating compositions |
| US5776235A (en) * | 1996-10-04 | 1998-07-07 | Dow Corning Corporation | Thick opaque ceramic coatings |
| US5807611A (en) * | 1996-10-04 | 1998-09-15 | Dow Corning Corporation | Electronic coatings |
| US5711987A (en) * | 1996-10-04 | 1998-01-27 | Dow Corning Corporation | Electronic coatings |
| WO2009111196A1 (en) * | 2008-03-04 | 2009-09-11 | Dow Corning Corporation | Silicone composition, silicone adhesive, coated and laminated substrates |
| US20100273011A1 (en) * | 1996-12-20 | 2010-10-28 | Bianxiao Zhong | Silicone Composition, Silicone Adhesive, Coated and Laminated Substrates |
| DE19654488A1 (de) * | 1996-12-27 | 1998-07-02 | Sueddeutsche Kalkstickstoff | Verfahren zur Fraktionierung viscoser Silicone |
| US5707681A (en) * | 1997-02-07 | 1998-01-13 | Dow Corning Corporation | Method of producing coatings on electronic substrates |
| EP0860462A3 (en) * | 1997-02-24 | 1999-04-21 | Dow Corning Toray Silicone Company Limited | Composition and method for the formation of silica thin films |
| US6143855A (en) * | 1997-04-21 | 2000-11-07 | Alliedsignal Inc. | Organohydridosiloxane resins with high organic content |
| US6043330A (en) * | 1997-04-21 | 2000-03-28 | Alliedsignal Inc. | Synthesis of siloxane resins |
| US6218497B1 (en) | 1997-04-21 | 2001-04-17 | Alliedsignal Inc. | Organohydridosiloxane resins with low organic content |
| US6015457A (en) * | 1997-04-21 | 2000-01-18 | Alliedsignal Inc. | Stable inorganic polymers |
| US6743856B1 (en) | 1997-04-21 | 2004-06-01 | Honeywell International Inc. | Synthesis of siloxane resins |
| US5866197A (en) * | 1997-06-06 | 1999-02-02 | Dow Corning Corporation | Method for producing thick crack-free coating from hydrogen silsequioxane resin |
| TW392288B (en) | 1997-06-06 | 2000-06-01 | Dow Corning | Thermally stable dielectric coatings |
| US6218020B1 (en) | 1999-01-07 | 2001-04-17 | Alliedsignal Inc. | Dielectric films from organohydridosiloxane resins with high organic content |
| US6177199B1 (en) | 1999-01-07 | 2001-01-23 | Alliedsignal Inc. | Dielectric films from organohydridosiloxane resins with low organic content |
| US5906859A (en) * | 1998-07-10 | 1999-05-25 | Dow Corning Corporation | Method for producing low dielectric coatings from hydrogen silsequioxane resin |
| US6340722B1 (en) | 1998-09-04 | 2002-01-22 | The University Of Akron | Polymerization, compatibilized blending, and particle size control of powder coatings in a supercritical fluid |
| DE19848474C1 (de) | 1998-10-21 | 2000-01-13 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung keramischer Formkörper mittels Setterplatten und Verendung des Verfahrens zur Herstellung keramischer Mehrschichthybride |
| JP2003502449A (ja) * | 1999-06-10 | 2003-01-21 | ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド | フォトリソグラフィ用スピンオンガラス反射防止コーティング |
| US6440550B1 (en) * | 1999-10-18 | 2002-08-27 | Honeywell International Inc. | Deposition of fluorosilsesquioxane films |
| US6472076B1 (en) | 1999-10-18 | 2002-10-29 | Honeywell International Inc. | Deposition of organosilsesquioxane films |
| US6572974B1 (en) | 1999-12-06 | 2003-06-03 | The Regents Of The University Of Michigan | Modification of infrared reflectivity using silicon dioxide thin films derived from silsesquioxane resins |
| US6143360A (en) | 1999-12-13 | 2000-11-07 | Dow Corning Corporation | Method for making nanoporous silicone resins from alkylydridosiloxane resins |
| US6576300B1 (en) | 2000-03-20 | 2003-06-10 | Dow Corning Corporation | High modulus, low dielectric constant coatings |
| US7011868B2 (en) * | 2000-03-20 | 2006-03-14 | Axcelis Technologies, Inc. | Fluorine-free plasma curing process for porous low-k materials |
| US6913796B2 (en) * | 2000-03-20 | 2005-07-05 | Axcelis Technologies, Inc. | Plasma curing process for porous low-k materials |
| US6558755B2 (en) | 2000-03-20 | 2003-05-06 | Dow Corning Corporation | Plasma curing process for porous silica thin film |
| US6759098B2 (en) | 2000-03-20 | 2004-07-06 | Axcelis Technologies, Inc. | Plasma curing of MSQ-based porous low-k film materials |
| US6368400B1 (en) * | 2000-07-17 | 2002-04-09 | Honeywell International | Absorbing compounds for spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography |
| USH2219H1 (en) * | 2000-10-31 | 2008-07-01 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method for coating small particles |
| US6399210B1 (en) | 2000-11-27 | 2002-06-04 | Dow Corning Corporation | Alkoxyhydridosiloxane resins |
| US6756085B2 (en) * | 2001-09-14 | 2004-06-29 | Axcelis Technologies, Inc. | Ultraviolet curing processes for advanced low-k materials |
| FR2830856B1 (fr) * | 2001-10-15 | 2004-07-30 | Pechiney Aluminium | Precurseur de revetement et procede pour revetir un substrat d'une couche refractaire |
| FR2830857B1 (fr) * | 2001-10-15 | 2004-07-30 | Pechiney Aluminium | Precurseur de revetement et procede pour revetir un substrat d'une couche refractaire |
| US6596821B1 (en) * | 2002-03-05 | 2003-07-22 | Dow Corning Corporation | Hydrosilyation cured silicone resins obtained by fractionation |
| JP2007502333A (ja) | 2003-08-01 | 2007-02-08 | ダウ・コーニング・コーポレーション | 光起電アプリケーション用のシリコーンベース誘電被膜及びフィルム |
| US8053159B2 (en) | 2003-11-18 | 2011-11-08 | Honeywell International Inc. | Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof |
| KR100534103B1 (ko) * | 2004-01-14 | 2005-12-06 | 삼성전자주식회사 | 초임계 유체를 이용한 미세 전자소자의 제조 방법 |
| US7737082B2 (en) | 2004-09-17 | 2010-06-15 | James Alan Rabe | Siloxane composition, agglomerate, and method of preparing |
| WO2006049720A1 (en) | 2004-11-02 | 2006-05-11 | Dow Corning Corporation | Resist composition |
| JP4783117B2 (ja) * | 2005-10-21 | 2011-09-28 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | シリカ系ガラス薄層付き無機質基板、その製造方法、コーテイング剤および半導体装置 |
| WO2008002975A2 (en) * | 2006-06-28 | 2008-01-03 | Dow Corning Corporation | Silsesquioxane resin systems with base additives bearing electron- attracting functionalities |
| JP5085649B2 (ja) | 2006-06-28 | 2012-11-28 | ダウ コーニング コーポレーション | 電子吸引基を有する塩基性添加剤を含有するシルセスキオキサン樹脂システム |
| KR20090034953A (ko) | 2006-08-04 | 2009-04-08 | 다우 코닝 코포레이션 | 실리콘 수지 및 실리콘 조성물 |
| EP2125651A1 (en) * | 2006-12-20 | 2009-12-02 | Dow Corning Corporation | Glass substrates coated or laminated with multiple layers of cured silicone resin compositions |
| JP5357046B2 (ja) * | 2006-12-20 | 2013-12-04 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 硬化シリコーン組成物で被覆またはラミネートされたガラス基板 |
| US8642246B2 (en) | 2007-02-26 | 2014-02-04 | Honeywell International Inc. | Compositions, coatings and films for tri-layer patterning applications and methods of preparation thereof |
| KR20100137440A (ko) * | 2008-03-04 | 2010-12-30 | 다우 코닝 코포레이션 | 보로실록산 조성물, 보로실록산 접착제, 코팅된 기판 및 적층 기판 |
| EP2285565B1 (en) * | 2008-05-27 | 2013-06-26 | Dow Corning Corporation | Adhesive tape and laminated glass |
| TW201004795A (en) * | 2008-07-31 | 2010-02-01 | Dow Corning | Laminated glass |
| US8557877B2 (en) | 2009-06-10 | 2013-10-15 | Honeywell International Inc. | Anti-reflective coatings for optically transparent substrates |
| JP2014500897A (ja) | 2010-11-09 | 2014-01-16 | ダウ コーニング コーポレーション | 有機リン酸化合物により可塑化されたヒドロシリル化硬化シリコーン樹脂 |
| US8864898B2 (en) | 2011-05-31 | 2014-10-21 | Honeywell International Inc. | Coating formulations for optical elements |
| EP2758414B1 (en) | 2011-09-20 | 2018-11-21 | Dow Silicones Corporation | Ruthenium containing hydrosilylation catalysts and compositions containing the catalysts |
| CN103814040B (zh) | 2011-09-20 | 2016-08-31 | 道康宁公司 | 含镍硅氢加成催化剂及含有该催化剂的组合物 |
| CN103842368B (zh) | 2011-09-20 | 2017-02-22 | 道康宁公司 | 含铱硅氢加成催化剂及含有该催化剂的组合物 |
| WO2013081794A1 (en) | 2011-12-01 | 2013-06-06 | Dow Corning Corporation | Hydrosilylation reaction catalysts and curable compositions and methods for their preparation and use |
| US9741918B2 (en) | 2013-10-07 | 2017-08-22 | Hypres, Inc. | Method for increasing the integration level of superconducting electronics circuits, and a resulting circuit |
| DE112015001752B4 (de) | 2014-04-09 | 2026-04-30 | Dow Corning Corporation | Optisches Element sowie Verfahren zum Bilden eines optischen Elements |
| CN106029556B (zh) | 2014-04-09 | 2019-06-18 | 美国陶氏有机硅公司 | 疏水制品 |
| JP6803842B2 (ja) | 2015-04-13 | 2020-12-23 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッドHoneywell International Inc. | オプトエレクトロニクス用途のためのポリシロキサン製剤及びコーティング |
| US10597495B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-03-24 | Dow Silicones Corporation | Aged polymeric silsesquioxanes |
| FI128886B (en) * | 2019-02-25 | 2021-02-26 | Pibond Oy | Functional hydrogen silsesquioxane resins and the use thereof |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3615272A (en) * | 1968-11-04 | 1971-10-26 | Dow Corning | Condensed soluble hydrogensilsesquioxane resin |
| JPS5710627A (en) * | 1980-06-24 | 1982-01-20 | Hitachi Chem Co Ltd | Preparation of polysiloxane with fractionated molecular weight |
| JP2513595B2 (ja) * | 1984-11-28 | 1996-07-03 | 富士通株式会社 | ラダ−型シリコン樹脂の分子量分別法 |
| US4723978A (en) * | 1985-10-31 | 1988-02-09 | International Business Machines Corporation | Method for a plasma-treated polysiloxane coating |
| EP0255226A3 (en) * | 1986-06-26 | 1990-07-11 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Silicone pressure-sensitive adhesive having improved properties |
| DE3760773D1 (en) * | 1986-07-25 | 1989-11-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | Negative resist material, method for its manufacture and method for using it |
| US4756977A (en) * | 1986-12-03 | 1988-07-12 | Dow Corning Corporation | Multilayer ceramics from hydrogen silsesquioxane |
| JPH01203013A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-15 | Fujitsu Ltd | 高分子化合物の分子量分別方法 |
| US4999397A (en) * | 1989-07-28 | 1991-03-12 | Dow Corning Corporation | Metastable silane hydrolyzates and process for their preparation |
| US5010159A (en) * | 1989-09-01 | 1991-04-23 | Dow Corning Corporation | Process for the synthesis of soluble, condensed hydridosilicon resins containing low levels of silanol |
-
1990
- 1990-11-28 US US07/618,865 patent/US5063267A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-10-21 TW TW080108285A patent/TW218858B/zh not_active IP Right Cessation
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- 1991-11-26 KR KR1019910021202A patent/KR960007346B1/ko not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001131479A (ja) * | 2000-10-30 | 2001-05-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | シリカ系被膜形成用塗布液 |
| WO2016204014A1 (ja) * | 2015-06-17 | 2016-12-22 | 株式会社ダイセル | 硬化性組成物 |
| JPWO2016204014A1 (ja) * | 2015-06-17 | 2018-04-05 | 株式会社ダイセル | 硬化性組成物 |
| US10619047B2 (en) | 2015-06-17 | 2020-04-14 | Daicel Corporation | Curable composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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